BƯỚC ĐẦU NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG QUANG HÓA CỦA MÀNG NANO ITO/CdS/TiO2 (ZnO) ỨNG DỤNG TRONG XỬ LÝ MÔI TRƯỜNG Ô NHIỄM CHẤT HỮU CƠ

VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM
VIỆN KHOA HỌC VẬT LIỆU


ĐỀ TÀI:
BƯỚC ĐẦU NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG QUANG HÓA CỦA
MÀNG NANO ITO/CdS/TiO
2
(ZnO) ỨNG DỤNG TRONG XỬ LÝ
MÔI TRƯỜNG Ô NHIỄM CHẤT HỮU CƠ

Báo cáo:

Báo cáo kết quả chế tạo màng ITO/CdS/TiO
2
cấu trúc nano
bằng phương pháp bốc hơi chân không và ủ nhiệt và khảo sát
cấu trúc nano của màng ITO/CdS/TiO
2



Người thực hiện: Nguyễn Thúy Vân
Đơn vị: Phòng Vật liệu và Ứng dụng Quang sợi
Viện Khoa học Vật liệu – Viện Khoa học và Công nghệ Việt Nam



Tháng 5/2012
Nghiên cứu chế tạo màng mỏng TiO
2

trên màng FTO, ITO, hoặc thạch
anh (quartz) có độ dày, độ xốp, và độ truyền qua mong muốn.
I. Các phương pháp chế tạo màng mỏng
Hiện nay có rất nhiều phương pháp khác nhau để chế tạo các vật liệu ở dạng màng
mỏng với chiều dày từ vài nanomet đến vài micromet, thậm chí là có thể chế tạo được
màng mỏng với chiều dày chỉ vài lớp nguyên tử. Các phương pháp được sử dụng phổ
biến hiện nay là:
- Lắng đọng pha hơi hóa học (Chemical Vapour Deposition - CVD)
- Lắng đọng pha hơi vật lý (Physical Vapour Deposition - PVD)
- Các phương pháp sol-gel, điện hóa, quay phủ ly tâm v.v…
Căn cứ vào điều kiện thực tế của Việt Nam, chúng tôi chọn ba phương pháp, đó là:
- Lắng đọng pha hơi vật lý (sử dụng hai phương pháp bốc bay nhiệt và bốc bay
chùm tia điện tử);
- Phương pháp quay phủ ly tâm.
- Phương pháp phún xạ (sputtering)
1. Phương pháp bốc bay nhiệt
Bốc bay nhiệt sử dụng nguồn nhiệt trực tiếp nhờ thuyền điện trở còn gọi là bốc bay
nhiệt. Thuyền điện trở thường dùng là các lá volfram, tantan, molipden hoặc dây xoắn
thành nhỏ. Vật liệu cần bốc bay (còn gọi là vật liệu gốc) được đặt trực tiếp trên thuyền.
Buồng được hút chân không với áp suất trong khoảng 10
-3
-10
-6
torr. Khi thuyền được đốt
nóng lên đến nhiệt độ cao bằng hoặc hơn nhiệt độ hóa hơi của vật liệu gốc, thì các phần
tử hóa hơi sẽ bay ra và lắng đọng trên để. Đây là phương pháp có nhiều thuận tiện có
nhiều ưu điểm để chế tạo các màng mỏng kim loại đơn chất như nhôm, bạc, vàng. Khi
bốc bay hợp chất nhiều thành phần, phương pháp này có nhược điểm lớn nhất là sự “hợp
kim hóa” giữa thuyền và vật liệu gốc và sự hóa hơi không đồng thời của các phần tử, cho
nên màng nhận được có chất lượng không cao về hợp thức hóa học, không sạch về thành

