Lý Bán Dẫn.PDF

[CAU1] Chất bán dẫn là chất có độ rộng vùng cấm:
[A] Tương đối hẹp
[B] Tương đối rộng
[C] Lớn hơn độ rộng vùng cấm của điện môi
[D] Bé hơn độ rộng vùng cấm của kim loại
[<=>] Độ dẫn điện của bán dẫn phụ thuộc vào nhiệt độ như thế nào?
[A]Tăng khi nhiệt độ tăng
[B]Giảm khi nhiệt độ tăng
[C]Không phụ thuộc vào nhiẹt độ
[D]Tăng khi nhiệt độ giảm
[<=>] So sánh độ dẫn điện của bán dẫn với kim loại và điện môi?
[A]Độ dẫn điện của bán dẫn nhỏ hơn của kim loại và lớn hơn của điện môi
[B]Độ dẫn điện của bán dẫn lớn hơn của kim loại và điện môi
[C]Độ dẫn điện của bán dẫn lớn hơn của kim loại và nhỏ hơn của điện môi
[D]Độ dẫn điện của bán dẫn nhỏ hơn của kim loại và điện môi
[<=>] Đặc điểm vùng hoá trị của chất bán dẫn?
[A]Các mức năng lượng được điện tử lấp đầy hoàn toàn nhưng khá gần vùng
dẫn
[B]Các mức năng lượng được điện tử lấp đầy hoàn toàn nhưng cách xa vùng
dẫn
[C]Các mức năng lượng trống hoàn toàn
[D]Các mức năng lượng được điện tử lấp đầy một phần
[<=>] Đặc điểm vùng dẫn của chất bán dẫn
[A]Các mức năng lượng trống hoàn toàn
[B]Các mức năng lượng được điện tử lấp đầy hoàn toàn
[C]Các mức năng lượng được điện tử lấp đầy một phần
[D]Là vùng không có các mức năng lượng
[<=>] Đặc điểm vùng cấm chất bán dẫn
[A]Là vùng không có các mức năng lượng
[B]Các mức năng lượng trống hoàn toàn
[C]Các mức năng lượng được điện tử lấp đầy hoàn toàn

[D]Các mức năng lượng được điện tử lấp đầy một phần
[<=>] Trong trường hợp đơn giản nhất thì các mức năng lượng trong vùng dẫn
và vùng hoá trị phụ thuộc vào vectơ sang k theo hàm bậc mấy?
[A]Bậc 2
[B]Bậc 3
[C]Bậc 4
[D]Bậc 5


[CAU2] Đặc điểm của bán dẫn tinh khiết?
[A] Không có các mức năng lượng nằm trong vùng cấm
[B] Có các mức năng lượng nằm trong vùng cấm
[C] Luôn có điện tử tự do trong vùng dẫn
[D] Luôn có lỗ trống tự do trong vùng hoá trị
[<=>] Để tạo ra bán dẫn loại n ta cần pha tạp chất có hoá trị:
[A]Cao hơn hoá trị của chất nền
[B]Bằng hoá trị của chất nền
[C]Bằng hoặc thấp hơn
[D]Thấp hơn hoá trị của chất nền
[<=>] Để tạo ra bán dẫn loại p ta cần pha tạp chất có hoá trị:
[A]Thấp hơn hoá trị của chất nền
[B]Cao hơn hoá trị của chất nền
[C]Bằng hoá trị của chất nền
[D]Bằng hoặc cao hơn
[<=>] Bán dẫn loại n có đặc điểm:
[A] Có các mức năng lượng nằm trong vùng cấm gần đáy vùng dẫn
[B] Có các mức năng lượng nằm trong vùng cấm gần đỉnh vùng hoá trị
[C] Có các mức năng lượng nằm chính giữa vùng cấm
[D] Không có mức năng lượng nào nằm trong vùng cấm
[<=>] Bán dẫn loại p có đặc điểm

[A] Có các mức năng lượng nằm trong vùng cấm gần đỉnh vùng hoá trị
[B] Có các mức năng lượng nằm trong vùng cấm gần đáy vùng dẫn
[C] Có các mức năng lượng nằm chính giữa vùng cấm
[D] Không có mức năng lượng nào nằm trong vùng cấm
[<=>] So sánh số lượng điện tử và lỗ trống trong bán dẫn loại n?
[A]Lượng điện tử nhiều hơn lỗ trống
[B]Lượng điện tử ít hơn lỗ trống
[C]Lượng điện tử bằng lỗ trống
[D]Lượng điện tử ít hơn hoặc bằng lỗ trống
[<=>] So sánh số lượng điện tử và lỗ trống trong bán dẫn loại p?
[A]Lượng điện tử ít hơn lỗ trống
[B]Lượng điện tử nhiều hơn lỗ trống
[C]Lượng điện tử bằng lỗ trống
[D] Lượng điện tử nhiều hơn hoặc bằng lỗ trống
[CAU3] Mức tạp dono là:
[A] Mức tạp chất cho điện tử
[B] Mức năng lượng nằm gần đ ỉnh vùng hoá trị


[C] Mức năng lượng không chứa điện tử ở nhiệt độ thấp
[D] mức năng lượng nằm chính giữa vùng cấm
[<=>] Mức tạp axepto là :
[A] Mức tạp chất nhận điện tử
[B] Mức tạp chất cho điện tử
[C] Mức tạp chất nằm chính giữa vùng cấm
[D]Mức tạp chất nằm gần vùng dẫn
[<=>] Tuỳ vào nồng độ tạp và loại tạp có trong bán dẫn mà bán dẫn được chia
làm mấy loại?
[A]5 loại
[B]3 loại

[C] 4 loại
[D] 2 loại
[<=>] Trong bán dẫn bù trừ toàn phần:
[A] nồng độ tạp dono bằng nồng độ tạp axepto
[B] Nồng độ điện tử bằng nồng độ lỗ trống
[C] Nồng độ điện tử lớn hơn nồng độ lỗ trống
[D]Nồng độ điện tử nhỏ hơn nồng độ lỗ trống
[<=>] Trong bán dẫn bù trừ một phần:
[A] Nồng độ tạp dono lớn hơn hoặc nhỏ hơn nồng độ tạp axepto
[B] Nồng độ tạp dono bằng nồng độ tạp axepto
[C] Nồng điện tử lớn hơn nồng độ lỗ trống
[D] Nồng độ điện tử bằng nồng độ lỗ trống
[<=>] Trong bán dẫn suy biến :
[A] Nồng độ pha tạp rất lớn
[B] Nồng độ pha tạp rất nhỏ
[C] Nồng độ tạp dono lớn hơn rất nhiều tạp axepto
[D] Nồng độ tạp dono nhỏ hơn rất nhiều tạp axepto
[CAU4] Quá trình phun hạt dẫn là quá trình:
[A] Phát sinh hạt dẫn do các kích thích bên ngoài
[B] Phát sinh hạt dẫn do kích thích nhiệt
[C] Phát sinh hạt dẫn do kích thích quang
[D] Phát sinh hạt dẫn do kích thích điện
[<=>] Trong điều kiện cân bằng thì:
[A] Quá trình phát sinh hạt dẫn bằng quá trình tái hợp hạt dẫn
[B] Không xảy ra quá trình phát sinh hạt dẫn
[C] Không xảy ra quá trình tái hợp hạt dẫn
[D] Chỉ xảy ra quá trình tái hợp hạt dẫn


