MỤC LỤC
1 CHƯƠNG 1
KHÁI QUÁT VỀ PMT MÀNG MỎNG THẾ HỆ MỚI DỰA TRÊN LỚP
HẤP THỤ CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)..............................................................5
1.1 Lịch sử phát triển............................................................................................................................5
1.2 Những thách thức đặt ra................................................................................................................7
1.3 Cấu trúc cơ bản và các tham số đặc trưng.....................................................................................9
1.3.1 Cấu trúc cơ bản của PMT......................................................................................................9
1.3.2 Các đặc trưng về hiệu năng hoạt động của PMT màng mỏng CIGS....................................10
1.4 Một số phương pháp chế tạo lớp hấp thụ CIGS.........................................................................12
1.3.3 Đồng bốc bay từ các nguồn nguyên tố...............................................................................12
1.3.4 Selen hóa của các lớp bán vật liệu dạng kim loại................................................................13
1.3.5 Lắng đọng hơi hóa học........................................................................................................13
1.3.6 Các phương pháp pha lỏng nhiệt độ thấp..........................................................................14
2 CHƯƠNG 2
CHƯƠNG TRÌNH MÔ PHỎNG MỘTCHIỀU AMPS – 1D
(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)............................15
2.1 Phương trình Poisson...................................................................................................................15
2.1.1 Nồng độ điện tử tự do và nồng độ lỗ trống tự do..............................................................16
2.1.2 Nồng độ trạng thái định xứ (ND+, NA-, pt, nt)....................................................................18
2.1.3 Nồng độ các mức sai hỏng (nt và pt)...................................................................................22
2.2 Phương trình liên tục...................................................................................................................22
2.2.1 Mật độ dòng điện tử và mật độ dòng lỗ trống (Jn và Jp)...................................................23
2.2.2 Quá trình tái hợp của hạt dẫn.............................................................................................24
3 CHƯƠNG 3
CÁC THÔNG SỐ ĐẦU VÀO CỦA CHƯƠNG TRÌNH
MÔ PHỎNG MỘT CHIỀU AMPS – 1D...................................................26
3.1 Các tham số cơ bản......................................................................................................................26
3.1.1 Điều kiện môi trường .........................................................................................................26
3.1.2 Cấu trúc mô hình.................................................................................................................28
3.2 Tính chất chung............................................................................................................................29
3.2.1 Điều kiện ban đầu, hệ số phản xạ mặt trước và sau...........................................................29
3.2.2 Hệ số phản xạ......................................................................................................................30
3.2.3 Sự tái hợp bề mặt...............................................................................................................30
3.3 Tính chất của các lớp....................................................................................................................31
3.3.1 Tốc độ hạt tải và mối liên hệ với mật độ trạng thái............................................................32
3.3.2 Nồng độ hạt tải....................................................................................................................33
3.3.3 Sự dịch chuyển năng lượng giữa các lớp (chuyển tiếp dị chất)..........................................33
3.3.4 Hệ số hấp thụ......................................................................................................................34
3.4 Các trạng thái sai hỏng ................................................................................................................35
3.4.1 Mật độ trạng thái sai hỏng trung hoà và ion hoá................................................................36
3.4.2 Sự phân bố sai hỏng............................................................................................................37
4 CHƯƠNG 4
KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN......................................................................39
4.1 Ảnh hưởng của hệ số phản xạ mặt trước....................................................................................39
4.2 Ảnh hưởng của độ chênh lệch năng lượng đáy vùng dẫn (∆ EC) tại mặt tiếp xúc giữa các lớp..43
4.3 Ảnh hưởng của độ dầy của lớp hấp thụ CIGS..............................................................................46
4.4 Ảnh hưởng của độ rộng vùng cấm Eg của lớp hấp thụ CIGS.......................................................49
KẾT LUẬN...................................................................................................53
TÀI LIỆU THAM KHẢO...........................................................................54
MỞ ĐẦU
!"#$%&"'"()*+,-
./01,2"345+,6(4789:;88<(
+<(#6&=/"><88!"?@A#BCDE
8FG19A):$HIJ#&(D
DK#BCDEL+,1,/C:+,6(4
H(0M1,348"()6(47
"#0N"L.88&EMB1,8+,8&"
"O9PQ71R3:4L8&CSA#0TBC
"I8AB1,M8"'."I"A
(D(4C"I8AU5"!5#BCDE
1
9C:$HIJ4:#&
(DI4V"&(8!AW'T28/C
1>4&.:XSES8Y(D.:
(.I&""OCK"Z[M\
/B[M0!O/A821]^SC:+,
"A6(48AB_8""OBM%9P
`T
Q
T
7<
*9PQ7-
8"'A4$(4A(BK"1]a
b
!
c
d
b
8
e
"
e
"
f
:8
c
"!
c
(a
e
e
C
b
(K
b
4
e
4
f
"I
f
MK
c
#a
b
8
c
I
f
4
f
6(4#8g
b
e
K
b
:<
c
:M4
e
h
:.D8"(48&.
DW:!
c
M4
c
b
8a
b
b
4
f
a
c
4
b
c
84
c
e
"I
c
<8
e
d
f
a
b
d
b
a
b
8a
b
1,(=/":#K
b
C4
f
I
f
!8
C
f
8
c
f
"I
c
"!
c
(a
e
"A8&""O9PQ78
e
:G"I
c
"Kh
f
1iC"I#0TB2:#BCDE!8
f
j`
?G"I
c
<8d
b
a
b
F T "
kjl1
j
i]m":A45+,"A8&""O9PQ7
"'."$&>'"I]S8[m'B:]S
n[:()o&$p$,64qo&$rWQRm'1
_4LM8SC8Ts"W84/BL8A
#W0T&"(A84!&'L"':V"D(ta
aKN"BL1oKC/8MA34NMs5
a&D(0!#0TB+,u
AC"I#0TB21
+a4/L58/"IO&'
L"'B(ZuAI#W3$"'/
:LCJ/6"190"IO#v8a
#\B(Z:sAC(^I&1
@
1 CHƯƠNG 1
KHÁI QUÁT VỀ PMT MÀNG MỎNG THẾ HỆ MỚI DỰA
TRÊN LỚP HẤP THỤ CuIn
1-x
Ga
x
Se
2
(CIGS)
1.1 Lịch sử phát triển
RC:!88B5)#6L"$W1,J(AA
C:)%#2_w!8#x.wWJ.&
g:3"O:/64111mw!8C.Ca
&.0!IL3!8L)1>4
&.:\Wu:#6.8438"!'(M^L/
CD(B84:@
9q?:y
91]AA"'&!8#&:A"'
/I.#6T&#v8"'(28ALzzP1'
#6{863CU8#6_DS_"'8
8A!8"(BS"{KCJ"()kl1RI
c
c
!8a
c
"a
b
e
K
e
c
>(!" @
h
!
f
c
C4
b
K"
f
4
b
a
b
C4
b
G
!8a
c
4
c
(C4
e
I
b
M!
e
I
e
!8a
c
"a
b
(
b
b
4
c
"!
c
(a
e
e
!" 1,("'IH_D#B
a^IWB8""OJM!8"()1,Ms
.&M\I8|$IW}"6(4B5
I|1]^SC:Z.5"!D(\w!8.#&
(5"(S#1+,"A6(48AB_9P
`
T
Q
T
7<
*9PQ7-H&0B(B0""OM
!8"()1R#BCDE!8"()8_
C8:G1
Pin mặt trời ngày nay
9IH(\"'#0N"a"&(s
I8:#0N"HQ~()3!" @)
?