phần và không hoàn hảo về cấu trúc tinh thể.
2. Phương pháp bốc bay chùm tia điện tử
a) Cơ sở lý thuyết:
Đặc điểm nổi bật của phương pháp chùm tia điện tử khác với các phương pháp bốc
bay nhiệt hay phún xạ catốt là sử dụng năng lượng của chùm electron hội tụ trực tiếp trên
vật liệu. Khi chùm electron năng lượng cao bắn phá vật liệu thì toàn bộ động năng của
electron được chuyển thành nhiệt năng do electron bị dừng đột ngột. Nguyên lý hoạt
động của súng điện tử trong chân không hoàn toàn giống như một đèn điện tử ba cực
(triôt): catốt là sợi dây volfram có điện áp tới -10kV. Điện áp trên điện cực lưới được
điều khiển có độ chênh điện áp cần thiết so với catôt. Anốt thường là toàn bộ thành
chuông thép không rỉ. Khác với triốt, trong thiết bị chân không còn có nam châm điện với
từ trường có hướng song song với sợi catốt (vuông góc với hướng bay ra của electron).
Điều khiển độ lớn của từ trường sẽ chỉnh được khoảng cách hội tụ của chùm tia điện tử.
Quỹ đạo bay của chùm tia điện tử được quyết định bởi hai yếu tố quan trọng đó là
vận tốc ban đầu thoát ra khỏi catốt và độ lớn của từ trường, theo định luật Lorentz:
F=-ev x B
Mật độ dòng electron J
e
sinh ra do phát xạ nhiệt bởi đốt nóng dây catốt được thể hiện
bằng phương trình Richardson:
J
e
= AT
2
exp[(-eФ)/kT)]
A là hằng số Richardson, e là độ lớn điện tích electron và Ф là công suất thoát, T-
nhiệt độ sợi đốt.
Khi nguồn phát xạ hoạt động tại mức bão hòa thì dòng catốt cực đại được điều khiển
bằng việc lựa chọn dòng đốt. Dưới mức bão hòa, mật độ dòng phụ thuộc vào thế gia tốc.
Động năng ban đầu của electron phát xạ là 3kT/2, không đáng kể so với động năng cuối

cùng chúng đạt được sau khi được gia tốc trong điện trường một chiều với điện áp cao từ
7 đến 10kV.
Chùm electron bắn ra từ súng điện tử được chuyển động trên các cung tròn khác nhau
và hội tự vào bia vật liệu. Đường đi của chùm electron đã được thăm dò một cách định
lượng. Quĩ đạo của electron được tính toán bằng tích phân các phương trình chuyển
động. Các kết quả đã chỉ ra rằng: có thể xác định được vị trí ban đầu của electron đối với
sợi phát xạ trong điện trường và từ trường, phát ra từ sợi phát xạ, được điều khiển và bắn
chính xác vào bia vật liệu theo cung tròn. Những electron nằm ở bên dưới sợi phát xạ
được điều khiển và hội tụ vào bia vật liệu hoàn toàn chính xác. So sánh quĩ đạo chuyển
động của các electron phát ra từ các vị trí của sợi phát xạ cho thấy những electron xuất
phát từ vị trí ở bên dưới sợi phát xạ bắn vào chén nung chính xác hơn electron xuất phát
bên trái sợi phát xạ và kém chính xác đối với vị trí xuất phát ở bên trên sợi phát xạ. Đối
với vị trí bên phải sợi phát xạ, nghĩa là vị trí nằm giữa sợi phát xạ và chén nung, electron
chuyển động với quĩ đạo lệch ra ngoài chén nung. Vì vậy, súng điện tử cấu tạo sao cho
những electron bắn ra từ sợi phát xạ, qua khe hẹp, vào bia vật liệu đạt hiệu quả cao.
Chùm tia điện tử được gia tốc trong điện trường có năng lượng cao và hội tụ vào bia vật
liệu nhờ tác dụng của từ trường điều khiển. Vật chất từ bia vật liệu được hóa hơi, thành
các phần tử rồi lắng đọng lên đế nóng. Phương pháp bốc bay chùm tia điện tử là phương
pháp chế tạo màng mỏng có độ tinh khiết cao. Trong một số trường hợp lắng đọng màng
mỏng, chùm tia điện tử được lai ghép cùng với chùm ion hoặc có sự tham gia của khí
phản ứng. Trong quá trình bay hơi phản ứng, cả hơi kim loại và khí phản ứng dều được
ion hóa trong môi trường plasma, tăng cường phản ứng của hơi kim loại trên bề mặt mọc
của màng, thúc đẩy sự hình thành hợp chất. Quá trình lắng đọng bằng chùm tia điện tử
được hỗ trợ bằng chùm ion (ion beam assisted deposition), đã kết hợp được lợi ích của
tốc độ lắng đọng cao và sự bắn phá của chùm ion, làm thay đổi tính chất của màng mỏng
được lắng đọng. Màng mỏng Ti trong luận án chủ yếu được bốc bằng hệ YBH-75PI của
Liên xô, (hình…)
b) Ưu điểm của phương pháp bốc bay chùm tia điện tử
- Môi trường chế tạo mẫu sạch nhờ có chân không cao từ 10
-5

