ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
Trịnh Xuân Sỹ
CHẾ TẠO MÀNG NANO KIM LOẠI QUÝ VÀ TÌM HIỂU
KHẢ NĂNG ỨNG DỤNG
LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC
Hà Nội, Năm 2014
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
Trịnh Xuân Sỹ
CHẾ TẠO MÀNG NANO KIM LOẠI QUÝ VÀ TÌM HIỂU
KHẢ NĂNG ỨNG DỤNG
Chuyên ngành: Vật lý chất rắn
Mã số: 60440104
LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC
NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:
PGS.TS. Nguyễn Hoàng Hải
Hà Nội, Năm 2014
LỜI CẢM ƠN
Lời đầu tiên, em xin gửi lời cảm ơn chân thành và sâu sắc nhất PGS.TS.
Nguyễn Hoàng Hải, người đã đã tận tình hướng dẫn và tạo điều kiện giúp đỡ
em hoàn thành luận văn này.
Xin bày tỏ lòng cảm ơn sâu sắc đến anh Lưu Mạnh Quỳnh đã đóng góp
những ý kiến quý báu trong suốt quá trình thí nghiệm và hoàn thiện luận văn.
Em cũng gửi lời cảm ơn chân thành tới các Thầy, Cô, các anh chị và các
bạn học viên thuộc Bộ môn Vật lý Chất rắn, Trung tâm Khoa học Vật liệu, khoa
Vật lý của Trường Đại học Khoa học Tự nhiên – Đại học Quốc Gia Hà Nội đã
hỗ trợ, tạo điều kiện và đóng góp ý kiến quý báu về kết quả của luận văn.
Cuối cùng, em xin gửi lời cảm ơn chân thành tới bạn bè và những người
thân trong gia đình đã luôn động viên, giúp đỡ em trong suốt quá trình học tập
cũng như hoàn thành luận văn.
Hà Nội, tháng 12 năm 2014
Học viên
Trịnh Xuân Sỹ
MỤC LỤC
DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT
CVD (chemical vapor deposition)
Lắng đọng pha hơi hóa học
XRD (XRay Diffraction )
Nhiễu xạ tia X
SEM (Scanning Electron
Microscope)
EDX hoặc EDS (Energydispersive
Xray spectroscopy)
Phổ tán sắc năng lượng tia X
AFM (Atomic force microscopy)
Kính hiển vi lực nguyên tử
FTIR (Fourier transform infrared
Quang phổ hồng ngoại chuyển đổi
spectroscopy)
Fourier
SAM (selfassembled monolayer)
Đơn lớp tự sắp xếp
4ATP
4Aminothiophenol
EDC
Kính hiển vi điện tử quét
1Ethyl3(3dimethylaminopropyl)
ethylcarbodiimide
PBS
Phosphatebuffered saline
EG
Ethylene glycol
GA
Glycolaldehyde
DANH MỤC HÌNH VẼ
Tên hình vẽ
Trang
Hình 1.1. Một số phương pháp chế tạo màng mỏng
8
Hình 1.2. Sơ đồ hệ bốc bay nhiệt
9
Hình 1.3. Sơ đồ hệ bốc bay chùm điện tử
10
Hình 1.4. Sơ đồ hệ phún xạ
11
Hình 1.5. Sơ đồ phương pháp CVD
13
Hình 1.6. Sơ đồ phương pháp mạ điện
14
Hình 1.7. Các bộ phận chính của một cảm biến sinh học
20
Hình 1.8. Mô hình màng sau khi được chức năng hóa
24
Hình 2.1. Sơ đồ chế tạo màng Pt bằng phương pháp khử polyol
29
Hình 2.2. Nhiễu xạ tia X
31
Hình 2.3. Thiết bị kính hiển vi điện tử quét Jeol 5410 LV tại Trung
tâm Khoa học Vật liệu
Hình 2.4. Mô hình đo kính hiển vi lực nguyên tử
33
35
Tên hình vẽ
Trang
Hình 2.5. Sơ đồ hệ đo biên dạng đầu dò hình kim
36
Hình 3.1. Giản đồ nhiễu xạ màng Pt trước khi ủ nhiệt
40
Hình 3.2. Giản đồ nhiệt xạ của màng Pt khi nung ở các nhiệt độ
khác nhau
41
Hình 3.3. Phổ EDX của mẫu trước khi nung
43
Hình 3.4. Phổ EDX của mẫu nung ở 450°C
43
