Câu hỏi trắc nghiệm kỹ thuật điện tử

NGÂN HÀNG CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM
Ngành đào tạo: Công nghệ thông tin
Mã học phần: 010108114301
Hệ đào tạo: Đại học
STT

Mã

1.
I.1

2.
I.2

3.
I.3
4.
I.4
5.
I.5
6.
I.6
7.
I.7

Chuyên ngành: Tin học ứng dụng
Tên học phần: Kỹ thuật điện tử
Loại hình đào tạo: Chính quy
Nội dung câu hỏi

ĐA

Đơn vị đo điện trở của một vật liệu là:
A. MΩ
1. B. KΩ
2. C. Ω
3. D. Tất cả các đáp án trên
4. Chất bán dẫn là chất…………..
5. A. Dẫn điện.
6. B. Vừa có khả năng dẫn điện vừa có khả năng cách điện.
7. C. Ở điều kiện thường là chất cách điện còn khi có tác
động bên ngoài thì trở thành chất dẫn điện.
8. D. Tất cả các trường hợp trên.
9. Chất bán dẫn loại N là hợp chất của các nguyên tố thuộc:
10. A. Nhóm 2 và nhóm 4
11. B. Nhóm 3 và nhóm 5
12. C. Nhóm 3 và nhóm 4
13. D. Nhóm 4 và nhóm 5
14. Chất bán dẫn loại P là hợp chất của các nguyên tố thuộc:
15. A. Nhóm 2 và nhóm 4
16. B. Nhóm 3 và nhóm 5
17. C. Nhóm 3 và nhóm 4
18. D. Nhóm 4 và nhóm 5
19. Chất bán dẫn loại N là chất bán dẫn có khả năng........
20. A. Cho electron
21. B. Nhận electron
22. C. Cho lỗ trống
23. D. Nhận lỗ trống
24. Chất bán dẫn loại P là chất bán dẫn có khả năng........
25. A. Cho electron
26. B. Nhận electron

27. C. Cho lỗ trống
28. D. Nhận lỗ trống
29. Tính chất vật lý cơ bản của lớp tiếp xúc P-N là:
30. A. Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận và
phân cực ngược.
31. B. Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực ngược.
32. C. Khả năng dẫn điện tốt khi được phân cực thuận.
33. D. Không có trường hợp nào

C

C

D

C

A

B

C

Ghi
chú


8.

I.8

9.
I.9

10.
I.10

11.
I.11

12.

I.12

34. Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận thì:
35. A. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng,
điện trở lớp tiếp xúc tăng.
36. B. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm,
điện trở lớp tiếp xúc giảm.
37. C. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm,
điện trở lớp tiếp xúc giảm.
38. D. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện
trở lớp tiếp xúc tăng.
39. Nguyên lý hoạt động của Điốt bán dẫn dựa trên tính dẫn
điện ...... của tiếp xúc P-N.
40. A. Một chiều
41. B. Hai chiều
42. C. Cả một chiều và hai chiều
43. D. Cả ba đáp án trên.
44. Trên thực tế Điốt được phân cực thuận khi điện áp đặt

lên điốt phải:
45. A. UAK = UD
46. B. UAK ≥ UD
47. C. UAK ≤ UD
48. D. UAK > 0V
49. Một Điốt có điện áp là 0,7V và dòng điện chạy qua nó là
50mA. Hỏi công suất của nó là bao nhiêu?
50. A. 3,5W
51. B. 50mW
52. C. 35mW
53. D. 35W
54. Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy cho biết giá trị điện trở
là bao nhiêu để có dòng điện qua điốt xấp xỉ 10mA?

C

A

B

C

D

55.

56. A. 430KΩ
57. B. 1KΩ
58. C. 430Ω
59. D. 500Ω

13.
I.13

14.

I.14

Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ từ
………..
A. Bán dẫn P sang N
B. Bán dẫn N sang P
C. Cực E sang cực B
D. Cực E sang cực B
Có bao nhiêu lớp bán dẫn PN trong BJT?