-10
-6
mbar
- Độ tinh khiết của màng so với vật liệu gốc được đảm bảo do các phần tử gần như
bay hơi tức thời dưới tác dụng nhiệt nhanh của chùm tia điện tử;
- Bốc bay được hầu hết các loại vật liệu vì chùm tia điện tử hội tụ có năng lượng rất
lớn;
- Dễ điều chỉnh áp suất, thành phần khí, nhiệt độ, cũng như dễ theo dõi quá trình
lắng đọng;
- Có thể sử dụng rất ít vật liệu gốc (dưới 10mg) để bốc bay, cho nên trong các
trường hợp tiến hành nhiều thực nghiệm để tìm kiếm công nghệ chế tạo vật liệu
mới sẽ tiết kiệm đáng kể nguyên vật liệu quý hiếm
3. Phương pháp quay phủ ly tâm:
a) Cơ sở vật lý của phương pháp quay phủ ly tâm:
Yếu tố quan trọng và quyết định của phương pháp này là lực ly tâm sinh ra trong quá
trình quay để có phủ dung dịch chứa chất tạo màng. Trong suốt quá trình quay phủ li tâm,
lực li tâm và lưu lượng xuyên tâm của dung môi có tác dụng kéo căng, dàn trải và tán
mỏng dung dịch chống lại lực kết dính của dung dịch và tạo thành màng mỏng.
b) Các phương pháp tạo màng bằng phương pháp quay phủ ly tâm:
- Giai đoạn 1 (lắng đọng): Trong giai đoạn đầu tiên này, chất lỏng được nhỏ bằng
ống nhỏ giọt dung dịch hoặc phun sương lên trên bề mặt đế. Vấn đề quan trọng đặt ra là
dung dịch phải duy trì được độ ẩm cần thiết trên bề mặt đế trong suốt giai đoạn này. Có
hai phương pháp chung để nhỏ chất lỏng là phân phối tĩnh và động. Phân phối tĩnh là sự
lắng đọng đơn giản một “vùng” nhỏ chất lỏng ở tâm hoặc gần tâm của đế. Lượng thể tích
có thể thay đổi từ 1cc đến 10cc phụ thuộc vào độ nhớt của chất lỏng và kích thước của
đế. Độ nhớt cao hoặc đế rộng đòi hỏi lượng chất lỏng lớn hơn để chắc chắn có thể bao
phủ được bề mặt đế trong suốt giai đoạn quay với tốc độ cao. Sự phân phối động là quá
trình nhỏ chất lỏng trong khi đế quay với tốc độ thấp. Tốc độ quay khoảng 500 vòng/phút
thường được sử dụng trong giai đoạn này. Giai đoạn này có lợi cho việc kéo giãn mỏng
chất lỏng bên trên đế và có thể dẫn đến sự dư thừa vật liệu, phần này thường không cần

thiết cho việc nhỏ mà là để làm ẩm bề mặt toàn bộ đế.
- Giai đoạn 2 (spin-up): Giai đoạn thứ hai là giai đoạn đế nhanh chóng có tốc độ
quay đạt được giá trị tối đa theo yêu cầu. Giai đoạn này thường được mô tả bởi sự kéo
giãn, dàn trải và tán mỏng chất lỏng trên bề mặt đế bằng chuyển động quay tròn. Điều
này sẽ tạo ra chuyển động xoáy ở đầu dòng chảy do quán tính, bất cứ phần nào của màng
mà có chiều dày khác thì sẽ bị văng đi, khi đế đạt được tốc độ quay mong muốn thì chất
lưu sẽ trở nên đủ mỏng để cho chuyển động kéo theo biến dạng nhớt cân bằng với gia tốc
quay.
- Giai đoạn 3 (spin-off): Giai đoạn này là giai đoạn mà đế được quay với tốc độ ổn
định và lực nhớt của chất lỏng chi phối sự tán mỏng chiều dày màng. Giai đoạn này được
mô tả bởi sự tán mỏng dần dần độ dày của chất lỏng, dẫn đến lớp phù cuối cùng đồng
đều.
- Giai đoạn 4 (bay hơi): Giai đoạn thứ tư là giai đoạn đế được quay với tốc độ
không đổi và sự bay hơi của dung môi trở thành quá trình chủ yếu chi phối sự tán mỏng
chiều dày của màng trong quá trình phủ. Trong giai đoạn này, chiều dày màng phụ thuộc
vào tốc độ quay, độ nhớt và có mối quan hệ với tốc độ bay hơi. Sau khi kết thúc quá trình
quay, nhiều ứng dụng đòi hỏi sự xử lý nhiệt đối với lớp màng tạo được.
4. Phương pháp phún xạ
“Phún xạ” trong tiếng Anh là “Sputtering”. Phún xạ thuộc phương pháp lắng đọng
pha hơi vật lý, bởi vì các nguyên tử, cụm nguyên tử hay phân tử được tạo ra bằng cách
bắn phá ion – một phương pháp vật lý. Trong phún xạ diode (phún xạ hai điện cực), nhờ
sự phóng điện từ trạng thái plasma, các ion năng lượng cao (thí dụ ion Ar
+
) bắn phá lên
bia (vật liệu cần phún xạ). Trong trường hợp này, bia là cathode, dưới tác dụng bắn phá
của ion, các nguyên tử bị bật ra khỏi bia, lắng đọng lên bề mặt đế và hình thành lớp màng
mỏng (đế đồng thời cũng là anode). Khi tẩy sạch bề mặt thì mẫu được gắn lên cathode
đóng vai trò là bia, chùm ion năng lượng cao bắn phá lên bề mặt của mẫu làm cho các lớp
nguyên tử của tạp chất và một phần nguyên tử ngoài cùng của mẫu bị tẩy, quá trình này
gọi là ăn mòn phún xạ.

