tóm tắt luận án tiến sĩ CHẾ TẠO, NGHIÊN CỨU VẬT LIỆU ZnO THÍCH HỢP CHO BỨC XẠ MICROLASER

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
o0o


PHẠM VĂN THÌN




CHẾ TẠO, NGHIÊN CỨU VẬT LIỆU ZnO
THÍCH HỢP CHO BỨC XẠ MICROLASER


Chuyên ngành: Vật lý Chất rắn
Mã số: 62 44 07 01

TÓM TẮT DỰ THẢO LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ









HÀ NỘI - 2014

  c hoàn thành ti: B môn Vt lý Cht rn,

Khoa Vt lý, ng i hc Khoa hc T nhiên, HQGHN.
ng dn khoa hc: PGS. TS. Nguyn Th Bình
PGS. TS. T nh
Phn bi
Phn bi
Phn bi

Lun án s c bo v c Hng cp Nc chm
lun án tin s hp t
Vào hi gi 











Có th tìm hiu lun án ti:
- n Quc gia Vit Nam
- Trung tâm Thông tin - i hc Quc gia Hà Ni
1

MỞ ĐẦU
Trong nh ng nghiên cu mi 
c quan tâm nhm thay th công ngh ch to microlaser truyn
thng,   u nhiên.   hong ca các

microlaser ngu nhiên này da trên lý thuy nh x Anderson áp
di vng bt trt t. Vic ch to các
microlaser ngu nhiên d và r  u so vi các microlaser
truyn thng. Microlaser ngu nhiên có th c dùng làm ngun
sáng trong mch quang hc tích hp, các micro-sensor thay th cho
các sensor truyn thng.
t ra mc tiêu nghiên cu microlaser trên tinh th ZnO va là
phát trin mc nghiên cu vt lý laser mi, va là phi hp
nghiên cu ch to vt liu nano ZnO, gn kt qu nghiên cu ch
to vt liu nano ZnO vi mt mc tiêu ng dng c th là
microlaser. ng nghiên cu s phát
bc x ng bc và laser ngu nhiên trong vt liu ZnO. Lun án
mang tên là "Chế tạo, nghiên cứu vật liệu ZnO thích hợp cho bức
xạ Microlaser".
Ma lun án là:
- Nghiên cu ch to các vt liu ZnO có cu trúc thích h
to thành các microlaser ngu nhiên.
- Xây dn hành nghiên cu thc nghim các
thuc tính quang hc ca vt liu ch t c. Tin hành thc
nghim nghiên c c x
microlaser t vt liu ZnO.
2

- Tìm hi to thành các microlaser do giam hãm quang
h   ng bt trt t da trên lý thuyt nh x ca
Anderson.
Các k thut thc nghim trong luc thc hin ti các
phòng thí nghim ca B môn Vt lý Cht rn, B ng
t, B môn Vc Vt liu (Khoa
Vt lý, Tri hc Khoa hc T nhiên, N); các phòng thí

nghim ca Vin Khoa hc Vt liu (Vin KH & CN Vit Nam); Vin
Khoa hc & Công ngh Tiên tin Nht Bn (JAIST).
B cc ca lun án:
Ngoài phn "M  "Kt lun", lu  c trình bày

ng quan.
*       to mu và các k thut
phân tích cu trúc.
Ch to và kho sát bc x laser ngu nhiên t các mu
ZnO dng viên nén và màng mng.
Ch to và kho sát bc x laser ngu nhiên t các mu
ZnO dng bt.
3

CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN

1.1. Tính chất cấu trúc và tính chất quang của ZnO
Km ôxít ZnO là mt vt liu có ting dng rt ln
i vi các linh kin t hong  vùng xanh - tím. 
 các thit b n t hiu sut cao, cn thit phi kho
sát các tính cht cu trúc và các quá trình chuyn trng thái quang
hc trong ZnO. Trong mc này trình bày các tính cht cu trúc, các
 dch chuyn quang hc, ngun g hình thành bc
x ng bc  vt liu bán dn nói chung và  ZnO nói riêng.
1.2. Tổng quan về laser ngẫu nhiên
* Gii thiu v laser ngu nhiên
Trong sut mt thi gian dài, các tán x quang hc xem là
gây cn tr cho ho ng ca laser, vì th cn phi loi b các
photon tán x t các mode ca bung cng ng laser truyn thng.
Tuy nhiên, trong m  ng bt trt t, các tán x li có th

c trong c khui và hong ca laser, gi
là laser ngu nhiên. Các laser loi này  hình thành mt cách
ngu nhiên theo các tán x trong mng bt trt t
các phát x laser phát ra t bung cng này mang tính ngu
nhiên.
* Mô hình lý thuyt ca Letokhov v laser ngu nhiên
Mô hình khuch tán ca các laser ng xut vào
u tiên mô t kh i ca bc x
ng tán x ngu nhiên.
4

  ng phát laser ngu nhiên
 mô t m dòng
 
r,t


ca các photon
bc x t hot cht có n tâm tán x cao [10,11,51]:
0
(r,t)
1
D (r,t) Q (r,t)n (r,t)
ct

  


  


(1.22)
 s khuch tán, n
0
là n hc kích
thích, Q

là tit din vuông góc ca hot chi v
Mt h       c s dng mô
phng quá trình ng hc ca bc x kích thích trong laser ngu

em
p pump em
em em
res
dn P(t) n E
cn
dt Sl h h
dE E n
h Ec n
dt

   

  



      





(1.32)
 cc kích thích; P(t)/S là
m 
p
 ; E
là m ng bc x; 
em
là tit din ngang bc x; h
pump
(h
em
c x);  là thi gian sng ca
mc trên ca laser;  là tham s ng t ng vi trng thái
kích thích ca mc trên; 
res
thi gian phc hi hiu dng ca photon
t.
* S phát trin ca laser ngu nhiên
Hàng lot s kin thc nghim  c thc hi  chng
minh s tn ti ca laser ngu nhiên. Thí nghim lch s do
Letokhov, Ambartsumyan và cng s [10,11] thc hin  
thay th ma bung cng Fabry - Perot bng mt b
5

mt tán x.    ác nghiên cu v laser trên các loi bt
[35,57,58,66,69,71] hay trên các tâm tán x trong dung dch cht màu
[23,35,37,48,49].

T   ng s t lot phát hin
mi v quá trình ho ng ca laser trong bt bán dn và nhng
 ZnO  hong ca nó da trên lý
thuynh x Anderson cn t ng bt trt t.
S phn hc to ra bi s lp li ca ánh sáng to thành vòng
kínt hp và cng, khác vi s phn hi khuch tán.
* Laser ngu nhiên t vt liu ZnO
Trong mt thí nghi c
     c
các mu b
ZnO bng hoà ba bc 3 ca laser
Nd:YAG (355nm) v  rng
xung c pico giây. Tn s ca
nh sc nhn ph thuc vào
v trí ca m    t
kích thích di chuyn ngang trên
mu, tn s cnh nh
 i. Hi ng này cho
thnh ph ri rc là do s
c ng khô  i vi
ánh sáng trong bt ZnO.

Hình 1.21. Ph phát x ca
màng mng ZnO vng
 kích thích khác nhau [27]
6


Hình 1.23. S phân b không gian ca ph phát x [25]

S ph thuc ca ph bc x vào góc quan sát và di


Hình 1.24. Ph bc x laser
theo các góc:
a) 60
o
(1188kW/cm
2
)
b) 15
o
(1130kW/cm
2
)
Hình 1.25. Ph bc x laser khi
din tích kích thích là 980, 1350,
1870m
2
(m kích thích là
1012kW/cm
2
)

7

ng hc bc x ng bc ngu nhiên t ZnO


Hình 1.27a. Ph




Hình 1.27b. 
 

