Nghiên cứu ảnh hưởng của bức xạ gamma lên tính chất quang của chấm lượng tử cdse

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
---------------------

Nguyễn Đình Công

NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA BỨC XẠ GAMMA LÊN TÍNH CHẤT
QUANG CỦA CHẤM LƯỢNG TỬ CdSe

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

Hà Nội – Năm 2015


ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
---------------------

Nguyễn Đình Công

NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA BỨC XẠ GAMMA LÊN TÍNH CHẤT
QUANG CỦA CHẤM LƯỢNG TỬ CdSe

Chuyên ngành: Vật lý Chất rắn
Mã số: 60440104

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS. NGUYỄN THANH BÌNH

Hà Nội – Năm 2015

Lời cam đoan
Luận văn với tên đề tài nghiên cứu "Nghiên cứu ảnh hưởng của bức xạ
gamma lên tính chất quang của chấm lượng tử CdSe" là công trình nghiên
cứu của tôi, hoàn thành dưới sự hướng dẫn của TS. Nguyễn Thanh Bình.
Luận văn không sao chép từ bất kỳ tài liệu nào của người khác mà không xin
phép, tham khảo và trích dẫn. Kết quả thực nghiệm trong luận văn cũng
không sao chép từ bất kỳ kết quả của ai khác. Nếu vi phạm hai điều này, tôi
xin hoàn toàn chịu trách nhiệm trước đơn vị đào tạo và pháp luật.


Lời cảm ơn
Lời cảm ơn đầu tiên cũng là lời cảm ơn đặc biệt tới TS. Nguyễn Thanh
Bình, người đã giao đề tài và hướng dẫn thực hiện luận văn này. Trong suốt
quá trình thực hiện luận văn, tôi luôn nhận được sự hướng dẫn tận tình và
cũng là cơ hội tôi học hỏi được nhiều kiến thức chuyên môn của thầy cũng
như kinh nghiệm trong cuộc sống.
Lời cảm ơn thứ hai, tôi xin được gửi tới PGS. Nguyễn Xuân Nghĩa và
anh chị trong nhóm nghiên cứu, đã cho phép tôi được tham gia cùng nhóm
nghiên cứu trong quá trình chế tạo, và có nhiều ý kiến chuyên môn đóng góp
giúp cho tôi trong quá trình thực hiện và hoàn thiện luận văn.
Lời cảm ơn thứ ba, tôi xin được gửi tới TS. Đặng Quang Thiệu và anh
chị tại Trung tâm Chiếu xạ Hà Nội, thuộc Viện Năng lượng Nguyên tử Việt
Nam, đã giúp tôi trong quá trình chiếu bức xạ gamma cho mẫu nghiên cứu,
một bức quan trong của đề tài này.
Lời cảm ơn tiếp theo, tôi xin được gửi lời cảm ơn đến anh chị tại Trung
tâm Điện tử học Lượng tử, Viện Vật lý, VHLKHVN. Đã tạo điều kiện cho tôi
được sử dụng các hệ đo phân tích thực hiện trong luận văn này.

Tôi xin được cảm ơn TS. Phạm Đức Khuê, TS. Phan Việt Cương, Trung
tâm Vật lý Hạt nhân, Viện Vật lý, Viện HLKHVN, đã góp ý về kiến thức
chuyên môn Vật lý Hạt nhân, giúp tôi trong quá trình tính toán liều lượng hấp
thụ nghiên cứu thích hợp.
Tôi xin được gửi tới các thầy cô tại bộ môn Vật lý, trường Đại học Khoa
học Tự nhiên, ĐHQGHN. Lời cảm ơn chân thành nhất, là nơi tôi được tiếp
nhận nền giáo dục Đại học và Cao học. Đã dạy bảo, truyền đạt cho tôi kiến
thức về khoa học tự nhiên cũng như kinh nghiệm của cuộc sống.