a) Thiết bị và các phương pháp phún xạ
 Phún xạ cao áp một chiều:
Trong phún xạ cao áp một chiều, người ta sử dụng hệ chỉnh lưu điện thế cao (đến vài
kV) làm nguồn cấp điện áp một chiều đặt trên hai điện cực trong chuông chân không
(hình ). Bia phún xạ chính là cathode phóng điện, tùy thuộc vào thiết bị mà diện tích của
bia nằm trong khoảng từ 10 đến vài trăm cm
2
. Anode có thể lầ đế và/hoặc toàn bộ thành
chuông chân không. Khoảng cách anode và cathode ngắn hơn rất nhiều khoảng cách
nguồn-đế trong bốc bay chân không và thường là dưới 10cm. Trong các khí trơ, argon
được sử dụng làm phún xạ nhiều hơn cả, áp suất được duy trì trong chuông cỡ 1 Torr.
Plasma trong trường hợp này được hình thành và duy trì nhờ nguồn áp một chiều. Cơ chế
hình thành plasma giống cơ chế phóng điện lạnh trong khí kém. Điện tử thứ cấp phát xạ
từ cathode được gia tốc trong điện trường cao áp, chúng ion-hóa các nguyên tử khí, do đó
tạo ra lớp plasma (đó là trạng thái trung hòa điện tích của vật chất mà trong đó phần lớn
là các ion dương và điện tử). Các ion khí Ar
+
bị hút về Cathode, bắn phá lên vật liệu làm
bật các nguyên tử ra khỏi bề mặt của cathode. Tuy nhiên, hiệu suất phún xạ trong trường
hợp này là rất thấp. Ngày nay phương pháp phún xạ cao áp một chiều mà không sử dụng
magnetron hầu như không sử dụng trong phương pháp chế tạo màng.
Hình vẽ Sơ đồ hệ phóng điện cao áp một chiều (DC-sputter)
 Phún xạ cao tần:
Trong tiếng anh thuật ngữ này là Radio-frequency sputtering nghĩa là phún xạ tần số
radio, một dải tần số cao cho nên chúng ta quen dùng từ cao tần để nói về phương pháp
“phún xạ tần số radio”. Điện áp đặt trên điện cực của hệ chân không là nguồn xoay chiều
tần số từ 0,1MHz trở lên, biên độ trong khoảng 0,5 đến 1KV. Trên hình 1là sơ đồ hệ
thiết bị phún xạ cao tần có tụ điện làm việc theo cơ chế phóng điện trên đĩa song song.
Phổ biến nhất ngày nay là nguồn cao tần có tần số 13,56MHz. Mật độ dòng ion tổng hợp
tới bia trong khoảng 1mA/cm

2
, trong khi biên độ của dòng cao tần cao hơn rất nhiều (có
khi lớn hơn gấp một bậc hoặc hơn nữa). Máy phát cao tần được thiết kế chuyên dụng để
nâng cao hiệu quả phún xạ: một tụ điện được ghép nối tiếp nhằm phún xạ được tất cả các
bia (trong đó có cả bia kim loại). Mạch điện được thiết kế bù trừ một cách hợp lý để quá
trình truyền năng lường từ nguồn công suất cao tần sang plasma đạt hiệu quả cao.