Laser ngu nhiên t ZnO khi kích thích bng xung nano giây



Hình 1.28. iên
nén ZnO 
thích khác nhau.
Hình 1.29. 

xung nano giây

8

CHƢƠNG 2: CÁC PHƢƠNG PHÁP CHẾ TẠO MẪU VÀ CÁC
KỸ THUẬT PHÂN TÍCH CẤU TRÚC

2.1. Các phƣơng pháp chế tạo mẫu
Trong lun án có ba loi m c ch to: Mu khi, mu
màng và mu dng bt.
* Mu dng kh c thc hi    m truyn
thng. Mu sn xut b nh cao, rt
bn trong không khí, d bo qun.
* Các mc ch tháp:
- -gel thuc nhóm kt h

lý,  ch to ra các màng nano v xp cao và mn.
-  cathode là m
lt lý ch to màng có chng cao.
Các p

C: 

2.2. Các kỹ thuật phân tích cấu trúc
Các mu sau khi ch tc kho sát cu trúc bng các h 
- H nhiu x k tia X
- Hin t quét
- Hin t truyn qua.
9

CHƢƠNG 3: CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT BỨC XẠ LASER
NGẪU NHIÊN TỪ CÁC MẪU ZnO DẠNG VIÊN NÉN VÀ
MÀNG MỎNG

 kho sát ph bc x laser ngu nhiên t các mu ZnO ch
tc, cn phi xây dng mt h   phát quang kích thích
bng laser. H quang ph này ph phân gii cao cho phép quan
c cu trúc mode ca bc x ng thi ph nhy
t  c tín hiu ph yu t các màng mng ZnO cu trúc
nano. Kho sát cu trúc ph s tu h thu ph có kh 
phân gii thi gian. H thit b này không sn có  PTN nên chúng
n hành nghiên cu xây dng mt h  hunh quang
phân gii thng các yêu cu trên.
3.1. Chế tạo và khảo sát tính chất cấu trúc của mẫu
* Mu viên nén
Mc ch to bm truyn

thng t vt liu b sch 3N ca Mecrk. Các viên nén ch
tc có dng kính nm trong khong 6 - 10mm,
 dày khong 3 - 4mm.
20 30 40 50 60 70
0
500
1000
1500
2000
2500
[201]
[112]
[200]
[103]
[110]
[102]
[101]
[002]
[100]
C-êng ®é (®vt®)

Gãc nhiÔu x¹ 2(®é)




Hình 3.1. Ph nhiu x tia X ca
viên nén ZnO
Hình 3.2. nh SEM ca viên
nén ZnO

10

Ph nhiu x tia X ca mu viên nén  hình 3.1 cho thy mu
có cu trúc lc giác, kHng s ca mng lc
giác ZnO c tính toán t gi  XRD là a = 3,2496Å và
c = 5,2042Å. nh SEM (hình 3.2) cho thc ht trung bình
ca mu viên nén ZnO vào c 300 - 400nm.
* Màng ZnO ch to bpháp Sol-gel
Mu mc ch to b-gel vi h
tin cht là Zn(CH
3
COO)
2
.2H
2
O, dung môi Etylenglycol, Glycerol,
2-Propanol, Trietylamin.  t
s dng lp nhiu ln. Các màng sau khi nhúng
 khô t c khi sy khô và chng lp tip theo. Các
c ch to có s li t n 10.
30 40 50 60
0
100
200
300
C-êng ®é (®vt®)

Gãc nhiÔu x¹ 2(®é)

Hình 3.4. Ph nhiu x tia X
ca màng ZnO ch to bng
-gel
Hình 3.5. nh SEM ca màng
ZnO ch to b
Sol-gel
Gi XRD cho thy các màng ZnO có c,
ng trc c. Hng s mc tính toán
a = 3,2472Å và c = 5,2022Å. nh SEM th hin c ht khá
u và nh, c 30 - 40nm, nh t ca viên nén rt nhiu.
Da vào mt ct ngang ca màng, có th  dày trung bình
ca mi lp ca màng vào khong 100nm.
11