[<=>] Để tạo ra quá trình phát sinh hạt dẫn phải phân cực cho chuyển tiếp p-n

như thế nào
[A] Phân cực thuận
[B] Phân cực ngược
[C] Dùng dòng điện xoay chiều
[D]Điện thế phân cực phải có giá trị lớn
[<=>] Đặc điểm của sơ đồ mạch sau là gì?
[A] Phân cực thuận và cho dòng điện chạy qua gần như hoàn toàn
[B] Phân cực ngược và không cho dòng điện chạy qua
[C] Phân cực thuận và không cho dòng điện chạy qua
[D] Phân cực ngược và cho dòng điện chạy qua gần như hoàn toàn
[<=>] Quá trình tái hợp hạt dẫn là quá trình như thế nào?
[A] Đưa điện tử từ mức năng lượng cao về mức năng lượng thấp hơn
[B] Đưa điện tử từ mức năng lượng thấp lên mức năng lượng cao hơn
[C] Đưa điện tử từ các mức tạp chất về mức năng lượng thấp hơn và phát xạ
phonon
[D] Đưa điện tử từ các mức tạp chất về mức năng lượng thấp hơn và phát xạ
photon
[<=>] Thế nào là quá trình tái hợp trực tiếp?
[A] Điện tử ở vùng dẫn tái hợp với một lỗ trống ở mức tạp dono
[B] Điện tử ở vùng dẫn tái hợp với một lỗ trống ở mức tạp axepto
[C] Điện tử ở mức tạp dono tái hợp với một lỗ trống ở mức tạp axepto
[D] Điện tử ở vùng dẫn tái hợp với một lỗ trống vùng hoá trị
[<=>] Thế nào là bán dẫn có vùng cấm thẳng?
[A]Bán dẫn có cực tiểu vùng dẫn và cực đại vùng hoá trị nằm cùng một điểm
trong vùng Brillouin
[B]Bán dẫn không có các mức tạp chất trong vùng cấm
[C]Bán dẫn có cực tiểu vùng dẫn và cực đại vùng hoá trị không cùng vecto
sóng k
[D]Độ rộng vùng cấm rất nhỏ
[<=>] Thế nào là bán dẫn có vùng cấm xiên?

[A] Bán dẫn có cực tiểu vùng dẫn và cực đại vùng hoá trị không cùng vecto
sóng k
[B]Bán dẫn có các mức tạp chất trong vùng cấm
[C]Bán dẫn có cực tiểu vùng dẫn và cực đại vùng hoá trị nằm cùng một điểm
trong vùng Brillouin
[D]Độ rộng vùng cấm rất lớn
[CAU5] Dòng khuyếch tán điện tích là dòng:


[A] Di chuyển của các điện tích từ nơi này đến nơi khác do sự chênh lệch về
nồng độ
[B] Di chuyển của các điện tích từ nơi này đến nơi khác do sự chênh lệch về
nhiệt độ
[C] Di chuyển của các điện tích dưới tác dụng của từ trường
[D] Di chuyển của các điện tích dưới tác dụng của điện trường
[<=>] Dòng cuốn các điện tích là dòng:
[A] Di chuyển của các điện tích dưới tác dụng của điện trường
[B] Di chuyển của các điện tích từ nơi này đến nơi khác do sự chênh lệch về
nhiệt độ
[C] Di chuyển của các điện tích từ nơi này đến nơi khác do sự chênh lệch về
nồng độ
[D] Di chuyển của các điện tích dưới tác dụng của từ trường
[<=>] Biểu thức tính dòng cuốn lỗ trống?
[A] Jc(p) = qp(x)  pE(x)
[B] Jc(p) = q  pE(x)
[C] Jc(p) = qp(x)E(x)
[D] Jc(p) = q  pE(x)Dp
[<=>] Biểu thức tính dòng khuếch tán lỗ trống?
dp( x)
dx

[A] Jc(p) = qDp
[B] Jc(p) = q  pE(x)
[C] Jc(p) = qp(x)E(x)
[D] Jc(p) = q  pE(x)Dp
[<=>] Câu 13. Trong bán dẫn loại n thì:
[A] Hạt tải chính là điện tử
[B] Hạt tải chính là lỗ trống
[C] Chỉ có điện tử không có lỗ trống
[D] Nồng độ điện tử bằng nồng độ điện tử
[<=>] Trong bán dẫn loại p thì:
[A] Hạt tải chính là lỗ trống
[B] Hạt tải chính là điện tử
[C] Chỉ có lỗ trống không có điện tử
[D] Nồng độ điện tử bằng nồng độ điện tử
[CAU6] Trong chuyển tiếp p-n trước khi tiếp xúc thì miền n :
[A] Trung hoà về điện
[B] Nhiễm điện âm
[C] Nhiễm điện dương


[D] Nhiễm điện cùng dấu với miền p
[<=>]Trong chuyển tiếp p-n trước khi tiếp xúc thì miền p :
[A]Trung hoà về điện
[B] Nhiễm điện âm
[C] Nhiễm điện dương
[D] Nhiễm điện cùng dấu với miền n
[<=>] Trong chuyển tiếp p-n khi mới bắt đầu tiếp xúc thì miền n :
[A] Nhiễm điện dương
[B] Trung hoà về điện

[C] Nhiễm điện âm
[D] Nhiễm điện cùng dấu với miền p
[<=>] Trong chuyển tiếp p-n khi mới bắt đầu tiếp xúc thì miền p :
[A] Nhiễm điện âm
[B] Trung hoà về điện
[C] Nhiễm điện dương
[D]Nhiễm điện cùng dấu với miền n
[<=>] Tính chất của miền tiếp xúc p-n?
[A] Vùng ngèo hạt tải
[B] Vùng giàu hạt tải
[C] Miền n giàu hạt tải, miền p ngèo hạt tải
[D] Miền p giàu hạt tải, miền n ngèo hạt tải
[<=>] Tác dụng của điện trường ở biên chuyển tiếp p-n với các hạt tải như thế
nào?
[A] Cuốn các hạt tải phụ và ngăn cản các hạt tải chính khuyếch tán qua biên
chuyển tiếp
[B] Cuốn các hạt tải chính và ngăn cản các hạt tải phụ qua biên chuyển tiếp
[C] Ngăn cản các hạt tải phụ và chính qua biên chuyển tiếp
[D] Cuốn cả hạt tải chính và phụ qua biên chuyển tiếp
[<=>] Biểu thức thế tiếp xúc ở biên chuyển tiếp p-n khi cân bằng được thiết
lập:
pp
q
ln
[A] Vbi= kbT pn
kbT p p
ln
[B] V = q pn
bi

