nghiên cứu chế tạo cảm biến khí co và co2 trên cơ sở vật liệu dây nano sno2

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI




ĐỖ ĐĂNG TRUNG




NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO CẢM BIẾN KHÍ CO VÀ CO
2

TRÊN CƠ SỞ VẬT LIỆU DÂY NANO SnO
2






LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU






Hà Nội – 2014
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI



ĐỖ ĐĂNG TRUNG


NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO CẢM BIẾN KHÍ CO VÀ CO
2

TRÊN CƠ SỞ VẬT LIỆU DÂY NANO SnO
2




Chuyên ngành: VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ
Mã số: 62440123


LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU


NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:
PGS.TS NGUYỄN VĂN HIẾU



Hà Nội - 2014
i

MỤC LỤC
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT vi
DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU vii
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ vii
MỞ ĐẦU 1
CHƯƠNG 1:. 5
TỔNG QUAN . 5
1.1. Mở đầu 5
1.2. Phân loại các cấu trúc nano một chiều 6
1.3. Phương pháp chế tạo vật liệu có cấu trúc nano một chiều 6
1.3.1. Phương pháp chế tạo từ trên xuống (top-down) 6
1.3.2. Phương pháp từ dưới lên (bottom-up) 7
1.4. Một số ứng dụng quan trọng của vật liệu nano một chiều 7
1.4.1. Ứng dụng làm laser 7
1.4.2. Ứng dụng trong chế tạo pin mặt trời 8
1.4.3. Ứng dụng trong linh kiện phát xạ trường 9
1.4.4. Ứng dụng trong cảm biến khí 9
1.5. Cơ chế nhạy khí của cấu trúc nano một chiều 10
1.5.1. Cảm biến khí trên cơ sở dây nano SnO
2
10
1.5.2. Cơ chế nhạy khí của vật liệu cấu trúc nano một chiều 13
1.5.2.1. Cơ chế nhạy khí chung của vật liệu oxit kim loại bán dẫn 13
1.5.2.2. Cơ chế nhạy khí của vật liệu cấu trúc nano một chiều (dây nano) 15
1.6. Tổng quan về vật liệu dây nano SnO
2
16
ii

1.6.1. Cấu trúc của vật liệu dây nano SnO
2
16
1.6.2. Tính chất quang của dây nano SnO
2
18
1.6.3. Tính chất điện của dây nano SnO
2
19
1.6.4. Một số phương pháp chế tạo dây nano SnO
2
20
1.6.4.1. Phương pháp bốc bay nhiệt theo cơ chế hơi lỏng rắn (VLS) 20
1.6.4.2. Phương pháp bốc bay chùm điện tử 24
1.6.4.3. Phương pháp mọc trong dung dịch 26
1.6.4.4. Phương pháp sử dụng khuôn 27
1.7. Dây nano SnO
2
ứng dụng trong cảm biến khí 29
1.7.1. Các đại lượng đặc trưng cơ bản của cảm biến khí 29
1.7.1.1. Độ đáp ứng - độ nhạy 29
1.7.1.2. Độ chọn lọc 30
1.7.1.3. Thời gian đáp ứng và thời gian hồi phục 30
1.7.1.4. Độ ổn định – độ bền 30
1.7.2. Một số phương pháp chế tạo cảm biến dây nano SnO
2
30
1.7.2.1. Phương pháp chế tạo gián tiếp (post-synthesis) 30
1.7.2.2. Phương pháp chế tạo mọc trực tiếp (on-chip growth) 32
1.7.3. Biến tính bề mặt dây nano SnO

2
33
1.8. Kết luận chương 1 35
CHƯƠNG 2: CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT NHẠY KHÍ CỦA DÂY NANO SnO
2
36
2.1. Giới thiệu 36
2.2. Chế tạo dây nano SnO
2
bằng phương pháp bốc bay nhiệt 37
2.2.1. Thiết bị và hóa chất 37
iii

2.2.2. Quy trình thực nghiệm chế tạo dây nano SnO
2
38
2.2.3. Kết quả nghiên cứu hình thái và cấu trúc của vật liệu 41
2.2.3.1. Kết quả chế tạo dây nano SnO
2
sử dụng bột Sn 41
2.2.3.2. Kết quả chế tạo dây nano SnO
2
sử dụng bột SnO 46
2.2.4. Khảo sát một số yếu tố ảnh hưởng tới quá trình chế tạo dây nano 48
2.2.4.1. Ảnh hưởng của tốc độ tăng nhiệt 48
2.2.4.2. Ảnh hưởng của thời gian mọc 50
2.2.4.3. Ảnh hưởng của chiều dày lớp xúc tác 51
2.3. Chế tạo và tính chất nhạy khí của cảm biến dây nano SnO
2
52

2.3.1. Hệ khảo sát tính chất nhạy khí của vật liệu 52
2.3.2. Cảm biến chế tạo bằng phương pháp cạo-phủ (Paste-coating) 54
2.3.3. Cảm biến chế tạo bằng phương pháp nhỏ-phủ (Drop-coating) 55
2.3.4. Cảm biến chế tạo bằng phương pháp mọc trực tiếp kiểu bắc cầu (Junction-
nanowires) 58
2.3.5. Cảm biến chế tạo bằng phương pháp mọc trực tiếp kiểu mạng lưới (Network-
nanowires) 66
2.4. Kết luận chương 2 71
CHƯƠNG 3: CẢM BIẾN KHÍ CO
2
TRÊN CƠ SỞ DÂY NANO SnO
2
BIẾN TÍNH
LaOCl 72
3.1. Mở đầu 72
3.1.1. Giới thiệu về khí CO
2
72
3.1.2. Tình hình nghiên cứu cảm biến khí CO
2
73
3.2. Kết quả nghiên cứu chế tạo cảm biến khí CO
2
75
3.2.1. Thực nghiệm 75
iv

3.2.2. Kết quả chế tạo và khảo sát tính chất của vật liệu 76
3.2.3. Kết quả khảo sát tính chất nhạy khí CO
2

của cảm biến 79
3.2.3.1. Ảnh hưởng của nhiệt độ ủ 79
3.2.3.2. Ảnh hưởng của nồng độ dung dịch biến tính 82
3.2.3.3. Thời gian đáp ứng và hồi phục của cảm biến 84
3.2.3.4. Độ chọn lọc của cảm biến 86
3.2.3.5. Cơ chế nhạy khí của cảm biến 88
3.3. Hoàn thiện sản phẩm cảm biến khí CO
2
bằng công nghệ vi cơ điện tử (MEMS) 91
3.3.1. Quy trình chế tạo cảm biến sử dụng công nghệ MEMS 92
3.3.2. Kết quả khảo sát tính chất nhạy khí của cảm biến 96
3.4. Kết luận chương 3 97
CHƯƠNG 4: CẢM BIẾN KHÍ CO TRÊN CƠ SỞ DÂY NANO SnO
2
BIẾN TÍNH Pd 99
4.1. Mở đầu 99
4.1.1. Giới thiệu về khí CO 99
4.1.2. Tình hình nghiên cứu về cảm biến khí CO 101
4.2. Kết quả nghiên cứu chế tạo cảm biến khí CO 103
4.2.1. Cảm biến dây nano SnO
2
biến tính Pd bằng phương pháp nhỏ phủ 103
4.2.1.1. Quy trình chế tạo cảm biến và biến tính Pd bằng phương pháp nhỏ phủ 103
4.2.1.2. Kết quả chế tạo cảm biến và khảo sát tính chất nhạy khí 103
4.2.2. Cảm biến dây nano SnO
2
biến tính Pd bằng phương pháp khử trực tiếp 105
4.2.2.1. Quy trình biến tính Pd bằng phương pháp khử trực tiếp 105
4.2.2.2. Kết quả chế tạo cảm biến và khảo sát tính chất nhạy khí 106
4.2.3. Cảm biến dây nano SnO

2
biến tính Pd trên điện cực thương phẩm 110
v

4.2.3.1. Quy trình chế tạo cảm biến trên điện cực thương phẩm 110
4.2.3.2. Kết quả chế tạo cảm biến và hình thái của vật liệu 111
4.2.3.3. Kết quả khảo sát tính chất nhạy khí CO 115
4.3. Hoàn thiện sản phẩm cảm biến khí CO chế tạo bằng công nghệ MEMS 120
4.3.1. Quy trình chế tạo cảm biến sử dụng công nghệ MEMS 120
4.3.2. Đặc trưng nhạy khí CO của cảm biến 121
4.4. Kết luận chương 4 122
KẾT LUẬN CHUNG VÀ KIẾN NGHỊ 124
DANH MỤC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ 126
TÀI LIỆU THAM KHẢO 128










vi

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT
TT
Ký hiệu,
viết tắt

Tên tiếng Anh Nghĩa tiếng Việt
1.


