Transistor hai cực tính -BJT

C u t o ấ ạ
Nguyên t c ho t đ ng ắ ạ ộ
Ba s đ c b n c a BJT ơ ồ ơ ả ủ
Transistor hai c c tính -BJTự
Đ c tuy n c a BJTặ ế ủ
M ch phân c c c b n cho BJTạ ự ơ ả
M ch khu ch đ i l p A dùng BJTạ ế ạ ớ
Transistor hai c c tính -BJTự
E
B
B
C
C
E
P
P
P+
N
N
N+

BJT là 1 lo i lkbd 3 c c có kh ạ ự ả
năng khu ch đ i ho c ho t đ ng ế ạ ặ ạ ộ
nh 1 khóa đóng m . Nó s d ng ư ở ử ụ
c hai lo i h t d n: đi n t , l ả ạ ạ ẫ ệ ử ỗ
tr ng. ố

BJT đ c c u t o t 2 l p tx P-ượ ấ ạ ừ ớ
N, các l p bán d n này có m t đ ớ ẫ ậ ộ
h t d n đa s không gi ng nhau. ạ ẫ ố ố
N+, P+ là l p bán d n có m t đ ớ ẫ ậ ộ

cao h n.ơ

BJT có hai chuy n ti p P-N r t ể ế ấ
g n nhau. Ho t đ ng c a BJT ầ ạ ộ ủ
d a trên s t ng tác gi a hai ự ự ươ ữ
chuy n ti p này. ể ế
C u t o ấ ạ
Transistor hai c c tính -BJTự

Ngu n Eồ
1
phân c c cho Jự
E
, Ngu n ồ
E
2
phân c c cho Jự
C


Khi E
1
,E
2
= 0,hình thành mi n ề
nghèo Jở
E
và J
C
t ng t 2 diodeươ ự


Khi E
1
= 0, E
2
!= 0, J
C
phân c c ự
ng c, vùng nghèo tăng, có dòng ượ
ng c Iượ
CBO.


Khi E
1
!= 0, E
2
!= 0, J
C
phân c c ự
ng c, JE phân c c thu n, đi n t ượ ự ậ ệ ử
t N+ phun qua P t o dòng Iừ ạ
E
, và l ỗ
tr ng t P phun qua N+ố ừ
.
Nguyên t c ho t đ ngắ ạ ộ
J
E
J

C
N+
N
P
αI
E
I
CBO
I
C
I
E
B
E C
E
2
E
1
I
CBO
<<
Transistor hai c c tính -BJTự
J
E
J
C
N+
N
P
αI

E
I
CBO
I
C
I
E
B
E C
E
2
E
1

Khi E
1
!= 0, E
2
!= 0, đi n t t N+ ệ ử ừ
phun qua P t o dòng Iạ
E
, và l tr ng ỗ ố
t P phun qua N+ừ tao dong Ị ̀
B.

n
N+
>> n
P
, 1 l ng nh đi n t ượ ỏ ệ ử

đ c tái h p l p B còn ph n l n ượ ợ ở ớ ầ ớ
v n khu ch tán t i l p C. t i C đi n ẫ ế ớ ớ ạ ệ
t s bi đi n tr ng Jc hút v t o ự ẽ ệ ườ ề ạ
nên dòng I
C

α = (đt t i C ) / (đt phát t E ) ử ớ ử ừ
α h s truy n đ t dòng đi n phátệ ố ề ạ ệ
I
C
= α I
E
+I
CBO
≈ α I
E

I
E
= I
B
+I
C

Nguyên t c ho t đ ngắ ạ ộ
=>I
C
= α/(1-α) I
B
β = α/(1-α)

β : hê sô khuêch đai dong̣ ́ ́ ̣ ̀
I
C
= β I
B

Khi BJT đã đ c phân c c. ượ ự
Thêm ngu n tín hi u nh ngồ ệ ỏ uôn ̀
dong ì
s
nh hình v . ư ẽ

M c đ phân c c Jứ ộ ự
E
s thay đ i ẽ ổ
theo i
s
làm dòng đi n t E t i C ệ ử ớ
cũng thay đ i theo => iổ
C
thay đ i ổ
theo i
s
. i
b
~ i
s
va ì
c
= β i

b

i
C
l n h n iớ ơ
s
=> BJT khu ch đ i ế ạ
tính hi u. ệ
i
C
= I
C
+ i
c
(2.61)
Transistor hai c c tính -BJTự
Nguyên t c ho t đ ngắ ạ ộ
J
E
J
C
α
I
E
i
b
I
C
I
E

B
E
C
E
1
i
s
I
C
I
E
B
E
C
E
2
E
1
R
E
R
C
R
L
Transistor hai c c tính -BJTự

Tín hi u vào c n khu ch ệ ầ ế
đ i đ c đ a vào 2 c c E,B.ạ ượ ư ự

Tín hi u ra đ c l y t 2 ệ ượ ấ ừ

c c C,B.ự

M ch khu ch đ i áp (Rạ ế ạ
C
//R
L
>> R
E
).

M ch có đ l i dòng <1 (Iạ ộ ợ
C
≈ I
E
, I
L
< I
C
).
Ba s đ c b n c a BJT ơ ồ ơ ả ủ

B chung

Tín hi u vào c n khu ch ệ ầ ế
đ i đ c đ a vào 2 c c B, E.ạ ượ ư ự

Tín hi u ra đ c l y t 2 ệ ượ ấ ừ
c c C, E.ự
E
2

E
1
R
C
R
B
V
IN
V
OUT
B
E
C
I
C
I
B

T 2.59 và 2.60 ừ
⇒
I
C
= α ( I
B
+ I
C
) + I
CBO
⇒
I

C
= β I
B
+ I
CEO
V i: ớ β = α/(α-1) h s khu ch đ i dòng m ch E.C.ệ ố ế ạ ạ
I
CEO
= (β+1) I
CBO
(<< β I
B
)

M ch khu ch đ i dòng, khu ch đ i áp ạ ế ạ ế ạ .
Ba s đ c b n c a BJT ơ ồ ơ ả ủ
Transistor hai c c tính -BJTự

E chung

Tín hi u vào c n khu ch ệ ầ ế
đ i đ c đ a vào 2 c c B, G.ạ ượ ư ự

Tín hi u ra đ c l y t 2 ệ ượ ấ ừ
c c E,G.ự

M ch khu ch đ i dòng (Iạ ế ạ
E
>> I
B

).

M ch có đ l i áp ạ ộ ợ ≈ 1 .
E
2
E
1
R
E
R
B
V
IN
V
OUT
G
B
E
C
Ba s đ c b n c a BJT ơ ồ ơ ả ủ
Transistor hai c c tính -BJTự

C chung
Đăc tuyên BJT (E chung ) ̣ ́
Transistor hai c c tính -BJTự

M ch kh o sát đ c tuy n V-A c a ạ ả ặ ế ủ
BJT ki u CEể
A