Phân tích và thiết kế phòng thử nghiệm tương thích điện từ

Lời cảm ơn
Để hoàn thành chương trình cao học và viết Luận văn này, em xin gửi
lời cảm ơn chân thành tới các thầy, cô giáo, cán bộ, nhân vi ên trong Ban
giám hiệu, Viện Đào tạo sau đại học, Viện Điện tử - Viễn thông trường Đại
học Bách khoa Hà Nội đã nhiệt tình truyền đạt những kiến thức quý báu

giúp đỡ, tạo điều kiện cho em trong suốt quá trình học tập và hoàn thành
Luận văn Thạc sĩ.
Em xin gửi lời cảm ơn chân thành tới PGS.TS. Đào Ngọc Chiến, người
trực tiếp chỉ bảo, tận tâm hướng dẫn, định hướng cho em trong suốt quá
trình nghiên cứu và hoàn thành Lận văn Thạc sĩ.
Em xin gửi lời biết ơn sâu sắc đến thầy Thẩm Đức Phương đã dành
rất nhiều thời gian và tâm huyết hướng dẫn nghiên c ứu và giúp em hoàn
thành Luận văn.

Nhân đây, xin chân thành cảm ơn chú Thượng Anh, anh Khanh - Cục
Tần số vô tuyến điện, anh Hùng - Agilent Technologies Việt Nam, các bạn
trong lớp CH khóa 2010B đã tạo điều kiện giúp đỡ tôi trong quá trình thực
hiện đề tài.
Xin chân thành cảm ơn các thầy cô trong hội đồng chấm luận văn đã

cho em những đóng góp quý báu để hoàn chỉnh luận văn này.
Cuối cùng, con xin gửi lời biết ơn đến gia đình, nơi đã sinh thành,

nuôi dưỡng và động viên con rất nhiều trong thời gian qua, xin cảm ơn các
em đã động viên giúp đỡ anh trai.
Xin chân thành cảm ơn.
Hà nội, tháng 03 năm 2012
Học viên

Ưng Sỹ Minh

LỜI CAM ĐOAN

Ngoài sự giúp đỡ và hướng dẫn của giảng viên PGS.TS. Đào Ngọc Chiến,
luận văn này là sản phẩm của quá trình tìm tòi, nghiên cứu của tác giả về các vấn đề
được đặt ra trong luận văn. Mọi số liệu, quan điểm, phân tích, đánh giá, kết luận của
các tài liệu và các nhà nghiên cứu khác được trích dẫn theo đúng quy định. Vì vậy,
tác giả xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng mình.

Hà nội, tháng 03 năm 2012
Tác giả

Ưng Sỹ Minh

2


LỜI NÓI ĐẦU

Đi kèm sự phát triển bùng nổ trong lĩnh vực công nghệ viễn thông, công nghệ
thông tin, điện, điện tử... là sự gia tăng mức độ phát xạ điện từ vào môi trường gây
ra các hoạt động sai lệch của bản thân thiết bị và các thiết bị lân cận, thậm chí có thể
là mối nguy hại cho sức khỏe con người và môi trường xung quanh. Vì thế, từ năm
1996 nhiều quốc gia như Liên hiệp Châu Âu, Mỹ, Úc, Nhật... đã ban hành các Luật
về tuân thủ tương thích điện từ (EMC) và áp dụng các quy định bắt buộc về EMC
cho các sản phẩm.
Tại Việt Nam, có hai yếu tố cơ bản làm vấn đề EMC ngày càng trở nên cấp
thiết. Một là, xuất phát từ mục tiêu hội nhập vào các nền kinh tế khu vực như
ASEAN, APEC, WTO..., việc tuân thủ các qui định của quốc tế về EMC là một

điều tất yếu phải thực hiện. Hai là, nhu cầu về việc tuân thủ các qui định về EMC
xuất phát từ chính sự phát triển của nền kinh tế nước ta. Việc đảm bảo EMC sẽ góp
phần kiểm soát được nguồn nhiễu điện từ để từ đó sử dụng hiệu quả phổ tần số và
phòng ngừa, hạn chế các can nhiễu xảy ra giữa các thiết bị, đặc biệt là can nhiễu đối
với nghiệp vụ thông tin vô tuyến điện, an toàn cứu nạn hay giúp kiểm soát khả năng
miễn nhiễm điện từ để đảm bảo sự hoạt động liên tục của các hệ thống an toàn khi
có nhiễu bên ngoài tác động...
Bên cạnh đó, đảm bảo các quy định về EMC sẽ góp phần hạn chế sự nhạy cảm
của thiết bị điều khiển bằng điện tử (rơ le, chuyển mạch,…) đối với các nguồn
nhiễu điện từ có thể làm thay đổi trạng thái của thiết bị, hệ thống và có thể gây ra
nguy hiểm cho con người và tài sản nếu nó hoạt động sai chức năng.
Từ những nhu cầu trên, việc nghiên cứu và xây dựng một phòng thử nghiệm
tương thích điện từ là một việc làm mang tính cấp thiết. Vì vậy, trong phạm vi luận
văn thạc sỹ của mình, dưới sự hướng dẫn của PGS.TS. Đào Ngọc Chiến, tôi đã chọn
nghiên cứu đề tài:
“Phân tích và thiết kế phòng thử nghiệm tương thích điện từ”
Luận văn được trình bày như sau:

3


-

Phần mở đầu:
Trình bày lý do chọn đề tài, lịch sử nghiên cứu, mục đích nghiên cứu của luận
văn, đối tượng, phạm vi nghiên cứu, tóm tắt các luận điểm cơ bản và phương pháp
nghiên cứu.

-

Chương 1: Giới thiệu chung về EMC
Giới thiệu tổng quan về EMC ở trên thế giới và Việt Nam.
Giới thiệu một số tiêu chuẩn về EMC.

-

Chương 2: Mô hình đo lường đánh giá EMC
Trình bày về mô hình đo lường đánh giá EMC, các thiết bị đo dùng trong EMC.

-

Chương 3: Các loại phòng cách ly dùng trong EMC
Tập trung nghiên cứu về vật liệu hấp thụ, GTEM, phòng hấp thụ và phòng bán
hấp thụ, OATS.

-

Chương 4: Thiết kế phòng thử nghiệm tương thích điện từ
Thiết kế phòng, yêu cầu tính năng kỹ thuật đo EMC, lựa chọn thiết bị và xây
dựng hệ thống đo EMC.

-

Chương 5: Kết quả và bàn luận
Trình bày những kết quả nghiên cứu của tác giả.

-

Chương 6: Kết luận và kiến nghị
Trình bày kết luận của tác giả về những điều đã đạt được trong luận văn và

hướng nghiên cứu tiếp theo của đề tài.
Trong quá trình thực hiện đề tài, mặc dù tác giả đã hết sức cố gắng nhưng do
đây là một vấn đề rộng lớn và tương đối khó nên không thể tránh khỏi những khiếm
khuyết và chạn chế. Tôi rất mong nhận được những ý kiến đóng góp để có thể phát
triển, hoàn thiện hơn nữa để đạt được kết quả nghiên cứu tốt hơn và đưa vào ứng
dụng trong cuộc sống.

