TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI 2
KHOA VẬT LÝ
NGUYỄN THỊ PHƯƠNG
CHẾ TẠO, NGHIÊN CỨU CẢM BIẾN TỪ
DỰA TRÊN MẠCH CẦU WHEATSTONE
CÓ CẤU TRÚC CÁC NHÁNH DÀI
KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC
HÀ NỘI – 2015
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI 2
KHOA VẬT LÝ
NGUYỄN THỊ PHƯƠNG
CHẾ TẠO, NGHIÊN CỨU CẢM BIẾN TỪ
DỰA TRÊN MẠCH CẦU WHEATSTONE
CÓ CẤU TRÚC CÁC NHÁNH DÀI
KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC
Chuyên ngành: Vật lý chất rắn
Người hướng dẫn khoa học: ThS.LÊ KHẮC QUYNH
HÀ NỘI – 2015
LỜI CẢM ƠN
Lu tiên, em xin bày t lòng bic ti ThS. Lê Khc Quynh
ng nghiên cu, cung cp cho em nhng tài liu quý
báu, t ng dn, ch bo, t u kin tt nht trong quá trình hoàn
thành khóa lun tt nghip.
Em i li cn các thy cô, anh ch cán
b ti Khoa Vt lý k thut và công ngh nano và Phòng thí nghim công ngh
Micro - i hc Công nghi hc Quc gia Hà Ni nhit tình
, chia s kinh nghim quý báu tr em rt nhiu trong quá
trình làm thc nghim.
Tip theo, em xin ct c các thy, các cô ci h
phm Hà Nng dy, dìu dt và cung cp cho em nhng nn tng khoa
hc t kin thn nhng kin thc chuc
hành, thc nghim trong sut bc qua.
Cui cùng, em xin gi nhng li tp nhn b mn bè
nh, kp th
khóa lun mt cách tp.
Hà N
Sinh viên
Nguyn Th
LỜI CAM ĐOAN
ng kt qu nghiên cu khoa hc trong khóa lun là
hoàn toàn trung thc công b bi bt k i
ngun tài lic trích dn rõ ràng.
Hà N
Sinh viên
Nguyn Th
MỤC LỤC
TRANG PHỤ BÌA
LỜI CẢM ƠN
LỜI CAM ĐOAN
MỤC LỤC
DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ
MỞ ĐẦU 1
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN 3
1.1 Các loi cm bi ng ph bin 3
1.1.1 Cm bin da trên hiu ng Hall 3
1.1.2 Cm bin da trên hiu ng t - n 3
1.2 Nhiu cm bin 6
1.3 Cm bi ng bng hiu ng t - n tr d ng (AMR) 8
1.3.1 Hiu ng t - n tr d ng 9
1.3.2 Mch cn tr Wheatstone 11
CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 14
to cm bin 14
2.1.1 X lý b mt mu 14
2.1.2 Ch to mt n và hc cha cm bin 15
2.1.3 Phún x to màng 19
2.1.3.1 Thit b phún x catot 19
2.1.3.2 Phún x tn tr 22
2.1.3.3 Phún x tn cc 23
o sát tính cht ca cm bin 23
2.2.1 Kho sát tính cht t ca cm bin 23
2.2.2 Kho sát tính cht t - n tr ca cm bin 25
CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 27
vit ca cm bin dng mch cu Wheatstone 27
3.2 Tính cht ca cm bin 29
3.3 Tính cht t - n tr ca cm bin 30
3.3.1 30
3.3.2 Tín hiu li ra ph thuc vào t s dài/rng ca các thanh tr 32
KẾT LUẬN 34
TÀI LIỆU THAM KHẢO 35
DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU
Bng 2.1: Thông s k thut ca máy 17
Bng 2.2: Thông s ct mt n ca máy 18
Bng 2.3: Thông s phún x ca các lp Ta/NiFe/Ta 22
Bng 2.4: Các thông s phún x n cc 23
B lch th nhy ca cm bin 1×5mm khi b i 28
B lch th nhy ca các cm bii t s dài/rng
ca các thanh tr 32
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ
Hình 1.1 minh ha hiu n t thuc trên các vt liu
multiferoics kiu t gin 4