[C] Vbi=

p
q
ln n
kbT p p


kbT
p
ln n
q
pp

[D]Vbi =
[CAU7] Khi tác dụng thế ngoài V thì năng lượng của điện tử bị thay đổi như
thế nào?
[A] E = E0 - qV(x)
[B] E = E0 - q2V(x)
[C] E = E0 + qV(x)
[D] E = E0 + q2V(x)
[<=>] Trong chuyển tiếp p - n khi cân bằng được thiết lập thì mức Fermi của
bán dẫn loại p :
[A] Bằng mức Fermi của bán dẫn loại n
[B] Lớn hơn mức Fermi của bán dẫn loại n
[C] Nhỏ hơn mức Fermi của bán dẫn loại n
[D] Bằng mức Fermi của bán dẫn loại n và nằm chính giữa vùng cấm
[<=>] Độ rộng vùng nghèo của chuyển tiếp p-n được tính bằng biểu thức:
1

[A] W0 =

 2Vbi  1
1  2




 q  Na Nd 
1

[B]

W0 =

[C] W0 =

 2Vbi  1
1  2




 q  Na Nd 

 2 Vbi

 q

 1

1 



 Na Nd 

 2 Vbi

 q

2

 1
1 



 Na Nd 

[D] W0 =
[<=>] Khi đặt thế ngoài vào chuyển tiếp p-n thì:
[A] Điện thế giữa ở biên chuyển tiếp p-n sẽ giảm đi nếu thế thuận, tăng lên nếu
thế nghịch
[B] Vùng nghèo thu hẹp nếu thế nghịch, rộng ra nếu thế thuận
[C]Vùng nghèo vẫn nằm trong trạng tháI cân bằng
[D] Điện thế giữa ở biên chuyển tiếp p-n sẽ tăng lên nếu thế thuận, giảm đi
nếu thế nghịch
[<=>] Khi đặt thế ngoài vào chuyển tiếp p-n thì:
[A] Dòng cuốn các hạt tải phụ bằng hằng số và dòng khuyếch tán các hạt tải
chính thay đổi theo hàm e-mũ

[B] Dòng cuốn các hạt tải phụ và dòng khuyếch tán các hạt tải chính thay đổi
theo hàm e-mũ


[C] Dòng cuốn các hạt tải phụ và dòng khuyếch tán các hạt tải chính luôn là
hằng số
[D] Dòng cuốn các hạt tải phụ thay đổi theo hàm e-mũ và dòng khuyếch tán các
hạt tải chính bằng hằng số
[<=>] Biểu thức tính dòng cuốn lỗ trống qua chuyển tiếp p-n khi có thế ngoài
áp đặt:
pn 0

I p (cuon)  qAL p

p

[A]

pn 0

I p (cuon)  qAV

p

[B]
I p (cuon)  qA

[C]

pn 0

p

p 
I p (cuon)  qALp  n 0 
 
 p 

2

[D]
[<=>] Biểu thức tính dòng cuốn điện tử qua chuyển tiếp p-n khi có thế ngoài
áp đặt:
I n (cuon)  qALn

np0

I n (cuon)  qAV

np0

n

[A]
[B]
I n (cuon)  qA

[C]

n

np0

n

n 
I n (cuon)  qALn  p 0 
 n 

2

[D]
[<=>] Khi đặt thế ngoài vào chuyển tiếp p-n thì lượng hạt tải chính có khả năng
vựot qua rào thế để khuyếch tán sang phía bên kia được tính theo công thức:
[A]

 q(Vbi  V ) 
 q(Vbi  V ) 
p '  p p exp  
 , n '  nn exp  

kbT
kbT





[B]

 q(Vbi  V ) 
 q(Vbi  V ) 
p '  p p exp 
 , n '  nn exp 

 kbT

 kbT


[C]

 (V  V ) 
 (Vbi  V ) 
p '  p p exp   bi
 , n '  nn exp  

kbT 
kbT 




 (V  V ) 
 (Vbi  V ) 
p '  p p exp  bi
 , n '  nn exp 

 kbT 
 kbT 

[D]
[<=>] Dòng điện đi qua chuyển tiếp p-n khi không có thế ngoài có chiều như
thế nào?
[A] Dòng điện do khuyếch tán có chiều từ p đến n, dòng cuốn từ n đến p
[B] Dòng điện do khuyếch tán có chiều từ n đến p, dòng cuốn từ p đến n
[C] Dòng điện do khuyếch tán và dòng cuốn đều có chiều từ p đến n
[D] Dòng điện do khuyếch tán và dòng cuốn đều có chiều từ p đến n
[<=>] .Đường đặc trưng vôn-ampe của chuyển tiếp p-n?
[A]


 V  
I  I const exp 
  1
 kbT  


[B]


 V
I  I const exp 
 kbT


[C]


 V

I  I const 1  exp 
 kbT



 V
I  I const exp  
 kbT

[D]

 
  1
 





 
  1
 

[<=>] Tại sao chuyển tiếp p-n có tính chỉnh lưu rõ rệt?
[A] Dòng điện chỉ đi theo một chiều khi áp đặt thế thuận
[B] Dòng điện chỉ đi theo một chiều khi áp đặt thế nghịch
[C] Dòng điện chỉ đi theo một chiều từ p đến n
[D] Dòng điện chỉ đi theo một chiều từ n đến p
[CAU8] Trong kim loại thì:
[A] Không có khái niệm lỗ trống, điện tử dẫn có số lượng lớn

[B] Số điện tử nhiều hơn số lỗ trống tự do
[C] Số lỗ trống nhiều hơn số điện tử tự do
[D] Số lỗ trống và số điện tử tự do bằng nhau
[<=>] Khái niệm công thoát điện tử:
[A] Năng lượng tối thiểu cần cung cấp cho điện tử để nó bật ra khỏi vật liệu.
[B] Năng lượng tối thiểu cần cung cấp cho điện tử để nó bật ra khỏi liên kết.
[C] Năng lượng tối thiểu cần cung cấp cho điện tử để điện tử chuyển từ mức
Fermi bay vào chân không.
[D] Năng lượng tối đa cần cung cấp cho điện tử để nó bật ra khỏi vật liệu.
[<=>] ở tiếp xúc kim loại - bán dẫn thì điện tử sẽ di chuyển như thế nào?
[A] Hướng đi của điện tử do công thoát điện tử quyết định
[B] Điện tử bao giờ cũng đi từ kim loại sang bán dẫn