CVD Chemical Vapour Deposition Lắng đọng hóa học pha hơi
2.


VLS Vapour Liquid Solid Hơi-lỏng-rắn
3.


VS Vapour Solid Hơi-rắn
4.


UV Ultraviolet Tia cực tím
5.


MFC Mass Flow Controllers Bộ điều khiển lưu lượng khí
6.


ppb Parts per billion Một phần tỷ
7.


ppm Parts per million Một phần triệu
8.

SEM Scanning Electron Microscope Kính hiển vi điện tử quét
9.


TEM Transmission Electron Microscope

Kính hiển vi điện tử truyền qua
10.


XRD X-Ray Diffraction Nhiễu xạ tia X
11.

FESEM
Field Emission Scanning Electron
Microsope
Kính hiển vi điện tử quét phát xạ
trường
12.

HRTEM
High Resolution Transmission
Electron Microsope
Hiển vi điện tử truyền qua phân
giải cao
13.

EDS/EDX

Energy Dispersive X-ray
Spectroscopy
Phổ nhiễu xạ điện tử tia X
14.

ITIMS
International Training Institute for
Materials Science
Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học
Vật liệu
15.

MEMS
Micro-Electro Mechanical
Systems
Hệ thống vi cơ điện tử
16.


SMO Semiconducting Metal Oxides Oxit kim loại bán dẫn
17.

JCPDS
Joint Committee on Powder
Diffraction Standards
Ủy ban chung về tiêu chuẩn nhiễu
xạ của vật liệu bột
18.

R
a
R
air
Điện trở đo trong không khí
19.


R
g
R
gas
Điện trở đo trong khí thử
20.


S Sensitivity Độ hồi đáp/Độ đáp ứng
21.



Donors Các tâm cho điện tử
22.


Acceptors Các tâm nhận điện tử


vii

DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU

Bảng 1.1. Thống kê một số công trình công bố về cảm biến khí trên cơ sở dây nano
SnO
2
……………………………………………………………………………………… 10
Bảng 2.1. Dải nồng độ khí NO
2

(sử dụng khí chuẩn NO
2

0,1 %) …………………….53
Bảng 3.1. Sản phẩm cháy của một số loại chất cháy [31] …………………………… 72
Bảng 3.2. Ảnh hưởng của khí CO
2
đến sức khỏe con người [42] …………………… 73
Bảng 3.3. So sánh độ đáp ứng khí CO
2
(2000 ppm) của các loại cảm biến……………81
Bảng 4.1. Ảnh hưởng của nồng độ khí CO đến sức khỏe con người [42] …………….99
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ

Hình 1.1. Thống kê số lượng các công trình công bố liên quan đến vật liệu ZnO, SnO
2
,
TiO
2
, In
2

O
3
và WO
3
trong 10 năm (2004-2013) [Nguồn ScienceDirect] …………………… 6
Hình 1.2. Các cấu trúc một chiều: (a) sợi nano; (b) cấu trúc lõi-vỏ; (c) ống nano; (d) cấu
trúc dị thể; (e), (f) đai/thanh nano; (g) cấu trúc hình cây; (h) cấu trúc nhánh; (i) dạng các nano
cầu kết hợp; (j) dạng lò xo [162] ………………………………………………………………7
Hình 1.3. Cấu trúc răng lược (a); Ảnh quang học trường xa của phát xạ ánh sáng từ dây
nano ZnO (b) và phổ phát xạ phụ thuộc vào năng lượng kích thích (c) [149]……….……… 9
Hình 1.4. Đặc trưng đáp ứng khí của cảm biến sử dụng hạt nano và dây nano SnO
2
11
Hình 1.5. So sánh độ đáp ứng khí của cảm biến trên cơ sở hạt và dây nano SnO
2
trước
(a,c) và sau 46 ngày (b,d)………………………………………………………………… …12
Hình 1.6. Cảm biến khí trên cơ sở transistor hiệu ứng trường dây nano SnO
2
: mô hình
linh kiện FET dây nano (a), linh kiện FET dây nano (b) và đặc trưng nhạy khí O
2
khi đo dòng
nguồn máng I
DS
lúc có và không có O
2
……………………………………………………….13
Hình 1.7. Cảm biến sử dụng hiệu ứng tự đốt nóng trên cơ sở đơn dây nano SnO
2

: (a) sự
phụ thuộc của nhiệt độ đốt nóng vào dòng điện, (b) đặc trưng nhạy khí NO
2
của cảm biến khi
áp dòng điện 0,1 nA và 10 nA…………………………………………………………… …13
viii

Hình 1.8. Sơ đồ biểu diễn sự thay đổi điện trở của cảm biến bán dẫn loại n và p … 14
Hình 1.9. Mô hình giải thích sự thay đổi rào thế của vật liệu oxit kim loại bán dẫn đối
với khí khử ………………………………………………………………………….…… …15
Hình 1.10. Mô hình giải thích cơ chế nhạy khí của dây nano ……………….……… 16
Hình 1.11. Mô hình cấu trúc ô cơ sở của vật liệu SnO
2
[28] ………………………….17
Hình 1.12. Giản đồ nhiễu xạ điện tử (XRD) của vật liệu SnO
2
[28] ………………… 17
Hình 1.13. Phổ huỳnh quang của dây nano SnO
2
mọc ở 750-950
o
C (a) và sơ đồ vùng
năng lượng của dây nano SnO
2
(b) [120] ……………………………………………………18
Hình 1.14. Sơ đồ khảo sát tính chất điện dây nano SnO
2
(a) và đường đặc trưng I-V của
tiếp xúc kim loại và bán dẫn (b) [12] ………………………………………………….…… 19
Hình 1.15. Cơ chế mọc dây nano SnO

2
sử dụng vật liệu nguồn là màng Sn [59] … 22
Hình 1.16. Sơ đồ nguyên lý hệ bốc bay chùm điện tử [111] ………………………….25
Hình 1.17. Ảnh FE-SEM của dây nano SnO
2
chế tạo bằng phương pháp sol-
gel
từ vật liệu nguồn SnCl
2
.2H
2
O [17] ………………………………………………………… 26
Hình 1.18. Các loại khuôn dùng để chế tạo dây nano: (A) màng xốp oxit nhôm, (B)
khuôn đồng trùng hợp (copolymer) và (C) khuôn mềm [74] …………………… …………28
Hình 1.19. Quy trình chế tạo cảm biến dây nano sử dụng khuôn PDMS [61]…….….31
Hình 1.20. Ảnh SEM với độ phóng đại thấp (a) và cao (b) của cảm biến dây nano SnO
2

mọc trên điện cực răng lược (c) hình thái của dây nano và (d) ảnh TEM phân giải cao của dây
nano SnO
2
[22] ………………….…………………………………………………………….32
Hình 1.21. Ảnh TEM của dây nano SnO
2
(a), 5 nm Ag-SnO
2
(b), 10 nm Ag-SnO
2
(c),
50 nm Ag-SnO