Hình 3.5. Ảnh SEM màng Pt chế tạo ở 140°C trước khi nung
44
Hình 3.6. Ảnh SEM màng Pt chế tạo ở 140°C sau khi nung ở
450°C. (a) cấu trúc màng, (b) các đám hạt
44
Hình 3.7. Ảnh SEM mẫu chế tạo ở 160°C
46
Hình 3.8. Ảnh AFM của mẫu chế tạo ở 140°C sau khi nung
46
Hình 3.9. Kết quả đo độ dày màng bằng AlphaStep
47
Hình 3.10. Phổ FTIR (a) 4ATP trên đế Silic (b) màng Pt sau khi
được chức năng hóa bằng 4ATP
Hình 3.11. Hình ảnh mô tả màng Pt sau khi được chức năng hóa
Hình 3.12. Phổ Raman của màng Pt và màng Pt sau khi chức năng
hóa bằng 4ATP
49
50
51
Tên hình vẽ
Hình 3.13. Phổ FTIR của màng Pt gắn kết enzyme
Hình 3.14. Phổ FTIR của màng Pt gắn axit citric ở thang đo (a) 500
– 4000 cm1 (b) 1200 – 2200 cm1
Trang
53
55
DANH MỤC BẢNG BIỂU
Tên Bảng
Trang
Bảng 2.1. Danh sách các hóa chất sử dụng
29
Bảng 3.1. Các kết quả tính kích thước hạt theo các đỉnh nhiễu xạ
40
Bảng 3.2. Kết quả các kích thước của hạt ở nhiệt độ 300°C.
41
Bảng 3.3. Kết quả các kích thước của hạt ở nhiệt độ 450°C.
42
Bảng 3.4. Vị trí các mode dao động của 4ATP nguyên chất và
màng Pt đã được chức năng hóa
Bảng 3.5. Vị trí đỉnh Raman của 4ATP nguyên chất và màng Pt
sau khi được chức năng hóa bằng 4ATP
50
52
MỞ ĐẦU
Hiện nay, lắng đọng màng kim loại vẫn đang là một chủ đề quan trọng,
thu hút được nhiều sự quan tâm từ cả trong và ngoài nước. Bên cạnh các kỹ
thuật lắng đọng thông thường, các phương pháp tiếp cận mới liên tục được tìm
hiểu và nghiên cứu, đã không những giải quyết được nhiều khó khăn trước đây
mà còn tác động mạnh lên khả năng ứng dụng của màng kim loại trong thực tiễn.
Một trong số những phương pháp mới gây được sự chú ý gần đây là phương
pháp lắng đọng màng kim loại sử dụng phản ứng khử muối. Chúng ta biết rằng
các phản ứng hóa học khử muối có thể tạo ra kim loại nguyên chất ở nhiệt độ
thấp. Vì vậy chúng đã được ứng dụng rộng rãi để chế tạo các hạt nano kim loại
[26, 40, 47] nhưng lại rất hiếm khi được sử dụng trong việc lắng đọng màng do
hiện tượng các mầm kim loại thường hình thành và lớn lên trong lòng chất lỏng
và tạo thành hạt kim loại thay vì thành màng. Tuy nhiên nếu kiểm soát sao cho
mầm kim loại hình thành và phát triển trên bề mặt chất nền thì có thể thu được
màng kim loại với chất lượng tốt ở nhiệt độ thấp.
Platin là một kim loại quý, có nhiều ứng dụng quan trọng trong các lĩnh
vực khác nhau. Pt có tính trơ, rất ít bị ăn mòn, dẫn điện tốt và khả năng xúc tác
hiệu quả trong nhiều phản ứng hóa học, nên thường được sử dụng trong các hệ
thống chuyển đổi năng lượng như pin năng lượng mặt trời [41, 50, 56, 59, 65], tế
bào nhiên liệu (fuel cells) [3, 7, 19, 53, 57] và cả trong cảm biến sinh học [3, 35,
38]. Trong nhiều ứng dụng, Pt thường dùng dưới dạng màng. Màng Pt có thể
được lắng đọng bằng nhiều phương pháp hóa lý khác nhau. Nó có thể được chế
tạo từ kim loại Pt nguyên chất sử dụng phương pháp phún xạ magnetron [39, 57],
lắng đọng pha hơi hóa học [32, 49, 56] bốc bay chùm điện tử hay bốc bay nhiệt.
