trắc nghiệm BJT và FET, mạch phân cực BJT, mô hình tương đương tín hiệu nhỏ, các kiểu ghép tầng khuếch đại (có đáp án)

TT
1

2

3

4

5

6

7

8

Câu hỏi và đáp án
Transistor lưỡng cực (BJT) không có đặc điểm sau
a. gồm hai chuyển tiếp p-n
b. Có ba điện cực
c. Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ.
d. Gồm một chuyển tiếp p-n
Transistor lưỡng cực (BJT) là transistor có dòng ra
a. Được điều khiển bằng áp vào
b. Được điều khiển bằng dòng vào
c. Được điều khiển bằng điện trường ngoài
d. Không điều khiển được
Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận

c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ tắt thì
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ bão hòa thì
a. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b. Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c. Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch.
d. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.
Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
a. I C = β I B
b. VCE = 0
c. I C = 0
d. I C ≤ β I B
Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ tắt thì
a. I C = β I B
b. VCE = 0
c. I C = 0
d. I C ≤ β I B
Dòng ICBO là dòng rỉ
a. Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b. Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c. Của mối nối BE khi cực C hở mạch

Đáp án


9

10

11

12

13

14

15

d. Của transistor
Dòng ICEO là dòng rỉ
a. Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b. Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c. Của mối nối BE khi cực C hở mạch
d. Của transistor
Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng
a. Qua các chuyển tiếp p-n
b. Qua kênh dẫn
c. Qua bán dẫn
d. Qua hai chuyển tiếp p-n
Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải
a. Đa số

b. Thiểu số
c. Đa số và thiểu số
d. Electron
Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì
a. Dòng điện chạy trong transistor bị thay đổi
b. Dòng điện chạy trong transistor không bị thay đổi
c. Dòng điện chạy trong transistor tăng khi nhiệt độ tăng
d. Dòng điện chạy trong transistor giảm khi nhiệt độ tăng
Hình bên là cách mắc transistor
a. Theo kiểu CE
b. Theo kiểu CB
c. Theo kiểu CC
d. A, b v à c đều đúng

Để transistor lưỡng cực hoạt động có
a. 1 cách mắc
b. 2 cách mắc
c. 3 cách mắc
d. 4 cách mắc
Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là


a.
b.
c.
d.

ng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor npn mc CE
ng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor pnp mc CE
ng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor npn mc CB

ng c tuyn ngừ vo v ra ca transistor pnp mc CB
IC
7 (mA)
Vuứng
baừo
hoứa

6
5
4
3

IB = 80
I = 70
àA BIB = 60
àA IB = 50
àA
àA IB = 40
Vuứng tớch
cửùc

2
1
0

5
VCE (BH)

1

0

ICE

(a)

O

16

17

18

19

20

IB (àA)

10
09
àAIB = 30
07
àAIB = 20 50
Ià
= 10
B A
03
àIBA= 0

01
à
A
V (V 0 0
1
2
)
5 Vuứng0ngửng daón
CE

VCE = 1V

VCE = 10V
VCE = 20V

0,2 0,4 0,6 0,8

(b)

ng c tuyn vụn ampe bờn l
a. ng c tuyn ngừ ra ca transistor
npn mc CE
b. ng c tuyn ngừ ra ca transistor
pnp mc CE
c. ng c tuyn ngừ ra ca transistor
npn mc CB
d. ng c tuyn ngừ ra ca transistor
pnp mc CB
Cu trỳc ca JFET khụng cú c im sau
a. Cú 3 in cc

b. Cú mt kờnh dn
c. Cú mt chuyn tip p-n
d. Cú hai chuyn tip p-n
Transistor trng (FET) l transistor cú dũng ra
a. c iu khin bng ỏp vo
b. c iu khin bng dũng vo
c. c iu khin bng ỏnh sỏng
d. Khụng iu khin c
JFET kờnh n cú c im
a. in tr kờnh dn thay i khi in ỏp VGS thay i
b. in tr kờnh dn tng khi in ỏp VGS cng õm
c. in tr kờnh dn gim khi in ỏp VGS cng õm
d. in tr kờnh dn khụng thay i khi in ỏp VGS thay i
JFET kờnh p hot ng khi
a. VGS 0 v VDS > 0
b. VGS 0 v VDS < 0
c. VGS 0 v VDS < 0

VBE (V)