Hình 1. Sơ đồ hệ phún xạ cao tần
Kích thước của chông sử dụng trong phương pháp này hoàn toàn giống như trong
phún xạ cao áp một chiều (trong nhiều trường hợp, người ta thiết kế hệ phún xạ bao gồm
cả hai chức năng phún xạ cao tần và cao áp một chiều để có thể thực hiện đồng phún xạ
từ hai nguồn bia có cấu tạo khác nhau).
Phún xạ cao tần có nhiều ưu điểm hơn so với phún xạ cao áp một chiều, thí dụ điện
áp thấp, phún xạ trong áp suất khí thấp hơn, tốc độ phún xạ lớn hơn và đặc biệt phún xạ
được tất cả các loại vật liệu từ kim loại đến oxit hay chất cách điện. Plasma trong phún xạ
cao tần được hình thành và duy trì nhờ nguồn cao tần, cũng giống như quá trình oxi hóa
xảy ra trong phún xạ cao áp. Tuy nhiên, ngày nay phún xạ cao tần riêng biệt cũng không
còn được sử dụng bởi hiệu suất phún xạ vẫn còn chưa cao. Người ta sử dụng magnetron
để khắc phục nhược điểm này.
Sơ đồ hệ phóng điện cao tần có tụ chặn làm tăng hiệu suất bắn phá ion.
 Magnetron
Magnetron là hệ thiết bị tạo ra phóng điện trong điện trường có sử dụng nam châm.
Ngay từ những năm 70 magnetron đã được thiết kế sử dụng trong các hệ phún xạ cao áp
và cao tần để tăng tốc độ phún xạ. Magnetron là sự phóng điện tăng cường nhờ từ trường
của các nam châm vĩnh cửu (hoặc nam châm điện) đặt cố định dưới bia/cathode (hình ).
Như đã mô tả ở phần trên, với cấu hình của điện cực trong cả hai phương pháp phún xạ
đều có điện trường vuông góc với bề mặt của bia. Nhưng với magnetron chúng ta còn
thấy từ trường của các nam châm còn tạo ra các từ trường vuông góc với điện trường (có
nghĩa là song song với mặt phẳng của bia). Vì thế, từ trường được tập trung và tăng

cường plasma ở vùng gần bia. Magnetron áp dụng vào trong cả hai trường hợp phún xạ
đều nâng cao hiệu suất bắn phá ion, và do đó, tốc độ phún xạ được cải thiện rất nhiều.
Nói chung, sự phóng điện magnatron với việc kích thích bằng cao áp một chiều hay cao
tần có hiệu suất cao hơn hẳn so với trường hợp không dùng bẫy điện tử (nhờ từ trường
của các nam châm).
Sơ đồ nguyên lý bẫy điện từ bằng từ trường trong hệ phún xạ magnetron
 Các cấu hình phún xạ khác:
Ngoài ba kiểu phún xạ nêu trên, trong thực tiễn người ta còn chế tạo các thiết bị phún
xạ với cấu hình khác (các bộ phận chính vẫn dựa trên cấu hình của hai loại trước). Trong
đó có cấu hình sử dụng đến phân thế trên đế để kích thích bắn phá ion và quá trình phủ
màng, có loại hỗ trợ bằng ion nhiệt trong đó điện tử thứ cấp được tăng cường từ sợi
volfram đốt nóng.
Phún xạ chùm ion cũng là một cấu hình tỏ ra hữu hiệu trong công nghệ chế tạo màng
mỏng. Trong cấu hình này, nguồn ion được thiết kế tách hẳn ra khỏi cathode, làm việc
với điện thế phóng điện thấp hơn. Từ nguồn này chùm ion bắn thẳng vào bia với động
năng lớn nhất đạt được tương đương năng lượng trong cao áp một chiều.
b) Chế tạo màng mỏng bằng phương pháp phún xạ
Phún xạ là phương pháp sử dụng ion trong phóng điện cao áp một chiều hay cao tần
để thực hiện việc “đánh bật” các nguyên tử từ vật rắn (bia) ra khỏi bề mặt của nó. Tiếp
theo là quá trình lắng đọng các nguyên tử ấy trên bề mặt của vật rắn khác (tức là đế). Do
vậy chế tạo vật liệu bằng phương pháp phún xạ là quá trình chuyển các nguyên tử của vật
rắn ở dạng khối của bia sang dạng màng mỏng trên đế. Nhìn chung, phún xạ là quá trình
công nghệ xảy ra trong trạng thái plasma, thể hiện hết sức phức tạp. Để dễ hiểu chúng ta
có thể chia quá trình phún xạ ra thành ba giai đoạn:
1. Gia tốc ion trong lớp vỏ plasma ở vùng cathode
2. Ion bắn phá vào bia, các nguyên tử trong bia chuyển động va chạm nhau
3. Các nguyên tử thoát khỏi bia và lắng đọng lên đế
Trên hình 2 và hình 3 mô tả quá trình lắng đọng màng bằng phương pháp phún xạ
với 3 giai đoạn chính nêu trên.