Nó cũng có thể chế tạo từ dung dịch muối Pt hay axit chloroplatinic sử dụng
phương pháp lắng đọng điện hóa [12, 61] hoặc mạ hóa học [14, 15, 31, 72]. Mỗi
12
phương pháp này đều có những giới hạn và nhược điểm riêng. Chẳng hạn, phún
xạ magnetron và bốc bay chùm điện tử yêu cầu chân không và năng lượng cao,
làm tăng đáng kể chi phí chế tạo. Lắng đọng điện hóa thì cần đế có độ dẫn tốt
và độ ổn định cao trong dung dịch điện giải, trong khi đó lắng mạ hóa học lại
cần một lớp kim loại hoạt động trên bề mặt của chất nền.
Trong thời gian gần đây, phương pháp khử polyol muối Pt bắt đầu được
sử dụng rộng rãi để lắng đọng màng Pt. Đây là phương pháp đơn giản chỉ sử
dụng các phản ứng hóa học thuần túy nên chi phí rẻ, không yêu cầu các thiết bị
phức tạp hay môi trường chế tạo đặc biệt, mà vẫn thu được màng kim loại có
chất lượng tốt, thích hợp cho nhiều ứng dụng khác nhau. Trước đó, phương pháp
polyol chủ yếu dùng để chế tạo các hạt nano kim loại [10, 60, 63], rất ít nghiên
cứu trong việc chế tạo màng. Kurihara và các đồng sự đã có một báo cáo ngắn
gọn về lắng đọng màng kim loại bao gồm Co, Ni, Rh, Re,W, Pt, và Au trên nền
các đế không dẫn khác nhau như pyrex, kapton, teflon, sợi graphit, sợi cacbon,
bằng cách nhúng các đế này vào trong hỗn hợp dung dịch phản ứng của muối
kim loại [44]. Màng sau khi chế tạo có cấu trúc nano với kích thước tinh thể
trung bình khoảng 10 nm. Hiện nay, đã có nhiều công trình trình sử dụng phương
pháp khử polyol để lắng đọng màng Pt như một phương pháp đơn giản và tiết
kiệm [41, 65, 66]. Tuy nhiên đa số các nghiên cứu này đều chỉ tập trung ứng dụng
vào pin mặt trời, gần như chưa có một báo cáo nào thử nghiệm ứng dụng trong
những lĩnh vực khác, đặc biệt là lĩnh vực sinh học. Vì vậy nhằm mục đích tìm
hiểu, chúng tôi tiến hành nghiên cứu các tính chất của màng Pt được chế tạo
bằng phương pháp polyol trên đế silic đồng thời thử nghiệm ứng dụng trong chế
tạo cảm biến sinh học với tên đề tài của luận văn là:
“Chế tạo màng nano kim loại quý và tìm hiểu khả năng ứng dụng”
13
Trong luận văn, chúng tôi sử dụng polyol là ethylene glycol để khử muối
H2PtCl6 tạo màng Pt trên đế silic. Màng sau khi tạo thành được xử lý nhiệt để
phân hủy hết các thành phần hữu cơ còn sót lại đồng thời tăng cường độ bám
dính lên đế. Các đặc tính cấu trúc, hình thái và tính chất được nghiên cứu một
cách cụ thể và chi tiết. Cuối cùng màng được thử nghiệm trong chế tạo cảm
biến sinh học thông qua nghiên cứu khả năng chức năng hóa bề mặt và khả năng
đính kết với một số phân tử sinh học.
Như vậy mục tiêu chính của luận văn được đặt ra:
Chế tạo màng nano Pt bằng phương pháp khử polyol
Nghiên cứu cấu trúc, hình thái bề mặt và tính chất của màng được
tạo thành
Thử nghiệm khả năng ứng dụng trong chế tạo cảm biến sinh học
Luận văn được chia làm các 3 phần:
Chương I: Tổng quan các phương pháp chế tạo màng Pt, tính chất
của Pt và giới thiệu về cảm biến sinh học
Chương II: Thực nghiệm – Quy trình chế tạo màng Pt, chức năng
hóa bề mặt màng và đính kết với một số phân tử sinh học
Chương III: Kết quả và thảo luận
14
Chương 1: TỔNG QUAN
1.1. Giới thiệu về Platin
Platin hay còn gọi là bạch kim là một nguyên tố hóa học, ký hiệu Pt có số
nguyên tử 78 trong bảng tuần hoàn các nguyên tố hóa học. Platin là một kim loại
chuyển tiếp quý hiếm. Mặc dù nó có sáu đồng vị tự nhiên, những platin vẫn là
một trong những nguyên tố hiếm nhất trong lớp vỏ Trái Đất với mật độ phân bố
trung bình khoảng 0,005 mg/kg. Platin thường được tìm thấy ở một số quặng
niken và đồng, chủ yếu là ở Nam Phi chiếm 80% tổng sản lượng trên toàn thế
giới.