Và cuối cùng tôi xin được gửi lời cảm ơn từ đáy lòng mình tới gia đình
và bạn bè, đã luôn theo tôi trong ngưỡng cửa cuộc đời, là chỗ dựa vật chất
cũng như tinh thần để tôi đi đến ngày hôm nay.
Luận văn được hoàn thành với sự hỗ trợ từ đề tài Nghiên cứu cơ bản
định hướng ứng dụng mã số: G/07/2012/HĐ-ĐHUD và là đề tài Hợp tác quốc
tế IAEA của Viện Vật lý.
Hà Nội, tháng 12 năm 2015
Học viên :

Nguyễn Đình Công


MỤC LỤC
Danh mục ký hiệu và chữ viết tắt............................................................................... i
Danh mục các hình vẽ................................................................................................ii
Danh mục các bảng biểu ............................................................................................ v
Mở đầu ....................................................................................................................... 1
Chương 1- TỔNG QUAN .......................................................................................... 3
1.1.

Vật liệu bán dẫn và cấu trúc nano ................................................................... 3

1.2.

Tính chất hấp thụ ............................................................................................ 4

1.3.

Tính chất phát quang ...................................................................................... 7

1.4.

Tính chất chung của chấm lượng tử CdSe ....................................................... 9

1.4.1.

Cấu trúc tinh thể....................................................................................... 9

1.4.2.

Cấu trúc vùng năng lượng ...................................................................... 10

1.4.3.

Tính chất quang của chấm lượng tử CdSe .............................................. 12

1.4.4.

Tính chất quang của chấm lượng tử CdSe/CdS lõi/vỏ............................. 13

1.5.

Ảnh hưởng trường ngoài đến tính chất quang. .............................................. 15

1.5.1.

Ảnh hưởng bởi nhiệt độ ......................................................................... 15

1.5.2.

Ảnh hưởng của điện trường .................................................................... 16

1.5.3.

Ảnh hưởng của từ trường ....................................................................... 17

1.5.4.

Ảnh hưởng bởi hạt năng lượng cao ........................................................ 19

Chương 2 –KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM ............................................................ 22
2.1. Phương pháp chế tạo........................................................................................ 22
2.2. Chiếu xạ gamma .............................................................................................. 23
2.3. Phương pháp phân tích .................................................................................. 25


2.3.1. Kính hiển vi điện tử truyền qua ................................................................. 25
2.3.2. Phương pháp đo hấp thụ ............................................................................ 26
2.3.3. Kỹ thuật đo phổ huỳnh quang .................................................................... 28
2.3.4. Hệ đo huỳnh quang phân giải thời gian-TCSPC ........................................ 30

Chương 3 - KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN .............................................................. 35
3.1. Tổng hợp chấm lượng tử CdSe và chấm lượng tử CdSe/CdS lõi/vỏ ................. 35
3.2. Ảnh vi hình thái của chấm lượng tử ................................................................. 39
3.3. Tính chất quang của chấm lượng tử trước khi chiếu xạ gamma........................ 39
3.3.1. Phổ hấp thụ và huỳnh quang ...................................................................... 39
3.4. Ảnh hưởng của bức xạ gamma lên tính chất quang của chấm lượng tử ............ 41
3.4.1. Hiệu ứng dịch đỉnh hấp thụ và đỉnh huỳnh quang ...................................... 41
3.4.2. Suy giảm cường độ huỳnh quang theo liều hấp thụ gamma ....................... 44
3.4.3. Khảo sát ảnh hưởng bức xạ gamma tới thời gian sống huỳnh quang của điện
tử......................................................................................................................... 46
3.5. Khảo sát ảnh hưởng của thời gian lên tính chất quang của chấm lượng tử sau
chiếu bức xạ gamma ............................................................................................... 48
3.5.1. Hiện tượng dịch đỉnh huỳnh quang về phía năng lượng cao của chấm lượng
tử theo thời gian sau khi chiếu xạ gamma ............................................................ 48
3.5.2. Hiện tượng hồi phục cường độ huỳnh quang của chấm lượng tử CdSe và
CdSe/CdS lõi/vỏ theo thời gian sau khi chiếu xạ gamma ..................................... 50
KẾT LUẬN .............................................................................................................. 54
TÀI LIỆU THAM KHẢO ....................................................................................... 55


