Tải bản đầy đủ (.pptx) (30 trang)

Thuyết trình về RAM

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (3.36 MB, 30 trang )

TÌM HI U V RAMỂ Ề
VÀ M T S TH H RAM DDRỘ Ố Ế Ệ
RANDOM
R
R
ACCESS
A
A
M
M
MEMORY
Nội dung
I. Khái niệm RAM
II. Các đặc trưng của RAM
III. Chức năng của RAM
IV. Phân loại RAM
1. RAM tĩnh
2. RAM động
V. Các thế hệ RAM DDR

Viết tắt của andom ccess emory.
Một loại bộ nhớ chính của máy tính.
Mỗi ô nhớ là một byte (8 bit)

Đc gọi là bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên:
Thời gian thực hiện thao tác đọc hoặc ghi đối với mỗi ô nhớ là như nhau
1
2
3
RAM lưu trữ các thông tin thay đổi, và các thông tin được sử dụng hiện
hành.




 !
"#
$%&'
Tổng số byte
(hoặc bit) của
bộ nhớ
Số ô nhớ và số
bit cho mỗi ô nhớ

 !
"#
Thời gian giữa hai lần liên tiếp thâm
nhập bộ nhớ.
()*+*,-
$%&'"('')(*'(
+'&"','
"','
-&','
-.','
1
2
/*0(1"234mãchươngtrình,5dữliệu&6/
78#
9:;<=353*>?,5&4,@%/
&=,5&5tất&%&AB8C!D,
(E%F>%/CGH?A%&A7&IJ
#
./(0*123

K*'&LD&C?M=L5N&DO
./(0*123
4 (Static RAM): RAM tĩnh
DRAM PQ*RO
./(0*123
4 (Static RAM): RAM tĩnh
01
02
03
04
9!D&'&LS$TP"K&$U+,5V$U+R
Mỗi bit nhớ gồm có các cổng logic với 6 transistor MOS
SRAM5=C,L %5*",5
M>?=W%X=
SRAM5B4/>?;$U+"K&,L%Y/*
5
6
7
./(0*123
 (Dynamic RAM): RAM động
01
02
03
04
dùng kỹ thuật MOS. Mỗi bit nhớ gồm một transistor và một tụ điện.
Sau mỗi lần đọc một ô nhớ, bộ phận ĐK bộ nhớ phải viết lại nội dung ô nhớ đó. Chu kỳ
bộ nhớ theo đó mà ít nhất là gấp đôi thời gian thâm nhập ô nhớ.
VDRAM>Z;BSRAM. Có 2 loại :  và 4.
[L =sẽ5"=đó=*do việc ghi nhớ dữ liệu dựa vào việc duy
trì điện tích nạp vào tụ điện.

5
6
5
6

./(0*123
 (Dynamic RAM): RAM động

./(0*123
 (Dynamic RAM): RAM động

Viết tắt của Rambus Dynamic RAM
Hoạt động đồng bộ theo một hệ thống lặp và truyền dữ liệu theo một hướng
Tốc độ Rambus đạt từ 400-800 MHz
Rambus tuy không nhanh hơn SDRAM là bao nhưng lại đắt hơn rất nhiều nên có rất ít người dùng
./(0*123
 (Dynamic RAM): RAM động

./(0*123
 (Dynamic RAM): RAM động

4
./(0*123
 (Dynamic RAM): RAM động

4
Viết tắt của Synchronous Dynamic RAM – RAM động đồng bộ
SDRAM đã trải qua 5 thế hệ: 4, , 8, 9, :
./(0*123
 (Dynamic RAM): RAM động


4
./(0*123
 (Dynamic RAM): RAM động

4
44 (4ingel ata ate 4).
$\]^M#
V((?''"D*K,>E,&%(?''"'&*?#
./(0*123
 (Dynamic RAM): RAM động

4
44 (4ingel ata ate 4).
$\]^M#
V((?''"D*K,>E,&%(?''"'&*?#
./(0*123
 (Dynamic RAM): RAM động

4
44 (4ingel ata ate 4).
$\]^M#
V((?''"D*K,>E,&%(?''"'&*?#
4 (ouble ata ate 4).
*!%E"4L&)?.$%A_*3"G"4L<%X``C'&a*
'D&b=_(&,E+Q&%D*YK%7#
.;(<(=4
.;(<(=4
>
.;(<(=4

?
&4%/=L@4QQCQQN,5QQc5E*"4LJ
L#
x-yyyy x: thế hệ
yyyy: Tốc độ xung nhịp sau khi x2
/x-zzzz x: thế hệ
zzzz: băng thông tối đa
Danh sách tốc độ chung cho từng thế hệ
.;(<(=4
?
.;(<(=4
@'
QQ QQN QQc QQd
e
e#f
\
\#f
N
N#f
c
N#f
\#^
\#f
\#N
4A>B'
9L/?
.;(<(=4
$C
Thời gian trễ hay CAS Latency (CL)
Là khoảng thời gian mà mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi từ

lúc yêu cầu lấy dữ liệu cho đến lúc dữ liệu thực sự được gửi
tới đầu ra
Đơn vị của CL là chu kỳ xung nhịp
Ví dụ một bộ nhớ có CL3 tức là mạch điều khiển bộ nhớ phải
đợi 3 chu kỳ xung nhịp từ lúc truy vấn cho đến khi dữ liệu
được gửi. Vì thế cần sử dụng những Module có CL thấp nhất
có thể.
Latency
.;(<(=4
$C
Thường thì nhà sản xuất sẽ công bố Timings bộ nhớ theo dạng một dãy số
được phân chia bởi dấu gạch ngang (như 5-5-5-5, 7-10-10-10…). Thời gian
trễ CAS Latency thường là số đầu tiên trong chuỗi.
DDR2-1066 có CL 5 DDR3-1066 có CL7

Tài liệu bạn tìm kiếm đã sẵn sàng tải về

Tải bản đầy đủ ngay
×