2
(d) và độ chọn lọc của các cảm biến với 100 ppm khí C
2
H
5
OH, NH
3
, H
2
, CO
ở 450
o
C (e) [62] .……………….……………….……………………………………………34
Hình 1.22. Mô hình giải thích cơ chế nhạy khí của dây nano biến tính bằng Pd (a): (1)
sự hấp phụ ion oxy trên bề mặt dây nano, (2) sự phân tách phân tử oxy thành ion dưới tác
dụng của hạt Pd, (3) sự hấp phụ oxy của dây nano tại bề mặt dây nano có biến tính Pd; giản
đồ vùng năng lượng của dây nano SnO
2
và Pd-SnO
2
(b) [4]…………………………………35
ix

Hình 2.1. Thống kê số lượng công trình công bố về dây nano SnO
2
và dây nano SnO
2

ứng dụng làm cảm biến khí trong 10 năm (2004-2013) [Nguồn ScienceDirect] ………… …36
Hình 2.2. Sơ đồ nguyên lý và ảnh chụp hệ bốc bay nhiệt chế tạo vật liệu tại Viện

ITIMS…………………………………………………………………………………………38
Hình 2.3. Sơ đồ bố trí vật liệu nguồn và đế cho quá trình mọc dây nano từ bột Sn (SnO)
Hình 2.4. Giản đồ chu trình nhiệt của quá trình mọc dây nano ở 700-800
o
C…………40
Hình 2.5. Giản đồ chu trình nhiệt của quá trình chế tạo dây nano ở 920-980
o
C ….….41
Hình 2.6. Ảnh quang học mẫu dây nano chế tạo ở nhiệt độ 700-800
o
C đặt trước và sau
thuyền (a) và ảnh FE-SEM dây nano mọc ở 680
o
C (b)………………………………….… 42
Hình 2.7. Ảnh FE-SEM và TEM của dây nano SnO
2
tổng hợp ở nhiệt độ: 700
o
C (a),
750
o
C (b) và 800
o
C (c)……………………………………………………………… …….43
Hình 2.8. Giản đồ nhiễu xạ điện tử XRD (a) và phổ Raman đo ở nhiệt độ phòng (b) của
dây nano SnO
2
chế tạo ở nhiệt độ 700
o
C, 750

o
C và 800
o
C ……………………………… 44
Hình 2.9. Phổ hấp thụ UV-VIS (a) và đồ thị biểu diễn mối quan hệ giữa hệ số hấp thụ
và năng lượng photon (b) của dây nano mọc ở nhiệt độ 700-800
o
C…………………………45
Hình 2.10. Phổ huỳnh quang đo ở nhiệt độ phòng của dây nano SnO
2
chế tạo ở các
nhiệt độ khác nhau: 700
o
C, 750
o
C và 800
o
C ………………………………………………45
Hình 2.11. Ảnh FE-SEM của dây nano chế tạo từ bột SnO ở các nhiệt độ: 920
o
C (a),
950
o
C (b) và 980
o
C (c) ………………………………………………………………… ….47
Hình 2.12. Giản đồ XRD của dây nano SnO
2
mocj ở 950
o

C (a) và bột SnO
2
thương
phẩm (b) …………………………………………………………………………………… 47
Hình 2.13. Ảnh TEM của dây nano SnO
2
mọc ở 950
o
C (a) và ảnh HR-TEM cho thấy
sự sắp xếp các nguyên tử (b). Ảnh nhiễu xạ điện tử của dây nano (ảnh nhỏ)………….…… 48
Hình 2.14. Ảnh FE-SEM của dây nano SnO
2
mọc ở 750
o
C với tốc độ tăng nhiệt độ
lần lượt là 60 độ/phút (a), 30 độ/phút (b) và 15 độ/phút (c) 49
Hình 2.15. Dây nano SnO
2
chế tạo ở 750
o
C với thời gian mọc khác nhau: 15 phút (a),
30 phút (b) và 60 phút (c)…………………………………………………………………….50
x

Hình 2.16. Ảnh FE-SEM dây nano SnO
2
mọc ở 750
o
C trong 30 phút với chiều dày lớp
xúc tác Au khác nhau: 5 nm (a,b), 10 nm (c,d) và 20 nm (e,f)……………………………….51

Hình 2.17. Sơ đồ nguyên lý hệ đo tính chất nhạy khí của cảm biến (a), thiết bị đo thế và
đo dòng (b)……………………………………………………………………………………53
Hình 2.18. Điện cực răng lược (a) và cảm biến trên cơ sở dây nano SnO
2
chế tạo bằng
phương pháp cạo phủ (b) 54
Hình 2.19. Đặc trưng nhạy khí NO
2
của cảm biến dây nano SnO
2
chế tạo bằng phương
pháp cạo phủ ở: 150
o
C (a), 200
o
C (b), 250
o
C (c) và độ đáp ứng của cảm biến phụ thuộc
nồng độ khí (d)……………………………………………………………………………… 55
Hình 2.20. Ảnh FE-SEM của cảm biến trên cơ sở dây nano chế tạo bằng phương pháp
nhỏ phủ……………………………………………………………………………………… 56
Hình 2.21. Khảo sát các đặc tính của cảm biến: sự phụ thuộc của điện trở vào nhiệt độ
(a), đặc trưng I-V ở các nhiệt độ khác nhau (b), sự thay đổi điện trở theo nồng độ khí NO
2
(c)
và độ hồi đáp của cảm biến phụ thuộc vào nồng độ khí (d)………………………………….57
Hình 2.22. Quy trình chế tạo điện cực trên đế Si để mọc trực tiếp dây nano SnO
2

tại Viện ITIMS ……………………………………………………………………………… 58

Hình 2.23. Ảnh hiển vi quang học của cảm biến mọc trực tiếp dây nano lên điện cực ở
800
o
C với khối lượng bột Sn khác nhau: 4 mg (a), 6 mg (b), 10 mg (c) và 20 mg (d)……… 59
Hình 2.24. Cảm biến mọc trực tiếp dây nano SnO
2
với khối lượng vật liệu nguồn khác
nhau: 2 mg (a,b), 4 mg (c,d), 6 mg (e,f) và 10 mg (g, h) … ……………………………… …60
Hình 2.25. Đặc trưng nhạy khí của cảm biến SnO
2
-6mg: sự thay đổi điện trở của cảm
biến với 1 ppm khí NO
2
trong dải nhiệt độ 50-200
o
C (a) và độ đáp ứng của cảm biến với 1 ppm
khí NO
2
như một hàm của nhiệt độ (b)……………………………….…………………… …61
Hình 2.26. Đặc trưng nhạy khí NO
2
của cảm biến theo nồng độ khí NO
2
(1; 2,5; 5 và 10
ppm) ở các nhiệt độ 50
o
C, 100
o
C và 150
o

C; Sự phụ thuộc độ đáp ứng S (R
g
/R
a
) như một hàm
của nồng độ khí với các cảm biến: SnO
2
-4 mg (a), SnO
2
-6 mg (b), SnO
2
-10 mg (c), SnO
2
-20 mg
(d) ………………………………………………………………………………………… 62
xi

Hình 2.27. Độ đáp ứng của cảm biến phụ thuộc vào nồng độ khí NO
2
với cảm biến
SnO
2
-4 mg, SnO
2
-6 mg, SnO
2
-10 mg và SnO
2
-20 mg ở nhiệt độ 100
o