A

C


15.
I.15

16.
I.16
17.
I.17
18.
I.18

19.
I.19
20.
I.20
21.

I.21

A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
Vùng base của transistor NPN được cấu tạo bởi chất bán dẫn
loại nào?
A. Loại PN.
B. Loại N
C. Loại base.
D. Loại P.
So sánh độ dày 3 vùng collector, emitter và base của BJT?
A. Emitor > Base > Collector
B. Vùng Base mỏng nhất
C. (Emitor = Collector) >> Base.
D. Cả ba đáp án trên
Trong một BJT, dòng Ib là . . . . .
A. Dòng bão hòa
B. Dòng cực gốc.
C. Dòng đầu vào.
D. Cả 3 đáp án trên.
Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn
điện tử di chuyển vào cực emitter.

A. Ra khỏi transistor thông qua cực collector
B. Ra khỏi transistor thông qua cực base
C. Rẽ được hấp thụ bởi transistor
D. Không phải các trường hợp trên.
Tỷ số của dòng emitor và dòng collector được gọi là . . .
A. alpha.
B. pi
C. omega
D. beta
Transistor BJT có ....... cách mắc.
A. 2
B. 3
C. 4
D. 5
60. Hệ số khuêch đại dòng của BJT khi mắc Emitor chung
được định nghĩa:
I

e
61. A. β = I
c

I

c
62. B. β = I
e

Ib
63. C. β = I

c

D

B

B

D

A

B

D


22.
I.22

23.
I.23

24.
I.24
25.

64. D. Không có trường hợp nào đúng.
65. Một Transistor lưỡng cực có dòng điện phát là 10mA,
dòng điện góp là 9,95mA. Hỏi dòng điện gốc là bao nhiêu?

66. A. ≈ 1mA
67. B. 0,5mA
68. C. 19,95mA
69. D. 0,05mA
70. Một Transistor lưỡng cực có dòng điện góp là 5mA,
dòng điện gốc là 0.02mA. Hỏi β là bao nhiêu?
71. A. 250
72. B. 100
73. C. 50
74. D. 25
Điôt bán dẫn Silic có:
A. Hai lớp tiếp xúc P-N
B. Một lớp tiếp xúc P-N
C. Ba lớp tiếp xúc P-N
D. Bốn lớp tiếp xúc P-N
Xác định phương trình đường tải tĩnh của mạch khuếch đại
sau:

D

A

A

C

I.25
Ecc
.R2
R1 + R2

B. I c0 = β .I b0
Ecc − U CE
C. I c =
Rc

A. U BE =
0

26.
I.26

27.

I.27

D. Cả ba đáp án trên
Transistor BJT làm việc ở miền khuêch đại khi:
A. JE phân cực thuận và JC phân cực ngược
B. JE phân cực thuận và JC phân cực thuận
C. JE phân cực ngược và JC phân cực ngược
D. JE phân cực ngược và JC phân cực thuận
Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mỏng và ...
A. được pha tạp đậm.
B. được pha tạp như vùng collector.
C. được pha tạp loãng.

A

C

D. được pha tạp như vùng emitter.
Ký hiệu mạch của transistor NPN là:

28.

D

I.28

29.
I.29
30.
I.30
31.
I.31
32.

I.32

33.
I.33

34.

I.34

A. hình A
B. hình A và hình D
C. hình C và hình B

D. hình D
Các BJT được phân loại thành . . . .
A. Các thiết bị SGD và SND.
B. Các linh kiện NPN và PNP.
C. Các dụng cụ NNP và PPN
D. Cả 3 đáp án trên
Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại N do:
A. Các i-on âm quyết định.
B. Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định.
C. Hạt dẫn lỗ trống quyết định.
D. Hạt dẫn điện tử quyết đinh.
Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại P do:
A. Các i-on âm quyết định.
B. Hạt dẫn điện tử quyết định
C. Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định
D. Hạt dẫn lỗ trống quyết định
Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận thì
A. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện
trở lớp tiếp xúc tăng
B. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện
trở lớp tiếp xúc giảm
C. Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện
trở lớp tiếp xúc giảm
D. Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở
lớp tiếp xúc tăng
Trong tranzito lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong
phần gốc là:
A. Cả hai loại hạt dẫn trên.
B. Các lỗ trống
C. Các điện tử tự do

D. Không phải hai loại hạt dẫn trên
Khi tranzito ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc E - B:
A. Không dẫn điện
B. Phân cực thuận.
C. Phân cực ngược.