Danh mục ký hiệu và chữ viết tắt
eV

: Electron volt (1 eV = 1,6.10-19V)

ns

: Nano giây (10-9)

ps

: Pico giây (10-12)

PMT

: Ống nhân quang điện (photonmultiplier tube)

QDs

: Chấm lượng tử (quantum dots)

TCSPC

: Hệ đếm đơn photon tương quan thời gian (Time Correlated
Single Photon Counting)

TTL

: Transistor – transistor logic

i


Danh mục các hình vẽ
Hình 1.1. Sự giam giữ lượng tử dẫn đến sự thay đổi cấu trúc năng lượng và độ rộng
vùng cấm từ vật liệu khối 3D sang vật liệu nano 2D, 1D và 0D. .................................. 4
Hình 1.2. Cấu trúc vùng năng lượng và các trạng thái kích thích của điện tử. 1 chuyển mức vùng-vùng (thẳng); 1a - chuyển mức vùng vùng (nghiêng); 2 - điện tử
trong vùng dẫn; 2a - lỗ trống trong vùng hoá trị; 2b, 2c, 2d - lỗ trống trong vùng con
cho phép; 3 - điện tử lên vùng dẫn từ tạp donor; 3b - lỗ trống lên tạp donor; 3a - lỗ
trống lên tạp acceptor; 3c - điện tử lên vùng dẫn từ tạp acceptor; 4 - điện tử chuyển

giữa các mức tạp chất(2). .............................................................................................. 5
Hình 1.3. Xác đinh độ rộng vùng cấm Eg dựa vào hệ số hấp thụ α theo loại chuyển
mức, (a) chuyển mức thẳng phụ thuộc theo α2 và (b) chuyển mức nghiên phụ thuộc
theo α3/2 . ..................................................................................................................... 6
Hình 1.4. Các cơ chế tái hợp cặp điển tử lỗ trống cơ bản(1,7). ...................................... 8
Hình 1.5. Cấu trúc zincblende của CdSe, nguyên tử Cd ở ở 8 đỉnh và ở tâm của 6 mặt
của hình lập phương, nguyên tử Se ở tại vị trí có tọa độ ( ¼, ¼, ¼) so với vị trí của
nguyên tử Cd. ............................................................................................................ 10
Hình 1.6. Cấu trúc Wurtzite của tinh thể bán dẫn CdSe(3).......................................... 10
Hình 1.7. Cấu trúc vùng năng lượng điện tử,(a) cấu trúc vùng năng lượng tương ứng
zincblende và (b) cấu trúc vùng năng lượng của cấu trúc tinh thể wurtzite(12). ........... 11
Hình 1.8. Bờ vùng hấp thụ và đỉnh huỳnh quang dịch về phía năng lượng cao (bước
sóng ngắn) khi giảm kích thước hạt tinh thể nano CdSe(15)......................................... 13
Hình 1.9. Lõi có thể được bọc một lớp (a), 2 lớp (b), hoặc nhiều lớp vỏ(c,d). ............ 13
Hình 1.10. Phân loại chuyển tiếp của tinh thể nano cấu trúc lõi/vỏ dựa vào cấu trúc
vùng năng lượng của vật liệu làm vỏ so với lõi. ......................................................... 14
Hình 1.11. (Bên trái) Phổ huỳnh quang của CdSe/CdS lõi/vỏ với đỉnh phát xạ khác
nhau, (Bên phải) Hiệu suất huỳnh quang đối chiếu với số đơn lớp của lớp vỏ. so sánh
với các mẫu có cùng kích thước khác nhau về công nghệ chế tạo(24). ......................... 15
ii


Hình 1.12. Phổ phát xạ huỳnh quang của LED 445nm InGaN/GaN trước và sau khi
chiếu bức xạ proton năng lượng 40MeV, liều chiếu 5.109 và 5.1010 cm-2

(21)