* Màng ZnO ch to b
Trong quá trình nghiên cu hiu ng laser ngu nhiên t các
màng mng phún x ZnO, ch  công ngh to màng 
 công sut phún x P
RF
= 100W; nhi  t = 30
0
C; áp
sut khí Argon p
Ar
= 5,8.10
-3
Torr và thi gian to màng là 15 phút.
20 25 30 35 40 45 50
0
5000

[102]
[101]
[100]
[002]
[002]
Bia gèm ZnO
Mµng ZnO
Gãc nhiÔu x¹ 2(®é)
C-êng ®é (®vt®)





Hình 3.6. Ph nhiu x tia X ca bia
gm và màng ZnO ch to bng

Hình 3.7. nh SEM ca
màng ZnO ch to bng

Trên gi XRD ca màng ZnO ch ng
      t li      nh
tiên. Hng s mng ca màng ng a = 3,2480Å và
c = 5,2039Åc ht trên màng u, c khong 40 -
50nm. nh SEM mt ct ngang ca màng cho thy b dày ca màng
c 0,5m.
3.2. Xây dựng hệ đo phổ phát quang kích thích bằng laser N
2

Cn hành xây dng và hoàn thin mt h 

phát quang phân    kích thích bng laser N
2
vi c
sóng 337,1nm;  rng xung 6ns; tn s lp li 10Hz và công sut
12

n 500kW. Ph c thu nhn bi c
cách t  phân gii cao GDM-1000, nhân quang R928, dao
ng kí s TDS2014.
L
2
L
1
L
4
L
3
LPT
RS232

Trigger

TDS 2014
F
M
1
Motor

M
2


PD

Laser
N
2




PMT




Máy tính


Hình 3.13. N
2

3.3. Bức xạ laser ngẫu nhiên từ mẫu viên nén và mẫu màng mỏng
trên hệ thu phổ phát quang kích thích bằng laser N
2
Các    phát  i vi mu viên nén và mu
màng mng cho thy: khi công sut kích thích cao, nh ph c
(380nm) b dch v phíau này rt phù hp
vi các nghiên cu v bc x ng b29, 62, 63, 64].
Ngun gc ca các bc x ng bc SE này là do các tán x exciton
- exciton hon t - l trng.

* Ph bc x laser t mu viên nén
Kho sát chi tit ph phát quang ca mu viên nén  mt s
thm khác nhauc mt thm ph phát
quang có d3.20 (m  
2
)
13

360 370 380 390 400 410 420
0
500
1000
1500
2000
C- êng ®é (®vt®)
B-í c sãng (nm)

Hình 3.20. Ph bc x laser t mu viên nén ZnO
 nh ph    u vi khong cách gia hai
mode liên tip c 5,5nm; FWHM = 2nm. Giá tr này nh  t
nhiu so vi FWHM ca ph bc x t phát. Các ph bc x n
c khi kích thích các mu viên nén ZnO hình 3.20 phù hp vi lý
thuyt qu thc nghim [87i vi laser to thành
trong mt bung cng ngu nhiên.
 khnh thêm ph bc x trên là ph bc x laser chúng
tôi tìm hiu s ph thuc ca bc x laser vào công su
n mt giá tr  (hình thành
ng), b u xut hin các bc x laser. Theo quan sát 
, m    ng vào khong 800kW/cm
2

. Hình
3.22 ch ra ph bc x laser ph thuc công su
sunh bc x laser càng th hin rõ nét.
14

370 380 390 400 410
0
100
200
300
400
500
600
c)
b)
a)
C- êng ®é (®vt®)
B-í c sãng (nm)