B

D

D

C

B

B


35.
I.35
36.
I.36

37.
I.37

38.
I.38

39.
I.39

40.

I.40

D. Hoạt động ở vùng đánh thủng
Phần gốc của các tranzito lưỡng cực rất mỏng và….
A. Có độ pha tạp thấp
B. Là kim loại.
C. Có độ pha tạp cao.
D. Pha tạp chất là nguyên tố có hóa trị 5
Khi một điện tử tự do tái hợp với một lỗ trống trong phần
gốc của tranzito thì điện tử tự do này sẽ trở thành:
A. Một điện tử tự do khác
B. Một điện tử trong vùng dẫn
C. Một điện tử hóa trị.
D. Một hạt dẫn đa số
Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì:
A. Tiếp xúc E-B phân cực ngược và tiếp xúc C-B được phân
cực thuận
B. Tiếp xúc E-B và tiếp xúc C-B được phân cực thuận.
C. Tiếp xúc E-B và tiếp xúc C-B được phân cực ngược.
D. Tiếp xúc E-B phân cực thuận và tiếp xúc C-B được phân
cực ngược
Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thì
A. Tiếp xúc E-B và tiếp xúc C-B được phân cực ngược.
B. Tiếp xúc E-B phân cực thuận và tiếp xúc C-B được phân
cực ngược.

C. Tiếp xúc E-B và tiếp xúc C-B được phân cực thuận
D. Tiếp xúc E-B phân cực ngược và tiếp xúc C-B được phân
cực thuận.
Nếu hệ số khuếch đại dòng điện β = 200 và dòng điện cực
góp là 100mA thì dòng điện cực gốc sẽ là
A. 2 mA
B. 2 A
C. 20A
D. 0,5 mA
Cho sơ đồ mạch như hình vẽ. Hãy xác đinh điện áp UB ?

A. 10 V
B. 5 V

A

C

C

C

D

C


C. 7,5 V.
D. 6 V
Cho mạch khuếch đại CE như hình vẽ.

Biết VCC = 10V; IC = 5mA; UCE = 5V;
transistor Si có β =100, thiên áp
UBE = 0,6V.
Tính các điện trở Rb, RC.

41.

B

I.41

A. Rb= 188k; RC= 1k
B. Rb= 18,8k; RC= 1k.
C. Rb= 1,88k; RC= 1k
D. Rb= 188k; RC= 10k
Cho mạch khuếch đại CE như hình vẽ. Biết VCC=20V;
transistor Si có β =100, Rb = 193 k; RC = 1k .
Tính giá trị điện áp VCE.

42.

A

I.42

43.
I.43
44.
I.44

A. VCE= 10 V.
B. VCE= 20 V
C. VCE= 0 V
D. VCE= 0,2 V
Ba điện cực của BJT là gì ?
A. phát [emitter], gốc [base], góp [collector].
B. T1, T2, T3.
C. nguồn [source], cổng [gate], máng [drain].
D. emitter, gate, collector.
Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ vào loại
vật liệu nào?
A. Loại P
B. Loại N
C. Loại base
D. Loại PN

A

B


45.
I.45

46.

I.46

47.
I.47

48.
I.48
49.
I.49
50.
I.50

51.
I.51

52.

I.52

Các BJT có bao nhiêu cách mắc:
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
Ký hiệu mạch của transistor PNP là

A
B
C
D
A. Hình A
B. Hình B
C. Hình C
D. Hình D
Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT?

A. 0
B. 1
C. 2
D. 3
Loại vật liệu nào là vùng base của transistor PNP?
A. Loại P.
B. Loại N
C. Loại base.
D. Loại PN
So với vùng collector và emitter, vùng base của BJT là:
A. rất dày.
B. rất mỏng.
C. rất mềm.
D. rất cứng.
Trong một BJT, dòng base là . . . . . . khi được so với hai
dòng collector và emitter:
A. nhỏ.
B. lớn.
C. nhanh.
D. chậm.
Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mỏng và …
A. Được pha tạp đậm.
B. Được pha tạp như vùng collector.
C. Được pha tạp loãng.
D. Được pha tạp như vùng emitter.
Dòng collector của BJT luôn luôn . . . .
A. Nhỏ hơn nhiều so với dòng emitter của BJT.
B. Nhỏ hơn so với dòng base.