[C] Điện tử bao giờ cũng đi từ bán dẫn sang kim loại
[D] Hướng đi của điện tử do sự chênh lệch nhiệt độ quyết định
[<=>]Dòng điện tử di chuyển từ kim loại sang bán dẫn và dòng điện tử di
chuyển từ bán dẫn sang kim loại được biểu diễn bằng công thức:
[A]

 q Sn 
 q M 
I M Sn  A exp  

 I Sn M  A exp  
 kBT  ,
 kBT 

[B]

 q Sn 
 q M 
I M Sn  A exp 

 I Sn M  A exp 
 kBT  ,
 kBT 
I M  Sn

[C]

 q M 
 A exp  

 k BT 

I M  Sn

I Sn  M

 q Sn 
 A exp  

 k BT 

I Sn  M

 q Sn 
 A exp 


 k BT 

2

 q M 
 A exp 

 k BT 

,
2

2

2

[D]
,
[<=>] Khi công thoát điện tử trong bán dẫn lớn hơn trong kim loại thì sự nhiễm
điện ở biên tiếp xúc như thế nào?
[A] Phía bán dẫn nhiễm điện âm, kim loại nhiễm điện dương
[B] Phía bán dẫn nhiễm điện dương, kim loại nhiễm điện âm
[C] Phía bán dẫn nhiễm điện âm, kim loại nhiễm điện âm
[D] Phía bán dẫn nhiễm điện dương, kim loại nhiễm điện dương
[<=>] Khi công thoát điện tử trong kim loại lớn hơn trong bán dẫn thì sự
nhiễm điện ở biên tiếp xúc như thế nào?
[A] Phía bán dẫn nhiễm điện dương, kim loại nhiễm điện âm
[B] Phía bán dẫn nhiễm điện âm, kim loại nhiễm điện dương
[C] Phía bán dẫn nhiễm điện âm, kim loại nhiễm điện âm
[D]Phía bán dẫn nhiễm điện dương, kim loại nhiễm điện dương

[<=>] Khi công thoát điện tử trong kim loại lớn hơn trong bán dẫn thì ở biên
tiếp xúc có tính chất sau:
[A] Bán dẫn loại n là vùng nghèo hạt tải, bán dẫn loại p là vùng giàu hạt tải
[B] Bán dẫn loại n là vùng giàu hạt tải, bán dẫn loại p là vùng nghèo hạt tải
[C] Bán dẫn loại n và loại p đều là vùng nghèo hạt tải
[D] Bán dẫn loại n và bán dẫn loại p đều là vùng giàu hạt tải
[<=>] Khi công thoát điện tử trong kim loại nhỏ hơn trong bán dẫn thì ở biên
tiếp xúc có tính chất sau:
[A] Bán dẫn loại n là vùng giàu hạt tải, bán dẫn loại p là vùng nghèo hạt tải
[B]Bán dẫn loại n là vùng nghèo hạt tải, bán dẫn loại p là vùng giàu hạt tải
[C] Bán dẫn loại n và loại p đều là vùng nghèo hạt tải
[D] Bán dẫn loại n và bán dẫn loại p đều là vùng giàu hạt tải


[<=>] Khi công thoát điện tử trong kim loại lớn hơn trong bán dẫn thì điện
trường ở biên tiếp xúc có tác dụng:
[A] Ngăn cản điện tử di chuyển từ bán dẫn sang kim loại
[B] Ngăn cản điện tử di chuyển từ kim loại sang bán dẫn
[C] Cuốn điện tử từ kim loại sang bán dẫn
[D] Cuốn điện tử từ bán dẫn sang kim loại
[<=>] Khi công thoát điện tử trong kim loại nhỏ hơn trong bán dẫn thì điện
trường ở biên tiếp xúc có tác dụng:
[A] Ngăn cản điện tử di chuyển từ kim loại sang bán dẫn
[B] Ngăn cản điện tử di chuyển từ bán dẫn sang kim loại
[C] Cuốn điện tử từ kim loại sang bán dẫn
[D] Cuốn điện tử từ bán dẫn sang kim loại
[<=>] Độ rộng của vùng điện tích không gian trong tiếp xúc kim loại -bán dẫn
có đặc điểm:
[A] Vùng điện tích không gian của bán dẫn là chủ yếu, của kim loại rất nhỏ
[B] Vùng điện tích không gian của bán dẫn là rất nhỏ, của kim loại là chủ yếu

[C] Vùng điện tích không gian của bán dẫn bằng của kim loại
[D] Độ rộng vùng điện tích không gian của bán dẫn và kim loại phụ thuộc vào
công thoát điện tử
[<=>] Biểu thức tính độ rộng vùng nghèo trong bán dẫn ở tiếp xúc kim loại bán dẫn được tính bằng biểu thức :
1

[A]

 2i
W0  
 q

 1
1  2



 Na Nd 

[B]

 2i
W0  
 q

 1
1  2




 Na Nd 

[C]

 2i  1
1
W0  


 q  Na Nd

[D]

 2i
W0  
 q

1





2

 1
1 




 Na Nd 

2

[CAU9] Tranzistor lưỡng cực có mấy biên chuyển tiếp p-n?
[A]2
[B]3
[C]4
[D]5


[<=>] Tranzistor lưỡng cực có mấy cực?
[A]2
[B]3
[C]4
[D]5
[<=>] Tranzistor lưỡng cực có mấy loại?
[A]2
[B]3
[C]4
[D]5
[<=>] Đặc điểm vùng bazơ của Tranzistor lưỡng cực?
[A] Là vùng rất hẹp và pha tạp yếu
[B] Là vùng rộng và pha tạp yếu
[C] Là vùng rất hẹp và pha tạp mạnh
[D] Là vùng rộng và pha tạp yếu
[<=>] Tranzistor có mấy chế độ hoạt động?
[A] 2
[B] 3
[C] 4

[D] 5
[<=>] Phân cực cho Tranzisto khi làm việc ở chế độ bão hoà?
[A] UBE phân cực thuận, UBC phân cực thuận
[B]UBE phân cực thuận, UBC phân cực ngược
[C] UBE phân cực ngựơc, UBC phân cực thuận
[D] UBE phân cực ngựơc, UBC phân cực ngược
[<=>] Phân cực cho Tranzisto khi làm việc ở chế độ tích cực ngược?
[A] UBE phân cực ngựơc, UBC phân cực thuận
[B] UBE phân cực ngựơc, UBC phân cực ngược
[C] UBE phân cực thuận, UBC phân cực thuận
[D] UBE phân cực thuận, UBC phân cực ngược.
[<=>] Phân cực cho Tranzisto khi làm việc ở chế độ ngắt?
[A] UBE phân cực ngựơc, UBC phân cực ngược
[B] UBE phân cực thuận, UBC phân cực thuận
[C] UBE phân cực thuận, UBC phân cực ngược
[D] UBE phân cực ngựơc, UBC phân cực thuận
[<=>] Phân cực cho Tranzisto khi làm việc ở chế độ tích cực thuận?
[A] UBE phân cực thuận, UBC phân cực ngược
[B] UBE phân cực ngựơc, UBC phân cực ngược