Hình 2. Quá trình bắn phá bia và lắng đọn vật liệu trên đế



Hình 3. Quá trình phún xạ

c) Ưu điểm và nhược điểm của phương pháp phún xạ
 Ưu điểm:
- Tất cả các loại vật liệu đều được phún xạ, nghĩa là từ nguyên tố, hợp kim hay hợp
chất.
- Bia để phún xạ thường dùng được lâu, bởi vì lớp phún xạ rất mỏng.
- Có thể đặt bia theo nhiều hướng, trong nhiều trường hợp có thể dùng bia diện tích
lớn, do đó bia là nguồn “bốc bay” rất lớn.
- Trong magnetron có thể chế tạo màng mỏng từ bia có cấu hình đa dạng, phụ
thuộc vào cách lắp đặt nam châm, bia có thể thiết kế theo hình dạng của bề mặt đế
(hình côn hoặc hình cầu).
- Quy trình phún xạ ổn định, dễ lặp lại và dễ tự động hóa.
- Độ bám dính của màng với đế rất tốt.
 Nhược điểm
- Phần lớn năng lượng phún xạ tập trung lên bia, làm nóng bia, cho nên phải có bộ
làm lạnh bia.
- Tốc độ phún xạ nhỏ hơn nhiều so với tốc độ bốc bay chân không.
- Hiệu suất về năng lượng thấp, cho nên phún xạ không phải là phương pháp tiết
kiệm năng lượng.
- Bia thường là rất khó chế tạo và đắt tiền.
- Hiệu suất sử dụng bia thấp (không sử dụng được hết, nhiều khi do bia giòn, cho
nên dễ bị nứt dẫn đến hỏng sau số lần phún xạ chưa nhiều).
- Trong nhiều trường hợp, không cần đến nhiệt độ đế, nhưng nó luôn bị đốt nóng.
- Các tạp chất nhiễm từ thành chuông, trong chuông hay từ anode có thể lẫn vào
trong màng.

5. Phương pháp oxi hóa nhiệt
Đây là phương pháp được sử dụng chủ yếu trong đề tài để chế tạo màng TiO
2
từ màng
mỏng Ti bốc bay được từ hai phương pháp bốc bay nhiệt và bốc bay chùm tia điện tử.
Phương pháp oxi hóa nhiệt là phương pháp tạo ra hợp chất của một chất với oxi trong
môi trường không khí giàu oxi dưới tác dụng của nhiệt độ.
6. Chế tạo màng TiO
2
/CdS và ZnO/CdS bằng phương pháp bốc bay nhiệt
Các mẫu ITO/Ti sau khi đã qua quá trình xử lý nhiệt trở thành ITO/TiO
2
và thủy
tinh quang học kích thước (1,5x2cm) dùng làm đế, được gắn và gá đế của máy
bốc bay nhiệt VHD-30. Các màng ITO/TiO
2
sẽ không trải qua các quá trình xử lý
bề mặt bằng các phương pháp hóa học nhằm tránh các dư chất trên màng TiO
2
.
Phương pháp phóng điện lạnh sẽ được áp dụng để xử lý bề mặt của các màng
ITO/TiO
2
trong quá trình bóc bay nhiệt. Các điều kiện bốc bay như sau:
- Vật liệu nguồn là CdS đơn tinh thể;
- Thuyền điện trở là thuyền Volfram;
- Áp suất duy trì trong thời gian lắng đọng ~10
-2
Pa;
- Nhiệt độ đế duy trì trong thời gian bốc là 150

0
C;
- Cường độ dòng điện qua thuyền lá ~60A;
- Tốc độ bốc bay đế 3nm/phút;
- Đo độ dày tại chỗ bằng thiết bị đo độ dày bằng dao động thạch anh;
- Diện tích phủ CdS 15mm x 8mm.
Độ dày của màng CdS được bốc với các giá trị từ 10nm 300nm. Màng
ITO/TiO
2
/CdS nhận được có màu vằng mịn, bám đế tốt.
II. Thực nghiệm chế tạo màng TiO
2