Platin thường được sử dụng trong làm chất xúc tác, trang thiết bị phòng thí
nghiệm, thiết bị điện báo, các điện cực, nhiệt kế điện trở, thiết bị nha khoa, và
đồ trang sức.
1.1.1. Tính chất vật lý
Platin là nguyên tố thuộc chu kỳ VI, nhóm VIII B, có cấu hình electron là
[Xe]4f145d96s1. Khối lượng mol là 195 g/mol, có mạng lưới tinh thể lập phương
tâm mặt. Nhiệt độ nóng chảy của platin khoảng 1768°C, nhiệt độ sôi cỡ 3825°C.
Platin có màu trắng bạc, sáng bóng, là một trong những kim loại dẻo dai
nhất, dễ kéo sợi và dễ dát mỏng: 1g Pt có thể kéo thành sợi với chiều dài 5km và
có thể dát mỏng platin tới độ dày cỡ micromet [2]. Platin ít bị mài mòn nên rất
thích hợp để làm đồ trang sức mỹ nghệ. Kim loại này khó bị ăn mòn, chịu được
nhiệt độ cao và có tính dẫn điện ổn định cho nên được sử dụng trong các ứng
dụng công nghiệp [17]. Tuy nhiên platin có thể bị ăn mòn bởi các halogen, xianua,
lưu huỳnh và dung dịch kiềm ăn da. Platin rất dễ hấp thụ hydro và oxy, ứng dụng
là vật liệu xúc tác trong các phản ứng hóa học.
15
1.1.2. Tính chất hóa học
Trạng thái oxi hóa phổ biến của platin là +2 và +4. Trạng thái +1 và +3 ít
phổ biến hơn và thường ổn định nhờ liên kết kim loại trong dạng lưỡng kim
(hoặc đa kim).
Platin là kim loại kém hoạt động nhất. Ở điều kiện thường, platin không
bị gỉ trong không khí, rất bền với oxi ngay cả khi nhiệt độ cao. Tuy nhiên, platin
tác dụng với khí clo khi đun nóng và tác dụng chậm với brom lỏng ở nhiệt độ
thường.
Platin không hòa tan trong axit clohidric và axit nitric, nhưng tan trong nước
cường toan để tạo thành axit hexachloroplatinic H2PtCl6 theo phương trình phản
ứng [22]:
Pt + 4HNO3 + 6HCl → H2PtCl6 + 4NO2 + 4H2O
(1.1)
Platin cũng có thể tan được trong axit HCl bão hòa Cl2
Pt + 2HCl (đặc, nóng) + 2Cl2 → H2[PtCl6]
(1.2)
Platin tác dụng với kiềm nóng chảy khi có mặt oxi hay chất oxi hóa khác.
Bởi vậy không được nấu chảy kiềm hay nung hỗn hợp chứa kiềm trong chén hay
bát làm bằng platin mà dùng chén hay bát bằng sắt niken hoặc bạc. Một điểm
đáng chú ý nữa là không được nung nóng các chén bát platin ở vùng giữa ngọn lửa
vì ở đó cacbon tác dụng với platin tạo thành cacbua.
1.1.3. Một số hợp chất Platin
1.1.3.1. Platin (II) chloride
Platin (II) chloride là hợp chất của platin và clo có công thức PtCl 2. Đây là
tiền chất quan trọng để điều chế các hợp chất quan trọng khác của platin.
16
Platinum(II) chloride có hai dạng tinh thể là αPtCl2 và βPtCl2, nhưng những tính
chất chính của chúng có nhiều điểm tương đồng như: màu nâu sẫm, không tan
trong nước và không mùi.