Hình 1.2: Liên kt t n trong vt liu t i s phân cn
c gây ra bi t t hóa bng ngoài 5
Hình 1.3 th hin ngun gc vt lý ca AMR 9
Hình 1.4: Giá tr n tr i ph thuc vào góc gin ng
c hóa 11
Hình 1.5: Mch cn tr Wheatstone 11
Hình 2.1: Bung x lý mu 14
Hình 2.2: Cu to chung ca mt máy ct laser 16
Hình 2.3: Máy ct laser VLS3.60 17
Hình 2.4: H mask ca cm bin 1× 3mm: Vi (a)là mt n n tr, (b)là mt
n n cc, (c) hình dng cm bin hoàn thin 18
Hình 2.5: Mt n ca các cm bin 19
Hình 2.6: Nguyên lý ca quá trình hình thành màng mng bng phún x catot 20
Hình 2.7: Thit b phún x catot 21
Hình 2.8n tr ca mch cu c phún x to
màng Ta/NiFe/Ta 22
Hình 2.9: Cm bic sau quá trình phún x n cc 23
Hình 2.10
24
Hình 2.11 thí nghiu ng t - n tr 25
Hình 2.12: (a) Cm binh. (b) Cm bic kt ni
vi h n t 26
Hình 3.1: S ph thun áp li ra theo t ng ngoài ca cm bin (a) dng
n tr, (b) dng mch cu Wheatstone 28
Hình 3.2: S bin thiên cn tr thành phn trong mch cu Wheatstone
28
Hình 3.3: S ph thuc cn tr sut vào t ng ngoài vng hp t
ng song song và vuông góc vn 29
Hình 3.4ng cong t hóa t i M/M
s
ca cm bin vi t ng nm trong
mt phng i t ghim 29
Hình 3.5: (a) S i th li ra ca cm bin cm bin 1×5mm ph thuc
vào t ng ngoài vi các b dày nhy ca cm bin
1x5mm ng vi các b dày khác nhau ca thanh tr 31
Hình 3.6: S ph th li ra ca cm bin theo t i t s
dài/rng ca các thanh tr vi thang t ng ln (a) và nh (b) 32
1
MỞ ĐẦU
1. Lí do chọn đề tài
Trên th gii có rt nhiu loi cm bin da trên các hiu ng khác nhau
c s d ng thp yu là các cm bin da trên
hiu ng quang và t m bing t siêu dn, si
quang hc, cm bin da trên hiu n - t, cm n t (Flux-Gate),
hiu ng Hall Mc dù các cm bin hong da trên các hiu ng khác nhau
m biu da trên nguyên tc và phân tích hiu n th
li ra t cm bin i ph thu ca t ng tác dng lên
cm bin. Mi loi cm biu m c
m riêng tùy thuc vào mvà phm vi trong tc ng dng.
Tuy vy, các cm bic khá cng knh và gp phi các
loi nhiu n tín hiu. Ngoài ra, mt s cm bin hong t
i có cu trúc dp khá phc tm bin da trên
hiu ng Spin-Vic tn hóa qui trình
công ngh, gim chi phí ch to mà vi ca cm bi
t ng thc tiêu nghiên cu ca nhóm. Li dng tính cht t
mm ca vt liu NiFe và tính nh nhit rt tt ca mch cu Wheatstone,
chúng tôi ch to các cm bi ng thp dng mch cu Wheatstone vi
cp Ni
80
Fe
20
da trên hiu ng t - n tr d ng. Các
cm bin ch to gic tng các loi nhic bit là nhiu
nhit qu t s tín hiu/nhiu ca cm bin s ln. Vng nghiên
cu này, các ni dung nghiên cc thc hin trong khóa lun bao gm:
- Ch to, kho sát tính cht t ca cm bin.
- Ch to cm bin vi b dày màng khác nhau, kho sát tìm ra b dày
màng ca cm bin có tín hi nhy cao.
2
- Ch to cm bin vc khác nhau, kho sát tín hi nhy ca
cm bin.
2. Mục đích nghiên cứu
- Ch to cm bin dng mch cu tròn da trên hiu ng AMR.
- Kho sát các tính cht t, t n tr ca cm bin.
3. Đối tượng nghiên cứu
Cm bin mch cu tròn da trên hiu ng AMR.
4. Phương pháp nghiên cứu
S dc nghim:
- Ch to cm bin vi vt liu Ni
80
Fe
20
.