Hình 3.22. Ph bc x laser t mu ZnO viên nén vi m kích
thích khác nhau: a) 700kW/cm
2
i nng); b)
800kW/cm
2
và c) 1200kW/cm
2
ng)
* Ph bc x laser t mu màng mng
Ph bc x t các màng mng ZnO cho kt qu  

dày ca màng  ln. Các màng Sol-gel ch cho bc x laser khi có
  (t 6 lp tr lên)
370 380 390 400 410
0
500
1000
1500
c)
b)
a)
C-êng ®é (®vt®)
B- í c sãng (nm)

370 380 390 400 410
0
500
1000
1500
2000
c)
b)
a)
C-êng ®é (®vt®)
B- í c sãng (nm)

Hình 3.24. Ph bc x laser t
màng Sol-gel 6 lp vi m
kích thích: a) 600 kW/cm
2
;

b) 700 kW/cm
2
; c) 950 kW/cm
2

Hình 3.25. 

thích: a) 600 kW/cm
2
;
b) 650 kW/cm
2
; c) 1050 kW/cm
2

15

y, quá trình tán x quang b giam hãm trong vt li
hình thành nên vòng lp tán x phn hi thu kin cng
ng và s phát laser xut hiu nhiên. 
dày mu phn giá tr gii h hình thành bung tán
x ngng phát laser ca mu màng nh u viên
c gii thích là do ng cc ht. y, vi
h  phát quang kích thích bng laser N
2
, chúng tôi tách bc
x laser ra khi ph phát quang t phát rt mnh t các mu viên nén
và các mu màng mng. Ph bc x laser nhc là nhng mode
c tách ra t ph chng chp ca nhic sóng
laser ngu nhiên  rng c nano giây.

CHƢƠNG 4: CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT BỨC XẠ LASER
NGẪU NHIÊN TỪ CÁC MẪU ZnO DẠNG BỘT

4.1. Chế tạo bột nano ZnO
* Bt nano ZnO ch to b
H c chúng tôi s dng có tn s 2540MHz, công
su c la chn trong quá trình thc hin thí nghim là 150W
nhm hn ch t phn ng to ht nano. Thng vi
sóng i vi mi ln là 10 - 15 phút. Vt liu nguc chúng tôi
s dng là Zn(CH
3
COO)
2
và NaOH v sch 3N. 
tin hành ch to 3 loi mng vi các dung môi khác nhau
là H
2
O, C
2
H
5
OH và CH
3
CHOHCH
3
.
16

20 30 40 50 60 70
C
3
H
7
OH
C
2
H
5
OH
C-êng ®é (®vt®)
Gãc nhiÔu x¹ 2 (®é)
H
2
O

Hình 4.1. Gi nhiu x tia X ca các ht nano ZnO ch to trong
các c ct, Cn tuyi, Iso-propanol

Hình 4.2.a các ht nano ZnO ch to trong các dung
c ct; b) Cn tuyi; c) Iso-propanol
T các kt qu phân tích cu trúc, có th kt lun rng môi
ng ru là dung môi thích h tng hp các ht nano ZnO vi
c nhng nhc bit là isopropanol là dung môi phù
h ch to các ht nano ZnO có dng hình cu. Các mu phc v
cho nghiên cu hiu ng laser ngu s dng ht nano ZnO
vi dung môi là iso-propanol.
* Bt nano ZnO hình cu ch to by phân