4


MỤC LỤC
LỜI CAM ĐOAN.................................................................................................... 2
LỜI NÓI ĐẦU ........................................................................................................ 3
MỤC LỤC .............................................................................................................. 5
DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT ........................................................ 8
DANH MỤC BẢNG BIỂU ..................................................................................... 8
DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ .................................................................... 12
PHẦN MỞ ĐẦU ................................................................................................... 15
1. Lý do chọn đề tài ............................................................................................... 15
2. Lịch sử nghiên cứu ............................................................................................ 16
3. Mục đích nghiên cứu ......................................................................................... 16
4. Đối tượng, phạm vi nghiên cứu.......................................................................... 16
5. Các luận điểm cơ bản và đóng góp mới của tác giả ............................................ 16
6. Phương pháp nghiên cứu ................................................................................... 17
CHƯƠNG I: GIỚI THIỆU CHUNG VỀ TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ ............ Error!
Bookmark not defined.
1.1 Tổng quan về EMC trên thế giới và Việt Nam ... Error! Bookmark not defined.
1.1.1 Khái niệm EMC.............................................. Error! Bookmark not defined.
1.1.2 Vấn đề tương thích điện từ trên thế giới và khu vựcError! Bookmark not
defined.

1.1.3 Vấn đề tương thích điện từ ở Việt Nam........... Error! Bookmark not defined.
1.2 Tiêu chuẩn EMC của Việt Nam và thế giới........ Error! Bookmark not defined.
1.2.1 Tiêu chuẩn Việt Nam ...................................... Error! Bookmark not defined.
1.2.2 Tiêu chuẩn EMC của thế giới ......................... Error! Bookmark not defined.
1.3 Phòng thử nghiệm tương thích điện từ ............... Error! Bookmark not defined.
CHƯƠNG II: MÔ HÌNH ĐO LƯỜNG ĐÁNH GIÁ EMCError! Bookmark not
defined.
2.1 Đo lường và đánh giá EMI................................. Error! Bookmark not defined.
2.2 Đo lường và đánh giá EMS ................................ Error! Bookmark not defined.
2.3 Các thiết bị đo dùng trong phòng thử nghiệm EMC ......................................... 37
2.3.1 Anten ............................................................................................................ 37
2.3.2 Mạch ổn định trở kháng đường dây nguồn .................................................... 39
2.3.3 Đầu dò .......................................................................................................... 39
2.3.4 Máy phân tích phổ ........................................................................................ 41
2.3.5 Máy thu đo ................................................................................................... 41
5


2.3.6 Máy phát tín hiệu thử .................................................................................... 42
2.3.7 Bàn xoay....................................................................................................... 43
2.3.8 Các bộ lọc ..................................................................................................... 44
CHƯƠNG III: CÁC LOẠI PHÒNG CÁCH LY DÙNG TRONG THỬ NGHIỆM
EMC........................................................................ Error! Bookmark not defined.
3.1 Vật liệu hấp thụ điện từ...................................... Error! Bookmark not defined.
3.1.1 Vật liệu hấp thụ siêu cao tần ......................................................................... 45
3.1.1.1 Vật liệu hấp thụ hình chóp ......................................................................... 45
3.1.1.2 Vật liệu hấp thụ hình nêm .......................................................................... 53
3.1.1.3 Vật liệu hấp thụ hình xoắn ......................................................................... 54
3.1.1.4 Vật liệu hấp thụ đa lớp điện môi ................................................................ 55
3.1.1.5 Vật liệu hấp thụ điện môi hỗn hợp ............................................................. 56

3.1.1.6 Vật liệu hấp thụ đặt trên mặt sàn ................................................................ 57
3.1.2 Vật liệu hấp thụ tần số thấp ........................................................................... 58
3.1.2.1 Vật liệu hấp thụ Ferrite .............................................................................. 60
3.1.2.2 Vật liệu hấp thụ hỗn hợp .............................. Error! Bookmark not defined.
3.2 Buồng GTEM .................................................... Error! Bookmark not defined.
3.3 Phòng cách ly .................................................... Error! Bookmark not defined.
3.3.1 Phòng hấp thụ hoàn toàn FAC ........................ Error! Bookmark not defined.
3.3.2 Phòng bán hấp thụ SAC .................................. Error! Bookmark not defined.
3.4 Mô hình thử nghiệm ngoài trời OATS ............... Error! Bookmark not defined.
3.4.1 Tính năng ....................................................... Error! Bookmark not defined.
3.4.2 Các thành phần của OATS .............................. Error! Bookmark not defined.
CHƯƠNG IV: THIẾT KẾ PHÒNG THỬ NGHIỆM EMC.................................... 70
4.1 Kỹ thuật thiết kế phòng ................................................................................... 70
4.1.1 Các điều kiện yêu cầu cho việc thiết kế phòng .............................................. 70
4.1.1.1 Điều kiện về pha ........................................................................................ 70
4.1.1.2 Phân cực .................................................................................................... 71
4.1.2.3 Công thức đường truyền Friss .................................................................... 72
4.1.2 Phương pháp nghiên cứu Ray Tracing .......................................................... 72
4.1.3 Thủ tục kiểm tra chất lượng của phòng hấp thụ ............................................. 78
4.1.4 Kích thước phòng đo EMC ........................................................................... 82
4.2 Yêu cầu tính năng kỹ thuật đo EMC .................. Error! Bookmark not defined.
4.2.1 Yêu cầu kỹ thuật của hệ thống thiết bị ............ Error! Bookmark not defined.
4.2.1.1 Yêu cầu về công năng .................................. Error! Bookmark not defined.
4.2.1.2 Yêu cầu về tiêu chuẩn ................................................................................ 83
4.2.1.3 Yêu cầu về công nghệ ................................................................................ 83
4.2.1.4 Yêu cầu về các chế độ vận hành ................................................................. 84
4.2.2 Yêu cầu cơ bản đối với phòng đo 3m và các phòng đo có che chắn RF ......... 84
4.2.2.1 Phòng đo 3m .............................................................................................. 84