PtCl2 có thể được điều chế bằng cách nung nóng H2PtCl6 lên 350°C trong
không khí [24]:
H2PtCl6 PtCl2 + Cl2 + 2 HCl
(1.3)
Ngoài ra PtCl2 cũng có thể thu được khi nung PtCl4 ở 450°C theo phản ứng
sau [71]:
PtCl4 PtCl2 + Cl2
(1.4)
Khi nung lên nhiệt độ cao hơn cỡ 550°C PtCl2 sẽ bị phân hủy thành Pt
nguyên chất và khí clo. [74]
1.1.3.2. Platin (IV) chloride
Platin (IV) chloride là hợp chất màu nâu có công thức là PtCl4. Platin (IV)
chloride dễ tan trong nước, tạo thành aquaxit H 2[PtCl4(OH)2] ở trạng thái tự do.
Khi có mặt HCl còn tạo nên H2[PtCl6] bền vững hơn.
PtCl4 có thể thu được khi nung H2PtCl6:
H2PtCl6 PtCl4 + 2 HCl
(1.5)
PtCl4 có thể bị hydrat hóa để trở thành tinh thể màu đỏ pentahydrate
PtCl4.5(H2O). Tinh thể này sẽ bị mất nước khi nung ở 300°C trong luồng khi clo
khô. Pentahydrate có tính ổn định và là dạng PtCl 4 thường được sử dụng trong
thực tế.
17
1.1.3.3. Axit Chloroplatinic
Axit chloroplatinic hay axit hexachloroplatinic là hợp chất của platin có
công thức hóa học H2PtCl6 thường tồn tại dưới dạng tinh thể hydrat
H2PtCl6.6H2O. Axit chloroplatinic là một trong những hợp chất hòa tan ổn định
nhất của platin.
Tinh thể H2PtCl6.6H2O có màu đỏ nâu, chảy rữa trong không khí ẩm, tan
trong nước cho dung dịch màu vàng, tan trong rượu và ete. Dung dịch H2[PtCl6] tác
dụng với ion Ag+ không cho kết tủa AgCl mà cho kết tủa bạc cloroplatinat
Ag2[PtCl6] màu đỏ tươi. Điều đó cho thấy rõ ràng nồng độ của ion Cl trong dung
dịch axit là rất bé, nghĩa là ion phức [PtCl6]2 rất bền.
H2PtCl6 thường được điều chế bằng cách cho platin nguyên chất vào nước
cường toan (hỗn hợp HCl và HNO3) theo phương trình (1.1)
Khi bị nung nóng H2PtCl6 bị phân hủy thành PtCl4 rồi PtCl2 rồi thành Pt
nguyên chất, mặc dù các bước phân hủy này không theo từng nấc cụ thể và rõ
ràng [4]:
(H3O)2PtCl6∙n H2O PtCl4 + 2 HCl + (n + 2) H2O
(1.6)
PtCl4 PtCl2 + Cl2
(1.7)
PtCl2 Pt + Cl2
(1.8)
Cả ba phản ứng trên là thuận nghịch. Nhiệt độ của từng phản ứng phân
hủy trên không rõ ràng. Chẳng hạn, có báo cáo cho rằng phản ứng phân hủy PtCl 2
thành Pt nguyên chất bắt đầu xảy ra ở 375°C [4], báo cáo khác lại cho rằng PtCl2
bị phân hủy ở 550°C [74]. Nhiệt độ phân hủy của H 2PtCl6 thành Pt cũng thay đổi
tùy theo các tài liệu khác nhau: Ysmael Verde và các đồng sự cho rằng nhiệt độ
18
này là 350°C [74], MinHye Kim [50] và ThanTung Duong [68] chế tạo điện cực
Pt từ phân hủy H2PtCl6 ở 450°C, còn Lewis cho rằng nhiệt độ này trong khoảng
400 – 600°C [45].
1.1.4. Các hạt nano Pt
Các hạt nano Pt là một trong những loại hạt nano kim loại quan trọng
nhất. Chúng đã được nghiên cứu ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau chẳng
hạn xúc tác trong fuel cell [3, 7, 19, 53], hệ thống xả của ô tô [3, 62], cảm biến
khí [3, 38], cảm biến glucozo [35], và cả trong trị liệu ung thư [11].
Hạt nano Pt có thể được chế tạo bằng nhiều phương pháp hóa lý khác
nhau. Đối với phương pháp hóa, hạt nano thường được tổng hợp trong dung dịch
hóa học, vì vậy các hạt nano này thường gọi là các hạt Pt dạng keo. Một số
phương pháp hóa có thể kể đến như phương pháp hóa khử [16, 20, 46], phương
pháp polyol [51] và phương pháp mixen đảo [13]. Bên cạnh đó, hạt nano Pt cũng
có thể chế tạo bằng nhiều phương pháp lý chẳng hạn như phún xạ [58], bốc bay
chùm điện tử [43] hoặc cắt đốt bằng laser trong dung dịch [21, 52].
