Tải bản đầy đủ (.ppt) (38 trang)

bài giảng đáp ứng tần số của mạch khuếch đại (powerpoint)

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (3.08 MB, 38 trang )

Chương 1: Đáp ứng tần số
I. Giới thiệu –

Xét ảnh hưởng của tần số

1
Xc =
2πfC

Vcc

Rs

R b1

Rc

R b2

Re

C1

V in

ĐTCB 2

C 2 V out

Ce


Rl

 f nhỏ:
Xc tăng -> các tụ hở
mạch và không sinh
ra điện dung ký sinh.
 f lớn:
Xc giảm ->các tụ
ngắn mạch và sinh ra
điện dung ký sinh.

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

1


I. Giới thiệu
 fL: tần số cắt dưới.
Sv cho
cắt trên.
 fH: tần sốnhận
xét
 fmid: tần số trung bình

Đáp ứng tần số là đáp ứng giữa hệ
số khuếch đại và tần số của tín
hiệu. BW=fH-fL
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM


2


I. Giới thiệu
 Nhận xét: Hệ số khuếch đại giảm
 =>Công suất:
Tại
vùng
tần số?

POmid =

Tại tần
số?

POH , L =

ĐTCB 2

2
O

V

RO

VO2
RO


=

AVmid Vi

lần

2

2

RO

 AVmid
V

 i
2


=
RO

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

2

= 0.5

AVmid Vi


2

RO
3


Đơn vị của hệ số khuếch đại:
Ap =

Po
Pi

A p ( Bell ) = log 10 A p
1dB =10 Bell
2

A p ( dB ) =10 log 10 A p =10 log10

V0 / R L
2

Vi / Z i

A V (dB)=20 log10A V
AV = AV 1 xAV 2 x...xAVn

AV ( dB ) = 20 log 10 ( AV 1 x...xAVn )
= 20 log 10 AV 1 + ... + 20 log10 AVn
= AV 1 ( dB ) +... + AVn ( dB )
ĐTCB 2


Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

4


Giản đồ Bode của đáp ứng tần số

ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

5


So sánh 2 giản đồ đáp ứng tần số

ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

6


II. Mạch lọc thông cao và thông thấp
2.1 Mạch lọc thông cao (vi phân)
 Định nghĩa:
Là mạch lọc lấy tín
hiệu ở vùng tần số
cao.

 Hệ số khuếch đại:

Từ:

Đặt:
ĐTCB 2

Xc =

VO
R
1
AV =
=
=
Vi
R − jX C 1 − j 1
2πfRC

1
2πfC

1
f1 =
2πRC

AV =
=>

1

f1
1− j
f

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

7


AV =

1
f1
1− j
f

1

 Biên độ của AV:

AV =

 Pha:

ϕ = arctg

1 +  f1 
 f

2


f1
f

 AV tính theo dB:
AV

ĐTCB 2

( dB )

= 20 log10

2

 f1  
1
= −10 log10 1 +   
2
f  


f




1+  1 
 f


Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

8


Giản đồ Bode và đáp ứng pha của mạch lọc thông cao
AV

( dB )

= 20 log 10

1
2

f

1 +
 1 f 



2

 f1  
= −10 log 10 1 +
 f 
 

  




f1
ϕ = arctg
f

 Khi f=f1:
AV = −3dB ϕ = 45 0

 Khi f>>f1:
(Vd: f = 10f1)
AV = 0dB

ϕ = 00

 Khi f<(Vd: f = 0.1ff 1)
AV = −20 log10

1

f

AV = −20dB ϕ → 90 0
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

9



II. Mạch lọc thông cao và thông thấp
2.2 Mạch lọc thông thấp (tích phân)
 Định nghĩa:
Là mạch lọc lấy tín
hiệu ở vùng tần số
thấp.
 Hệ số khuếch đại:
Từ:

Đặt:
ĐTCB 2

Xc =

VO
− jXc
1
AV =
=
=
Vi
R − jX C 1 + j 2πfRC

1
2πfC

1
f2 =

2πRC

AV =
=>

1
f
1+ j
f2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

10


AV =

1
1+ j

f
f2

1

 Biên độ của AV:

AV =

 Pha:


ϕ = −arctg

1 +  f 
 f2 

2

f
f2

 AV tính theo dB:
AV

ĐTCB 2

( dB )

= 20 log10

2

 f  
1
= −10 log10 1 +   
2
  f 2  
f



1+ 

f
 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

11


Giản đồ Bode và đáp ứng pha của mạch lọc thông
  f  
thấp
1
f
 
A
= 20 log
= −10 log 1 + 
2

V ( dB )