6

4.2.2.2 Phòng có che chắn RF................................................................................ 84
4.3 Lựa chọn cấu hình thiết bị ............................................................................... 85
4.3.1 Tính năng và các hợp chuẩn .......................................................................... 86
4.3.2 Hệ thống đo phát xạ nhiễu điện từ (đo EMI) ................................................. 87
4.3.3 Hệ thống thử nghiệm miễn nhiễm điện từ (đo EMS)8Error! Bookmark not
defined.
4.3.4 Hệ thống giám sát EUT................................... Error! Bookmark not defined.
4.3.5 Hệ thống thử nghiệm miễn nhiễm quá độ........ Error! Bookmark not defined.
4.4 Xây dựng hệ thống đo EMC ............................................................................ 94
4.4.1 Đo phát xạ nhiễu điện từ theo CISPR 22:2006/EN55022:2006 ..................... 94
4.4.1.1 Đo nhiễu dẫn tại các cổng nguồn ............................................................... 94
4.4.1.2 Đo nhiễu phát xạ tần số vô tuyến ............................................................... 94
4.4.2 Thử nghiệm miễn nhiễm điện từ theo IEC/EN 61000.................................. 105
4.4.2.1 IEC 61000-4-3:2006 Miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến .. 105
4.4.2.2 IEC 61000-4-6:2008 Miễn nhiễm đối với nhiễu dẫn tần số vô tuyến ........ 106
4.4.2.3 IEC 61000-4-2:2008 Miễn nhiễm đối với các hiện tượng phóng tĩnh điện
(EDS) .................................................................................................................. 111
4.4.2.4 IEC 61000-4-5:2005 Miễn nhiễm đối với các xung .................................. 114
4.4.2.5 IEC 61000-4-8:2009 Miễn nhiễm đối với từ trường tần số nguồn ............ 120
4.4.2.6 IEC 61000-4-11:2004 Miễn nhiễm đối với các hiện tượng sụt áp, ngắt quãng
và thay đổi điện áp............................................................................................... 122
CHƯƠNG V: KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN ......................................................... 125
CHƯƠNG VI: KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ ..................................................... 126
TÀI LIỆU THAM KHẢO ................................................................................... 127
PHỤ LỤC............................................................................................................ 129

7

DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT

AC

Alternating Current

AE

Auxillary Equipment

ASEAN

Association of Southeast Asian Nations

ADC

Analog to Digital Converter

ANSI

American National Standards Institute

AM

Amplitude Modulation

AMN

Artificial Mains Network

AP

Access Panel

APEC

Asia-Pacific Economic Cooperation

CCITT

International Telegraph and Telephone Consultative Committee
Comité Consultatif International Téléphonique et Télégraphique

CCS

Conductive Cellular Structure

CDN

Coupling/Decoupling Networks

CE

European Conformity

CENELEC

European Committee for Electrotechnical Standardization

CISPR

International Special Committee on Radio Interference

CN

Comité International Spécial des Perturbations Radioélectriques
Coupling Network

CP

Connection Points

DC

Direct Current

DN

Decoupling Network

EMF

Electromagnetic Field

EFT

Electrical Fast Transients

EM

ElectroMagnetic

EMC

ElectroMagnetic Compatibility

e.m.f

electromotive force

EMI

ElectroMagnetic Interference

EMS

ElectroMagnetic Susceptibility

ETSI

European Telecommunications Standards Institute

EU

European Union

8

EN

European Standard

EUT

Equipment Under Test

ESD

Electrostatic Discharge

FAC

Fully Anechoic Chamber

FDMA

Frequency Division Multiple Access

FDTM

Finite Difference Time Domain

FFC

Federal Communication Commission

FM

Frequency Modulation

GRP

Ground (Reference) Plane

GSM

Global System for Mobile Communications

GTEM

Gigahertz Transverse ElectroMagnetic

HCP

Horizontal Coupling Plane

HPF

High-Pass Filter

I2C

Inter Integrated Circuit

IEEE

Institute of Electrical and Electronic Engineers

IEC

International Electrotechnical Commission

IPC

Institute for Interconnecting and Packaging Electronic Circuits

ISA

International Society for Measurement and Control

ISM

Industrial, Scientific and Medical

ISN

Impedance Stabilization Networks

ISO

International Organization for Standardization

ITU

International Telecommunication Union

IT

Information Technology

ITE

Information Technology Equipment

I/O

Input/Output

JICA

Japan International Cooperation Agency

MIL-STD

Military Standard

LISN

Line Impedance Stabilization Network

LPF

Low-Pass Filter

NIST

National Institute of Standards and Technology

NSSN

National Standards System Network

OATS

Open Area Test Site

QCVN

Quy Chuẩn Việt Nam
9


QUATEST

Quality Assurance and Testing Center 3

RF

Radio Frequency

r.m.s

root mean of squares

SAC

Semi Anechoic Chamber

SAE

Society of Automotive Engineers

SGH

Standard Gain Horn

S/N, SNR

Signal to Noise Ratio

SR

Shielding Room

TCN

Tiêu Chuẩn Ngành

TCVN

Tiêu Chuẩn Việt Nam

TEM

Transverse ElectroMagnetic

TIA

Telecommunications Industry Association

UL

Underwriters Laboratory

US

United States

VCCI

Voluntary Control Council for Interference

VCP

Vertical Coupling Plane

VDE

Verband der Elektrotechnik

VSWR

Voltage Standing Wave Ratio

WTO

World Trade Organization

10


DANH MỤC BẢNG BIỂU
Bảng 2.1: Các đại lượng vật lý cần đo EMI và các bộ biến đổi. Error! Bookmark not
defined.8

Bảng 2.2: Các đại lượng vật lý cần đo EMS và các bộ biến đổi................................ 35
Bảng 3.1: Tham số của vật liệu hấp thụ ...................................................................... 47
Bảng 3.2: Biểu diễn chuẩn của hấp thụ viba xoắn ........ Error! Bookmark not defined.
Bảng 3.3: Các tính chất của hấp thụ đa lớp điện môi ... Error! Bookmark not defined.
Bảng 3.4: Biểu diễn dữ liệu của hấp thụ điện môi ghép............. Error! Bookmark not
defined.7

Bảng 3.5: Thông số đặc trưng của vật liệu hấp thụ trên mặt sàn ............................... 59
Bảng 4.1: Mối quan hệ năng lượng giữa các tia phản xạ và tia chính tính theo dB........ 77
Bảng 4.2: Đo đạc hệ số phản xạ..................................... Error! Bookmark not defined.7
Bảng 4.3: Các phép đo lường và các hợp chuẩn ......................................................... 86

11


DANH MỤC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ
Hình 1.1: Các thành phần của EMC....................................................................... 17
Hình 1.2: Vùng an toàn trong tương thích điện từ .................................................. 18
Hình 2.1: Mô hình tóm tắt đo EMC ......................... Error! Bookmark not defined.
Hình 2.2: Nguyên lý đo nhiễu điện từ EMI .............. Error! Bookmark not defined.
Hình 2.3: Mạng ổn định trở kháng đường dây nguồnError!
Bookmark
not