[C] UBE phân cực thuận, UBC phân cực thuận
[D] .UBE phân cực ngựơc, UBC phân cực thuận
[CAU10] Có mấy sơ đồ sử dụng chủ yếu của Tranzistor để khuyếch đại tín
hiệu?
[A]1
[B]2
[C]3
[D]4
[<=>] ở chế độ tích cực thuận của Tranzistor nếu lấy E làm lối vào và C làm

lối ra của tín hiệu thì đây là sơ đồ khuyếch đại gì?
[A] Khuyếch đại thế
[B] Khuếch đại dòng
[C] Khuyếch đại cả dòng và thế
[D] Tín hiệu không được khuyếch đại
[<=>] ở chế độ tích cực thuận của Tranzistor nếu lấy B làm lối vào và C làm
lối ra của tín hiệu thì đây là sơ đồ khuyếch đại gì?
[A] Khuyếch đại cả dòng và thế
[B] Khuyếch đại thế
[C] Khuếch đại dòng
[D] Tín hiệu không được khuyếch đại
[<=>] ở chế độ tích cực thuận của Tranzistor nếu lấy B làm lối vào và E làm
lối ra của tín hiệu thì đây là sơ đồ khuyếch đại gì?
[A]Khuếch đại dòng
[B] Khuyếch đại cả dòng và thế
[C] Khuyếch đại thế
[D] Tín hiệu không được khuyếch đại
[<=>] ở chế độ tích cực thuận của Tranzistor nếu lấy C làm lối vào và E làm lối
ra của tín hiệu thì đây là sơ đồ khuyếch đại gì?
[A]Tín hiệu không được khuyếch đại
[B] Khuếch đại dòng
[C] Khuyếch đại cả dòng và thế
[D] Khuyếch đại thế
[<=>] So sánh độ lớn của các dòng IE, IC, IB trong Tranzistor?
[A] Dòng IE lớn hơn dòng IC và IB
[B] Dòng IC lớn hơn dòng IE và IB
[C] Dòng IB lớn hơn dòng IC và IE
[D] Dòng IB nhỏ hơn IE nhưng lớn hơn IC
[<=>]Tại sao vùng bazơ của Tranzistor lại phải mỏng?

[A] Tiết kiệm nguyên liệu
[B] Giảm mức tối thiểu số hạt tải bị mất mát do rẽ nhánh đi ra cực bazơ
[C] Tăng xác suất tái hợp của các hạt tải từ E phun sang B
[D]Giảm giới hạn tần số làm việc của Tranzistor
[<=>] Tại sao vùng bazơ của Tranzistor lại phải mỏng?
[A] Tiết kiệm nguyên liệu
[B] Tăng số hạt tải bị mất mát do rẽ nhánh đi ra cực bazơ
[C] Giảm xác suất tái hợp của các hạt tải từ E phun sang B
[D]Giảm giới hạn tần số làm việc của Tranzistor
[<=>] Tại sao vùng bazơ của Tranzistor lại phải mỏng?
[A] Tiết kiệm nguyên liệu
[B] Tăng số hạt tải bị mất mát do rẽ nhánh đi ra cực bazơ
[C] Tăng xác suất tái hợp của các hạt tải từ E phun sang B
[D]Tăng giới hạn tần số làm việc của Tranzistor
[<=>] Tại sao vùng bazơ phải pha tạp yếu?
[A] Để bazơ dẫn điện kém
[B] Tăng dòng các hạt tải chính từ Emitơ phun sang bazơ
[C] Tăng dòng hạt tải chính từ Bazơ phun sang Colectơ
[D] Giảm xác suất các hạt tải do Emitơ phun sang bị tái hợp
[CAU11] ở chế độ tích cực thhuận của Tranzistor nếu lấy E làm lối vào của tín
hiệu và C làm lối ra của tín hiệu thì sơ đồ này được tắt là gì?
[A] Sơ đồ B chung
[B]Sơ đồ C chung
[C]Sơ đồ E chung
[D]Sơ đồ khuyếch đại thế
[<=>] ở chế độ tích cực thhuận của Tranzistor nếu lấy B làm lối vào của tín
hiệu và C làm lối ra của tín hiệu thì sơ đồ này được tắt là gì?
[A] Sơ đồ E chung
[B] Sơ đồ B chung

[C] Sơ đồ C chung
[D] Sơ đồ khuyếch đại dòng thế
[<=>] ở chế độ tích cực thhuận của Tranzistor nếu lấy B làm lối vào của tín hiệu
và E làm lối ra của tín hiệu thì sơ đồ này được tắt là gì?
[A] Sơ đồ C chung
[B] Sơ đồ E chung
[C] Sơ đồ B chung
[D]Sơ đồ khuyếch đại dòng
[<=>] Đặc trưng ra của Tranzistor là đường biểu diễn sự phụ thuộc của:


[A] I C  f (VCE ) |V

BE

 const

[B] I C  f (VBE ) |V

CE  const

[C] I E  f (VCE ) |V

BE  const

[D] I E  f (VBE ) |V const
[<=>] Đặc trưng truyền đạt của Tranzistor là đường biểu diễn sự phụ thuộc của:
CE

[A] I C  f (VBE ) |V

CE  const

[B] I C  f (VCE ) |V

BE

 const

[C] I E  f (VCE ) |V

BE  const

[D] I E  f (VBE ) |V const
[<=>] Thế nào là hiệu ứng Dember ?
[A] Hình thành một điện trường trong mẫu bán dẫn đồng nhất khi được chiếu
sáng
[B] Hình thành một điện trường trong mẫu bán dẫn khi có gradient nhiệt độ
[C] Hình thành một điện trường trong mẫu bán dẫn không đồng nhất ( nghĩa là
có gradient mức Fermi)
[D] Hình thành một điện trường trong mẫu bán dẫn đồng nhất khi có từ trường
[CAU12] Điều kiện xảy ra hấp thụ cơ bản?
CE



[A]

hc
Eg



[B]
[C]




hc
Eg
E g

hc
E g

hc
[D]
[<=>] Bờ hấp thụ cơ bản là gì?
[A]Là giá trị năng lượng tại đó hấp thụ ứng với chuyển mức vùng - vùng của
điện tử bắt đầu xảy ra.
[B] Là giá trị bước sóng nhỏ nhất tại đó hấp thụ ứng với chuyển mức vùng vùng của điện tử bắt đầu xảy ra.
[C] Là giá trị năng lượng bé nhất tại đó hấp thụ ứng với chuyển mức của điện tử
từ mức dono lên vùng dẫn.
[D] Là giá trị năng lượng bé nhất tại đó hấp thụ ứng với chuyển mức của điện tử
từ mức axcepto lên vùng dẫn.
[<=>] Theo cấu trúc vùng năng lượng hấp thụ ứng với chuyển mức vùng - vùng


được chia làm mấy loại?

