Xây dựng mô hình đánh giá tương tác nhiễu điện từ mạnh với các phương tiện vô tuyến điện

Nghiên cứu khoa học công nghệ

XÂY DỰNG MÔ HÌNH ĐÁNH GIÁ TƯƠNG TÁC NHIỄU
ĐIỆN TỪ MẠNH VỚI CÁC PHƯƠNG TIỆN VÔ TUYẾN ĐIỆN
Nguyễn Đức Trường1, Lê Kỳ Biên2, Nguyễn Huy Hoàng 3*
Tóm tắt: Các phương tiện vô tuyến điện hoạt động trong điều kiện chịu ảnh
hưởng của rất nhiều các yếu tố, trong đó các nguồn gây ra xung điện từ sẽ tác động
trực tiếp đến khả năng hoạt động của thiết bị vô tuyến. Các xung điện từ này được
hình thành từ các nguồn từ bên ngoài như: các trạm thu phát vô tuyến truyền hình,
thông tin, sét, đường dây truyền tải điện cao thế, nguồn bên trong như:các biến áp,
cuộn dây, các thiết bị ngắt điện và chuyển mạch… Để đảm bảo các yêu cầu của
tương thích điện từ và độ bền của các phương tiện vô tuyến điện đối với tác động
của xung điện từ mạnh, thì các nguồn nhiễu được các nhà chế tạo quan tâm trước
hết, vì chúng tạo ra các vùng bất lợi cho hoạt động của thiết bị vô tuyến điện. Bài
báo đề cập đến một mô hình tương tác của nhiễu điện từ mạnh sẽ ảnh hưởng như
thế nào đối với các phương tiện vô tuyến trong các điều kiện khác nhau.
Từ khóa: Tương tác; Nhiễu điện từ; Xung điện từ; Tương thích điện từ.

1. ĐẶT VẤN ĐỀ
Các phần tử và mạch kỹ thuật điện được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị vô tuyến.
Chúng đóng vai trò rất lớn trong các hệ thống vô tuyến: các nguồn điện, bộ chuyển mạch,
bộ làm nóng, bộ làm lạnh, bộ chiếu sáng v.v. Các phần tử và mạch kỹ thuật điện này
khuếch tán ra công suất tương đối lớn, sinh ra các xung điện từ mạnh làm ảnh hưởng tới
các mạch điện tử. Các nguồn xung nhiễu này thường được tạo ra từ các phần tử kỹ thuật
điện như sau:
Biến áp và các cuộn dây. Trong các mạch kỹ thuật điện thì biến áp và các cuộn dây là
những nguồn sinh ra từ trường và điện trường tương đối mạnh, có thể gây nhiễu lên các
phần tử và mạch vô tuyến. Việc cách ly những loại trường này đối với thiết bị vô tuyến
bằng cách che chắn là biện pháp chính để đảm bảo EMC [2].
Thiết bị ngắt điện và chuyển mạch. Khi đóng và mở nguồn bằng các tiếp điểm cơ học
sẽ gây ra việc thay đổi dòng và điện áp, điều này sẽ dẫn đến tạo ra nhiễu điện trường

mạnh. Đôi khi sự đóng mở xảy ra không cố ý do bị rung lắc hoặc quá tải[2,3]. Sự đánh lửa
hoặc hồ quang điện giữa các mặt tiếp xúc sẽ làm hỏng tiếp điểm và tạo ra nhiễu không cố
ý. Mức nhiễu có thể tăng nhanh theo quá trình phá huỷ tiếp điểm. Sự nhảy dòng lớn
thường xảy ra trong các mạch có tải mang tính chất điện dung; sự nhảy điện áp lớn thì hay
xảy ra trong các mạch có tải mang tính chất điện cảm; đối với tải thuần tích cực thì dòng
và điện áp không vượt quá mức thiết lập.Việc sử dụng các dụng cụ bán dẫn làm bộ chuyển
mạch sẽ hạn chế được hồ quang điện và sự đánh lửa tuy nhiên lại xảy ra quá trình quá độ
và sự đột biến lớn của dòng và điện áp sẽ sinh ra nhiễu xung mạnh.
Rơ le điện từ. Các bộ chuyển mạch và các cuộn cảm có điều khiển là những vật gây
nên nhiễu từ trường mạnh. Việc đóng và ngắt các tiếp điểm sẽ kéo theo quá trình tạo
nhiễu, thời gian tồn tại có thể kéo dài đến vài ms. Cũng có các loại nhiễu sinh ra do sự
rung lắc và va đập cơ học [2,3]. Rơle gây ra nhiễu lên các mạch khác. Cũng có thể tạo ra
nhiễu lên các rơle khác trong các bộ chuyển mạch nhiều vị trí - đó gọi là nhiễu xuyên.
Chổi quét của các máy điện. Các cặp tiếp xúc trượt của máy điện là nguồn gây nhiễu
không cố ý, do có sự nhảy dòng và điện áp ở đó mà sinh ra hiện tượng đánh lửa và tăng
điện trở tiếp xúc do sự oxy hóa, bụi bẩn và ăn mòn cơ học. Áp lực của chỗi quét lên cổ

Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018

117


Kỹ thuật Điện tử – Thông tin

góp và do đó mật độ dòng qua mặt trượt tạo ra nhiễu xung điện từ mạnh. Các động cơ điện
và máy phát điện một chiều sinh ra nhiễu do sự chuyển mạch của các cuộn dây phần ứng.
Sự đột biến dòng ở phần ứng và sự đánh lửa của chổi điện là nguyên nhân chính gây ra
nhiễu. Mức nhiễu của máy điện một chiều rất cao và đa dạng theo thành phần phổ [2].
Các nguồn phát sáng. Các đèn huỳnh quang là nguồn nhiễu mạnh với phổ rộng đến 10
MHz hoặc trong một số trường hợp có thể lên đến 100 MHz. Nguồn nhiễu là do cột khí

ion hóa, sinh ra và mất đi 100 lần trong một giây với nguồn điện có tần số 50 Hz. Sự nhảy
dòng trong các mạch nguồn cũng gây nên nhiễu xung điện từ mạnh [3].
Các phương tiện vô tuyến điện hoạt động trong điều kiện chịu sự tác động, ảnh hưởng
từ các nguồn nhiễu trên nên việc khảo sát xây dựng mô hình đánh giá sự tác động của
nhiễu xung điện từ mạnh lên sự hoạt động của các phương tiện vô tuyến điện là hết sức
cần thiết, nhất là trong môi trường quân sự.
2. KHẢ NĂNG LÀM VIỆC CỦA MÁY THU PHÁT VÔ TUYẾN
TRONG ĐIỀU KIỆN TÁC ĐỘNG CỦA NHIỄU ĐIỆN TỪ MẠNH
Khi triển khai đánh giá tính toán- thực nghiệm về độ bền của các phương tiện vô tuyến
điện đối với tác động của nhiễu xung điện từ mạnh đòi hỏi phải sử dụng mô phỏng trên
máy tính và thực hiện các nội dung sau đây:
- Đặt bài toán và chọn thuật toán chung để giải nó;
- Mô tả toán học bài toán (chọn các công thức toán học - mô hình hiện tượng);
- Lập sơ đồ khối của chương trình và viết chương trình trên một ngôn ngữ lập trình
nào đó.
Để đảm bảo các yêu cầu của tương thích điện từ và độ bền của các phương tiện vô
tuyến điện đối với tác động của xung điện từ mạnh, thì các nguồn nhiễu xung mạnh được
các nhà chế tạo quan tâm trước hết, vì chúng tạo ra các vùng bất lợi cho hoạt động của
thiết bị vô tuyến điện, vì vậy, vấn đề cần nghiên cứu ở đây là tập trung vào xây dựng mô
hình đánh giá tương tác của nhiễu điện từ mạnh với các phương tiện vô tuyến điện, từ đó
xây dựng thuật toán tối ưu đánh giá tương thích điện từ trường cho các thiết bị vô tuyến.
2.1. Sự tác động của nhiễu điện từ mạnh lên máy thu phát vô tuyến điện
Để đánh giá sự tác động của nhiễu điện từ mạnh lên máy thu phát vô tuyến, cần phải có
thông tin ban đầu về nhiễu điện từ mạnh đang tác động, trong bài báo này giả thiết rằng
nhiễu điện từ mạnh là xung hàm mũ dạng:
( )=
[exp(− ) − exp(− )], ( ) = ( )/
trong đó, a là hệ số suy giảm, t là thời gian tác động
Xung nhiễu này sẽ tác động lên một máy thu phát vô tuyến có cấu hình tối thiểu như
trên hình 1 với các thông số đã xác định [8].