17



Hình 4.4. nh FE-SEM ca mu
bt nano ZnO hình cu
Hình 4.5. nh TEM ca mu
bt nano ZnO hình cu
Cu trúc ca mu bt ZnO là lc giác wurtzite. Quan sát nh
SEM  hình 4.4 cho thy ht là các hình cu vi  c vào
khong 100 - 200nm. nh TEM (hình 4.5) quan sát chi tit ht hình
cu cho thy mi  lc to thành t rt nhiu ht nano nh.
4.2. Khảo sát bức xạ laser ngẫu nhiên từ mẫu bột trên hệ thu phổ
phát quang kích thích bằng laser Nd:YAG xung nano giây
Các mu bc kích thích bc sóng 355nm
ca laser Nd:YAG hong  ch  Q-switching vi  rng xung
5ns 
thích mu b    phát quang nh c
chính là tích phân ph i tác dng ca tt c 
a trên ch  ng b gia h laser
Quanta-Ray Pro 230 và máy quang ph dùng CCD.
Các phép phân tích thc nghi c thc hin trên 2 mu:
Mc ch to bu M2 là mu
hình cu ch ty phân.
18

375 380 385 390 395 400 405
1000
2000
3000

C-êng ®é (®vt®)
B- í c sãng (nm)
a)
375 380 385 390 395 400 405
2000
4000
6000
8000
10000
C-êng ®é (®vt®)
B- í c sãng (nm)
b)
Hình 4.11. Ph phát quang ca mu M1 (a) và mu M2 (b) khi
(M 
2
)
Ph phát quang      ca mu M1 và M2
(Hình 4.11) là mt di rng vi FWHM c 20nm. Tng
hp này  có s xut hin ca bc x laser ngu nhiên. Các tác gi
[56, 57, 59, 61] cho rng, quá trình kích thích b
rng nano giây to ra laser ngu nhiên gn liên tc (quasi-
continuous).
i vt qu thc nghim
i vi hai mu M1 và M2 cho thy: Khi c , ph
phát quang là di rnh nm  vùng 385 - 390nm ng
h  phát quang tr
nên hp và rt m  rng bán c i (FWHM) ca ph vào
khong 4nm (Hình 4.12).
19

360 370 380 390 400 410 420 430 440
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
389.0 389.5 390.0 390.5 391.0 391.5
1050
1100
1150
1200
1250
1300
1350


C-êng ®é (®vt®)
B- í c sãng (nm)

(a)
375 380 385 390 395 400 405
0
500
1000
1500
2000

388 389 390 391 392 393
600
800
C-êng ®é (®vt®)
B- í c sãng (nm)

(b)
Hình 4.12.  khi kích
.
(M  5mJ/cm
2
n 25mJ/cm
2
)
Tn ti mt giá tr ng c
xy ra hing thu hp ph. u này cho tht hin s
phát bc x laser.
360 380 400 420 440
0
200
400
600
800
1000
b) Phæ ®¬n xung
a) Phæ ®a xung
C-êng ®é (®vt®)
B- í c sãng (nm)

360 380 400 420

0
200
400
600
800
C- êng ®é (®vt®)
B-í c sãng (nm)

Hình 4.14. Ph phát quang
ca b

Hình 4.15. Ph phát quang bt
i khi kích thích
 (M ng
là 15mJ/cm
2
và 90mJ/cm
2
)
20

Bên cnh s thu hp ph, hình 5.14 còn cho thnh ph laser
         dch chuyn v c
u này phù hp vi ngun gc ca bc x ng bc 
vt liu ZnO là do tái hp exciton hoc tái hn t - l
trng.
Theo mt s tác gi  rng ph chng t trong quá
trình hong ca xung nano giây, có mt s c kích hot.
Do thi gian sng ca tái hp exicton trong ZnO (c 170ps) nh 
rt nhiu so vi thi gian ho ng ca mt xung nano giây