[A] 2
[B] 3
[C] 4
[D] 5
[<=>] Điện tử tương tác với sóng điện từ cần thoã mãn mấy định luật:
[A] 2
[B] 3
[C] 4
[D] 5
[<=>] Điện tử tương tác với sóng điện từ cần thoã mãn các định luật nào sau
đây:
[A] Định luật bảo toàn năng lượng và xung lượng
[B] Định luật bảo toàn năng lượng và momen động lượng
[C] Định luật bảo toàn xung lượng và momen động lượng
[D] Định luật bảo toàn năng lượng và khối lượng
[<=>] Xung lượng của phôton so với xung lượng của điện tử thì:
[A] Xung lượng phôton có giá trị lớn hơn rất nhiều so với xung lượng điện tử
[B] Xung lượng phôton có giá trị lớn hơn xung lượng điện tử
[C] Xung lượng phôton có giá trị nhỏ hơn xung lượng điện tử
[D]Xung lượng phôton có giá trị bằng xung lượng điện tử
[<=>] Biểu thức tính hệ số hấp thụ trong chuyển mức thẳng
[A]

  A(

hc

  A(

hc



1

 E g ) 2
1

 E g ) 2


hc
  A(  Eg )2

[C]
hc
  A(  Eg )2

[D]

[B]

[<=>] Thế nào là quá trình hấp thụ bởi hạc tải tự do?
[A] Năng lượng hấp thụ chuyển điện tử tự do hoặc lỗ trống tự do trị lên các mức
năng lượng cao hơn nhưng vẫn nằm trong vùng năng lượng được phép cũ.
[B]Năng lượng hấp thụ chuyển điện tử từ vùng hoá trị lên vùng dẫn
[C] Năng lượng hấp thụ chuyển điện tử từ mức dono lên vùng dẫn
[D] Năng lượng hấp thụ chuyển điện tử từ mức axcepto lên vùng dẫn
[<=>] Nếu trong bán dẫn có cả tạp dono và axcepto thì sẽ có mấy cách điện tử
hấp thụ ánh sáng ?

[A] 4
[B] 5
[C] 6
[D] 7
[<=>] Giải phổ hấp thụ tạp nằm ở đâu?
[A] Sau bờ hấp thụ cơ bản về phía bước sóng dài
[B] Sau bờ hấp thụ cơ bản về phía bước sóng ngắn.
[C] Là một dải rộng có thể nằm cả trước và sau bờ hấp thụ
[D] Nằm sát biên bờ hấp thụ cơ bản
[CAU13] Photodetecto là gì?
[A]Là đầu thu với tác nhân kích thích là các photon ánh sáng
[B]Là đầu thu với tác nhân kích thích nhiệt
[C]Là đầu thu với tác nhân kích thích điện
[D]Là đầu thu với tác nhân kích thích từ
[<=>]Có mấy loại photodetecto chính?
[A] 4
[B] 5
[C] 6
[D] 7
[<=>] Có mấy loại photodiot?
[A] 2
[B] 3
[C] 4
[D] 5
[<=>] Nguyên lý làm việc của Photodiot?
[A] Đầu thu quang có một lớp p-n được phân cực ngược
[B] Đầu thu quang có một lớp p-n được phân cực thuận
[C] Đầu thu quang có hai lớp p-n, một lớp được phân cực ngược, một lớp phân

cực thuận
[D] Đầu thu quang có hai lớp p-n đều phân cực thuận
[<=>] Đặc trưng I-V của chuyển tiếp p-n khi được chiếu sáng?
[A]


 qV
I  I s exp 
 k BT


 
  1  I ph
 

[B]


 qV
I  I s exp 
 k BT


 
  1  I ph
 

[C]



 qV
I  I ph  I s exp 
 k BT


 
  1
 


2


 qV  
I  I s  exp 
  1  I ph
 k BT  


[D]
(Is là dòng ngược bão hoà, V là điện thế áp đặt lên chuyển tiếp, Iph là dòng được
sinh ra do chiếu sáng)
[<=>]Dòng điện chảy qua chuyển tiếp p-n khi phân cực ngược là:
[A] Dòng của các hạt tải phụ
[B] Dòng của các điện tử
[C] Dòng của các hạt tải chính
[D] Dòng của các lỗ trống
[<=>] Dòng điện chảy qua chuyển tiếp p-n khi phân cực thuận là:
[A] Dòng của các hạt tải chính
[B] Dòng của các hạt tải phụ

[C] Dòng của các điện tử
[D] Dòng của các lỗ trống
[CAU14] Laser là gì?
[A] Khuyếch đại ánh sáng về cường độ (số phôton tăng lên) bằng phát xạ cưỡng
bức
[B] Khuyếch đại ánh sáng về cường độ (số phôton tăng lên) bằng phát xạ tự
phát
[C] Khuyếch đại ánh sáng về năng lượng (năng lượng phôton tăng lên) bằng
phát xạ cưỡng bức
[D] Khuyếch đại ánh sáng về năng lượng (năng lượng phôton tăng lên) bằng
phát xạ tự phát
[<=>] Sự nghịch đảo mật độ là gì?
[A] Là số điện tử nằm ở mức năng lượng cao nhiều hơn số điện tử ở mức năng
lượng thấp
[B] Là số điện tử nằm ở mức năng lượng cao ít hơn số điện tử ở mức năng
lượng thấp
[C] Là số điện tử nằm ở mức năng lượng cao bằng số điện tử ở mức năng lượng
thấp
[D] Chỉ có điện tử ở mức năng lượng cao, mức năng lượng thấp hầu như không
có điện tử.
[<=>] Cấu tạo của laser có mấy cụm chức năng chính?
[A]3
[B] 4
[C] 5
[D] 6
[<=>] Để tạo ra sự nghịch đảo mật độ người ta dùng mấy cách bơm?