1. Chế tạo màng Ti băng phương pháp phún xạ rồi tạo màng TiO
2
từ màng Ti
(phải viết bằng phương pháp phún xạ)
Đế dùng để bốc bay Ti kim loại là ITO kích thước 6cm x 6cm do chúng tôi tự chế tạo
có điện trở khoảng 50Ω/vuông, độ truyền qua, độ truyền qua >85% và lá Si kích thước
1cm x 1cm. Nguồn vật liệu là Ti có độ nguyên chất 99,99%. Màng Ti lắng đọng trên đế
Si ở đây được sử dụng để dùng trong các phép đo đạc như SEM, XRD…Việc làm sạch
các đế ITO trước khi bốc màng Ti là rất quan trọng. Nếu bề mặt của ITO có nhiều tạp
chất thì có thể chúng sẽ là các tâm bắt điện tử của màng TiO
2
chế tạo được sau này. Từ
đó làm giảm hiệu suất của linh kiện. Các bước làm sạch đế được thực hiện như sau:
4. Rung siêu âm đế trong Isopropanol (CH
3
)
2

CHOH trong 30 phút
5. Giai đoạn thứ hai là phương pháp phóng điện lạnh (growth dischage) trong
chân không thấp bằng thiết bị VHD-30 (Cộng hòa liên bang Đức) dưới áp suất
10
-2
torr trong thời gian 15 phút với điện áp khoảng 50V. Lúc này giữa Anode
là các đế và Cathode, xảy ra hiện tượng ion hóa trong khí kém hay plasma
lạnh. Khi đó các điện tử và ion khí được gia tốc bởi điện trường nên thu được
động năng lớn. Các hạt này va chạm vào bề mặt đế làm bật ra những tạp chất
không mong muốn còn lại sau khi đã qua giai đoạn xử lý bằng phương pháp
hóa học.
Sau khi các đế ITO và Si đã được làm sạch, chúng được đặt vào đĩa gá đế, cách
nguồn vật liệu Ti khoảng 25cm. Quá trình lắng đọng được tiến hành trong các điều kiện
sau:
6. Áp suất duy trì ở ~10
-5
Torr
7. Nhiệt độ đế: 120
0
C
8. Cao áp cấp cho súng điện tử: 7,5 kV
9. Dòng Cathode: 8-10A;
10. Dòng Anode: 90-100mA
11. Tốc độ bay hơi 0,15 nm/s và 1nm/s
12. Độ dày mày được đo bằng thiết bị đo chiều dày dùng dao động thạch anh
Kết quả màng Ti sau khi lắng đọng được đo truyền qua gần như bằng không, bề mặt
mịn, mầu đen.
Tiếp theo chế tạo màng TiO
2
bằng phương pháp oxy hóa nhiệt

Các màng Ti bốc bay trên đế ITO, Si được đưa vào ủ nhiệt trong không khí. Tốc độ
gia nhiệt 5
0
C/phút. Để nguội tự nhiên.
2. Chế tạo màng TiO
2
bằng phương pháp phún xạ màng TiO
2
rồi oxy hóa nhiệt
Đế dùng để bốc bay TiO
2
là ITO kích thước 6cm x 6cm do chúng tôi tự chế tạo có
điện trở khoảng 50Ω/vuông, độ truyền qua, độ truyền qua >85% . Nguồn vật liệu là TiO
2

có độ nguyên chất 99,99%. Màng TiO
2
lắng đọng trên đế ITO ở đây được sử dụng để
dùng trong các phép đo đạc như SEM, XRD…Việc làm sạch các đế ITO trước khi bốc
màng TiO
2
là rất quan trọng. Nếu bề mặt của ITO có nhiều tạp chất thì có thể chúng sẽ là
các tâm bắt điện tử của màng TiO
2
chế tạo được sau này. Từ đó làm giảm hiệu suất của
linh kiện. Các bước làm sạch đế được thực hiện như sau:
1. Rung siêu âm đế trong Isopropanol (CH
3
)
2

