bai kiem tra trac nghiem ve hoat dong BJT va FET (miễn phí)

TT
1

2

3

4

5

6

Câu hỏi và đáp án
Transistor lưỡng cực (BJT) không có đặc điểm sau
a. gồm hai chuyển tiếp p-n
b. Có ba điện cực
c. Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ.
d. Gồm một chuyển tiếp p-n
Transistor lưỡng cực (BJT) là transistor có dòng ra
a. Được điều khiển bằng áp vào
b. Được điều khiển bằng dòng vào
c. Được điều khiển bằng điện trường ngoài
d. Không điều khiển được
Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ tắt thì

a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ bão hòa thì
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
I C = βI B
a.

Đáp án

b.

VCE = 0

b.

VCE = 0

IC = 0
I C ≤ βI B
d.
Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ tắt thì
I C = βI B

a.
c.

7

c.

8

IC = 0
I C ≤ βI B

Dòng ICBO là dòng rỉ
a. Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b. Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c. Của mối nối BE khi cực C hở mạch
d. Của transistor

d.


9

10

11

12

13

14

15

Dòng ICEO là dòng rỉ
a. Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b. Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c. Của mối nối BE khi cực C hở mạch
d. Của transistor
Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng
a. Qua các chuyển tiếp p-n
b. Qua kênh dẫn
c. Qua bán dẫn
d. Qua hai chuyển tiếp p-n
Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải
a. Đa số
b. Thiểu số
c. Đa số và thiểu số
d. Electron
Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì
a. Dòng điện chạy trong transistor bị thay đổi
b. Dòng điện chạy trong transistor không bị thay đổi
c. Dòng điện chạy trong transistor tăng khi nhiệt độ tăng
d. Dòng điện chạy trong transistor giảm khi nhiệt độ tăng
Hình bên là cách mắc transistor
a. Theo kiểu CE
b. Theo kiểu CB
c. Theo kiểu CC
d. A, b v à c đều đúng

Để transistor lưỡng cực hoạt động có
a. 1 cách mắc
b. 2 cách mắc
c. 3 cách mắc
d. 4 cách mắc
Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là


a.
b.
c.
d.

ng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor npn mc CE
ng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor pnp mc CE
ng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor npn mc CB
ng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor pnp mc CB
IC
7 (mA)
Vuứng
baừo
hoứa

6
5
4
3

IB = 80

I = 70
àA BIB = 60
àA IB = 50
àA
àA IB = 40
Vuứng tớch
cửùc

2
1
0

5
VCE (BH)

1

0

ICE

(a)

O

16

17

18

19

20

IB (àA)

10
09
àAIB = 30
07
àAIB = 20 50
Ià
= 10
B A
03
àIBA= 0
01
à
A
V (V 0 0
1
2
5 Vuứng0ngửng )
CE

daón

VCE = 1V

VCE = 10V
VCE = 20V

0,2 0,4 0,6 0,8

(b)

ng c tuyn vụn ampe bờn l
a. ng c tuyn ngừ ra ca transistor
npn mc CE
b. ng c tuyn ngừ ra ca transistor
pnp mc CE
c. ng c tuyn ngừ ra ca transistor
npn mc CB
d. ng c tuyn ngừ ra ca transistor
pnp mc CB
Cu trỳc ca JFET khụng cú c im sau
a. Cú 3 in cc
b. Cú mt kờnh dn
c. Cú mt chuyn tip p-n
d. Cú hai chuyn tip p-n
Transistor trng (FET) l transistor cú dũng ra
a. c iu khin bng ỏp vo
b. c iu khin bng dũng vo
c. c iu khin bng ỏnh sỏng
d. Khụng iu khin c
JFET kờnh n cú c im
a. in tr kờnh dn thay i khi in ỏp VGS thay i
b. in tr kờnh dn tng khi in ỏp VGS cng õm
c. in tr kờnh dn gim khi in ỏp VGS cng õm

d. in tr kờnh dn khụng thay i khi in ỏp VGS thay i
JFET kờnh p hot ng khi
a. VGS 0 v VDS > 0
b. VGS 0 v VDS < 0
c. VGS 0 v VDS < 0

VBE (V)


21

22

23

d. VGS ≤ 0 và VDS > 0
Các điện cực của MOSFET gồm cực
a. B, C, E
b. D, S, G
c. D, S, G, Sub
d. D, S, B
Dòng điện chạy trong FET chủ yếu là dòng của
a. Hạt tải đa số
b. Hạt tải thiểu số
c. Electron
d. Hole
Transistor trường có đặc điểm sau
a. Dòng vào bằng 0
b. Dòng vào khác 0
 V

I D = I DSS 1 − GS

Vp

Shockley

24

25

26

I C = βI B






2

c. Quan hệ giữa dòng ra
và dòng vào khi hoạt
động ở chế độ tuyến
tính theo phương trình

d. Quan hệ giữa dòng ra và
dòng vào khi hoạt động ở

chế độ tuyến tính theo phương trình

D_MOSFET là FET không có đặc điểm sau
Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2
a.
Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n
b.
Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.
c.
Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.
d.
E_MOSFET là FET có đặc điểm sau
Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2
a.
Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n
b.
Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.
c.
Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.
d.
Công thức nào sau đây biểu diễn quan hệ giữa ngõ ra với ngõ vào của
D_MOSFET
 V
I D = I DSS 1 − GS

Vp







2

a.
b.
c.

2

27

28

 Vγ 
d.

I D = I DSS 1 −


Thông số nào dưới đây không phải là thông
V pgiới
 số
 hạn của BJT
a. ICmax
b. VCEmax
c. PCmax
d. ICEO
Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của FET

I C = βI B

I D = K (VGS − Vth )

2


IDmax
VDSmax
b.
PCmax
c.
PDmax
d.
Dòng điện chạy trong transistor tröôøng là dòng
a. Qua các chuyển tiếp p-n
b. Qua kênh dẫn
c. Qua bán dẫn
d. Qua hai chuyển tiếp p-n
a.

29