[A] 2
[B] 3

[C] 4
[D] 5
[<=>] Trong laser buồng cộng hưởng có vai trò gì?
[A] Tạo ra chùm photon có năng lượng đúng bằng khoảng cách giữa hai mức
năng lượng của điện tử để làm nguồn kích thích chiếu vào hệ
[B] Tạo ra sự ngịch đảo mật độ
[C] Để cơ chế phát xạ tự phát lớn hơn phát xạ cưỡng bức
[D] Để cơ chế phát xạ cưỡng bức lớn hơn phát xạ tự phát
[CAU15] Có mấy loại linh kiện bán dẫn phát quang chủ yếu?
[A] 2
[B] 3
[C]4
[D]5
[<=>] Các linh kiện bán dẫn phát quang đều làm việc dựa trên cơ sở hiện
tượng nào?
[A]Hiện tượng tái hợp phát xạ
[B]Hiện tượng tái hợp không phát xạ
[C] Hiện tượng tái hợp Auger
[D] Hiện tượng hấp thụ ánh sáng
[<=>] Để có hiện tượng tái hợp xảy ra trong bán dẫn thì phải chọn bán dẫn nào?
[A] Bán dẫn có vùng cấm thẳng và nằm trong trạng thái không cân bằng
[B] Bán dẫn có vùng cấm thẳng và nằm trong trạng thái cân bằng
[C] Bán dẫn có vùng cấm xiên và nằm trong trạng thái không cân bằng
[D]Bán dẫn có vùng cấm xiên và nằm trong trạng thái cân bằng
[<=>] Để chế tạo các linh kiện phát quang phải sử dụng bán dẫn như thế nào?
[A] Bán dẫn có vùng cấm thẳng
[B] Bán dẫn có vùng cấm xiên
[C] Bán dẫn tinh khiết
[D] Bán dẫn loại n hoặc p
[<=>] Phương pháp bơm điện trong các linh kiện bán dẫn phát quang:

[A]Sử dụng lớp chuyển tiếp p-n phân cực thuận
[B]Sử dụng lớp chuyển tiếp p-n phân cực ngược
[C] Sử dụng lớp chuyển tiếp kim loại - bán dẫn phân cực thuận
[D]Sử dụng lớp chuyển tiếp kim loại - bán dẫn phân cực ngược
[<=>] Để tăng khả năng phát quang của Led và laser người ta thường pha tạp
cho miền n và p của chuyển tiếp p-n như thế nào?


[A] Miền n và p đều pha tạp rất mạnh
[B] Miền n và p đều pha tạp rất yếu
[C] Miền n pha tạp yếu, miền p pha tạp rất mạnh
[D] Miền n pha tạp rất mạnh, miền p pha tạp yếu
[<=>] Nguyên lý phát quang của led?
[A] Led = chuyển tiếp p-n phân cực thuận, phát xạ tự phát
[B] Led = chuyển tiếp p-n phân cực ngược, phát xạ tự phát
[C] Led = chuyển tiếp p-n phân cực thuận, phát xạ cưỡng bức
[D] Led = chuyển tiếp p-n phân cực ngược, phát xạ cưỡng bức
[<=>]Nguyên lý phát quang của laser?
[A] Led = chuyển tiếp p-n phân cực thuận, phát xạ cưỡng bức
[B] Led = chuyển tiếp p-n phân cực thuận, phát xạ tự phát
[C] Led = chuyển tiếp p-n phân cực ngược, phát xạ tự phát
[D] Led = chuyển tiếp p-n phân cực ngược, phát xạ cưỡng bức
[<=>] Để phát xạ cưỡng bức lớn hơn phát xạ tự phát trong laser bán dẫn người
ta thường làm như thế nào?
[A]Pha tạp mạnh cho miền n và p, dùng điện thế mạnh phân cực cho chuyển
tiếp p-n, dùng buồng cộng hưởng
[B] Pha tạp yếu cho miền n và p, dùng điện thế mạnh phân cực cho chuyển tiếp
p-n, dùng buồng cộng hưởng
[C] Pha tạp mạnh cho miền n và p, dùng điện thế nhỏ phân cực cho chuyển tiếp
p-n, dùng buồng cộng hưởng

[D]Pha tạp yếu cho miền n và p, dùng điện thế nhỏ phân cực cho chuyển tiếp
p-n, dùng buồng cộng hưởng
[<=>] Các vật liệu dùng để chế tạo led và laser bán dẫn?
[A] Hợp chất A2B5 và A3B6
[B] Hợp chất A2B3 và A3B6
[C] Hợp chất A2B6 và A3B6
[D] Hợp chất A2B5 và A3B5
[<=>] Phương pháp thường sử dụng để chế tạo các linh kiện bán dẫn phát quang
là gì?
[A] Phương pháp epitaxy lỏng hoặc khí
[B] Phương pháp epitaxy chùm phân tử
[C] Phương pháp luyện vùng có nồi
[D]Phương pháp luyện vùng không nồi
[CAU16] Hàm phân bố cho ta biết?
[A] Xác suất điền đầy của điện tử ở mức năng lượng E
[B] Nồng độ điện tử ở trên vùng dẫn


[C] Nồng độ lỗ trống ở vùng hoá trị
[D] Nồng độ tạp chất trên mức năng lượng tạp chất
[<=>] Hàm phân bố điện tử trong điều kiện cân bằng nhiệt động?
1

f0 ( E, T ) 
e

[A]

e

F E
KT

1

1

f0 ( E, T ) 
e

[C]

1

1

f0 ( E, T ) 

[B]

EF
KT

f0 ( E, T ) 

F E
KT

1

1
EF
KT

e
1
[D]
[<=>] Hàm phân bố lỗ trống trong điều kiện cân bằng nhiệt động?
1

f0 p ( E, T ) 
e

[A]

e

EF
KT

1

1

f0 p ( E, T ) 

[C]

1

1

f0 p ( E, T ) 

[B]

F E
KT

e
f0 p ( E, T ) 

F E
KT

1
1

EF

e KT  1

[D]
[<=>] Hàm phân bố cân bằng Fermi-Dirac phụ thuộc vào những tham số nào?
[A] Năng lượng E, mức Fermi F và nhiệt độ T
[B] Năng lượng E, mức Fermi F và thể tích V
[C] Năng lượng E, mức Fermi F và áp suất P
[D] Năng lượng E, nhiệt độ T và thể tích V
[<=>] Định nghĩa mức Fermi ?
[A] Là mức năng lượng của bán dẫn cân bằng mà xác suất lấp đầy mức đó bởi

1
điện tử bằng 2

[B] Là mức năng lượng nằm chính giữa vùng cấm
[C] Là mức năng lượng nằm trên vùng dẫn cách đáy vùng dẫn một khoảng kT
[D] Là mức năng lượng nằm dưới vùng hoá trị cách đỉnh vùng hoá trị một
khoảng kT
[<=>] Hàm phân bố điện tử đối với các trạng thái tạp chất dono ?


f0 p ( E, T ) 