10

2

f

1 +

 f 
2 


10




f 
 2 


ϕ = −arctg

f2

 Khi f=f2:
AV = −3dB ϕ = −45 0

 Khi f>>f2:
(Vd: f = 10f2)
AV = −20dB ϕ = −90 0

 Khi f<(Vd: f = 0.1ff 2)
AV = −20 log10

1


f

AV = 0dB ϕ → 0 0
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

12


III. Phân tích mạch KĐ ở vùng tần
số trung bình
Vcc

Sô ñoà töông ñöông tín hieäu nhoû
R b1
Rs

Rc

C1

V
V iSn

R b2

Re

C2 V out


Ce

Zin

V in

Rl
VS

Vi

Rs

Rbb

Zi

VO

h ie

Rc
hfe. Ib

Io
R l

Zo


V0 V0 Vi
hfe( RC // R L )
Zi
Av S =
=
x
=−
x
VS Vi VS
hie
Z i + RS
Zi = Rb1//Rb2//hie; Zo = RC
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

13


IV. Phân tích mạch KĐ ở vùng tần
số thấp
1
Xc =
2πfC

Vcc

Rs

Rb1


Rc

Rb2

Re

C1

V
V iSn

ĐTCB 2

C2 V out

Ce

Rl

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

14


Ảnh hưởng của tụ CS:
 Lưu ý: Khi xét ảnh hưởng của tụ nào thì phải bỏ qua ảnh
hưởng của các tụ còn lại.

Av Smid


h f e ( RC // RL )
V 0 V 0 Vi
Zi
=
= x =−
x
V S Vi V S
hie
Z i + RS

Av S =

h fe ( RC // RL )
V0 V0 Vi
Zi
= x =−
x
VS Vi VS
hie
Z i + RS − jXc S

Av S
Z i + RS
=
Av Smid
Z i + RS − jXc S
f LCS = f 1 =
ĐTCB 2


Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

1
2π ( Z i + RS )C S
15


Giản đồ Bode của ảnh hưởng tụ CS:
Av S
Av Smid

fLCs
(dB )

 Nhận xét: Điện áp ngõ vào của mạch khuếch đại giảm đi
70,7% hay 3dB tại tần số này, do đó điện áp ngõ ra cũng
giảm đi 3dB.
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

16


Ảnh hưởng của tụ CC:
 Lưu ý: Khi xét ảnh hưởng của tụ nào thì phải bỏ qua ảnh
hưởng của các tụ còn lại.

 Sinh viên tự chứng minh


Av S
Z 0 + RL
=
Av Smid Z o + R L − jXcC
f LCC = f1 =
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

1
2π ( Z 0 + RL )C C
17


Giản đồ Bode của ảnh hưởng tụ CC:
Av S
Av Smid

fLCc
LCs
(dB )

 Nhận xét: Điện áp ngõ vào của mạch khuếch đại giảm đi
70,7% hay 3dB tại tần số này, do đó điện áp ngõ ra cũng
giảm đi 3dB.
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

18



Ảnh hưởng của tụ CE:
 Lưu ý: Khi xét ảnh hưởng của tụ nào thì phải bỏ qua ảnh
hưởng của các tụ còn lại.

 Sinh viên tự chứng minh

Av S
Re
=
Av Smid Re − jXc E
f LC E

1
= f1 =
2πRe C E

 hie + ( R BB // RS ) 
Re = R E // 

1
+
h


fe
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM


19


Giản đồ Bode của ảnh hưởng tụ CE:
Av S
Av Smid

fLce
LCs
(dB )

 Nhận xét: Điện áp ngõ vào của mạch khuếch đại giảm đi
70,7% hay 3dB tại tần số này, do đó điện áp ngõ ra cũng
giảm đi 3dB.
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

20


Giản đồ Bode ( đáp ứng tần số) so
sánh ảnh hưởng của 3 tụ ở tần số
thấp

fL=max[fLCS;fLCC;fLCE]
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM


21


IV. Phân tích mạch KĐ ở vùng tần
số cao
1
Xc =
2πfC

Vcc

Rb1
Rs

Rc

C1

V
V iSn

ĐTCB 2

Rb2

Re

C2 V out


Ce

Rl

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

22


Các tụ ký sinh trong tiếp giáp PN

ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

23


Mô hình hybrid - π

ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

24


C i = CWi + C be + C Mi
C Mi = (1 − AV )C bc


C o = CWo + C ce + C Mo

1
C Mo = 
1


AV




C bc


Trong đó:
 CWi, CWo: điện dung của dây dẫn ngõ vào và ngõ ra của mạch khuếch đại
thường các điện dung này rất bé có thể bỏ qua.
 CMi và CMo điện dung do ảnh hưởng của hiệu ứng Miller ở ngõ vào và ngõ ra.
ĐTCB 2

Dương Thị Cẩm Tú - K.ĐĐT Đh.SPKT Tp.HCM

25


×