Để chọn đối tượng chịu sự tác động của xung điện từ, ta xét sơ đồ cấu trúc điển hình
của một máy thu phát vô tuyến (Hình 1), đã được nêu trong tài liệu [8]. Khi tiến hành phân
tích hoạt động của máy thu phát trong điều kiện tác động của nhiễu điện từ mạnh, ta cần
phải biết: tần số mang (có ích) của tín hiệu; dải thông của tuyến cao tần máy thu; dải thông
của máy thu nói chung; độ nhạy máy thu; diện tích hiệu dụng của anten cho hướng đến có
thể của nhiễu; các đặc điểm của tấm chắn (các tấm chắn); các đặc trưng của các cáp và các
dây dẫn (tuyến liên lạc).
Lý tưởng hóa quá trình làm việc của máy thu phát vô tuyến trong điều kiện tác động
trường điện từ mạnh, ta có sơ đồ khối như sau:

118

N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá … vô tuyến điện.”


Nghiên cứu khoa học công nghệ

Hình 1. Sơ đồ khối của máy thu phát vô tuyến.
Từ sơ đồ khối tổng quát của máy thu phát vô tuyến, ta có sơ đồ tổng quát về tác động
của nhiễu điện từ mạnh đối với máy thu phát vô tuyến đang khảo sát được thể hiện trên
Hình 2.

Hình 2. Các con đường có thể thâm nhập của nhiễu
điện từ mạnh vào mạch máy thu phát vô tuyến.
Từ Hình 2, có thể thấy có các phương thức thâm nhập của nhiễu điện từ mạnh vào máy
thu vô tuyến, cụ thể là: 1- qua đường khuếch đại biên-pha; 2 - qua các tấm chắn bảo vệ

Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018

119

Kỹ thuật Điện tử – Thông tin

chống tác động lên các khối, sơ đồ và tuyến liên lạc; 3- qua hệ thống tiếp đất. Điều đó
chứng tỏ rằng, nhiễu điện từ mạnh có ảnh hưởng rất nhiều lên các bộ phận của máy thu và
càng làm cho việc ngăn chặn, giảm ảnh hưởng của nó trở lên phức tạp và đòi hỏi cần phải
có một giải pháp tổng thể.
2.2. Xây dựng thuật toán mô phỏng đánh giá khả năng làm việc của máy thu vô
tuyến điện trong điều kiện nhiễu điện từ mạnh

Hình 3. Lưu đồ thuật toán đánh giá độ bền của máy thu
vô tuyến đối với tác động của nhiễu điện từ mạnh.

120

N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá … vô tuyến điện.”


Nghiên cứu khoa học công nghệ

Việc đánh giá khả năng làm việc của máy thu vô tuyến trong điều kiện tác động của
nhiễu điện từ mạnh phải bao gồm các bước thực hiện sau đây:
- Chuẩn bị các số liệu ban đầu về tác động của nhiễu điện từ mạnh, về tín hiệu có ích và
các đặc trưng chính của máy thu vô tuyến;
- Tính toán các thông số nhiễu do tác động của nhiễu điện từ mạnh theo từng đường
thâm nhập của nó, tổng của chúng và đưa đến các điểm tới hạn của thiết bị thu vô tuyến
(đầu vào máy thu, đầu vào và đầu ra thiết bị xử lý và hình thành thông tin);
- Xác định tỷ lệ

qk2 = tín/(tạp+nhiễu) tại các điểm tới hạn của thiết bị thu vô tuyến;

- Nếu giá trị thông số

qk2 thu được nhỏ hơn giá trị cho trước, thì thay đổi các số liệu

ban đầu và tính toán lại.
Phân tích đánh giá độ bền của thiết bị thu vô tuyến đối với tác động của nhiễu điện từ
mạnh, ta có lưu đồ thuật toán được trình bày trên hình 3.
2.3. Viết chương trình
Đặt bài toán: Đánh giá các thông số nhiễu trong tuyến thu (Hình 1), vốn xuất hiện bởi
một phần nhiễu điện từ mạnh đi qua bộ khuếch đại biên độ-pha.
Các thông tin ban đầu về phương tiện vô tuyến điện và về nhiễu điện từ mạnh đang tác
động đã được nêu trong phần 1.
Các công thức toán học được sử dụng:


Δ

≪

.