21

22

23

d. VGS ≤ 0 và VDS > 0
Các điện cực của MOSFET gồm cực
a. B, C, E

b. D, S, G
c. D, S, G, Sub
d. D, S, B
Dòng điện chạy trong FET chủ yếu là dòng của
a. Hạt tải đa số
b. Hạt tải thiểu số
c. Electron
d. Hole
Transistor trường có đặc điểm sau
a. Dòng vào bằng 0
b. Dòng vào khác 0
c. Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo
2

24

25

26

 V 
phương trình Shockley I D = I DSS 1 − GS 

V p 

d. Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo
phương trình I C = β I B
D_MOSFET là FET không có đặc điểm sau
a. Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2
b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n

c. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.
d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.
E_MOSFET là FET có đặc điểm sau
a. Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2
b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n
c. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S.
d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm.
Công thức nào sau đây biểu diễn quan hệ giữa ngõ ra với ngõ vào của
D_MOSFET
 V
a. I D = I DSS 1 − GS

Vp

b. I C = β I B

c. I D = K (VGS − Vth )





2
2

27

2

 Vγ 


d. I D = I DSS 1 −
 V 
p 

Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của BJT
a. ICmax
b. VCEmax
c. PCmax
d. ICEO


28

29

Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của FET
a. IDmax
b. VDSmax
c. PCmax
d. PDmax
Dòng điện chạy trong transistor tröôøng là dòng
a. Qua các chuyển tiếp p-n
b. Qua kênh dẫn
c. Qua bán dẫn
d. Qua hai chuyển tiếp p-n

TT
1

2

Câu hỏi và đáp án
Điện trở RE trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực (BJT) có chức
năng
a.
Phân cực cho cực E.
b.
Ổn định nhiệt cho trnasistor.
c. a và b đều đúng
d.
a và b đều sai
Tụ CE trong mạch có chức năng
a. ngắn mạch RE đối với nguồn tín hiệu.
b. hở mạch RE đối với nguồn tín hiệu.
c. ngắn mạch RE đối với nguồn phân cực.
d. Giảm hệ số khuếch đại của mạch

3

Trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực, mạch phân cực có tính bất
ổn định nhiệt nhất là:
a. mạch phân cực theo kiểu định dòng
b. mạch phân cực theo kiểu phân áp
c. mạch phân cực có hồi tiếp từ collector
d. mạch phân cực theo kiểu định dòng có RE

4

Hệ số bất ổn định nhiệt của các dạng mạch phân cực dùng BJT có giá trị lớn

nhất khi
e. R B / R E > ( β + 1)
f. RB / R E < ( β + 1)
g. RB / R E < 1
h. RB / R E = ( β + 1)

5

Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ nhất khi

Đáp án


a. R B / R E > ( β + 1)
b. RB / R E < ( β + 1)
c. RB / R E < 1
d. RB / R E = ( β + 1)
6

Sự bất ổn định nhiệt của dòng IC do thông số nào bị thay đổi của BJT theo
nhiệt độ
a. Vγ
b. β
c. ICBO
d. a, b và c

7

điện trở RS trong mạch phân cực của transistor trường có chức năng
e. Phân cực cho cực S.

f. Ổn định nhiệt cho transistor
g. a và b đều đúng
h. a và b đều sai

8

Trong các dạng mạch phân cực sau đây dạng nào không phải là dạng mạch
phân cực cho transistor trường
e. mạch phân cực theo kiểu định dòng
f. mạch phân cực theo kiểu phân áp
g. mạch tự phân cực
h. mạch phân cực cố định

9

Để phân cực cho E_MOSFET kênh n không thể sử dụng dạng mạch phân cực
nào dưới đây
e. mạch phân cực hồi tiếp
f. mạch phân cực theo kiểu phân áp
g. mạch tự phân cực
h. mạch phân cực cố định

PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

TT
1

Câu hỏi và đáp án
BJT có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏ

Đáp án


2

3

4

5

6

7

8

e. Một
f. Hai
g. Ba
h. Bốn
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT được sử dụng khi
a. BJT hoạt động với tín hiệu nhỏ
b. BJT hoạt động với tín hiệu lớn
c. BJT hoạt động với tín hiệu trung bình
d. A, b và c
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT mắc theo kiểu CE chỉ được sử
dụng khi mạch khuếch đại dùng BJT
e. Mắc theo kiểu CE
f. Mắc theo kiểu CB