............... 19

Hình 1.13. (a) Đỉnh huỳnh quang của chấm lượng tử CdSe/ZnS suy giảm theo liều

chiếu, (b) Thay đổi vị trí huỳnh quang sau khi chiếu bức xạ gamma (662keV)(18). ...... 20
Hình 1.14. Khảo sát theo thời gian của LED InGaN/GaN, (trái) đo dòng điện theo
thời gian ở thế 3V, (phải) đo điện thế theo thời gian khi dòng ở 10mA/cm2. .............. 21
Hình 2.1. Sơ đồ minh họa buồng chiếu xạ mẫu.......................................................... 25
Hình 2.2. (a) Sơ đồ nguyên lý của kính hiển vi điện tử truyền qua; (b) Kính hiển vi
điện tử truyền qua JEM 1010 tại Viện Vệ sinh Dịch tễ Trung ương............................ 25
Hình 2.3. Sơ đồ nguyên lý của hệ đo hấp thụ quang học UV-VIS-NIR. ...................... 28
Hình 2.4 Hệ đo phổ huỳnh quang Cary Eclipse ......................................................... 29
Hình 2.5. Sơ đồ nguyên lý của máy phổ kế huỳnh quang ........................................... 30
Hình 2.6. Nguyên lý tổng quát của kỹ thuật TCSPC: một photon tín hiệu được ghi
nhận tại mỗi chu kỳ xung kích thích, nhớ vào các cột thời gian (bin time), dựng lại
biểu đồ tín hiệu theo thời gian (histogram) sẽ cho frofile cường độ............................ 31
Hình 2.7. Sơ đồ tổng quát hệ đo TCSPC.................................................................... 33
Hình 3.1. Hệ chế tạo CdSe, 1- bếp gia nhiệt có khuấy từ, 2- nồi đựng cát truyền nhiệt,
3- bình ba cổ diễn ra phản ứng, 4- ống dẫn khí Nitơ, 5- nhiệt kế thủy ngân, 6- xylanh
bơm tiền chất phản ứng. ............................................................................................ 36
Hình 3.2. Sơ đồ bọc vỏ CdS cho chấm lượng tử CdSe ............................................... 38
Hình 3.3. Ảnh vi hình thái TEM của mẩu (a) CdSe và (b) mẫu CdSe/CdS ................. 39
Hình 3.4. Phổ huỳnh quang (nét đứt) và phổ hấp thụ của mẫu chấm lượng tử CdSe và
chấm lượng tử CdSe/CdS lõi/vỏ. ................................................................................ 40
Hình 3.5. Phổ hấp thụ - huỳnh quang của mẫu lõi CdSe (a), Đỉnh phổ huỳnh quang
dịch về phía năng lượng cao theo liều hấp thụ gamma (b). ........................................ 42

iii


Hình 3.6. Phổ hấp thụ - huỳnh quang của mẫu CdSe/CdS lõi/vỏ (a), Đỉnh phổ huỳnh
quang dịch về phía năng lượng cao theo liều hấp thụ gamma (b). ............................. 43
Hình 3.7. Năng lượng hấp thụ và đỉnh huỳnh quang dịch về năng lượng cao như là
hàm của liều hấp thụ gamma. .................................................................................... 44

Hình 3.8. Cường độ huỳnh quang suy giảm theo liều hấp thụ gamma, (a) mẫu lõi
CdSe và (b) mẫu lõi/vỏ CdSe/CdS .............................................................................. 45
Hình 3.9. Tích phân diện tích cường độ huỳnh quang chuẩn hóa suy giảm theo liều
hấp thụ gamma của hai loạt mẫu lõi CdSe và CdSe/CdS lõi/vỏ sau khi chiếu xạ gamma
.................................................................................................................................. 46
Hình 3.10. Huỳnh quang phân giải thời gian của chấm lượng tử mẫu CdSe và
CdSe/CdS lõi/vỏ so sánh với các liều chiếu xạ gamma khác nhau. ............................. 47
Hình 3.11. Đỉnh huỳnh quang của chấm lượng tử sau khi chiếu xạ gamma tiếp tục
dịch về phía năng lượng cao theo thời gian. (a) chấm lượng tử CdSe và (b) chấm
lượng tử CdSe/CdS lõi/vỏ........................................................................................... 49
Hình 3.12. Mẫu chấm lượng tử CdSe và CdSe/CdS lõi/vỏ cùng liều chiếu là 5kGy,
cường độ huỳnh quang phục hồi một phần theo thời gian sau khi chiếu xạ. ............... 50
Hình 3.13. So sánh tốc độ hồi phục cường độ huỳnh quang theo thời gian giữa hai
loại chấm lượng tử CdSe và CdSe/CdS, liều hấp thụ 1kGy và liều hấp thụ 3 kGy....... 51