defined.
Hình 2.4 : Kịch bản đo nhiễu bức xạ điện từ EMI .... Error! Bookmark not defined.
Hình 2.5: Các đường kết nối và các thủ tục đo EMI............................................... 30
Hình 2.6: Các hệ số hiệu chỉnh khi đo EMI ............. Error! Bookmark not defined.
Hình 2.7: Mô hình đo điện áp nhiễu dẫn điện từ ...... Error! Bookmark not defined.
Hình 2.8: Mô hình đo công suất nhiễu dẫn RF ......... Error! Bookmark not defined.
Hình 2.9: Cặp hấp thụ ............................................................................................ 32
Hình 2.10: Mô hình đo cường độ từ trường ........................................................... 33
Hình 2.11: Mô hình đo bức xạ trường gần ............................................................. 33
Hình 2.12: Mô hình đo bức xạ trường xa ............................................................... 34
Hình 2.13: Mô hình đo độ nhạy cảm điện từ EMS ................................................. 35
Hình 2.14: Mô hình đo EMS theo chuẩn EN 61000-4-3 ........................................ 36
Hình 2.15: Sơ đồ kết nối hệ thống trong mô hình đo EMS ..................................... 36
Hình 2.16: Anten sừng kiểu ống dẫn sóng đỉnh kép ............................................... 37
Hình 2.17: Anten hai chóp ....................................... Error! Bookmark not defined.
Hình 2.18: Anten vòng ............................................ Error! Bookmark not defined.
Hình 2.19: Bộ ổn định trở kháng đường dây nguồn ............................................... 39
Hình 2.20: Đầu dò điện trường .............................................................................. 39
Hình 2.21: Bộ dò trường gần ................................................................................. 40
Hình 2.22: Cấu hình máy phát tín hiệu thử ............................................................ 42
Hình 2.23: Bàn xoay.............................................................................................. 43
Hình 3.1: Hình dạng của vật liệu hấp thụ hình chóp............................................... 46
Hình 3.2: Hình dạng vật liệu hấp thụ hình chóp xoắn ............................................ 46
Hình 3.3: Sắp xếp vật liệu hấp thụ hình chóp xoắn ................................................ 47
Hình 3.4: Hệ số phản xạ của vật liệu dạng kim tự tháp phụ thuộc tần số ................ 48
Hình 3.5: Ảnh hưởng của sự biển đổi tải carbon trong đặc tính của vật liệu hấp thụ
hình chóp............................................................................................................... 49
Hình 3.6: Hệ số phản xạ phụ thuộc vào góc tới của vật liệu ................................... 50
Hình 3.7: Biểu diễn độ hấp thụ của một bước sóng dày với góc rộng..................... 51
Hình 3.8: So sánh đặc tính của vật liệu hấp thụ hình chóp đường cong có tính chu

kỳ gấp đôi chuẩn 1.8 đến 1 m ................................................................................ 52
Hình 3.9: Cấu trúc của vật liệu hấp thụ màng kim loại........................................... 53
Hình 3.10: Vật liệu hấp thụ hình nêm .................................................................... 54
Hình 3.11: Hình dạng của vật liệu hấp thụ hình xoắn ............................................. 54
Hình 3.12: Biểu diễn các đường cong của hấp thụ đa lớp....................................... 55
Hình 3.13: Hình dạng của hấp thụ điện môi ghép .................................................. 56
Hình 3.14: Hình dạng của hấp thụ đặt trên lối đi .................................................... 57
12


Hình 3.15: Vật liệu hấp thụ ferrite lát sàn .............................................................. 58
Hình 3.16: Hoạt động vật lý của ferrite lát phòng .................................................. 58
Hình 3.17: Biểu diễn ferrite lát phẳng .................................................................... 61
Hình 3.18: Hệ số phản xạ phụ thuộc góc tới của vật liệu hấp thụ ferrite ................. 61
Hình 3.19: Hình dạng của vật liệu hấp thụ ferrite lưới ........................................... 62
Hình 3.20: Đặc tính tiêu biểu của vật liệu hấp thụ lưới ferrite ................................ 62
Hình 3.21: Vật liệu hấp thụ hỗn hợp ferrite/cách điện ............................................ 63
Hình 3.22: Đặc tính của Vật liệu hấp thụ hỗn hợp ferrite/cách điện khác nhau....... 63
Hình 3.23: Buồng GTEM ...................................................................................... 64
Hình 3.24: Phòng hấp thụ hoàn toàn ...................................................................... 66
Hình 3.25: Sơ đồ mặt bằng phòng bán hấp thụ....................................................... 66
Hình 3.26: Sơ đồ bố trí mặt bằng phòng bán hấp thụ, phòng điều khiển và phòng
khuếch đại ............................................................................................................. 67
Hình 3.27: Kích thước vùng tự do trong OATS ..................................................... 69
Hình 4.1: Sơ đồ thiết kế phòng .............................................................................. 70
Hình 4.2 : Cơ sở để xác định tiêu chuẩn trường xa................................................. 71
Hình 4.3: Mô hình đơn giản của phương pháp Ray Tracing ................................... 73
Hình 4.4: Mô hình tổng quát của phương pháp Ray Tracing .................................. 74
Hình 4.5: Mô hình các tia phản xạ tác động tới khu vực khảo sát........................... 76
Hình 4.6: Hai tia tương tác nhau .............................................................................. 78

Hình 4.7: Tổng năng lượng của 2 tia tới và phản xạ............................................... 79
Hình 4.8: Mối quan hệ giữa đo đạc và hệ số phản xạ của phòng ............................ 80
Hình 4.9: Kích thước tối thiểu của mặt đất chuẩn kim loại .................................... 82
Hình 4.10: Kích thước phòng đo............................................................................ 82
Hình 4.11: Sơ đồ bố trí phòng đo 3m và các phòng có che chắn ............................ 85
Hình 4.12: Sơ đồ khối hệ thống thử nghiệm phát xạ RF......................................... 88
Hình 4.13: Sơ đồ khối hệ thống thử nghiệm miễn nhiễm RF ................................. 90
Hình 4.14: Hệ thống giám sát EUT........................................................................ 91
Hình 4.15: Hệ thống thử nghiệm miễn nhiễm quá độ ............................................. 92
Hình 4.16: Cấu hình phép đo nhiễu dẫn của các thiết bị đặt bàn ............................ 95
Hình 4.17: Cấu hình tương đương của phép đo nhiễu dẫn cho các thiết bị đặt bàn . 96
Hình 4.18: Cấu hình tương đương của phép đo nhiễu dẫn cho các thiết bị đặt bàn
(Nhìn từ trên xuống) .............................................................................................. 98
Hình 4.19: Cấu hình phép đo cho các thiết bị đặt bàn (Phép đo nhiễu dẫn tại vị trí đo
nhiễu phát xạ) ........................................................................................................ 98
Hình 4.20: Cấu hình phép đo nhiễu dẫn cho các thiết bị đặt trên sàn nhà ............... 99
Hình 4.21: Cấu hình phép đo nhiễu dẫn cho các thiết bị đặt bàn và đặt trên sàn nhà
................................................................................ Error! Bookmark not defined.
Hình 4.22: Cấu hình phép đo nhiễu phát xạ cho thiết bị đặt bànError! Bookmark
not defined.
Hình 4.23: Cấu hình phép đo nhiễu phát xạ cho thiết bị đặt trên sàn nhà......... Error!
Bookmark not defined.