Khi ở dạng nano, các hạt platin có sự thay đổi đáng kể về tính chất. Dễ
dàng nhận thấy nhất là sự thay đổi về màu sắc. Trong dung dịch lỏng, các hạt
nano platin có màu từ xám đến xám đen tùy thuộc vào nồng độ hạt [18]. Tính
chất quang tuyến tính của chúng bị chi phối bởi hiện tượng cộng hưởng plasmon
bề mặt kết hợp với các dao động tập thể của các electron tự do trong hạt [70].
Một trong những thay đổi quan trọng nhất của platin khi ở dạng nano là khả năng
xúc tác. Hạt nano platin có hoạt động xúc tác cao có nguồn gốc từ diện tích bề
mặt lớn. Dựa vào đó, có thể giảm lượng Pt cần thiết trong các hệ thống sử dụng
hạt nano Pt là chất xúc tác mà vẫn đảm bảo hiệu suất và chất lượng. Điều này
có ý nghĩa quan trọng khi ứng dụng hạt nano Pt trong công nghiệp vì bản thân Pt
là một kim loại quý có giá thành đắt đỏ.
19
1.2. Các phương pháp chế tạo màng Pt
Tương tự như nhiều loại màng mỏng khác, màng Pt có thể được chế tạo
bằng nhiều phương pháp khác nhau từ đơn giản đến phức tạp tùy theo mục đích
và điều kiện chế tạo. Một cách tổng quát có thể phân chia các phương pháp chế
tạo thành hai loại lớn là: phương pháp lý và phương pháp hóa. Phương pháp vật
lý sử dụng các quá trình vật lý khác để tạo ra màng mỏng, trong khi đó phương
pháp hóa sử dụng các phản ứng hóa học để tạo thành Pt lắng đọng trên chất nền.
Một số phương pháp chế tạo được trình bày ngắn gọn trong hình 1.1.
Hình 1.1. Một số phương pháp chế tạo màng Pt
Trong luận văn này, chúng tôi chỉ điểm qua một số phương pháp mới hoặc
phổ biến được sử dụng để chế tạo màng Pt.
1.2.1. Phương pháp bốc bay nhiệt
Phương pháp bốc bay nhiệt trong chân không là kỹ thuật tạo màng mỏng
bằng cách đốt nóng đến bay hơi các vật liệu cần tạo trong môi trường chân
không cao và ngưng tụ trên đế (được đốt nóng hoặc không đốt nóng). Đây là
phương pháp truyền thống, đơn giản và dễ thực hiện.
Bộ phận chính của các thiết bị bay bốc nhiệt là một buồng chân không
được hút chân không cao (cỡ 105 106 Torr) nhờ các bơm chân không (bơm
khuếch tán hoặc bơm phân tử...). Người ta dùng một thuyền điện trở (thường
làm bằng các vật liệu chịu nhiệt và ít tương tác với vật liệu) đốt nóng chảy các
vật liệu nguồn, và sau đó tiếp tục đốt làm cho vật liệu bay hơi. Vật liệu bay hơi
sẽ ngưng đọng lên các đế được gắn vào giá phía trên. Đôi khi đế còn được đốt
nóng (tùy theo mục đích tạo màng tinh thể hay vô định hình...) để điều khiển các
quá trình lắng đọng của vật liệu trên màng.
20
Đây là một phương pháp đơn giản dễ thực hiện để chế tạo màng Pt, tuy
nhiên có lại có nhiều nhược điểm như không thể tạo các màng quá mỏng, khả
năng khống chế chiều dày của phương pháp này rất kém do tốc độ bay bốc khó
điều khiển. Đặc biệt đối với nguyên liệu Pt có nhiệt độ nóng chảy cao, nhiệt độ
nguồn bốc bay cũng phải rất cao lên tới 2100°C [1] gây khó khăn trong quá trình
chế tạo cũng như khả năng ứng dụng. Do đó tỉ lệ sử dụng phương pháp bay bốc
nhiệt trong chế tạo màng Pt ngày càng ít.
1.2.2. Phương pháp bốc bay chùm điện tử
Bốc bay chùm điện tử (ebeam evaporation) là phương pháp sử dụng năng
lượng của chùm electron hội tụ trực tiếp lên vật liệu để làm hóa hơi vật liệu
trong chân không cao và ngưng tụ trên đế.