C……………… ….63
Hình 2.28. Mô hình cảm biến dây nano kiểu bắc cầu: dây nano nối trự c tiếp hai điện cực
(a), các tiếp xúc dây-dây của dây nano giữa 2 điện cực (b) và kết hợp cả hai mô hình trên (c) 65
Hình 2.29. Độ chọn lọc của cảm biến dây nano SnO
2
-4 mg khi đo với các loại khí khác
nhau: CO (10 ppm), H
2
S (10 ppm), C
2
H
5
OH (100 ppm), NH
3
(100 ppm) và NO
2
(1 ppm) …65
Hình 2.30. Quy trình chế tạo cảm biến mọc trực tiếp dây nano SnO
2
lên đế Al
2
O
3
….…66
Hình 2.31. Độ đáp ứng với 0,5 ppm khí NO
2
ở 200
o
C của các cảm biến chế tạo với khối
lượng vật liệu nguồn khác nhau: 0,05 g (a); 0,1 g (b) và 0,15 g (c)……………………… … 67

Hình 2.32. Đặc trưng nhạy khí NO
2
của cảm biến dây nano SnO
2
mọc trên đế Al
2
O
3
ở
nhiệt độ: 150
o
C (a), 200
o
C (b), 250
o
C (c) và sự phụ thuộc độ đáp ứng của cảm biến theo nồng
độ khí (d)………………………………………………………………………………………68
Hình 2.33. Đặc trưng nhạy khí của cảm biến dây nano SnO
2
dạng màng mỏng chế tạo
trên đế SiO
2
/Si (a) và Al
2
O
3
(b); độ đáp ứng của hai mẫu cảm biến như một hàm của nồng độ
khí NO
2
(c); ảnh FE-SEM của cảm biến dây nano trên đế Si (d) và Al

2
O
3
(e)…………….…69
Hình 2.34. Đồ thị so sánh độ đáp ứng của cảm biến khí NO
2
sử dụng dây nano chế tạo
bằng phương pháp cạo phủ, nhỏ phủ ở 200
o
C và mọc trực tiếp kiểu bắc cầu, kiểu mạng lưới ở
150
o
C ……………………………………………………………………………………… 70
Hình 3.1. Quy trình chế tạo cảm biến trên cơ sở dây nano SnO
2
biến tính LaOCl bằng
phương pháp nhỏ phủ ……………………………………………………………………… 75
Hình 3.2. Ảnh FE-SEM của dây nano SnO
2
trước (a) và sau biến tính LaOCl (b); phổ
tán xạ tia X (EDX) của dây nano SnO
2
(c) và SnO
2
-LaOCl (d); Ảnh TEM của dây nano SnO
2

(e) và SnO
2
-LaOCl (f)……………………………………………………………………… 77

Hình 3.3. Giản đồ nhiễu xa tia X của mẫu dây nano SnO
2
chưa biến tính và biến tính với
LaOCl ủ ở các nhiệt độ 500, 600 và 700
o
C………………………………………….……….78
Hình 3.4. Đặc trưng nhạy khí CO
2
của cảm biến dây nano SnO
2
trước (a) và sau biến
tính (c); độ đáp ứng như một hàm của nồng độ khí trước (b) và sau (d) biến tính LaOCl.… 80
xii

Hình 3.5. Đặc trưng nhạy khí CO
2
của cảm biến dây nano SnO
2
- LaOCl xử lý nhiệt ở 500
o
C (a) và 700
o
C (b) ở nhiệt độ 350, 400, 450
o
C; Độ đáp ứng với 4000 ppm khí CO
2
của cảm
biến ở 400
o
C (c) và độ đáp ứng của các cảm biến như một hàm của nồng độ khí CO

2
(d) … 82
Hình 3.6. Đặc trưng nhạy khí CO
2
của cảm biến biến tính bằng LaOCl với nồng độ
khác nhau: 0 mM, 2 mM, 12 mM, 24 mM, 36 mM, 60 mM, 96 mM và 120 mM đo tại 300 (a),
350 (b), 400 (c) và 450
o
C (d)……………………………………………………………… 83
Hình 3.7. Độ đáp ứng với khí CO
2
(4000 ppm) như một hàm của nồng độ dung dịch
biến tính (a) và một hàm của nồng độ khí (b) ở nhiệt độ làm việc là 400
o
C………….… …84
Hình 3.8. Đặc trưng hồi đáp với một chu kỳ của cảm biến trước (a) và sau biến tính (c);
thơi gian hồi đáp và hồi phục của cảm biến trước (b) và sau biến tính (d)………………… 85
Hình 3.9. Đặc trưng nhạy khí NH
3
(a,b) và LPG (c,d) của cảm biến dây nano SnO
2
chưa
biến tính và biến tính bằng dung dịch LaCl
3
96 mM đo tại các nhiệt độ khác nhau……… ….86
Hình 3.10. Đặc trưng nhạy khí CO (a,b), C
2
H
5
OH (c,d) và H

2
(e,f) của cảm biến dây nano
SnO
2
chưa biến tính và biến tính bằng dung dịch LaCl
3
96 mM đo ở nhiệt độ khác nhau….…87
Hình 3.11. Kết quả nghiên cứu độ chọn lọc của cảm biến chưa biến tính (a) và biến tính
bằng LaOCl (b) với nhiều loại khí khác nhau như CO, C
2
H
5
OH, H
2
, LPG, NO
2
, NH
3
…… 88
Hình 3.12. Đồ thị biểu diễn khả năng hấp phụ và giải hấp phụ khí N
2
của dây nano SnO
2

(a) và SnO
2
-LaOCl (c) đo ở 77 K. Diện tích bề mặt riêng và thể tích mao quản của dây nano
SnO
2
(b) lần lượt là 4 m

2
/g và 0,044 cm
3
/g; SnO
2
-LaOCl (d) là 2,2 m
2
/g và 0,0065 cm
3
/g……89
Hình 3.13. Đặc trưng nhạy khí CO
2
của vật liệu LaOCl (a), sự thay đổi điện trở theo
nhiệt độ của dây nano SnO
2
và SnO
2
-LaOCl (b) và mô hình giải thích sự thay đổi vùng nghèo
do biến tính bề mặt dây nano SnO
2
bằng LaOCl (c) ……………………………………… 90
Hình 3.14. Phổ hồng ngoại biến đổi Fourier (FTIR) dây nano SnO
2
và SnO
2
-LaOCl …91
Hình 3.15. Cấu tạo của cảm biến khí loại một mặt chế tạo bằng công nghệ MEMS….92
Hình 3.16. Quy trình chế tạo điện cực trên cơ sở công nghệ MEMS………………….93
Hình 3.17. Cảm biến được chế tạo hàng loạt trên phiến SiO
2

/Si/ SiO
2
; (a) mặt trên
phiến; (b) mặt sau phiến…………………………………………………………… ……… 94
xiii

Hình 3.18. Giá trị nhiệt độ lò vi nhiệt phụ thuộc vào điện trở (a), điện áp (b) và công
suất (c) 95
Hình 3.19. Cảm biến CO
2
trên cơ sở dây nano SnO
2
biến tính LaOCl: (a) cảm biến chế
tạo trên điện cực MEMS bằng phương pháp nhỏ phủ; (b) cảm biến sau khi được đóng vỏ… 96
Hình 3.20. Đặc trưng nhạy khí của 3 cảm biến dây nano SnO
2
biến tính LaOCl chế tạo
bằng công nghệ MEMS (a-c); Độ đáp ứng như là một hàm của nhiệt độ (d) và nồng độ khí (e);
Đặc trưng nhạy khí của 12 cảm biến đo với 5000 ppm CO
2
ở 400
o
C (f)………………… 97
Hình 4.1. Các nguồn phát sinh khí CO trong môi trường [50].………………………100
Hình 4.2. Ảnh FE-SEM dây nano SnO
2
chưa biến tính (a) và biến tính Pd bằng phương
pháp nhỏ phủ (b)…………………………………………………………………………… 104
Hình 4.3. Đặc trưng nhạy khí CO của cảm biến SnO
2