13


Hình 4.24: Cấu hình phép đo nhiễu phát xạ cho thiết bị đặt trên sàn nhà và bàn
................................................................................ Error! Bookmark not defined.
Hình 4.25: Cấu hình phép đo cho thiết bị đặt trên sàn nhà có cáp nối chạy phía trên
(nhìn từ cạnh bên)................................................................................................ 104

Hình 4.26: Cấu hình phép đo cho thiết bị đặt trên sàn nhà có cáp nối chạy phía trên
(nhìn từ trên xuống) ................................................. Error! Bookmark not defined.
Hình 4.27: Thiết lập cấu hình phép thử cho thiết bị đặt trên sàn nhà ............... Error!
Bookmark not defined.
Hình 4.28: Thiết lập cấu hình phép thử cho thiết bị để bànError! Bookmark not
defined.
Hình 4.29a: Mô hình trường gần EM đo dòng chế độ chung trên cáp của EUT
................................................................................ Error! Bookmark not defined.
Hình 4.29b: Sơ đồ thiết lập phép thử miễn nhiễm dẫn RFError! Bookmark not
defined.
Hình 4.30: Ví dụ cấu hình phép thử đối với EUT gồm một khối đơn .............. Error!
Bookmark not defined.
Hình 4.31: Ví dụ cấu hình phép thử đối với EUT gồm nhiều khối cấu thành .. Error!
Bookmark not defined.
Hình 4.32: Quy tắc lựa chọn phương pháp chèn tín hiệuError! Bookmark not
defined.
Hình 4.33: Ví dụ về cấu hình phép thử trong phòng thí nghiệm đối với thiết bị để
bàn .......................................................................... Error! Bookmark not defined.
Hình 4.34: Ví dụ về cấu hình phép thử trong phòng thí nghiệm đối với thiết bị đặt
sàn nhà .................................................................... Error! Bookmark not defined.
Hình 4.35: Ví dụ về cấu hình phép thử sau khi lắp đặt đối với thiết bị đặt sàn nhà
................................................................................ Error! Bookmark not defined.
Hình 4.36: Ví dụ đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC/DC; ghép
dây-dây.................................................................... Error! Bookmark not defined.
Hình 4.37: Ví dụ đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC/DC; ghép
dây-đất .................................................................... Error! Bookmark not defined.
Hình 4.38: Ví dụ đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC (3 pha);
ghép dây L3-dây L1 ................................................ Error! Bookmark not defined.
Hình 4.39: Ví dụ đối với phương pháp ghép điện dung trên các đường AC (3 pha);
ghép dây L3-đất; đầu ra bộ tạo sóng được nối đất .... Error! Bookmark not defined.

Hình 4.40: Ví dụ về cấu hình thử đối với các đường dây nối không có lớp che chắn;
ghép dây-dây/dây-đất; ghép qua các tụ .................... Error! Bookmark not defined.
Hình 4.41: Ví dụ về cấu hình thử đối với các đường dây không đối xứng, không có
lớp che chắn; ghép dây-dây/dây-đất; ghép qua các bộ triệt xungError! Bookmark
not defined.
Hình 4.42: Ví dụ về cấu hình thử đối với các đường dây không đối xứng, không có
lớp che chắn (các đường viễn thông); ghép dây-dây/dây-đất; ghép qua các bộ triệt
xung ........................................................................ Error! Bookmark not defined.

14


Hình 4.43: Ví dụ về cấu hình thử đối với phép thử đường dây có lớp che chắn và
hiện tượng chênh lệch điện thế; ghép dẫn ................ Error! Bookmark not defined.
Hình 4.44: Ví dụ về cấu hình thử đối với phép thử đường dây không có lớp che
chắn và đường dây có lớp che chắn (lớp che chắn nối đất một đầu) và hiện tượng
chênh lệch điện thế; ghép dẫn .................................. Error! Bookmark not defined.
Hình 4.45: Ví dụ về cấu hình đối với thiết bị để bàn Error! Bookmark not defined.
Hình 4.46: Ví dụ về cấu hình đối với thiết bị đặt trên sànError! Bookmark not
defined.
Hình 4.47: Sơ đồ nguyên lý thử sụt áp, ngắt quãng điện áp dùng các biến áp biến
đổi và các công tắc .................................................. Error! Bookmark not defined.
Hình 4.48: Sơ đồ thiết bị thử sụt áp và ngắt quãng điện áp dùng bộ khuếch đại công
suất .......................................................................... Error! Bookmark not defined.
Hình 4.49: Sơ đồ thiết bị thử đơn giản cho hiện tượng thay đổi điện áp .......... Error!
Bookmark not defined.
PHẦN MỞ ĐẦU

1. Lý do chọn đề tài
- Xuất phát từ nhu cầu nghiên cứu và phát triển nền công nghiệp điện và điện tử:

Phòng đo EMC là môi trường thử nghiệm rất hữu ích và cần thiết đối với các đơn vị
nghiên cứu, nhà sản xuất trong quá trình nghiên cứu, thiết kế sản phẩm nhằm đưa
đến tay người tiêu dùng các sản phẩm có chất lượng, an toàn cao.
- Xuất phát từ nhu cầu tăng cường năng lực quản lý tương thích điện từ tại Việt
Nam: Hiện nay công tác quản lý tương thích điện từ tại Việt Nam đang được triển
khai thông qua hệ thống văn bản quy phạm pháp luật gồm Luật Tần số vô tuyến
điện và các Thông tư; các tiêu chuẩn, quy chuẩn do Bộ Khoa học công nghệ và Bộ
Thông tin và Truyền thông ban hành.
Mặc dù đã có Luật Tần số vô tuyến điện và các thông tư về chứng nhận và
công bố hợp quy, nhưng hiện nay có rất nhiều các doanh nghiệp sản xuất trong
nước không biết hoặc chưa chú trọng các tiêu chí cần phải đạt về EMC đối với sản
phẩm của mình. Thực tế qua đo kiểm, qua chứng nhận sản phẩm bắt buộc thì nhiều
doanh nghiệp mới biết đến khái niệm EMC và đã có rất nhiều sản phẩm không đạt
về EMC qua lần đầu kiểm tra.

15


- Xuất phát từ mục tiêu hội nhập vào nền kinh tế khu vực và trên thế giới: Phòng
đo EMC còn là một phòng đo kiểm độc lập để tham gia vào các hoạt động đo kiểm
trong nước và nước ngoài đáp ứng nhu cầu thử nghiệm về EMC của các tổ chức, cá
nhân, doanh nghiệp trong các lĩnh vực: Nghiên cứu phát triển, sản xuất; Nhập khẩu,
kinh doanh hàng hóa trên trị trường Việt Nam; Xuất khẩu hàng hóa ra nước ngoài.
Từ những nhu cầu trên, việc nghiên cứu và thiết kế một phòng thử nghiệm
tương thích điện từ là một việc làm mang tính cấp thiết.

2. Lịch sử nghiên cứu
Trong thời gian học tập tại trường, tác giả đã được tiếp thu các kiến thức về
EMC, khi thực hiện đề tài tác giả đã tim hiểu các phương pháp phân tích và tiếp cận
thực tế với các doanh nghiệp cung cấp thiết bị trong phòng đo EMC và phòng đo

EMC của cục tần số vô tuyến điện. Điều đó tạo tiền đề thuận lợi hơn để tác giả hoàn
thành luận văn này.