iv


Danh mục các bảng biểu
Bảng 1.1. Các thông số về xác suất tái hợp bức xạ B và thời gian sống  của các hạt
tải điện không cân bằng. .............................................................................................. 9
Bảng 2.1. Tọa độ vị trí mẫu khi chiếu bức xạ gamma. ............................................... 24
Bảng 3.1. Các thông số vật lý của mẫu chấm lượng tử CdSe (lõi) và CdSe/CdS (lõi/vỏ)
.................................................................................................................................. 41
Bảng 3.2. Năng lượng đỉnh hấp thụ và đỉnh huỳnh quang của mẫu CdSe và CdSe/CdS
lõi/vỏ với các liều chiếu gamma từ 0-10 kGy. ............................................................ 43
Bảng 3.3. Thời gian sống trung bình của các mẫu CdSe và CdSe/CdS lõi/vỏ sau khi
chiếu xạ gamma. ........................................................................................................ 47
Bảng 3.4. Phần trăm diện tích cường độ đỉnh huỳnh quang của mẫu CdSe lõi hồi phục
theo thời gian sau chiếu xạ, so sánh với mẫu trước khi chiếu xạ. ............................... 52

Bảng 3.5. Phần trăm diện tích cường độ đỉnh huỳnh quang của mẫu CdSe/CdS lõi/vỏ
hồi phục theo thời gian sau chiếu xạ, so sánh với mẫu trước khi chiếu xạ. ................. 52

v


Mở đầu
Lĩnh vực nghiên cứu vật liệu nano là một trong những lĩnh vực thu hút được
nhiều nhà khoa học hàng đầu tham gia nghiên cứu. Bắt đầu từ những năm 1990 đến
nay, thành quả thu được hết sức có ý nghĩa trong các ứng dụng thực tiễn, từng bức
thay đổi mọi mặt của đời sống. Vật liệu nano đáp ứng được các yêu cầu tính chất cơ
bản như vật liệu khối và cũng đáp ứng được các yêu cầu tính chất khắt khe của vật
liệu tiên tiến.
Những ưu điểm của vật liệu nano không chỉ thể hiện qua các báo cáo trên các
tạp chí uy tín mà còn thể hiện trên các ứng dụng của chúng, như các thiết bị điện
tử, thiết bị chiếu sáng (đèn LED), thông tin quang bằng laser, đánh dấu sinh học,
thiết bị chuyển đổi năng lượng mặt trời (solar cell), cảm biến (sensor), …
Điều kiện môi trường ảnh hưởng rất nhiều đến khả năng, chất lượng và tuổi
thọ của thiết bị. Với những môi trường làm việc đặc biệt như lò phản ứng hạt nhân,
môi trường vũ trụ ngoài bầu khí quyển của trái đất . Ở đó có rất nhiều bức xạ mang
năng lượng cao nên không phải vật liều nào cũng có thể làm việc trong môi trường
đó. Việc đánh giá này là rất cần thiết để biết vật liệu bị tác động như thế nào, ảnh
hưởng thay rổi ra làm sao, … để chúng ta có thể khắc phục và lựa chọn phù hợp vật
liệu làm thiết bị.
Tương tác giữa các bức xạ photon ánh sáng mặt trời với năng lượng chỉ cỡ
năng lượng của trạng thái kích thích của điện tử trong tinh thể và năng lượng này
thường bé hơn 10 eV. Những bức xạ có năng lượng lớn hơn rất nhiều như tia X, tia
Alpha, tia gamma, tia Notron, tia Proton, tia Photon hãm, …cỡ vài mega electron
volt đến vài chục mega electron volt thì chưa được đề cập đến nhiều.
Việc nghiên cứu đánh giá cần phải xem xét ở nhiều mức độ và khía cạnh, vì