(a,c) và SnO
2
-Pd (b,d) ở các nhiệt
độ 350, 400 và 450
o
C……………………………………………………………………… 105
Hình 4.4. Quy trình biến tính dây nano SnO
2
bằng hạt Pd nhờ khử trực tiếp từ dung
dịch PdCl
2
………………………………………………………………………………… 106
Hình 4.5. Ảnh FE-SEM (a) và HR-TEM (b) dây nano SnO
2
sau khi biến tính hạt nano
Pd bằng phương pháp khử trực tiếp…………………………………………………………107
Hình 4.6. Đặc trưng nhạy khí của cảm biến SnO
2
-Pd đối với khí CO ở các nhiệt độ 300,
350, 400 và 450
o
C biến tính với dung dịch PdCl
2
1 mM (a), 10 mM (b), và 50 mM (c). Độ
đáp ứng với 5 ppm CO một hàm của nhiệt độ (d) và độ đáp ứng tại 400
o
C như một hàm của
nồng độ khí CO (e)………………………………………………………………………… 108
Hình 4.7. Đặc trưng nhạy khí của cảm biến dây nano SnO
2

chưa biến tính với 25 ppm
CO (a), độ đáp ứng của cảm biến chưa biến tính như một hàm của nhiệt độ (b)………… 109
Hình 4.8. Độ chọn lọc của cảm biến dây nano Pd-SnO
2
với các khí CO, CO
2
, H
2
và
NH
3
………………………………………………………………………………………… 109
Hình 4.9. Ảnh quang học (a-c) và sự thay đổi công suất theo nhiệt độ (d) của điện cực
thương phẩm ……………………………………………………………………………… 110
Hình 4.10. (a) Đế Al
2
O
3
với điện cực Au được in lưới, (b) Điện cực sau khi mọc dây
nano SnO
2
; Ảnh FE-SEM phân dải thấp (c) và cao (d) dây nano SnO
2
mọc trên điện cực…111
xiv

Hình 4.11. Ảnh TEM của dây nano SnO
2
(a, b), hạt nano Pd biến tính trên bề mặt dây
nano SnO

2
(c, d) và hạt nano Pd (e, f) ………………………………………………………112
Hình 4.12. Ảnh STEM (a) và EDS mapping (b-d) của dây nano Pd-SnO
2
………… 113
Hình 4.13. Giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD) của vật liệu: (a) Dây nano SnO
2
biến tính
bằng hạt nano Pd và (b) hạt nano Pd……………………………………………………… 114
Hình 4.14. (a) Đặc trưng nhạy khí CO của cảm biến dây nano SnO
2
và Pd-SnO
2
; (b) Sơ
đồ minh họa vùng nghèo điện tử và tương tác giữa khí thử và oxy bị hấp phụ lên bề mặt dây
nano Pd-SnO
2
……………………………………………………………………………… 115
Hình 4.15. Độ đáp ứng khí CO của cảm biến dây nano Pd-SnO
2
: (a-c) sự thay đổi điện
trở của cảm biến khi thổi khí CO với nồng độ khác nhau đo tại 350
o
C, 400
o
C, và 450
o
C. Độ
đáp ứng của cảm biến như một hàm của nhiệt độ (d) và nồng độ (e)…………………….…117
Hình 4.16. Đặc trưng nhạy khí CO ở nồng độ thấp của cảm biến dây nano Pd-SnO

2
ở
400
o
C: (a) Sự thay đổi điện trở khi thổi khí CO với nồng độ khác nhau, và (b) Độ ổn định của
cảm biến sau 7 chu kỳ đóng/mở khí CO với nồng độ 25 ppm ở 400
o
C………………….…118
Hình 4.17. Độ đáp ứng của cảm biến với các khí CO, H
2
, NH
3
và CO
2
như hàm của
nồng độ các khí tại nhiệt độ làm việc là 400
o
C…………………………………………… 119
Hình 4.18. Độ đáp ứng của cảm biến dây nano SnO
2
chưa biến tính và biến tính Pd
bằng các phương pháp khác nhau đo với 10 ppm khí CO ở 400
o
C …………………… …120
Hình 4.19. Cảm biến khí CO trên cơ sở dây nano SnO
2
trên điện cực MEMS (a) và cảm
biến sau khi đã đóng vỏ (b)……………………………………………………………… ….121
Hình 4.20. Cảm biến trên cơ sở dây nano SnO
2

biến tính Pd: đặc trưng nhạy khí CO của
3 cảm biến (c-e); độ đáp ứng của cảm biến như một hàm của nhiệt độ (d) và nồng độ khí (e),
đặc trưng nhạy khí của 11 cảm biến đo với 10 ppm khí CO ở 400
o
C (f) ………………….122
1

MỞ ĐẦU
Việt Nam đang trong quá trình hội nhập sâu rộng vào nền kinh tế thế giới và khu
vực. Nền kinh tế nước ta tiếp tục phát triển theo cơ chế thị trường định hướng xã hội chủ
nghĩa. Sự phát triển mạnh mẽ của các vùng cũng như các ngành kinh tế trọng điểm, cùng
với sự mở rộng và phát triển của các cơ sở kinh tế tư nhân, các khu công nghiệp, tốc độ đô
thị hóa ở hầu hết các địa phương đã và đang diễn ra nhanh chóng, tất yếu dẫn đến hàng loạt
các vấn đề liên quan đến ô nhiễm môi trường nói chung cũng như môi trường khí. Không
khí bị ô nhiễm là do các khí độc hại như CO, CO
2
, H
2
S, NO
2
, NO, v.v có nồng độ vượt quá
giới hạn cho phép, chúng sinh ra trong quá trình sản xuất công nghiệp, quá trình cháy của
các loại nhiên liệu hóa thạch cũng như khí thải từ các phương tiện giao thông. Khí CO và
CO
2
là những khí độc mà khó có thể phát hiện bằng các giác quan của con người vì chúng
không màu, không mùi. Do đó, việc phát hiện và cảnh báo sự có mặt của các khí độc hại
này nhằm kiểm soát chất lượng không khí trong môi trường sống là rất cần thiết và quan
trọng đối với sức khỏe con người cũng như mang lại những lợi ích kinh tế cho xã hội. Bên
cạnh đó, việc đo đạc nhằm phát hiện sự có mặt của khí CO, CO

2
còn có thể ứng dụng trong
một số lĩnh vực khác nhau như cảnh báo cháy nổ, điều khiển quá trình cháy của động cơ
đốt trong, v.v.
Để phát hiện sự có mặt của các khí độc có trong không khí người ta có thể dùng các
thiết bị như sắc ký khí, thiết bị phân tích phổ hồng ngoại, thiết bị phân tích phổ khối lượng,
v.v. Tuy nhiên, các thiết bị này thường có giá thành cao, cấu tạo cũng như vận hành phức
tạp và thời gian phân tích lâu [84]. Để khắc phục những hạn chế trên, các loại cảm biến
hóa học thu hút được sự quan tâm nghiên cứu. Cảm biến khí trên cơ sở oxit kim loại bán
dẫn đã được nghiên cứu từ những năm 60 của thế kỷ trước [133]. Trong các nhóm nghiên
cứu về vật liệu dây nano, nhóm nghiên cứu của Kolmakov [3,4,115] có nhiều công trình có
giá trị liên quan đến vấn đề ứng dụng vật liệu dây nano cho cảm biến khí. Từ các công
trình này, có thể nhận thấy rằng các loại cảm biến này có độ nhạy cao, đặc biệt là công suất
tiêu thụ bé hơn rất nhiều so với các loại cảm biến truyền thống. Tuy nhiên, do việc chế tạo
dây nano và các linh kiện dây nano dạng đơn sợi, đa sợi và dạng lưới gặp một số khó khăn
nhất định về công nghệ. Vì lý do đó việc nghiên cứu tìm kiếm các công nghệ ít phức tạp để
chế tạo cảm biến khí trên cơ sở dây nano oxit kim loại bán dẫn, cũng như các hiểu biết sâu
sắc về tính chất nhạy khí của vật liệu trở nên cấp thiết và có tính thời sự cao. Đây là cơ sở
để chế tạo các cảm biến bán dẫn và hệ đa cảm biến cho phép phân tích đồng thời nhiều loại
2

khí khác nhau trên cùng một chíp, đặc biệt là công suất tiêu thụ nhỏ thuận tiện cho việc chế
tạo các thiết bị cầm tay nhỏ gọn.
Cảm biến khí trên cơ sở sự thay đổi độ dẫn của vật liệu oxit kim loại bán dẫn như
ZnO, SnO
2
, WO
3
, In
2