3. Mục đích nghiên cứu
Với các lý do trên, tác giả tiến hành nghiên cứu phòng thử nghiệm tương thích
điện từ thông qua các phương pháp phân tích và thiết kế, nghiên cứu các tiêu chuẩn
quốc tế về EMC của bài toán thực tế.

4. Đối tượng, phạm vi nghiên cứu
Để thực hiện mục đích nghiên cứu của mình, tác giả tập trung vào các khía
cạnh sau:
- Nghiên cứu mô hình đo lường và đánh giá EMC: EMI và EMS.
- Nghiên cứu các loại phòng cách ly dùng trong EMC.
- Thiết kế phòng EMC.

5. Các luận điểm cơ bản và đóng góp mới của tác giả
- Nghiên cứu, phân tích, đánh giá mô hình đo lường EMI và EMS.

16


- Nghiên cứu cách các loại phòng cách ly dùng trong EMC.
- Thiết kế phòng đo EMC.
- Đưa ra yêu cầu tính năng đo EMC.
- Xây dựng hệ thống đo phát xạ nhiễu điện từ (đo EMI) theo CISPR 22:2006/EN
55022:2006 và hệ thống thử miễn nhiễm điện từ (đo EMS) theo IEC/EN 61000.

6. Phương pháp nghiên cứu
- Phương pháp nghiên cứu lý thuyết: Nghiên cứu các chuẩn EMC, các phương
pháp thiết kế phòng không phản xạ, các thiết bị trong phòng đo EMC.

- Phương pháp kiểm tra bằng thực nghiệm: Thiết kể thử phòng đo EMC, xây
dựng hệ thống đo.

CHƯƠNG I
GIỚI THIỆU CHUNG VỀ TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ
1.1 Tổng quan về EMC trên thế giới và Việt Nam
1.1.1 Khái niệm EMC
Tương thích điện từ (EMC) là khả năng của thiết bị (điện, điện tử, vô tuyến
điện) vận hành ổn định và đảm bảo các tham số trong môi trường điện từ cụ thể và
không tạo ra nhiễu vượt quá tiêu chuẩn qui định đối với các thiết bị khác. EMC
được chia thành nhiễu điện từ (EMI) và miễn nhiễm điện từ (EMS).
EMC = EMI + EMS
Trong đó:
EMI gồm có nhiễu dẫn điện từ và nhiễu phát xạ điện từ
EMS gồm có miễn nhiễm dẫn điện từ và miễn nhiễm phát xạ điện từ

17


Hình 1.1: Các thành phần của EMC
Cần phải kiểm tra EMC để xem xét trường hợp bức xạ xấu nhất và miễn
nhiễm tốt nhất, tương thích điện từ được khẳng định bởi:
-

Các tiêu chuẩn quy định các giới hạn bức xạ, các mức kiểm tra độ miễn
nhiễm.

-

Đo lường EMC đưa ra các sản phẩm tốt.

-

Đo lường EMC hỗ trợ các hợp chuẩn.

-

Không có đánh giá EMC các thiết bị không thể bán được.

-

Các thiết bị an toàn chuẩn không thể có lỗi.

Hình 1.2: Vùng an toàn trong tương thích điện từ

18


1.1.2 Vấn đề tương thích điện từ trên thế giới và khu vực
Sự phát triển các sản phẩm điện, điện tử, vô tuyến điện trong các lĩnh vực
quân sự, viễn thông, công nghệ thông tin, y tế, ôtô, đồ dùng gia đình, .v.v. kèm theo
mặt trái là làm gia tăng mức độ bức xạ điện từ vào môi trường. Đồng thời các thiết
bị đó phải đảm bảo hoạt động bình thường trong môi trường có nhiễu điện từ. Từ
năm 1996 các cơ quan điều hành của nhiều quốc gia, Liên hiệp Châu Âu, Hoa Kỳ,
Úc, Nhật, v.v... đã ban hành Luật về tuân thủ EMC và áp dụng các qui định bắt
buộc về EMC cho các sản phẩm. Ví dụ các sản phẩm nói trên khi không có chứng
nhận EMC (nhãn CЄ) do các phòng thử nghiệm EMC độc lập Quốc tế cấp, sẽ
không được lưu hành tại Cộng đồng Châu Âu.
Tại nhiều nước và khu vực trên thế giới EMC của sản phẩm đã trở thành mội
tiêu chuẩn chất lượng bắt buộc. Tất cả các nước phát triển đều có hệ thống các

phòng thử nghiệm EMC. Các nước trong khu vực như Trung Quốc, Đài Loan,
Malaysia, Indonesia, Philippines, Singapore rất quan tâm đến EMC và đã đấu tư
xây dựng nhiều Phòng thử nghiệm EMC. Thái Lan cũng có một số trung tâm thử
nghiệm EMC. Riêng Trung Quốc có 36 Phòng thử nghiệm EMC phục vụ cho các
sản phẩm thương mại và quân sự. Trong lĩnh vực quân sự Trung quốc có 12 Phòng
thử nghiệm EMC nằm trong Binh chủng Tăng Thiết giáp, Tổ chức Hàng không Vũ
trụ, Trung tâm thử nghiệm EMC Mianyang, Viện nghiên cứu số 10, 29, 39, 4, 504,
615, Viện nghiên cứu Điện tử - Cơ khí Shenyang, và v.v...
Thử nghiệm EMC đóng vai trò tích cực trong phát triển và tiêu thụ sản phẩm,
giúp các nhà sản xuất và các quốc gia hội nhập nền kinh tế thế giới. Thử nghiệm
EMC tham gia vào tất cả các công đoạn thử nghiệm sản phẩm: thiết kế sản phẩm
mẫu, sản xuất thử lô số 0, xuất xưởng, xuất khẩu và nhập khẩu sản phẩm.
Để thử nghiệm khả năng tương thích điện từ của các thiết bị (điện, điện tử, vô
tuyến điện) cần phải có các phòng thử nghiệm EMC theo các tiêu chuẩn quốc tế qui
định. Các phòng thử nghiệm phải đảm bảo thử nghiệm được tất cả các tham số
EMC (nhiễu điện từ EMI và miễn nhiễm điện từ EMS) đã được các nước khác thừa
nhận, và thử nghiệm được nhiều chủng loại sản phẩm, từ các sản phẩm kích thước