C

A

C

B

B

A

C

D


53.
I.53

54.
I.54

55.
I.55
56.
I.56

57.
I.57

58.
I.58
59.
I.59
60.

I.60

C. Bằng dòng emitter.
D. Bằng dòng emitter trừ dòng base.
Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn
điện tử di chuyển vào cực emitter
A. Ra khỏi transistor thông qua cực collector.
B. Ra khỏi transistor thông qua cực base.
C. Sẽ được hấp thụ bởi transistor.
D. Không phải các trường hợp trên.
Phương trình nào biểu diễn quan hệ đúng giữa các dòng
base, emitter, và collector ?
A. IE = IB +β
.
B. IC = IB + IE.
C. IE = IB + IC.
D. IB = IE + IC.
Tỷ số của dòng collector và dòng base được gọi là . . . . .
A. alpha.
B. pi
C. omega
D. beta
Nếu dòng base là 30 µA và dòng collector là 4mA, thì giá trị
của dòng emitter là bao nhiêu?

A. 0.43 mA
B. 0.37 mA
C. 0.43µA
D. 0.37 µA
Nếu dòng base là 20 µA và dòng collector là 4mA, thì giá trị
của β là bao nhiêu?
A. 100
B. 200
C. 220
D. 250
Bộ khuếch đại thuật toán có:
A. Hai ngõ vào và một ngõ ra
B. Một ngõ vào cửa thuận và một ngõ vào cửa đảo
C. Một ngõ vào P và một ngõ vào N
D. Tất cả đều đúng.
Bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có tính chất là:
A. Hệ số khuếch đại điện áp lớn vô cùng
B. Trở kháng vào bằng 0
C. Trở kháng ra bằng ∞
D. Tất cả các tính chất trên.
Bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có:
A. UP = UN
B. Zv = 0.

A

C

D

A

B

D

D

B


61.
I.61

62.
I.62
63.
I.63
64.
I.64
65.
I.65
66.
I.66

67.
I.67
68.
I.68

C. Zr = ∞
D. Cả ba đáp án trên
Bộ khuếch đại thuật toán khuếch đại hiệu điện áp giữa hai lối vào
thuận (không đảo) và đảo Ud = UP – UN với hệ số khuếch đại là K0
A. Sai
B. Chưa chính xác mà Ud = UP – UN
C. Đúng.
D. Không xác định được
Bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có hệ số khuếch đại K0 = ∞:
A. Chưa xác định còn tùy thuộc vào mạch
B. Sai
C. Đúng.
D. Không xác định được
Một bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có ZV = ∞.
A. Sai
B. Đúng.
C. Chưa xác định còn tùy thuộc vào mạch
D. Không xác định được
Một bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có Zr = 0
A. Không xác định được mà là rất nhỏ
B. Chưa xác định còn tùy thuộc vào mạch
C. Đúng.
D. Sai
Mạch cộng đảo là mạch mà các tín hiệu cần cộng đưa vào cửa đảo:
A. Chưa xác định còn tùy thuộc điện áp ra
B. Đúng.
C. Sai
D. Không xác định được còn tùy theo cách mắc mạch
Mạch cộng thuận là mạch mà các tín hiệu cần cộng đưa vào cửa
thuận.

A. Chưa xác định còn tùy thuộc số điện áp vào
B. Sai
C. Không xác định được còn tùy theo điện trở hồi tiếp
D. Đúng.
Đầu vào ký hiệu (+) của bộ khuếch đại thuật toán được gọi là:
A. Đầu vào không đảo.
B. Đầu vào dao động
C. Đầu vào đảo
D. Đầu vào không
Đầu vào ký hiệu (-) của bộ khuếch đại thuật toán được gọi là:
A. Đầu vào không đảo
B. Đầu vào dao động
C. Đầu vào đảo.
D. Đầu vào không

C

C

B

C

B

D

A

C

69.

Với điện áp ra của mạch điện ở hình vẽ dưới là -2V mà các giá trị của
mạch điện như hình vẽ thì điện áp vào của mạch là:

D

I.69
A. -0,4V
B. 20V
C. 0,2V
D. -0,2V.
Với các thông tin trong mạch điện như hình vẽ thì Rht bằng:

70.

I.70
A. 5kΩ
B. 50Ω
C. 500Ω
D. 50kΩ.

D