Bài 4 transistor (điện tử cơ bản_ĐHCT)
Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (224.17 KB, 7 trang )
BÀI 4: TRANSISTOR BJT VÀ JFET
4.1 Transistor BJT
4.1.1. Transistor phân cực E chung
Mô phỏng:
U2
-
0.000
+
A
DC 1e-009Ohm
U3
+
A
0.000
DC 1e-009Ohm
R2
R1
1.0kΩ
Q1
U1
+
100kΩ
V2
12 V
2N2218
-
12.000V DC 10MOhm
V1
3V
Kết quả:
U2
-
+
2.313mA
DC 1e-009Ohm
U3
+
A
0.024m
DC 1e-009Ohm
V1
3V
R2
R1
1.0kΩ
Q1
+
100kΩ
2N2218
V2
12 V
-
U1
12.000V DC 10MOhm
-
BJT dẫn khuếch đại, dẫn bão hòa, vì có dòng chạy trên R2 và R1.
-
SW mở: BJT ko dẫn.
-
VBB= -3V, BJT không dẫn.
4.1.2. Mạch khuếch đại đảo (đảo xung)
Mô phỏng:
XSC1
V1
12 V
R2
1.0kΩ
G
A
XFG1
R1
10kΩ
Q1
XSC2
G
2SC1815
T
A
Kết quả:
- Dạng sóng ngõ vào trên XSC2:
B
C
D
B
C
T
D
-
Dạng sóng ngõ ra trên XSC1:
4.1.3. Mạch khuếch đại đệm xung
Mô phỏng:
XSC1
R1
500kΩ
V1
3V
V2
12 V
Q1
G
A
2N3702
B
C
T
D
R2
1.0kΩ
XFG1
C1
1µF
Q2
2SC1815
Kết quả:
- Dạng sóng trên XSC1:
4.1.4. Mạch ứng dụng transistor làm nguồn dòng để tạo sóng răng
cưa
Mô phỏng
Kết quả
Dạng sóng hai đầu tụ trên XSC1.
4.1.5. Mạch khuếch đại tín hiệu
Mô phỏng
Kết quả
4.2. JFET
4.2.1. Giữa G-S, G-D như là diode
Kết quả
U1= -5.382 V
U2= 0.618 V
4.2.2. Đo dòng IDSS
Kết quả
4.2.3. Phân cực ngược G-S
Kết quả