- Kho sát tính cht vi cm bi to.
3
CHƯƠNG 1
TỔNG QUAN
1.1 Các loại cảm biến đo từ trường phổ biến
1.1.1 Cảm biến dựa trên hiệu ứng Hall
Hiu ng Hall c phát hiEdwin Hall khi ông
c ti hc Jonhs Hopkins Baltimore, Maryland [2]. Khi cho
mn chy qua mt vt dn là cht bán dt trong t ng
ngoài, hai mi din vuông góc vi chin s xut hin chênh lch
n áp trên vt liu này.
n tích chuyng trong vt d i ng ca t ng
ngoài, chúng s chu tác dng ca lng vuông góc vi chiu dòng
n và t ng ngoài:
. [ x ]
H
F q E q v B
q in tích ca n t (q = 1.6 × 10
-19
C )
là t chuyng ca electron
là cm ng t
là ng Hall.
i tác dng ca ln tích s chuyng
c nhau v hai mt ca vt dn và to ra hai mi din ca vt dn các
n tích trái du làm xut hin mng Hall E
H
ng vuông góc vi
chin. Ling này gây ra s ng vi
lc Lorent. Trng thái cân bc hình thành cùng vi s
dn ca ln khi bù tr hoàn toàn vi lc tn trng thái
cân bng, lc gây ra do t ng B s cân bng vi lng E gây ra.
c cho bi công thc:
(1.1)
4
.
H
H
R
V I B
t
R
H
là n tr Hall
I, B là n và t ng
T là chiu dày tm vt liu.
1.1.2 Cảm biến dựa trên hiệu ứng từ - điện
Hiu ng n - t c d
[12].Thut ng n - tt d
t ch s liên kt gia pha st t và sc xây dng bi
rng hiu n - t có th c trong vt li
2
O
3
. S
phân cc cm ng bi t ng ca Cr
2
O
3
c quan sát l
1960 bi Astrov [3]. Hiu n - t c quan sát thy trên các vt
liu tn tng thi c hai pha st t và sn. Hiu n - t c chia
thành hiu n t thun (direct magnetoelectric effect) và hiu n t
nghch (converse magnetoelectric effect) (hình 1.3u ng thun là
hiu ng vt liu b phân cn (Pt trong t ng ngoài
(Hc li hiu ng nghch là hiu ng mô men t ca vt liu b i
(M) khi chu tác dng cng ngoài (E).
Hình 1.1: S minh ha hiu n t thuc trên các vt liu
multiferoics kiu t gin.
(1.2)
5
Hiu n t thun: Khi vt liu chu tác dng ca mt t ng ngoài
H, pha st t (do hiu ng t gio) s b bin dng sinh ra ng sut tác dng lên
n. Do hiu ng áp phân cn bên trong vt liu s b thay
i din ca vt liu s xut hin tích trái du
. Hiu n t thui h s t n:
E
= dE/dH.
Hiu n t c vi hiu n t thun, trong hiu ng
i tác dng cng, do hiu n s
b bin dng bc sinh ra ng suc truyn cho pha st t (t gio).
Do hiu ng Villary, mômen t ca pha st t s b thay cc tiu hóa
ng t i sinh ra do ng sut. Hiu ng n t nghc
i h s t n:
M
= dM/dE
Hình 1.2: Liên kt t n trong vt liu t i s phân cn
c gây ra bi t ng t hóa bng ngoài.
Hiu ng t - n có s chuyn hóa trc tip t n thành
ng t c li. Nh tính cht này, hiu c
nghiên cu và khai thác ng dng mnh m trên th gii t li
ng ti mc tiêu ng dng ch to cm bi ng, hiu ng
(a)
(b)
6
n t thun t ra có nhi do kh i trc tip t ng
thành tín hin áp li ra.
1.2 Nhiễu cảm biến
Tín hiu li ra ca cm bin luôn b ng bi các nhân t ca môi
, tn s , nhng ng này gi chung là
nhiu. Nhiu là s i ngu nhiên tín hiu li ra ca cm bin khi giá tr
bng 0. Mt thông s quan tr m bin là t s tín hiu trên
nhiu (signal/noise).