19


nhỏ như điện thoại di động, tivi, máy tính,...cho đến ôtô, xe tăng, máy bay (phụ
thuộc vào qui mô của phòng thử nghiệm).
1.1.3 Vấn đề Tương thích điện từ ở Việt Nam
Trong bối cảnh chung của thế giới, có hai yếu tố cơ bản làm vấn đề EMC ở
Việt Nam ngày càng trở nên cấp thiết.
Trước hết, yêu cầu này xuất phát từ mục tiêu hội nhập vào nền kinh tế khu vực
và thế giới mà Đảng và Nhà Nước đã đề ra. Trên lộ trình hội nhập với ASEAN,
APEC, WTO, ...việc tuân thủ các qui định của quốc tế về EMC là một điều tất yếu
phải thực hiện. Theo APEC reference #201-CT-07.1 DECLARENET, tháng 1/2001

cho biết, từ năm 1999, “Tiểu ban về Tiêu chuẩn và phù hợp CTI/SCSC của APEC
đã đề nghị và chuẩn bị một '' Phương án hành động '' về thương mại sản phẩm máy
tính cho các nền kinh tế thành viên của APEC”. Và cũng theo “Kế hoạch hành động
- SCSC’s Collective Action Plan”, vào tháng 10/2000, các thành viên APEC đã
đồng ý xem xét áp dụng tiêu chuẩn quốc tế về an toàn (IEC 60950) và tương thích
điện từ (CISPR 22/IEC 61000) cho các sản phẩm máy tính. Thời điểm đề nghị áp
dụng là năm 2005 cho các thành viên phát triển và 2008 cho các thành viên đang
phát triển.
Hai là, nhu cầu về việc tuân thủ các qui định về EMC xuất phát từ chính sự
phát triển của nền kinh tế nước ta. Trong sự đổi mới nhanh chóng của nước nhà
trong thời kỳ đổi mới, một trong những sản phẩm có tốc độ phát triển nhanh nhất là
sản phẩm công nghệ thông tin, liên lạc. Số lượng máy tính sử dụng, lắp ráp, sản
xuất tại Việt Nam trong những năm qua tăng trưởng khá cao. Theo ước tính của
giới chuyên trách, thị trường công nghệ thông tin ở Việt nam hiện nay vào khoảng 1
tỷ đô la Mỹ/năm và có khoảng vài triệu máy tính đang hoạt động trong cả nước. Dự
báo mức độ tăng trưởng của ngành công nghệ thông tin khoảng 20% mỗi năm, đây
là mức độ phát triển khá cao. Các ngành sản xuất khác như điện tử dân dụng, điện
thoại di động, máy thu phát hai chiều, đồ chơi điện tử, các đồ điện thông minh, thiết
bị viễn thông,... cũng dần được định hình và đi vào sản xuất ổn định. Với sự gia
tăng của các sản phẩm điện, điện tử, tin học, thiết bị viễn thông trong đời sống xã

20


hội, việc áp dụng các tiêu chuẩn EMC với các sản phẩm không chỉ nhằm đảm bảo
lợi ích của người tiêu dùng mà còn đảm bảo tính cạnh tranh của sản phẩm ngay tại
thị trường trong nước, tạo điều kiện cho các ngành công nghiệp non trẻ của nước ta
hướng tới xuất khẩu.
Nhận thức được tầm quan trọng của EMC, một số cơ quan quản lý ngành,
quản lý chất lượng sản phẩm như Tổng cục Bưu điện (nay là Bộ Thông tin và

Truyền thông), Bộ Khoa học và Công nghệ, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất
lượng, Tổng Công ty Điện tử và Tin học Việt Nam,...đã đầu tư nghiên cứu để tiếp
cận với EMC nhằm triển khai, áp dụng vào nước ta.
Theo kết quả khảo sát của chương trình JICA “Study on Development of
Industrial Standardization, Metrology, Testing and Quality Management in the
Socialist Republic of Vietnam-JICA-11/1997” thì khả năng thử nghiệm sản phẩm
điện-điện tử của Việt nam còn rất hạn chế, chỉ tiến hành được một số thí nghiệm
liên quan đến các chỉ tiêu an toàn đơn giản, phục vụ chủ yếu cho việc chứng nhận
bắt buộc chất lượng sản phẩm điện như: thử dòng rò, thử chịu điện áp trung bình.
Đối với sản phẩm công nghiệp điện, điện tử của Việt nam, khả năng thử nghiệm
cũng chỉ được tiến hành đối với các chỉ tiêu cơ bản, thông thường trong dây chuyền
sản xuất cũng như trong kiểm tra thành phẩm. Một số thiết bị thử nghiệm chủ yếu
như đo điện áp, đo dòng điện, điện trở, công suất, độ dài, nhiệt độ, cách điện, dao
động ký v.v... còn thiếu rất nhiều thiết bị thử nghiệm tính năng như cao áp, an toàn
điện, đo và phát xung, phát xạ, phòng cách âm, phòng cách nhiễu v.v....Bởi vậy, đối
với những loại hình thử nghiệm quy mô lớn, cần đầu tư nhiều về thiết bị, trình độ
vận hành thiết bị, kiến thức thử nghiệm máy, tính tương thích điện từ, cao áp v.v...
Các cơ sở sản xuất, kinh doanh không thể có khả năng tự đầu tư và hiệu quả đầu tư
thấp.
Trong lĩnh vực Bưu chính Viễn thông, mạng lưới thông tin liên lạc của Việt
nam không ngừng được hiện đại hoá, phát triển với tốc độ nhanh. Nhiều thiết bị, hệ
thống tiên tiến khác nhau đã được triển khai. Những thành tựu trong lĩnh vực viễn
thông tại Việt nam đã góp phần quan trọng thúc đẩy sự tăng trưởng nền kinh tế và

21


nâng cao đời sống văn hoá xã hội. Trong sự phát triển này, công tác quản lý tần số
có vai trò đặc biệt quan trọng, nhằm đảm bảo thông tin được an toàn, thông suốt,
đảm bảo sử dụng tần số vô tuyến điện khoa học, hiệu quả và tiết kiệm băng tần.

Theo điểm 6 Điều 2 của Quyết định 1010/2001/QĐ-TCBĐ ngày 3/12/2001, Cục
Tần số VTĐ có nhiệm vụ “Xác định xử lý can nhiễu có hại, kiểm tra, xác nhận
tương thích điện từ cho các thiết bị bức xạ vô tuyến điện theo qui định của pháp
luật”. Trong đó, việc kiểm tra tương thích điện từ trường bao gồm các nội dung:
-

Kiểm tra nhiễu điện từ EMI liên quan đến các phép đo tần số và biên độ của các
tín hiệu không mong muốn phát ra từ các thiết bị được kiểm tra, đảm bảo năng
lượng điện từ trường từ các thiết bị này không ảnh hưởng tới hoạt động của các
thiết bị khác.

-

Kiểm tra độ nhạy cảm điện từ EMS là biện pháp để xác định khả năng của các
thiết bị được kiểm tra có thể hoạt động bình thường trong môi trường điện từ có
các nhiễu không mong muốn.