vậy bước đầu với điều kiện sẵn có chúng tôi lựa chọn nghiên cứu ảnh hưởng bức xạ
gamma tới sự thay đổi tính chất quang của chấm lượng tử CdSe, một loại vật liệu
nano điển hình mang đặc trưng về tính chất quang học.
Và để so sánh mức độ ảnh hưởng của bức xạ gamma, luận văn đã nghiên cứu
chấm lượng tử CdSe đơn thuần và chấm lượng tử bọc vỏ CdSe/CdS lõi/vỏ. So sánh
1


ảnh hưởng của bức xạ gamma lên tính chất hấp thụ, huỳnh quang và thời gian sống
điện tử trên các trạng thái kích thích, với dải liều chiếu xạ từ 1, 3, 5, 7, 10 kGy.
Luận văn được trình bày làm ba phần chính :
Phần 1 - Tổng quan : Giới thiệu về vật liệu nano, tính chất cơ bản về cấu trúc
tinh thể, cấu trúc vùng năng lượng, tính chất quang học của vật liệu bán dẫn và vật
liệu nano bán dẫn, những yếu tố ảnh hưởng của trường ngoài như nhiệt độ, áp suất,
điện trường và từ trường lên tính chất của vật liệu bán dẫn, tổng quan các kết quả
công bố quốc tế về ảnh hưởng của bức xạ năng lượng cao lên tính chất quang của
vật liệu bán dẫn.
Phần 2- Thực nghiệm: Phương pháp chế tạo, quá trình chiếu bức xạ gamma,
và các phương pháp phân tích thực hiện trong luận văn.
Phần 3- Kết quả và thảo luận: Trình bày các kết quả thu được của mẫu trước
khi chiếu xạ và mẫu sau khi chiếu xạ gamma, so sánh mức độ ảnh hưởng của mẫu
CdSe với mẫu CdSe/CdS lõi/vỏ. Với kết quả thu được luận văn tập trung thảo luận
đến các hiệu ứng thu được: Hiệu ứng dịch đỉnh hấp thụ và huỳnh quang của chấm
lượng tử sau khi chiếu bức xạ gamma, ảnh hưởng của thời gian lên tính chất của
chấm lượng tử như dịch đỉnh hấp thụ và huỳnh quang về phía năng lượng cao theo
thời gian và hiệu ứng phục hồi cường độ huỳnh quang theo thời gian của chấm
lượng tử sau khi chiếu xạ gamma.