O
3
, v.v. luôn thu hút được sự quan tâm nghiên cứu. Trong đó, vật liệu
dây nano SnO
2
có nhiều ưu điểm như: (i) tính định hướng và độ kết tinh cao (thường là
đơn tinh thể) nên chúng có độ bền cao cũng như độ ổn định tốt; (ii) Vật liệu dây nano có tỷ
lệ diện tích trên thể tích lớn, nên có thể cho tính nhạy khí tốt; (iii) Đường kính của dây
nano tương đương với chiều dày Debye nên các tác động trên bề mặt có thể dẫn đến sự
thay đổi lớn về độ dẫn của chúng. Vì vậy, dây nano dễ dàng biến tính bề mặt với các loại
hạt xúc tác nhằm tăng cường độ nhạy và độ chọn lọc của cảm biến; (iv) SnO
2
là vật liệu
được sử dụng chủ yếu trong các loại cảm biến khí thương phẩm. Những hiểu biết này có
vai trò quan trọng trong việc phát triển các thế hệ cảm biến mới với nhiều tính năng vượt
trội so với các loại cảm biến truyền thống trên cơ sở vật liệu dây nano SnO
2
.
Ở nước ta, vật liệu có cấu trúc nano bắt đầu được nghiên cứu trong những năm 90
của thế kỷ trước. Trong những năm gần đây, được sự quan tâm, đầu tư tập trung của Nhà
nước, các hướng nghiên cứu về các vật liệu và linh kiện có cấu trúc nano đã được hình
thành một cách rõ nét ở các cơ sở nghiên cứu trong nước. Qua các đề tài nghiên cứu được
tài trợ bởi Quỹ nghiên cứu phát triển khoa học công nghệ quốc gia (Nafosted) từ năm 2009
đến nay có thể nhận thấy rằng, vấn đề nghiên cứu ứng dụng vật liệu nano nói chung cho
cảm biến khí còn nhiều vấn đề chưa được giải quyết. Theo hiểu biết của tác giả, có một số
nhóm nghiên cứu mạnh về ứng dụng vật liệu cấu trúc nano cho cảm biến khí ở nước ta như
nhóm nghiên cứu của GS Nguyễn Đức Chiến, PGS Nguyễn Văn Hiếu, PGS Đặng Đức
Vượng (Trường Đại học Bách khoa Hà Nội) và nhóm của PGS Nguyễn Ngọc Toàn (Viện
Khoa học Vật liệu). Nhóm của PGS Nguyễn Ngọc Toàn tập trung nghiên cứu chế tạo vật
liệu peroskite có cấu trúc nano nhằm ứng dụng cho cảm biến phát hiện khí CO, hơi cồn

cũng như các khí hydrocacbon (C
3
H
8
, C
4
H
10
) [48-49]. Nhóm của PGS Đặng Đức Vượng
nghiên cứu chế tạo thanh, hạt nano SnO
2
và một số oxit kim loại bán dẫn khác bằng
phương pháp hóa học để ứng dụng cho cảm biến khí như khí ga, NH
3
và hơi cồn
[106,145]. Như vậy, vấn đề nghiên cứu ứng dụng dây nano cho cảm biến khí được thực
hiện bởi các nhóm nghiên cứu ở trong nước còn rất hạn chế.
Trên cơ sở những phân tích trên, chúng tôi chọn đề tài nghiên cứu của luận án là
“Nghiên cứu chế tạo cảm biến khí CO và CO
2
trên cơ sở vật liệu dây nano SnO
2
”.
Đề tài được thực hiện với hai mục tiêu chính là:
3

(i) Phát triển được công nghệ chế tạo dây nano SnO
2
bằng phương pháp bốc bay
nhiệt và tiến tới điều khiển hình thái, cấu trúc cũng như tích hợp đưa lên nhiều loại đế khác

nhau.
(ii) Chế tạo được cảm biến khí CO và CO
2
trên cơ sở dây nano SnO
2
nhằm ứng dụng
cho kiểm soát chất lượng không khí.
Để đạt được mục tiêu trên, luận án sử dụng phương pháp thực nghiệm, cụ thể là:
 Vật liệu dây nano SnO
2
được chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt sử dụng vật
liệu nguồn là bột Sn và SnO.
 Để nghiên cứu hình thái, cấu trúc của vật liệu chúng tôi tiến hành phân tích mẫu
bằng kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường (FE-SEM), hiển vi điện tử truyền qua
(TEM), hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao (HR-TEM), phổ tán xạ năng lượng (EDS)
và nhiễu xạ điện tử tia X (XRD).
 Để khảo sát tính chất nhạy khí của vật liệu chúng tôi tiến hành đo trên hệ đo nhạy
khí tại Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu (ITIMS), Trường Đại học Bách khoa
Hà Nội.
Ý nghĩa khoa học của đề tài là có được những hiểu biết quan trọng về tính chất nhạy
khí của một số cấu trúc nano một chiều. Những hiểu biết này có vai trò quan trọng trong
việc phát triển các thế hệ cảm biến nano mới với nhiều tính năng vượt trội so với các loại
cảm biến truyền thống trên cơ sở các cấu trúc nano một chiều. Và đây là cơ sở để chế tạo
ra được các sản phẩm cảm biến trên cơ sở một số loại vật liệu dây nano oxit kim loại bán
dẫn nhằm ứng dụng trong quan trắc môi trường khí cũng như cảnh báo nguy cơ cháy, nổ.
Ý nghĩa thực tiễn của đề tài là đã minh chứng được tiềm năng ứng dụng to lớn của
các loại vật liệu có cấu trúc nano trong việc phát triển các loại cảm biến khí thông qua việc
thực hiện các nội dung nghiên cứu trong đề tài này. Ngoài ra, các kết quả nghiên cứu của
đề tài là cơ sở để thu hút thêm sự tham gia của các nhà khoa học cho việc nghiên cứu phát
triển các loại cảm biến ứng dụng trong một số lĩnh vực như quan trắc môi trường nước, an

toàn vệ sinh thực phẩm cũng như các loại cảm biến phục vụ trong an ninh, quốc phòng.
Ngoài phần Mở đầu, Kết luận chung-Kiến nghị và Tài liệu tham khảo, luận án
được trình bày trong 4 chương:
Chương 1: Tổng quan về vật liệu nano một chiều
4

Chương này tác giả tập trung giới thiệu những tính chất cơ bản, một số ứng dụng, các
phương pháp chế tạo của vật liệu dây nano oxit kim loại bán dẫn cũng như các thông số
đặc trưng của cảm biến khí trên cơ sở dây nano. Ngoài ra, tổng quan về tình hình nghiên
cứu trên thế giới và trong nước đối với vật liệu dây nano SnO
2
bằng phương pháp bốc bay
nhiệt cũng được trình bày.
Chương 2: Chế tạo và tính chất nhạy khí của dây nano SnO
2