g. Mắc theo kiểu CC
h. A, b, c đều đúng
Thông số hib của BJT được tính theo công thức
∆VBE
≅ re
e. hib =
∆I E
∆V BE
≅ βre
f. hib =
∆I B
∆V BE
≅ βre
g. hib =
∆I E
∆V BE
≅ re
h. hib =
∆I B
Thông số hfe là hệ số khuếch đại của BJT đối với
a. Dòng điện xoay chiều
b. Dòng điện một chiều
c. Điện áp xoay chiều
d. Điện áp một chiều
Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thông số h được biểu diễn
e. Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
f. Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
g. Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
h. Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng ra
Trong các mạch khuếch đại sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp lớn nhất

e. Mạch khuếch đại mắc kiểu CE
f. Mạch khuếch đại mắc kiểu CB
g. Mạch khuếch đại mắc kiểu CC
h. A v à b
Mạch khuếch đại có điện trở vào bé nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
e. CE
f. CB
g. CC
h. Cả 3 đều có tổng trở vào bằng nhau


9

10

11

12

13

14

Mạch khuếch đại có điện trở ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE
b. CB
c. CC
d. CE và CB
Mạch khuếch đại có điện trở vào lớn nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE

b. CB
c. CC
d. CC và CE
Mạch khuếch đại có điện áp ra cùng pha với áp vào là mạch
a. CE
b. CB
c. CC
d. CC và CB
Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thông số y được biểu diễn
e. Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
f. Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
g. Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
h. Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng ra
JFET có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
e. Một
f. Hai
g. Ba
h. Bốn
Thông số gm của JFET được tính theo công thức
 VGS 

e. g m = g mo 1 −

V
p 

f.

gm = −

2 I DSS
VP

 VGS
1 −

Vp







ID
I DSS
h. cả 3 đều đúng
g. g m = g mo

15

16

Trong các mạch khuếch đại dùng JFET sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp
nhỏ nhất
a. Mạch khuếch đại mắc kiểu CD
b. Mạch khuếch đại mắc kiểu CS
c. Mạch khuếch đại mắc kiểu CG
d. b v à c
Mạch khuếch đại có điện trở ngõ ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu

a. CD
b. CS


17

18

c. CG
d. CD v à CS
Mạch khuếch đại có điện áp ra ngược pha với áp vào là mạch
e. CD
f. CS
g. CG
h. CC v à CG
Mô hình tương đương gần đúng đối với tín hiệu nhỏ
hình bên là mô hình của
e. JFET
f. D_MOSFET
g. E_MOSFET
h. a,b, c

CÁC KIỂU GHÉP TẦNG KHUẾCH ĐẠI

TT
1

Câu hỏi và đáp án
Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số
khuếch đại áp của toàn mạch

n

e.

AV = ∏ AVi
i =1
n

f.

AV = ∑ AVi
i =1
n

g. AV =  AVi
i =1
n

h. AV = AVi
i =1

2

Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số
khuếch đại dòng của toàn mạch
n

a.

Ai = ∏ Aii

i =1
n

b. Ai = ∑ Aii
i =1

Đáp án


n

c.

Ai =  Aii
i =1
n

d. Ai = Aii
i =1

3

Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ
vào của mạch là
a. Z i = Z i1
b. Z i = Z in
n

c. Z i = ∑ Z ii
i =1

n

d. Z i = ∏ Z ii
i =1

4

5

6

7

Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ
ra của mạch là
e. Z O = Z O1
f. Z O = Z On
g. Z O = Z O ( n +1)
h. Z O = Z O ( n −1)
Có bao nhiêu cách ghép tầng khuếch đại
a. Một
b. Hai
c. Ba
d. Bốn
Mạch khuếch đại ghép R-C có đặc điểm
a. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua tụ
điện
b. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện
trở
c. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp

d. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máy
biến áp
Mạch khuếch đại ghép biến áp có đặc điểm
e. Khuếch đại được cả tín hiệu DC và AC
f. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện
trở
g. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp
h. Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máy
biến áp


8

9

10

11

12

13

14

Mạch khuếch đại ghép trực tiếp không có đặc điểm
a. Các tầng khuếch đại ghép trực tiếp
b. Các tầng khuếch đại không cách ly về DC
c. Khuếch đại được tín hiệu DC và AC
d. Ổn định nhiệt