Viu da trên 3 loi ch yu là nhiu tn s 1/f, nhiu nhit
và nhing tnh bi:
Vi
y
nhiu, là di thông tn s, n
c
là s ht tn,
f tn s k
B
là hng s Boltzmann, T là nhi ca mu, L là chiu dài ca
mu, e n.
vùng tn s thp (f < 300Hz), nhiu ch yu là nhiu tn s 1/f, tn s
cao (trên 1kHz) nhiu ch yu là nhiu nhi trình v mt
s loi nhiu cm bing gp:
* Nhiễu nhiệt:
Nhiu nhit là thành phn nhiu sinh ra do các thành phn tr. Trong
di tn s f ln ca nhiu nhic tính theo công thc (1.4):
(1.4)
T là nhi tuyi (K)
R
DC
n tr ca cm bin (trong dòng DC )
f di tn s c
(1.3)
7
k
B
là hng s Boltzman.
Nhiu nhit có trong tt c các loi cm bin (còn gi là nhiu Johnson),
ph thuc vào thành phn cu to cn tr. Trong mng hp, nó th
hii dng nhiu dòng ngun phát c:
I
t
2
= 4k
B
(1.5)
Di tn nhii thông voltage-gain-squared ca h thng
hay mi vi bt k hàm chuyi mng nào A(f) có 1 di tn nhiu
truyn i A
0
và di tn:
* Nhiễu lượng tử:
n chy qua mt rào th thì s xut hin nhing t, vì s
g dòng qua mt giá tr trung bình gây ra bi s bin t và l
trc phát ra. Dòng nhinh:
I
sh
2
= 2qI
DC
B (1.7)
q n tích
I
DC
là dòng DC trung bình
B là di nhiu.
* Nhiễu 1/f:
Nhiu 1/f gây ra bi s dn do s tip xúc không hoàn ho
gia 2 lp vt liu. Nó xy ra bt kì ch nào khi 2 vt tip xúc vi nhau. Nhiu
1/f t l thun vi giá tr dòng 1 chiu. M ng bin thiên t l
nghch vi tn s 1/f. Dòng nhiu I
f
c 2 ca dc th
hi
I
f
sqrt(B)
≈
K×I
DC
sqrt(f)
(1.6)
(1.8)
8
I
DC
là giá tr trung bình ca dòng DC
F là tn s
K là hng s ph thuc vào loi vt liu và hình dng ca nó
B là di thông tn s.
* Nhiễu Barkhausen:
Nhiu Barkhausen bt ngun t các hiu ng Barkhausen. Nhiu
Barkhausen là hi n tích bi i không liên tc trong m t
thông các vt liu st t khi t i liên tc. Ngun phát
Barkhausen b ng ln bi s i cu trúc vi mô ca vt liu t và
ng sut. Gc biu ng ph thuc vào
n th bên trong bi các vách domain t khi chúng di chuyn qua vt liu.
T công thc (1.4), ta thy nn tr ca cm bin c i thì nhiu
nhit t ci. tn s thp, ngun nhiu ch yu là nhiu 1/f (do t ng
gây ra nhiu tc biu din bi công thc:
V
2
1/f
c
) R
2
I
2
(1.9)
là hng s hing thun t (hng s Hooge)
N
c
là s ht ti gây nhiu trong cm bin
I n qua cm bin và f là tn s
c t s SNR ln nht có th, cm bin phi hong phía trên
1/f trong ch nhiu nhing xy ra tn s i vi van-
spin, trên 100 MHz i vi tip xúc xuyên ng tn s cao v
mn có th c s d nhn bit ht t c nh c gn
vào t sinh hc, cung c nhy sinh hc ci cho cm bin.
1.3 Cảm biến đo từ trường bằng hiệu ứng từ - điện trở dị hướng (AMR)
9
1.3.1 Hiệu ứng từ - điện trở dị hướng
Hiu ng t - n tr xut hin trong mt vt liu st t [14]. Hiu ng t -
n tr (magnetoresistance - MR) là s n tr ca mt vt di
ng ca t nh bng công thc:
(0), (H), R(0), R(H) ln tr sun tr ca vt
dn khi không có t ng ngoài và có t t vào [1].