Hiện nay ở Việt nam, có các phòng thử nghiệm tương thích điện từ sau:
Phòng thử nghiệm EMC của Trung tâm kỹ thuật tiêu chuẩn đo lường chất
lượng 3 (QUATEST3), thuộc Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng – Bộ Khoa học
và Công nghệ do DK Corporation Japan thiết kế và trang bị đồng bộ theo các chuẩn

mực quốc tế IEC (ủy ban kỹ thật Điện quốc tế), FCC (US), VCCI (Nhật Bản).
Buồng hấp thụ SAC 3m có khả năng thử nghiệm trong dải tần số từ 26 MHz đến 40
GHz, buồng chắn nhiễu có khả năng thử nghiệm trong dải tần số từ 10 kHz đến 10
GHz.
Thử nghiệm về tương thích điện từ cho các nhóm sản phẩm điện-điện tử như
thiết bị điện, điện tử gia dụng, máy tính và thiết bị ngoại vi, thiết bị viễn thông...
Phòng thử nghiệm EMC được Bộ Thông tin và Truyền thông chỉ định là
phòng thử nghiệm EMC cho các sản phẩm công nghệ thông tin và viễn thông từ

tháng 7-2007.
Các phương pháp thử nghiệm: TCVN, QCVN, IEC/CISPR, EN, FCC, ITU.
Thiết bị chính:

22


-

Buồng hấp thu bán cách nhiễu 3m

-

Buồng điều khiển

-

Buồng chắn nhiễu

-

Đầu thu can nhiễu điện từ

-

Máy phát tín hiệu

-

Bộ khuếch đại

-

Anten lôgarit chu kỳ

-

Bộ ghép / tách tín hiệu

-

Đồng hồ đo công suất
Phòng đo của Cục Tần số được hoạt động từ năm 1999. Đây là công cụ cần thiết và

hữu ích trong việc quản lý tương thích điện từ.
Phòng đo tương thích điện từ của Cục Tần số đã trở thành phòng thử nghiệm được
công nhận trong hệ thống các phòng thí nghiệm của Việt Nam năm 2000 mã số VILAS
060. Năm 2010, phòng được trang bị mới hệ thống thiết bị phòng đo EMC 3m, công nghệ
hiện đại đạt chuẩn quốc tế. Trang thiết bị đo mới này đáp ứng được đầy đủ các phép đo
kiểm về EMC (bao gồm đo phát xạ và thử miễn nhiễm điện từ). Tháng 7/2011, hệ thống
thiết bị, phòng đo EMC 3m được đưa vào khai thác, sử dụng.

Phòng đo EMC của Cục Tần số vô tuyến điện, Bộ Thông tin và Truyền thông
khai trương vào ngày 10/11/2011. Đây là phòng đo EMC đầu tiên tại Hà Nội và thứ
hai của Việt Nam. Phòng đo EMC này còn là môi trường thử nghiệm rất hữu ích và
cần thiết đối với các đơn vị nghiên cứu, các nhà sản xuất nhằm đưa đến tay người
tiêu dùng các sản phẩm có chất lượng, an toàn cao. Các doanh nghiệp sản xuất,
nhập khẩu thiết bị điện, điện tử sẽ có thêm cơ hội lựa chọn nơi kiểm tra, đối chiếu
chất lượng sản phẩm của mình. Trang thiết bị của Phòng đo EMC bao gồm: Phòng
đo EMC 3 mét, phòng che chắn SR1, SR2, hệ thống đo nhiễu điện từ (không gây

nhiễu đến thiết bị, hệ thống thiết bị khác) và hệ thống đo miễn nhiễm điện từ (khả
năng hệ thống thiết bị vô tuyến điện, điện, điện tử hoạt động bình thường trong môi
trường điện từ).

23


Ngoài ra, Viện Rađa, Trung tâm Khoa học Kỹ thuật và Công nghệ Quân sự
(KHKT và CNQS) - Bộ Quốc phòng có một phòng thử nghiệm tương thích điện từ
nhỏ để đo anten.

1.2 Tiêu chuẩn EMC của Việt Nam và thế giới
1.2.1 Tiêu chuẩn Việt Nam
Việt Nam đã xây dựng được một số Tiêu chuẩn về tương thích điện từ do
Tổng cục Tiêu chuẩn - Đo lường - Chất lượng Việt Nam biên soạn, như: TCVN
6989-1: Qui định kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn
nhiễm tần số rađio. Phần 1: Thiết bị đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađio, năm
2003. TCVN 6989-2: Qui định kỹ thuật đối với phương pháp đo và thiết bị đo nhiễu
và miễn nhiễm tần số rađio. Phần 2: Phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm, năm
2001. TCVN 6988: Thiết bị tần số rađio dùng trong công nghiệp, nghiên cứu khoa
học và y tế (ISM). Đặc tính nhiễu điện từ. Giới hạn và phương pháp đo, năm 2001.
TCVN 7189: Thiết bị công nghệ thông tin. Đặc tính nhiễu tần số rađio. Giới hạn đo
và phương pháp đo, năm 2003.
TCVN 7317: Thiết bị công nghệ thông tin. Đặc tính tính miễn nhiễm. Giới hạn
và phương pháp đo, năm 2003.
Bộ Thông tin và Truyền thông cũng đã biên soạn một số tiêu chuẩn về tương
thích điện từ, nhiễu phát xạ và miễm nhiễm điện từ, như: TCN 68191/192/193/194/195:2000; TCN 68-196/197:2001; TCN 68-207/208/209/210:
2002.
Về lĩnh vực tương thích điện từ (EMC), có các tiêu chuẩn Việt Nam được nêu
trong phụ lục A.

Bộ Thông tin và Truyền thông (Tổng cục Bưu điện trước đây) đã ban hành
một số tiêu chuẩn liên quan đến vấn đề tương thích điện từ (xem trong phụ lục B).
1.2.2 Tiêu chuẩn EMC của Thế giới
Hệ thống tiêu chuẩn về EMC đã được xây dựng khá hoàn chỉnh và được bổ
sung, cập nhật thường xuyên bởi các tổ chức tiêu chuẩn hóa quốc tế như sau:
Tại Hoa kỳ:

24


-

Federal Communication Commission (FCC)

-

Institute of Electrical and Electronic Engineers (IEEE)

-

International Society for Measurement and Control (ISA)

-

Institute for Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC)

-

National Institute of Standards and Technology (NIST)

-

National Standards System Network (NSSN)

-

Society of Automotive Engineers (SAE) International

-

Telecommunications Industry Association (TIA)

-

Underwriters Laboratories, Inc. (UL)

-

American National Standards Institute (ANSI)

Châu Âu:
-

European Committee for Electrotechnical Standardization (CENELEC)

-

European Telecommunications Standards Institute (ETSI)

Quốc tế:

-

International Special Committee on Radio Interference (CISPR)

-

International Electrotechnical Commission (IEC)

-

International Organization for Standardization (ISO)

-

International Telecommunication Union (ITU)

Tuân theo các chuẩn thương mại để:
- Được đóng dấu CE
- Được đưa sản phẩm ra thị trường
Có 3 loại tiêu chuẩn:
- Tiêu chuẩn cơ sở (ví dụ CISPR 16, EN 61000-4)
- Các tiêu chuẩn chung (ví dụ EN 55082)
- Các tiêu chuẩn sản phẩm (ví dụ EN55014(ISM), ETS 300 342-1 (GSM))
Các nhóm tiêu chuẩn thương mại chính:
- CISPR, IEC, ISO, ITU và các nhóm quốc tế
- CELENEC, ETSI ở Châu Âu
- ANSI, FCC, SAE ở Hoa kỳ

25