Dạng ghép trực tiếp đặc biệt nào cho hệ số khuếch đại dòng lớn
a. Darlington
b. Vi sai
c. Cascode
d. A, b, c đều sai
Mạch khuếch đại vi sai không có đặc điểm
e. Có hai ngõ vào
f. Ngoõ ra vi sai chỉ khuếch đại đối với tín hiệu vi sai
g. Ngoõ ra vi sai chỉ khuếch đại đối với tín hiệu cách chung (cộng sai)
h. Triệt nhiễu đồng pha tốt.
Mạch khuếch đại ghép cascode thường được sử dụng
e. Mạch khuếch đại tần số thấp
f. Mạch khuếch đại tần số cao
g. Mạch khuếch đại tín hiệu
h. Làm mạch khuếch đại đệm
Mạch khuếch đại ghép cascode không có đặc điểm sau
e. Có một ngõ vào
f. Có hai ngõ vào
g. Gồm mạch khuếch đại mắc CE ghép với CB.
h. Hệ số khuếch đại bằng một tầng khuếch đại.
Mạch khuếch đại ghép Darlington không có đặc điểm
e. Gồm hai transistor ghép trực tiếp
f. Có hệ số khuếch đại dòng điện của transistor tương đương bằng tích hệ
số khuếch đại dòng điện của hai transistor thành ph ần.
g. Có hệ số khuếch đại dòng điện của transistor tương đương bằng tổng
hệ số khuếch đại dòng điện của hai transistor thành phần.
h. Có tổng trở vào lớn
Có bao nhiêu cách ghép Darlington?
e. Một
f. Hai

g. Ba
h. Bốn


15

Mạch hình bên là mạch khuếch đại ghép
a. Darlington
b. Vi sai
c. Cascode
d. A,b,c đều sai

16

Tại sao trong mạch khuếch đại vi sai người ta thường dùng nguồn dòng thay
cho điện trở RE
e. Ổn định dòng điện tại cực E
f. Tăng hệ số khuếch đại dòng điện
g. Tăng hệ số khuếch đại đối với tín hiệu vi sai
h. Tăng tỉ số nén tín hiệu cách chung
Tỉ số nén tín hiệu cách chung được tính bằng công thức:
AVD
a. CMRR =
AVC
AVD
b. CMRRdB = 20 lg
AVC
AVC
c. CMRR =
AVD

d. a và b đều đúng

17

e. Ngân hàng câu hỏi và đáp án chi tiết chương 4
tt
1

Loại
Câu hỏi

Nội dung
MẠCH PHÂN CỰC CHO BJT
Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ)

Điểm
1đ
1đ

VCC

RC

RB

Ngõ vào ac

C1

IB

IC

C2
+

Ngõ ra ac

10µF

VCE

−

β = 50


Đáp án

I BQ =

VCC − VBE
RB

I CQ = βI B
VCEQ = VCC − I CQ RC
2

VCC = 15V

Câu hỏi

Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ)

RC

RB
IC

C2

IB

C
Vi

1đ

V0

β = 50

Si
RE

VE

IE

Đáp án

VCEQ
3

Câu hỏi

VCC − VBE
R
RE + B
β
= VCC − I CQ ( RC + RE )

I CQ =

Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) theo phương pháp tính chính xác
VCC

RB1

IC

RC
VC

C1

VB

Vi
10µF

RB2

Vo

10µF
VCE

β = 140

VE
IE

RE

CE
10µF

1đ


Đáp án

VB =
RBB =
IB =

RB 2
VCC
RB1 + RB 2

VCC

RB1 RB 2
RB1 + RB 2

RC

VBB − VCE
RBB + ( β + 1) RE

I C = βI B ≅ I E

VCE = VCC − I C ( RC + RE )

RBB
+

RD2

VBB

4

Câu hỏi

Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) theo phương pháp tính gần đúng

1đ

VCC

RB1

IC

RC
VC

C1

10µF
RB2

Đáp án

VB =

RB 2
VCC
RB1 + RB 2

VE = VB − VBE
IE =

VE
≅ IC
RE

VC = VCC − I C RC
VCE = VC − VE

Vo

10µF

VB

Vi

C2

VCE

β = 140

VE
IE

RE

CE
10µF


5

Câu hỏi

Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ)

Vcc

1đ

Rc
C2

Rf

+

V out

C1

V in
+
-

Đáp án

-

VCC = I CQ RC + I CQ

RB
+ VBE
β

VCC − VBE

RB
+ RC
β
= VCC − RC I CQ

→ I CQ =
VCEQ
6

Câu hỏi

Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ)

Vcc

Rb
V in

C1
C2V out
Re

Đáp án

VCC =

I CQ

β

VCC − VBE
RB
+ RE
β
= VCC − I CQ RE

→ I CQ =
VCEQ

RB + VBE + I CQ RE

1đ