2

Chương 1- TỔNG QUAN
1.1. Vật liệu bán dẫn và cấu trúc nano
Từ cuối thế kỷ XX đến nay, chứng kiến sự phát triển mạnh mẽ của khoa học
kỹ thuật và đặc biệt là vật liệu nano. Các nghiên cứu chỉ ra rằng khi vật liệu ở kích
thước nano, những tính chất của chúng trở nên ưu việt hơn và có nhiều tính chất
mới mà chỉ có vật liệu nano mới có. Khi ở dạng vật liệu khối (3D) tính chất của vật
liệu hầu như không thay đổi phụ thuộc vào hình dạng tồn tại của vật liệu. Khi ở
dạng nano, bước sóng của điện tử có thể so sánh với bước sóng De Broglie của hạt,
khi đó điện tử bị giới hạn về chuyển động cũng như truyền sóng, gây ra hiệu tượng
hạt bị giam giữ dẫn đến bị lượng tử hóa hàm sóng và năng lượng. Tùy vào chiều
giam giữ mà vật liệu nano được chia ra là vật liệu một giam giữ chiều (2D - giếng
lượng tử), vật liệu hai chiều giam giữ (1D - dây lượng tử), và vật liệu ba chiều giam
giữ (0D - chấm lượng tử)(2).
Vật liệu 3D là vật liệu không giới hạn về kích thước, có phổ năng lượng điện
tử liên tục và chuyển động của điện tử gần như tự do. Đại diện là vật liệu bán dẫn
khối.
Vật liệu 2D là vật liệu có giới hạn về kích thước một chiều. Ở loại vật liệu này
chuyển động của điện tử bị giới hạn theo một chiều có kích thước cỡ bước sóng De
Broglie, trong khi chuyển động điện tử gần như tự do theo hai chiều còn lại. Phổ
năng lượng bị lượng tử theo chiều bị giới hạn. Điển hình là giếng lượng tử, siêu
mạng, màng mỏng nano bán dẫn.
Vật liệu 1D là vật liệu có giới hạn kích thước hai chiều. Ở loại vật liệu này,
điện tử bị giới hạn kích thước hai chiều nên chỉ có chuyển động tự do dọc theo
chiều còn lại. Các loại vật liệu điển hình của vật liệu này là dây lượng tử, ống nano
bán dẫn, cột nano bán dẫn.
Vật liệu 0D là vật liệu bị giới hạn kích thước ở cả ba chiều. ở trường hợp này
phổ năng lượng hình thành các mức năng lượng gián đoạn theo cả ba chiều trong
không gian. Loại vật liệu tiêu biểu nhất là chấm lượng tử.

3


Hình 1.1. Sự giam giữ lượng tử dẫn đến sự thay đổi cấu trúc năng lượng và độ
rộng vùng cấm từ vật liệu khối 3D sang vật liệu nano 2D, 1D và 0D.
1.2. Tính chất hấp thụ
Đặc trưng của tính chất hấp thụ thể hiện qua hệ số hấp thụ α của vật liệu, và
tuân theo định lý Lamber Beer:


Trong đó:

1 (1  R) I T 1
ln
d
IT 2

(1.1)

- d là độ dày ánh sáng kích thích truyền qua
- R hệ số phản xạ của vật liệu
- IT1 là cường độ ánh sáng tới
- IT2 là cường độ ánh sáng truyền qua

Quá trình hấp thụ ánh sáng của các điện tử trên các trạng thái cơ bản lên các
trạng thái kích thích vì vậy mà cấu trúc vùng năng lượng quyết định tính đối xứng


của hàm sóng tại điểm k0 trong vùng Brillioun(1,4,7).

4


(a)

(b)

Hình 1.2. Cấu trúc vùng năng lượng và các trạng thái kích thích của điện tử. 1 chuyển mức vùng-vùng (thẳng); 1a - chuyển mức vùng vùng (nghiêng); 2 - điện tử
trong vùng dẫn; 2a - lỗ trống trong vùng hoá trị; 2b, 2c, 2d - lỗ trống trong vùng
con cho phép; 3 - điện tử lên vùng dẫn từ tạp donor; 3b - lỗ trống lên tạp donor; 3a
- lỗ trống lên tạp acceptor; 3c - điện tử lên vùng dẫn từ tạp acceptor; 4 - điện tử
chuyển giữa các mức tạp chất(2).
Trong hình 1.2 chỉ ra một số chuyển dời trong hấp thụ quang, tùy thuộc tính
đối xứng và nguồn gốc của các mức năng lượng mà được phân ra thành các cơ chế
như sau(2):
-

Hấp thụ cơ bản 1, 1a: liên quan đến trạng thái năng lượng được phép, trong hấp

thụ cơ bản có hai dạng hấp thụ. Hấp thụ chuyển mức thẳng: là hấp thụ liên quan đến


chuyển dời điện tử giữa hai mức năng lượng sao cho giá trị chuẩn xung lượng P0



hay véc tơ sóng k0  0 . Và hấp thụ nghiêng: cực tiểu và cực đại vùng hóa trị không


k

nằm tại một điểm của vùng Brillioun hay 0  0 .
-

Hấp thụ liên quan các chuyển dời điện tử và lỗ trống trong cùng một vùng,

chuyển dời của điện tử lên các trạng thái năng lượng cao hơn trong vùng dẫn và của
lỗ trống trong vùng hóa trị, 2, 2a, 2b, 2c, và 2d.
-

Hấp thụ liên quan đến chuyển dời mức tạp chất donor và acceptor của điện tử

và lõ trống, 3, 3a, 3b và 3c.
5


-

Điện tử chuyển giữa các mức tạp chất acceptor lên donor (4).