CHOH trong 30 phút
2. Giai đoạn thứ hai là phương pháp phóng điện lạnh (growth dischage) trong
chân không thấp bằng thiết bị VHD-30 (Cộng hòa liên bang Đức) dưới áp suất
10
-2
torr trong thời gian 15 phút với điện áp khoảng 50V. Lúc này giữa Anode
là các đế và Cathode, xảy ra hiện tượng ion hóa trong khí kém hay plasma
lạnh. Khi đó các điện tử và ion khí được gia tốc bởi điện trường nên thu được
động năng lớn. Các hạt này va chạm vào bề mặt đế làm bật ra những tạp chất
không mong muốn còn lại sau khi đã qua giai đoạn xử lý bằng phương pháp
hóa học.
Sau khi các đế ITO và Si đã được làm sạch, chúng được đặt vào đĩa gá đế, cách
nguồn vật liệu Ti khoảng 25cm. Quá trình lắng đọng được tiến hành trong các điều kiện
sau:
3. Áp suất duy trì ở ~10
-5
Torr
4. Nhiệt độ đế: 120
0
C
5. Cao áp cấp cho súng điện tử: 7,5 kV
6. Dòng Cathode: 8-10A;
7. Dòng Anode: 90-100mA
8. Tốc độ bay hơi 0,15 nm/s và 1nm/s
9. Độ dày mày được đo bằng thiết bị đo chiều dày dùng dao động thạch anh
Kết quả màng Ti sau khi lắng đọng được đo truyền qua gần như bằng không, bề mặt
mịn, mầu đen.
Tiếp theo chế tạo màng TiO
2
bằng phương pháp oxy hóa nhiệt

Các màng TiO
2
bốc bay trên đế ITO được đưa vào ủ nhiệt trong không khí. Tốc độ
gia nhiệt 5
0
C/phút. Để nguội tự nhiên.

III. Kết quả thực nghiệm
Trong phần này, chúng tôi trình bày các kết quả nghiên cứu cấu trúc, hình thái học,
tính chất quang, tính chất điện và tính chất quang điện hóa của các màng TiO
2
chế tạo
bằng phương pháp bốc bay chùm tia điện tử và bốc bay nhiệt kết hợp với xử lý nhiệt.
1. Đặc điểm cấu trúc và hình thái học của màng TiO
2

a) Đặc điểm cấu trúc của màng TiO
2

Tấm ITO được dùng làm đế để lắng đọng màng Ti bằng phương pháp phún xạ, tiếp
theo là quá trình xử lý nhiệt ở nhiệt 450
0
C trong 2 tiếng (thổi khí Oxi)….
Màng TiO
2
được chế tạo bằng phương pháp phún xạ lắng đọng màng Ti trên đế ITO.
Tiếp theo là quá trình xử lý nhiệt ở nhiệt độ 450
0
C trong 2 giờ ngoài không khí như đã
mô tả ở phần trên. Các kết quả nghiên cứu cấu trúc bằng giản đồ nhiễu xạ tia X được chỉ

ra ở hình


Từ giản đồ nhiễu xạ tia X hình chúng tôi thấy rằng màng Ti sau quá trình ủ nhiệt
có các đỉnh nhiễu xạ tại góc 2 theta: 25,21
0
; 37,80
0
; 48,04
0
; 53,80
0
; 62,61
0
lần lượt ứng
với họ các mặt phẳng (101); (004); (200); (105); (211); (204) đối chiếu với thẻ chuẩn 21-
1272 thì đây chính là TiO
2
pha anatase. Các đỉnh còn lại thể hiện đế ITO. Hầu hết các
đỉnh nhiễu xạ có cường độ thấp nhưng có độ bán rộng khá lớn. Điều này chứng tỏ màng
TiO
2
được hình thành dưới dạng nano tinh thể. Kích thước hạt nano tinh thể vào khoảng
23nm.
Như vậy bằng phương pháp phún xạ kết hợp với quá trình xử lý nhiệt , chúng tôi đã
chế tạo được màng TiO
2
đơn pha anatase cấu trúc nano.

Hình là ảnh SEM bề mặt của mẫu màng TiO
2
sau khi đã xử lý nhiệt màng Ti lắng
đọng ở tốc độ 5nm/s. Nhiệt độ ủ ở đây là 450
0
C từ hình ta có thể thấy rằng mẫu có
kích thước hạt vào khoảng 25nm


Hình là ảnh SEM mặt cắt ngang của mẫu TiO
2
nhận được sau khi xử lý nhiệt mẫu Ti
lắng đọng ở tốc độ 5nm ở nhiệt độ 450
0
C, từ hình trên chúng tôi nhận thấy màng
TiO
2
có độ dày hơn 200nm và có độ xốp cao