[A]
f0 p ( E, T ) 

[B]
f0 p ( E, T ) 

[C]

1
1
e
2

EF
KT

1

1
1
e
2

F E
KT

1

1
1
e
2

f0 p ( E, T ) 

F E
KT

1
1

1
e
2

EF
KT

1

[D]
[<=>] Hàm phân bố điện tử đối với các trạng thái tạp chất axcepto ?
1

f0 p ( E, T ) 
2e

[A]

2e

2e
f0 p ( E, T ) 

F E
KT

1

1

f0 p ( E, T ) 

[C]

1

1

f0 p ( E, T ) 

[B]

EF
KT

F E
KT

1

1
EF
KT

2e
1
[D]
[<=>] Hàm phân bố lỗ trống đối với các trạng thái tạp chất axcepto ?
f0 p ( E, T ) 

[A]
f0 p ( E, T ) 

[B]
f0 p ( E, T ) 

[C]

f0 p ( E, T ) 

1
1
e
2

F E
KT

1

1
1
e
2

EF
KT

1

1
1
e
2

F E
KT

1

1
1
e
2

EF
KT

1

[D]
[<=>] Hàm phân bố lỗ trống đối với các trạng thái tạp chất dono ?


1

f0 p ( E, T ) 

F E
KT

2e

[A]

1

1

f0 p ( E, T ) 
2e

[B]

EF
KT

1

1

f0 p ( E, T ) 
2e

[C]

F E
KT

f0 p ( E, T ) 

1
1

EF

2e KT  1

[D]
[CAU17] Biểu thức tính nồng độ điện tử trong vùng dẫn?
n

2Nc



[A]

2Nc

n



[B]

1  
2

1  
2

n

Nc
 1  
2 2

n

Nc

[C]

1  



2
[D]
[<=>] Biểu thức tính nồng độ lỗ trống tự do trong vùng hoá trị?

p

[A]
p

[B]

2 NV



2

2 NV



 1  
 1  
2

p

NV
 1  
2 2

p

NV

[C]

 1  

 2
[D]
[<=>] Đặc điểm mức Fermi của bán dẫn không suy biến?
[A] Mức Fermi nằm trong vùng cấm cách đáy vùng dẫn (hoặc đỉnh vùng hoá trị
) một khoảng lớn hơn kT
[B] Mức Fermi nằm trong vùng cấm cách đáy vùng dẫn (hoặc đỉnh vùng hoá trị
) một khoảng nhỏ hơn kT
[C] Mức Fermi nằm trong vùng dẫn (hoặc vùng hoá trị ) cách đáy vùng dẫn
(hoặc đỉnh vùng hoá trị) một khoảng lớn hơn kT
[D] Mức Fermi nằm trong vùng dẫn (hoặc vùng hoá trị ) cách đáy vùng dẫn

(hoặc đỉnh vùng hoá trị) một khoảng nhỏ hơn kT
[<=>] Đặc điểm mức Fermi của bán dẫn suy biến?
[A] Mức Fermi nằm trong vùng cho phép cách đáy vùng dẫn (hoặc đỉnh vùng
hoá trị) một khoảng lớn hơn 5kT
[B] Mức Fermi nằm trong vùng cấm cách đáy vùng dẫn (hoặc đỉnh vùng hoá trị
) một khoảng lớn hơn 5kT
[C]Mức Fermi nằm trong vùng cấm cách đáy vùng dẫn (hoặc đỉnh vùng hoá trị )
một khoảng nhỏ hơn 5kT
[D] Mức Fermi nằm trong vùng cho phép cách đáy vùng dẫn (hoặc đỉnh vùng
hoá trị) một khoảng nhỏ hơn 5kT
[<=>] Biểu thức tính nồng độ điện tử và lỗ trống khi bán dẫn là một hệ không
suy biến?
[A] n  NC e
[B]

n  NC e

[C] n  NC e
n  NC e

F  EC
kT
F  EC
kT

, p  NV e
, p  NV e

EC  F

kT
EC  F
kT

, p  NV e
, p  NV e

EV  F
kT
F  EV
kT
EV  F
kT
F  EV
kT

[D]
[<=>] Biểu thức tính nồng độ điện tử và lỗ trống khi bán dẫn là một hệ không
suy biến?
3

[A]

3
8  2m*d  2
8
n
 2   F  EC  2 , p 
3  h 
3

3
2

 2m pd
 2
 h





3
8  2m*d  2
8
n
 2   EC  F  2 , p 
3  h 
3

 2m* pd
 2
 h

3
2
  EV  F  2 ,


8  2m d 



3  h2 
*

 F  EC 

3
2

,p

3

[C]

3

3
2
  EV  F  2 ,


8
3

n

[B]

3
2

 2m* pd
 2
 h

n

8  2m d 


3  h2 
*

3
2

 EC  F 

3
2

,p

*

8
3

 2m pd
 2
 h
*

3

 F  EV  2 ,

3





3
2

3

 F  EV  2 ,

[D]
[CAU18] Phương trình trung hoà tổng quát có dạng như thế nào?
[A] (n + nd ) - (p + pa) = Nd - Na
[B] n - p = Nd - Na
[C]n + nd - pa = Na
[D]n - p = 0

[<=>] Phương trình trung hoà của bán dẫn riêng có dạng như thế nào?
[A] n - p = 0
[B] (n + nd ) - (p + pa) = Nd - Na
[C] n - p = Nd - Na
[D] n + nd - pa = Na
[<=>] Mức Fermi trong trường hợp bán dẫn riêng có md*= mpd*?
[A]

F

EC  EV
2

F

EC  EV kT  N d 

ln 

2
2  2 NC 

F

EC  EV kT  NV 

ln 

2
2  NC 

F

EC  EV kT  Nc 

ln 

2
2  Nv 

[B]
[C]

[D]
[<=>] Mức Fermi trong trường hợp bán dẫn riêng có md*
F

EC  EV kT  NV 

ln 

2
2  NC 

F

EC  EV kT  N d 

ln 


2
2  2 NC 

[A]
[B]

EC  EV kT  Nc 

ln 

2
2  Nv 
E  EV
F C
2



mpd*?

F

[C]

[D]
[CAU19] Phương trình trung hoà của bán dẫn chứa một loại tạp chất dono?
[A] n = p + Nd+
[B] n = p + Nd
[C] n = nd + Nd+
[D]n = nd + Nd

[<=>] ở vùng nhiệt độ thấp - vùng “đông cứng hạt dẫn”-bán dẫn chứa một loại
tạp chất (dono) có phương trình trung hoà là:
[A] n = Nd+
[B] n = Nd
[C] n = nd
[D] n = nd + Nd
[<=>] ở vùng nhiệt độ thấp - vùng “đông cứng hạt dẫn”-bán dẫn chứa một loại