Hiu ng t - n tr d ng (AMR Anisotropic magnetoresistance)
xy ra trong các kim loi và hp kim st t, s n tr s ph thuc
vào góc gia t và chiu cn. Ngun gc vt lý ca hiu ng
t - n tr ph thuc vào liên kt spin qu o.
th hin ngun gc vt lý ca AMR.
n t bao quanh mi hi
hình dng ph thung ca momen t và s bin dng ca các
n t ng tán x cn t dng
tinh th. Ta có th gii thích s ph thun tr ca vt dng
ca momen t vi chiu t ng
vuông góc vi chiu c o chuyng cn
t nm trong mt phng cy ch tn ti mt mt ct nh
i vi tán x cn t, dn ti vt dn tr nhc li, khi t
ng áp vào song song vi chin thì qu o chuyng cn
10
t ng vuông góc vi chiu cn, và mt ci vi tán
x cn t n ti vt dn tr cao (xem hình 1.3) [8].
gii thích hiu ng t - n tr d ng (AMR) trong màng mng ca
vt liu t, gi nh rng, t hóa trong màng st t u trng thái
bão hòa
, khi có s ng ca t ng ngoài s ng ca
này. Ngoài ra, ta có th xét hiu ng AMR hai khía c
mi quan h gin tr ng ca t ( t hóa) và mi quan
h ging ca t và t n tr ca màng mng có
th nh thông qua góc
- góc gia chiu n và t :
(1.11)
và là hng s ca vt liu
dài ca màng mng
b rng ca màng mng
d dày ca màng mng
và n tr n tr sut khi t vuông góc vi
trc d t hóa
và n tr n tr cikhi cótác dng ca
t ng ngoài.
T công thc (1.11 th biu din s ph thuc ca R vào
hình 1.4.
)2cos(
22
1)2cos(
2
coscos)(
,0,0
2
,0,0
RR
R
R
R
RR
bd
l
bd
l
R
pp
pn
n,0
l
p
R
,0
n,0
R
11
Hình 1.4: Giá tr n tr i ph thuc vào góc gin ng
ca t hoá.
1.3.2 Mạch cầu điện trở Wheatstone
Mch cu Wheatstone là mc s d n tr
nh, bng cách so sánh hai nhánh ca 1 mch ct nhánh cha
thành phn tr nh. Mch cc phát minh bi
và c phát trin, dng rng
rãi b
Cu trúc ca mt mch cu Wheatstone (xem hình 1.5) bao gm có bn
n tr R
1
, R
2
, R
3
, R
4
c mc song song vi nhau. Mt ngun n mt chiu
c s d cp vào m A, C to ra dòng n chy trong mn và
mn k nh chênh ln th li ra gia 2
m B,D ca cu.
Hình 1.5: Mch cn tr Wheatstone.
12
Khi ta cp mn th V
in
vào trong mn, ta có:
i tác dng cng ngoài, do s a hiu ng t - n tr
d n tr nên s to ra s i n tr thành phn ca mch
(
. S bii này dn ti s i cn th l
(1.13):
(1.13)
ng hng, nu mch cu cân bn th li ra
c biu din s
hay
(1.13) khi có s i
cn tr thành phn trong mch cu, vi s n tr là nh
5% c (1.14):
(1.14)
(1.12)
13
T công thc (1.14) chúng ta thy s n tr ca hai nhánh lin
k trong mch cu t trit tiêu nhau nên mch cu có th dùng làm mch n nh
nhi và ch to các thit k c bit khác. Mch cc ng
dng nhic ci sc bit là trong các mn t
kháng, n cm, n dung trong mch xoay chiu (AC). Trong
mt s b u khi, mch cu Heaviside (mt dng khác ca mch
cu Wheatstone) c s d u khing quay ct ng
dng rt ph bin trong ngành công nghi giám sát các thit b cm bin,
chng hng h ch cc ng d xác
nh chính xác v trí phá v m
i công ngh h tr cao.
Vm nêu trên, chúng tôi la chn mch cu Wheatstone
ch to cm bin vi s gic tng cng
c bit là nhiu nhi s c t s tín hiu/nhiu ln. Vt lic
la chn làm cm bin là Ni
80
Fe
20
là vt liu t mm (H
C
= 3÷5Oe), vt liu này
rt thích h ch to cm bi nhy cao trong vùng t ng thp.