Chương 2 tập trung giới thiệu quy trình chế tạo dây nano SnO
2
bằng phương pháp
bốc bay nhiệt sử dụng vật liệu nguồn là bột Sn và SnO. Hình thái, cấu trúc và tính chất
nhạy khí của vật liệu cũng được khảo sát. Bên cạnh đó, chúng tôi cũng khảo sát các thông
số ảnh hưởng đến hình thái và vi cấu trúc của dây nano như nhiệt độ mọc, tốc độ tăng
nhiệt, thời gian mọc cũng như chiều dày lớp xúc tác. Việc tìm ra các thông số tối ưu cho
quy trình chế tạo vật liệu là cơ sở cho việc chế tạo các loại cảm biến.
Chương 3: Cảm biến khí CO
2
trên cơ sở dây nano SnO
2
biến tính LaOCl
Chương 3 của luận án đi sâu nghiên cứu tính chất nhạy khí CO

2
của cảm biến trên cơ
sở dây nano SnO
2
chưa biến tính và biến tính bề mặt bằng LaOCl. Ngoài ra, quy trình biến
tính, nhiệt độ ủ cũng như các thông số đặc trưng của cảm biến dây nano biến tính LaOCl
như độ đáp ứng, độ chọn lọc thời gian đáp ứng và hồi phục cũng được nghiên cứu.
Chương 4: Cảm biến khí CO trên cơ sở dây nano SnO
2
biến tính Pd
Trong chương 4 chúng tôi tập trung nghiên cứu quy trình chế tạo cảm biến khí CO sử
dụng dây nano SnO
2
biến tính Pd bằng phương pháp nhỏ phủ và khử trực tiếp từ muối
PdCl
2
. Hình thái, cấu trúc và tính chất nhạy khí của cảm biến dây nano trước và sau biến
tính được khảo sát và so sánh.




5

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN
1.1. Mở đầu
Sự tiến bộ của công nghệ nano trong những năm qua đã cho phép chế tạo được vật
liệu có cấu trúc nano một chiều với các tên gọi khác nhau tùy thuộc vào hình thái của
chúng. Các vật liệu nano oxit kim loại bán dẫn điển hình như SnO
2

[16,115], ZnO [58,81],
In
2
O
3
[54], TiO
2
[28], WO
3
[123], được quan tâm nghiên cứu ở cả phương diện nghiên
cứu cơ bản và ứng dụng. Chúng đã được nghiên cứu ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác
nhau như cảm biến khí [34], pin mặt trời [16], thiết bị quang điện tử [80], điện cực trong
suốt [156], xúc tác [3], tế bào nhạy quang [111],…. Hình 1.1 chỉ ra thống kê số công trình
công bố liên quan đến vật liệu nano oxit kim loại bán dẫn trong 10 năm qua được công bố
trên ScienceDirect. Trong số các vật liệu trên thì ZnO và SnO
2
thu hút được nhiều sự quan
tâm nghiên cứu hơn cả bởi chúng có nhiều ưu điểm như giá thành rẻ, dễ chế tạo, thân thiện
với môi trường, v.v.


Hình 1.1. Thống kê số lượng các công trình công bố liên quan đến vật liệu ZnO, SnO
2
,
TiO
2
, In
2
O
3

và WO
3
trong 10 năm (2004-2013) [Nguồn ScienceDirect].
2004 2006 2008 2010 2012
0
2000
4000
6000
8000
10000
Sè lîng c«ng tr×nh
N¨m c«ng bè
WO3
In2O3
TiO2
SnO2
ZnO
6

1.2. Phân loại các cấu trúc nano một chiều
Trong các cấu trúc nano oxít kim loại bán dẫn, các cấu trúc nano một chiều có ưu
điểm là có hai chiều có kích thước ở than nanoment và chiều còn như là một kênh dẫn
nano cho quá trình truyền tải điện. Vì vậy, các phản ứng xảy ra ở bề mặt sẽ có tác động
đáng kể đến đặc trính dẫn điện của các cấu trúc nano một chiều. Đây là ý tưởng cho việc
sử dụng các cấu trúc nano một chiều trong lĩnh vực cảm biến. Cho đến này, người ta đã chế
tạo thành công nhiều loại cấu trúc nano một chiều khác nhau của vật liệu oxít kim loại bán
dẫn bao gồm dây nano, dây nano lõi-võ, ống nano, đai nano, cấu trúc nano rẽ nhanh, thanh
nano và vòng nano như minh họa trên Hình 2.1. [162]

Hình 1.2. Các cấu trúc một chiều: (a) sợi nano; (b) cấu trúc lõi-vỏ; (c) ống nano; (d) cấu
trúc dị thể; (e), (f) đai/thanh nano; (g) cấu trúc hình cây; (h) cấu trúc nhánh; (i) dạng các
nano cầu kết hợp; (j) dạng lò xo [162].

1.3. Phương pháp chế tạo vật liệu có cấu trúc nano một chiều
Có 2 phương pháp chung để chế tạo vật liệu có cấu trúc nano một chiều là: phương
pháp từ trên xuống (top-down) và phương pháp từ dưới lên (bottom-up) [15,140].
1.3.1. Phương pháp chế tạo từ trên xuống (top-down)
Phương pháp chế tạo từ trên xuống (top-down) xuất phát từ mẫu có kích thước lớn
sau đó bằng các kỹ thuật khác nhau người ta sẽ giảm kích thước các chiều xuống thang
nano mét. Phương pháp này thường gắn liền với công nghệ lắng đọng từ pha hơi, quang
khắc, ăn mòn và mài mòn chùm ion. Ưu điểm của phương pháp này là phù hợp với công
nghệ chế tạo vật liệu bán dẫn và có khả năng chế tạo trên mặt phẳng, trong khi đó khó
7

khăn của nó là giá thành cực kì đắt và tốn thời gian. Trong phương pháp top-down có thể
tạo ra dây nano với chất lượng cao nhưng công nghệ hiện nay chưa thể triển khai ở qui mô
công nghiệp để chế tạo với số lượng lớn và giá thành thấp. Hơn nữa công nghệ chế tạo vật
liệu cấu trúc nano một chiều bằng những cách này có chất lượng tinh thể không cao.
1.3.2. Phương pháp từ dưới lên (bottom-up)
Phương pháp chế tạo từ dưới lên (bottom-up) bắt đầu bằng những nguyên tử hoặc
phân tử riêng rẽ và từ đó tạo ra những cấu trúc mong muốn, trong một vài trường hợp có
thể lợi dụng hiện tượng tự sắp xếp của các nguyên tử, phân tử [15,45,104]. Ý tưởng của
phương pháp này bắt nguồn từ các hệ sinh học, trong đó chúng lợi dụng các lực hóa học để
tạo ra các cấu trúc cần thiết cho sự sống [83]. Hầu hết các kỹ thuật tổng hợp vật liệu đều
dựa trên phương pháp này. Hiện nay, có rất nhiều kỹ thuật tổng hợp vật liệu dựa trên
phương pháp bottom-up như chế tạo vật liệu theo cơ chế hơi-lỏng-rắn (VLS), lắng đọng
hóa học từ pha hơi (CVD), sol-gel, tổng hợp bằng plasma, nhiệt phân bằng laser, ngưng tụ
nguyên tử hoặc phân tử, tự sắp xếp lớp-lớp, tự sắp xếp phân tử, v.v. Ưu điểm quan trọng