-

Chuyển dời liên quan đến các trạng thái exiton, liên kết giữa điện tử và lỗ trống,

5 và 5a.
Mối liên hệ giữa độ rộng vùng cấm và hệ số hấp thụ được tính toán bằng lý
thuyết với biểu thức như sau:
Với hấp thụ cơ bản chuyển mức thẳng được phép:
1

α ( hν ) 

A( hν  E g ) 2

(1.2)

hν

Với hấp thụ cơ bản chuyển mức thẳng bị cấm:
 (h )  A(h  E g )

3
2

(1.3)

Tron đó A và A’ là các hằng số.
Dựa vào biểu thức 1.2 và 1.3 có thể tính được độ rộng vùng cấm của chất bán
dẫn dựa vào hệ số hấp thụ α:

aa

(a)

(b)

Hình 1.3. Xác đinh độ rộng vùng cấm Eg dựa vào hệ số hấp thụ α theo loại chuyển
mức, (a) chuyển mức thẳng phụ thuộc theo α2 và (b) chuyển mức nghiên phụ thuộc
theo α3/2 .

6

1.3. Tính chất phát quang
Dưới tác dụng của trường ngoài, thì ánh sáng phát ra từ vật đó có thể có các
đặc trưng khác nhau, ánh sáng đó có thể là ánh sáng phát quang của vật, ánh sáng
tán xạ, ánh sáng phản xạ từ bề mặt của vật hay ánh sáng do vật cháy phát ra. Hiện
tượng phát quang có những đặc điểm riêng:
-

Hiện tượng phát quang là hiện tượng phát ánh sáng lạnh không phải do vật

được đốt cháy sáng.
-

Muốn phát quang được vật chất phải ở trạng thái không cân bằng nhiệt động.

-

Bước sóng của ánh sáng phát ra khác bước sóng của ánh sáng kích thích.

-

Thời gian phát quang lớn hơn chu kỳ dao động của ánh sáng.

Để phân loại các loại phát quang, người ta dựa vào thời gian sống của điện tử trên
các trạng thái kích thích.
-

Nếu thời gian sống  nhỏ hơn 10-1 s thì sự phát quang được gọi là huỳnh quang.

Cũng có thể hiểu rằng huỳnh quang là sự phát quang trong thời gian mẫu bị kích
thích.
-

Nếu sự phát quang kéo dài sau khi đã ngừng kích thích, thời gian sống  vào

khoảng từ 10-1 s đến 1 tháng thì sự phát quang được gọi là lân quang.
Vật liệu bán dẫn thường là phát huỳnh quang. Để hiểu hơn về cơ chế phát
quang, cần xét đến các cơ chế tái hợp cặp điện tử - lỗ trống:
Một số cơ chế phát quang điển hình của vật liệu bán dẫn(2):
-

Tái hợp vùng vùng: Tương tự như cơ chế hấp thụ có hai cơ chế con là tái hợp

chuyển mức thẳng và tái hợp chuyển mức nghiêng.
-

Tái hợp exciton: Các mức năng lượng của exciton tương tự như các mức năng

lượng của nguyên tử H, nhưng giữa chúng tồn tại các điểm khác biệt. Exciton chỉ
tồn tại trạng thái năng lượng với n = 1 trong một thời gian ngắn. Exciton có thể
chuyển động được trong tinh thể. Khi bức xạ một lượng tử ánh sáng, exciton sẽ biến
mất. Có ba loại tái hợp exciton là tái hợp exciton tự do, tái hợp exciton liên kết, và
tái hợp exciton phân tử.

7