Mch cn tr Wheatstone gn tr bc thit k 2
n tr i din có d ng hình dng gin tr lin k khác
nhau. Nh vyi tác dng ca t ng ngoài tín hiu li ra ca cm bin
c s l
14
CHƯƠNG 2
PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM
2.1 Phương pháp chế tạo cảm biến
2.1.1 Xử lý bề mặt mẫu
Hình 2.1: Bung x lý mu.
Hình 2.1 là bung x lý m thc hin thao tác làm sch
b mt mu. Các thao tác làm sch và sy khô mc thc hin trong
bung x lý mu. Bung x lý mu bao gm: Súng xì khô, các hóa cht ty ra
c DI. Ngoài ra, b sy khô mu
các nhi khác nhau, ma thao tác này
toàn dung môi trên b m SiO
2
.Các thông s có th tùy chnh gm nhi
ct, t gia nhit.Yêu ci vi hotplate trong quá trình nung mu là
nhi luôn luôn phi gi nh cho phép sai s ± 1C [4].
ch to cm bi Si có ph lp oxi hóa SiO
2
dày t
0.5- m bo n gi và màng vt liu. c khi lng
c làm sch qua các quy trình sau:
Rung siêu âm trong axeton 5 loi b ht cht bn và cht h
.
15
Rung siêu âm trong cn 5 loi b ht dung dch axeton còn bám
.
Lu trong dung d làm sch hoàn toàn dung dch cn.
Xì khô bng máy nén khí, vi mi b c DI bám trên b mt
.
Nung mu 100
0
C (nhi sôi cc là 100
0
C) trên hotlate vi thi
b mt.
2.1.2 Chế tạo mặt nạ và hốc chứa cảm biến
Mt n làm bvà hc cha cm bin làm bng
thy tinh hkhóa luc thit k bng phn mm Coreldraw và
c gia công to hình s dng máy ct laser. Thit b này hong s dng tia
laser - ngun phát ra ánh sáng thông qua mt quá trình khui quang hc
da trên s kích thích phát x ca bc x n t. Thut ng n
gc là mt t vit tt cho Light Amplification Simulated Emission of Radiation
(quá trình khui ánh sáng bng phát x ng bc) [6]. Electron tn ti
các mng riêng bit trong mt nguyên t. Các mng này có
th hing vi các qu o riêng bit ca electron xung quanh ht
nhân. Electron bên ngoài s có mng electron phía
trong. Khi có s ng vt lý hay hóa hc t bê
có th nhy t mng thp lên mc li. Các
quá trình này có th phát x hay hp th ánh sáng (photon) theo gii thuyt ca
Albert Einstein. Có nhiu loi laser khác nhau, có th dng hn hp khí hay
dng cht l bc x cao nht vn là tia laser to bi các thành
phn t trng thái cht rn.
Cu to chung ca mt máy ct laser gm có: Bung cng cha hot
cht laser, ngun nuôi, h thng dn quang và h thng phn quang [16]. Trong
ng cng vi hot cht laser là b phn ch yu (xem hình 2.2).
16
Hình 2.2: Cu to chung ca mt máy ct laser.
Bung cng cha hot ch t ch c bit có kh
i ánh sáng bng phát x ng b to ra laser. Khi mt
photon ti va chm vào hot cht này thì s t photon khác bt
ng vi photon ti. Mt khác bung cng có hai
mt chn u, mt mt phn x toàn phn vi các photon khi bay ti, mt
kia cho mt phn photon qua mt phn phn x li làm cho các photon va chm
liên tc vào hot cht laser nhiu ln to m photon ln. Vì th
c khui lên nhiu ln. Tính cht ca laser ph thuc vào hot cht
vào hot ch phân loi laser.
làm vic ca mt máy cng ca hin th
cao, các electron di chuyn t mng thp lên mng cao.
mng cao, mt s electron s ru nhiên xung mng
thp, bc x hc gi là photon. Các ht photon này s ta ra nhiu
ng khác nhau t mt nguyên t va phi các nguyên t khác, kích thích
electron các nguyên t ng tip, sinh thêm các photon cùng tn s,
ng bay, to nên mt phn ng dây chuyn khu i
dòng ánh sáng. Các ht photon b phn x qua li nhiu ln trong vt liu nh
u sut khui ánh sáng, mt s photon ra ngoài nh có
ti mu ca vt li