của phương pháp này là chúng ta có thể tạo ra các cấu trúc có các chiều thay đổi từ vài
angstrom cho đến hàng trăm nano mét [15,25,104]. Một ưu điểm nữa là dây nano có thể
được tổng hợp lên hầu hết các bề mặt khác nhau hoặc tổng hợp bằng các kỹ thuật như vận
chuyển pha hơi, lắng đọng điện hóa, công nghệ mọc từ dung dịch hoặc dùng khuôn [2,21].
Ngoài ra, phương pháp này có thể chế tạo được vật liệu nano tinh thể có độ tinh khiết cao,
đường kính nhỏ, giá thành của các thiết bị rẻ. Tuy nhiên, nhược điểm chính của phương
pháp này là vấn đề tích hợp trong công nghệ để khai thác những tính chất tốt của chúng
còn gặp nhiều khó khăn.
Phương pháp bottom-up cho phép chế tạo vật liệu cấu trúc nano một chiều với giá
thành rẻ nhưng rất khó để điều khiển hình thái cũng như cấu trúc của vật liệu. Vì vậy, việc
điều khiển và nắm rõ quá trình mọc của vật liệu để có thể tạo ra những cấu trúc mong
muốn vẫn thu hút được sự quan tâm nghiên cứu. Hầu hết các công nghệ hứa hẹn để chế tạo
dây nano có chất lượng tốt cần phải kết hợp cả hai phương pháp top-down và bottom-up.
1.4. Một số ứng dụng quan trọng của vật liệu nano một chiều
1.4.1. Ứng dụng làm laser
Dây nano ZnO là vật liệu nano một chiều đầu tiên được ứng dụng thành công trong
chế tạo laser bởi nhóm nghiên cứu của Yang [149], kết quả nghiên cứu được chỉ ra trên
Hình 1.3. Dây nano ZnO có cấu trúc răng lược được chế tạo bằng phương pháp bốc bay
8

nhiệt ở nhiệt độ 800-900
o
C trong 10 phút sử dụng vật liệu nguồn là bột Zn (Hình 1.3a).
Hình 1.3b cho thấy dây nano ZnO đã phát ra một chùm sáng khi kích thích quang học, mỗi
điểm phát sáng tương ứng với một đầu của dây nano. Ngoài ra, sự ảnh hưởng của cường độ
phổ huỳnh quang vào mật độ năng lượng phát xạ cũng được khảo sát. Khi giá trị mật độ
năng lượng phát xạ thấp, cấu trúc răng lược có đỉnh phát xạ gần bước sóng 385 nm.


Hình 1.3. Cấu trúc răng lược (a); Ảnh quang học trường xa của phát xạ ánh sáng từ dây

nano ZnO (b) và phổ phát xạ phụ thuộc vào năng lượng kích thích (c) [149].

Khi tăng giá trị năng lượng phát xạ lên trên ngưỡng này thì sẽ quan sát thấy các phát
xạ tự phát được khuếch đại bắt nguồn từ dây nano trên cấu trúc răng lược, đồng thời các
đỉnh đặc trưng tập trung tại vùng 387 nm. Bên cạnh đó, vật liệu ZnO cấu trúc nano cũng
được nghiên cứu cho những ứng dụng liên quan tới quá trình chiếu sáng ở nhiệt độ phòng
trong vùng tia cực tím [52].
1.4.2. Ứng dụng trong chế tạo pin mặt trời
Việc ứng dụng vật liệu cấu trúc nano một chiều trong lĩnh vực pin mặt trời thu hút
được sự quan tâm nghiên cứu trong những năm gần đây. Những kết quả đầu tiên về pin
mặt trời được chế tạo trên cơ sở vật liệu tổ hợp giữa thanh nano CdSe và vật liệu polyme
được công bố bởi nhóm nghiên cứu của Alivisatos [57]. Trong nghiên cứu này, độ rộng
vùng cấm của thanh nano CdSe được điều chỉnh bằng cách thay đổi bán kính thanh nano
để tối ưu hóa sự che phủ giữa phổ hấp thụ của pin và phổ phát xạ của mặt trời. Sau đó, dây
9

nano oxit kim loại một chiều (chủ yếu là ZnO) đã được ứng dụng như là một vật liệu thích
hợp trong việc chế tạo pin mặt trời. Ưu điểm chính của dây nano đơn tinh thể so với vật
liệu đa tinh thể truyền thống là khả năng khuếch tán của điện tử trong anốt tăng do sự thay
thế màng mỏng hạt nano bởi các dây nano đơn tinh thể có định hướng [20]. Một ưu điểm
nữa là khả năng điều khiển chính xác tính chất của điện tử trong dây hoặc thanh nano nhờ
điều chỉnh phổ hấp thụ của vật liệu với phổ phát xạ của mặt trời.
1.4.3. Ứng dụng trong linh kiện phát xạ trường
Phát xạ trường là quá trình mà điện tử thoát khỏi bề mặt của vật liệu d
ưới
tác
dụng của điện trường đủ lớn. Vật liệu/điện cực phát xạ được gọi là catôt,
c
húng thường
có ái lực điện tử thấp. Trong những năm gần đây, các vật liệu oxit kim loại bán dẫn

một chiều bắt đầu thu hút nhiều sự quan tâm nghiên cứu của các nhà khoa học về tính
chất phát xạ trường của chúng. Lee cùng cộng sự đã công bố công trình nghiên cứu tính
chất phát xạ trường của dây nano oxit kim loại bán dẫn [76]. Kết quả nghiên cứu chỉ ra
rằng, nếu dùng vật liệu phát xạ trường là dây nano ZnO thì ứng với điện trường ngưỡng
6,0
V/

m thì mật độ dòng là 0,1

Acm
-1
. Mật độ dòng phát xạ từ dây nano ZnO là 1

A
cm
-1

tại 11 V/

m, đây là trường sáng thích hợp trong ứng dụng làm màn hình phẳng.
Các vật liệu oxit kim loại một chiều khác như SnO
2
, In
2
O
3
, WO
3
, TiO
2

, CuO,…
c
ũng được
nghiên cứu về tính chất phát xạ trường. Tuy nhiên, một hạn chế khi sử dụng vật liệu ox
it
kim loại bán dẫn một chiều để ứng dụng trong chế tạo linh kiện phát xạ trường chính là
các trạng thái khuyết tật bề mặt của nó và đây là nguyên nhân tạo nên rào thế bề mặt
cao. Để khắc phục hạn chế này người ta thường tiến hành xử lí nhiệt nhằm cải
t
h
iệ
n tính
chất tinh thể, giảm chiều cao rào thế bề mặt và điện trường ngưỡng [107].
1.4.4. Ứng dụng trong cảm biến khí
Cảm biến khí trên cơ sở vật liệu oxit kim loại bán dẫn lần đầu được chế tạo vào năm
1962 bởi nhóm nghiên cứu của Seiyama [133]. Kể từ đó đến nay, những nghiên cứu về
cảm biến khí luôn thu hút được sự quan tâm của các nhà khoa học trên toàn thế giới. Trong
số các công trình nghiên cứu về vật liệu oxit kim loại bán dẫn một chiều ứng dụng trong
cảm biến khí được công bố từ năm 2002 đến nay thì SnO
2
chiếm 32 %, ZnO-32 %, In
2
O
3
-
10 %, TiO
2
-8 %, WO
3
-5 %, còn lại là Fe

2
O
3
, Ga
2
O
3
, CuO, NiO và V
2
O
5
[75]. Cảm biến khí
trên cơ sở dây nano có nhiều tính chất vượt trội so với cảm biến truyền thống trên cơ sở
màng dày [140]: (i) Độ đáp ứng khí cao, thời gian đáp ứng ngắn do kích thước dây nhỏ và
tỷ số diện tích bề mặt trên thể tích lớn. Chính vì những lý do trên mà cảm biến có thể phát