Trong hệ thông bốc bay chum điện tử, buồng chân không phải được hút
chân không cao đến 7.5 x 105 Torr để cho phép các electron từ súng electron có
thể đến được vật liệu cần bốc bay. Nhiều loại vật liệu bốc bay và súng electron
có thể được sử dụng đồng thời trong chỉ một hệ thống bốc bay, mỗi loại có
nguồn năng tự từ hàng chục đến hang trăm kW. Khi máy hoạt động, chùm
electron được tạo ra và gia tốc có động năng cao trược tiếp bắn phá vào vật liệu
bốc bay. Sau khi đập vào vật liệu, các electron nhanh chóng mất năng lượng.
Động năng của chúng được chuyển thành các dạng năng lượng khác thông qua
tương tác với vật liệu bốc bay, trong đó chủ yếu là nhiệt năng. Năng lượng nhiệt
tạo ra nhiệt độ cao đốt nóng và làm chảy vật liệu bốc bay. Một khi nhiệt độ và
mức chân không đủ cao, hơi của vật liệu sẽ được hình thành. Hơi này lắng đọng
lên vật liệu đế sẽ tạo thành màng mỏng.
Ở phương pháp này, khi chùm electron năng lượng cao được bắn trực tiếp
lên vật liệu gốc, do bị dừng đột ngột toàn bộ năng lượng của chùm electron được
21
chuyển hóa thành nhiệt năng làm hóa hơi vật liệu này. Do đó có thể nhận thấy
một số ưu điểm như sau:
Bốc bay được hầu hết vật liệu khó nóng chảy vì chùm electron hội tụ có
năng lượng lớn
Dễ điều chỉnh áp suất, thành phần khí, nhiệt độ để kiểm soát cấu trúc và
hình thái của màng
Tốc độ lắng đọng có thể làm chậm xuống đến 1 nm / phút hoặc cũng có
thể lên tới vài micro/ phút
Có thể sử dụng rất ít vật liệu gốc
1.2.3. Phương pháp phún xạ catot
Phún xạ (sputtering) là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý
truyền động năng bằng cách dùng các ion khí hiếm được tăng tốc dưới điện
trường bắn phá bề mặt vật liệu từ bia vật liệu, truyền động năng cho các nguyên
tử này bay về phía đế và lắng đọng trên đế.
Khác với phương pháp bay bốc nhiệt, phún xạ không làm cho vật liệu bị
bay hơi do đốt nóng mà thực chất quá trình phún xạ là quá trình truyền động
năng. Vật liệu nguồn được tạo thành dạng các tấm bia (target) và được đặt tại
điện cực (thường là catot), trong buồng được hút chân không cao và nạp khí hiếm
với áp suất thấp (cỡ 10−2 mbar). Dưới tác dụng của điện trường, các nguyên tử
khí hiếm bị ion hóa, tăng tốc và chuyển động về phía bia với tốc độ lớn và bắn
phá bề mặt bia, truyền động năng cho các nguyên tử vật liệu tại bề mặt bia. Các
nguyên tử được truyền động năng sẽ bay về phía đế và lắng đọng trên đế. Các
nguyên tử này được gọi là các nguyên tử bị phún xạ. Như vậy, cơ chế của quá
trình phún xạ là va chạm và trao đổi xung lượng, hoàn toàn khác với cơ chế của
phương pháp bay bốc nhiệt trong chân không.
22
Phún xạ được chia làm hai loại chính: phún xạ cao áp 1 chiều và phún xạ
xoay chiều. Phún xạ cao áp 1 chiều là loại đơn giản nhất sử dụng nguồn cấp
điện áp 1 chiều đặt trên hai điện cực trong chuông chân không. Phún xạ xoay
chiều là kỹ thuật sử dụng hiệu điện thế xoay chiều để gia tốc cho ion khí hiếm.
Nó vẫn có cấu tạo chung của các hệ phún xạ, tuy nhiên máy phát là một máy phát
cao tần sử dụng dòng điện tần số sóng vô tuyến (thường là 13.56 MHz).