(5ns) nên trong thi gian kích thích lên mu, tn s ca bc x laser
có s i, dn vic ph bc x laser là chng chp
ca nhiu mode.
Ci vi
mi M3  i chng. Mu M3 là mu bt ZnO có phân
b c hu và khá ln (0,5-2µm). Kt qu cho
thy, k c khi giá tr t cao, ph phát quang ca
mu M3 là mt di rng (FWHM ~ 20nm) vnh ph nm tc
sóng 385nm (Hình 4.15). ng hc ht ca
mu bt M3 lu so vi  lc sóng ca bc x ng
bc nên trong mu không có s hình thành bung cng ngu
xut hin hong laser.
4.3. Khảo sát bức xạ laser ngẫu nhiên từ mẫu bột trên hệ thu phổ
phát quang kích thích bằng laser Nd:YAG xung pico giây
 hp tác vi JAIST trí mt h 
ph phát quang và bc x laser ngu nhiên da trên k thut trung
21

im c bit quan trc sóng kích
thích, hòa ba bc ba (355nm) ca h laser Nd:YAG  rng xung
30ps. Theo các nghiên cu lý thuy thc nghim
[27,28], bc x c khi xung kích  rng c pico
giây là mt vài vch rt h  rng bán c i c 0,5nm. Bc
tranh này khác vi ph bc x c khi xung kích thích có
 rng nano giây do thi gian kích thích nh u so vi thi
gian sng ca bc x ng bc ngu nhiên. Hình 4.18 là ph phát
x ca mu bt hình cu (M2)
360 370 380 390 400 410
0
25

50
75
C- êng ®é (®vt®)
B-í c sãng (nm)
(a)

360 370 380 390 400 410
0
100
200
300
400
500
C-êng ®é (®vt®)
B-í c sãng (nm)
(b)

360 370 380 390 400 410
0
50
100
150
200
(c)
C- êng ®é (®vt®)
B-í c sãng (nm)

360 370 380 390 400 410
0
20

40
60
80
100
120
140
C- êng ®é (®vt®)
B-í c sãng (nm)
(d)

Hình 4.18. Ph bc x ca bt ZnO hình cu vng
: a) 30J/cm
2
; b) 50J/cm
2
; c) 100J/cm
2
; d) 150J/cm
2

22

Kt qu thc nghim trên cho thnh ri rc
trên ph phát quang ca lp bt ZnO hình cu là các mode laser có
ngun gc t các tán x ánh sáng lp l
chiu. ng phát laser c tính toán vào khong 50J/cm
2
.
      





Các kt qu thc nghim cho thy mu bng hot
cht thích hp cho laser ngu nhiên. Ph bc x laser ngu nhiên ca
cùng mt mu bt t hai loi x
thy có s chng chp cc sóng laser trong quá trình xung
giây hong.

23

KẾT LUẬN
1. ng hp mt cách có h thng các kt qu nghiên cu v hiu
ng laser ngu nhiên. Tìm hic các mô hình lý thuyt v laser
ngc bit là mô hình khuch tán ca Letokhov nhm gii
 hong ca laser ngu nhiên.
2.  hong ca laser ngu nhiên t vt liu ZnO:
 hình thành và tính ngu nhiên ca bung cng laser;
ng hc ca bc x ng bc ngu nhiên t vt
liu ZnO; các dng ph ca laser ng

3.  to thành công các dng mu vt liu ZnO phc v cho vic
nghiên cu microlaser ngu nhiên gm mu dng viên nén ch to bng
m truyn thng; mu dng màng mng ch to bng
 -   ; mu bt nano bng
y phân. Kt qu phân tích
cu trúc tinh th và hình thái ht ca các mu ch tc cho thy
mu phù hp v hong ca laser ngu nhiên.
4. Da trên vic ci tin máy quang ph cách t kép GDM-1000
(Carl-c) và s dng laser N

2
công sut cao TE-999
(Vin Khoa hc và Công ngh Vit Nam), xây dc mt
h thu ph phát quang phân gii th h 
c ph bc x laser ngu nhiên có  ra khi
ph bc x t phát ca các mu viên nén và màng mng.
5. Nghiên c thí nghim thu ph laser ngu nhiên kích thích
bng hòa ba bc ba (355nm) ca laser Nd:YAG,  ch  xung nano
giây (Quanta Ray Pro 230) và s dng máy quang ph MS-257