Để tăng hiệu suất của phún xạ một chiều lẫn xoay chiều, người ta đặt
bên dưới bia các nam châm. Từ trường của nam châm có tác dụng bẫy các
electron vào trong vùng gần bia nhờ đó làm tăng hiệu ứng iôn hóa do làm tăng tần
số va chạm giữa các electron với các nguyên tử khí ở gần bề mặt bia do đó làm
tăng tốc độ lắng đọng đồng thời giảm sự bắn phá của electron và ion trên bề mặt
màng, giảm nhiệt độ đế và có thể tạo ra sự phóng điện ở áp suất thấp hơn. Áp
suất phóng điện càng thấp thì càng giảm được nồng độ các tạp chất trong màng
và tăng động năng của các nguyên tử đến lắng đọng trên màng (do quãng đường
tự do trung bình của các nguyên tử khí càng tăng, và do đó tấn số va chạm với các
nguyên tử lắng động càng giảm, khi áp suất càng thấp).
1.2.4. Phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học (CVD)
Lắng đọng hơi hóa học là một phương pháp mà nhờ đó vật liệu rắn được
lắng đọng từ pha hơi thông qua các phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế
được nung nóng. Phương pháp CVD được ứng dụng chủ yếu để chế tạo màng
mỏng. Ví dụ chế tạo các màng ứng dụng trong công nghệ vi điện tử như: màng
cách điện, dẫn điện, lớp chống gỉ, chống oxi hóa và lớp epitaxy. Tuy nhiên cũng
có thể sử dụng CVD để chế tạo các vật liệu dạng khối có độ tinh khiết cao và
các vật liệu composit.
Ở dạng đơn giản nhất, quy trình CVD diễn ra như sau:
23
Chất phản ứng dạng khí được đưa vào buồng phản ứng nhờ dòng
khí nén
Các phản ứng hóa học ở pha hơi của các chất phản ứng sẽ tạo nên
các tiền chất màng và sản phẩm phụ
Các tiền chất này và sản phẩm phụ được vận chuyển xuống bề
mặt đế (được nung nóng)
Xảy ra sự hấp thụ và khuếch tán các tiền chất trên bề mặt đế
Dưới nhiệt độ cao, các phản ứng hóa học bề mặt xảy ra đẫn dến
sự lắng đọng màng mỏng
Sản phẩm phụ sinh ra sau phản ứng sẽ khuếch tán ngược vào dòng
chất lưu, dòng chất lưu đưa khí tiền chất dư và sản phẩm phụ ra
khỏi buồng.
Hình 1.5. Sơ đồ phương pháp CVD [29]
Ta có thể mô tả phương pháp CVD bằng phương trình:
(1.9)
Phương pháp CVD được ứng dụng phổ biến để chế tạo màng Pt. Vargas
Garcia và Takashi Goto đã tóm tắt một cách đầy đủ và chi tiết các cách thức chế
tạo màng Pt bằng CVD [32]. Trong đó, màng Pt có thể được chế tạo từ
acetylacetonate, carbonyl platinum complexes, allyl platinum complexes và bằng
nhiều hợp chất khác của Pt.
24
1.2.5. Phương pháp mạ điện hóa
Mạ điện hóa hay lắng đọng điện hóa là quá trình điện hóa phủ một lớp
mỏng của một kim loại lên bề mặt của một kim loại hoặc vật dẫn khác để làm
thay đổi tính chất bề mặt.
Một cách đơn giản, quá trình mạ điện có thể được trình bày trên hình1.6.
Trong đó vật cần mạ sẽ gắn với cực âm catot, kim loại mạ gắn với cực dương
anot của nguồn điện trong dung dịch điện môi. Cực dương của nguồn điện sẽ
hút các electron e trong quá trình ôxi hóa và giải phóng các ion kim loại dương,
dưới tác dụng lực tĩnh điện các ion dương này sẽ di chuyển về cực âm, tại đây
chúng nhận lại e trong quá trình oxi hóa khử hình thành lớp kim loại bám trên bề
mặt của vật được mạ. Độ dày của lớp mạ tỉ lệ thuận với cường độ dòng điện
của nguồn và thời gian mạ.
Hình 1.6. Sơ đồ phương pháp mạ điện
Phương pháp lắng đọng điện hóa được sử dụng nhiều trong thời gian gần
đây để chế tạo điện cực cho pin mặt trời sử dụng chất màu nhạy sáng [12, 61].
Điện cực Pt được chế tạo theo 2 phương pháp là: lắng đọng liên tục và lắng
đọng xung. Lắng đọng liên tục sử dụng nguồn điện một chiều còn lắng đọng
xung sử dụng nguồn điện xung. Với phương pháp lắng đọng liên tục, tinh thể Pt
25