= ∫



=

( )=

(1)

( ) cos[
( )]

∫ [

( )]

−

(2)

(3)

( )ℎ /2(4)


=
.
/2 (5)
Cho các xung nhiễu điện từ mạnh, vốn có phổ tần số tương đối thấp, (nguồn của chúng
là các tia lửa điện) và tần số làm việc của máy thu vô tuyến lớn hơn 100MHz, để tính toán
ta sử dụng các công thức sau đây:

.



( )=



(

=

)
( ∗

(

( )=

)

)



(

[

)

(

∗

(

)

(

/ )

∗

)]





(6)
(7)
(8)




( )=

(

)
∗

(9)




=

(

)

(
( ∗

)

∗

)

Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018

(10)

121


Kỹ thuật Điện tử – Thông tin



=

(

)
∗

.

(11)

λ = K/Txc
(12)
Trong các công thức (1) - (12), ngoài các ký hiệu thông dụng, còn sử dụng các ký hiệu
sau đây: Etr (t ), Etr max (t )  cường độ thành phần điện của nhiễu điện từ mạnh, đã được
tính chuyển sang dải thông của tuyến thu

  2f

, và giá trị cực đại của nó nếu

điều kiện 2.1 được thỏa mãn bởi ảnh hưởng của nhiễu điện từ mạnh hoạt động trên tuyến
thu, V/m; E0 tr (t )  tương ứng các đường bao của Etr (t ) và E0 tr (t ) , V/m;

- mật
2

độ dòng năng lượng của nhiễu, tính chuyển sang dải thông của tuyến thu, J / m ; Wa :
năng lượng nhiễu trên đầu vào máy thu, tính chuyển sang dải thông của nó, J; ua (t ) 
điện áp nhiễu trên đầu vào máy thu, được tính chuyển sang dải thông của nó.
3. TÍNH TOÁN VÀ THẢO LUẬN
Để cụ thể, ta lấy:

t  1,2.105 s

- vùng có thể có tín hiệu bị trễ;

  4.107 s

- trễ cực tiểu mong đợi giữa mặt trước tín hiệu trên đầu vào và
đầu ra của mạch đang khảo sát;

E0  5.10 7 s - độ dài của tín hiệu bị trễ ở mức 0,1U m và 0,9U m ;
t a  3.10 7 s - thời gian nhiễu tác động;
- giá trị biên độ cực đại của tín hiệu bị trễ.
U m  1V
Các kết quả tính toán được trình bày tại các bảng 1 - 4.
Bảng 1. Sự phụ thuộc của độ chính xác đo  
vào chu kỳ lặp của các xung cửa.
Số lượng cửa K trên
khoảng t1  t 2
Giá trị   , ns
Sai số đo tuyệt đối

ttd , ns

Sai số đo tương đối  ,%

6

10

14

18

22

26

680,7

700,5

694,8

691,9

693,6

693,5

13,25

6,646

1,287

1,714

0,392

0,521

1,947

0,949

0,185

0,248

0,057

0,075

Bảng 2. Sự phụ thuộc của độ chính xác đo   vào độ chính
xác đo biên độ U ra tại thời điểm
Sai số đo U ra , %
Giá trị   , ns
Sai số đo tuyệt đối

122

ttd , ns

tk

khi K = 26.

0,5

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

679,4

685,2

696,4

706,3

715,9

723,5

4,982

10,41

21,05

31,09

40,41

48,92

N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá … vô tuyến điện.”


Nghiên cứu khoa học công nghệ

Sai số đo tương đối   , %

0,733

1,519

3,023

4,402

5,645

6,762

Bảng 3. Sự phụ thuộc của độ chính xác đo   vào độ bất ổn định
của vị trí thời gian của các xung cửa (tử số khi K = 6, mẫu số khi K = 26).
Độ bất ổn định tương đối

0

103

102

3.10

6.10

9.10

800,1
800,1
0
0
0
0

800,21
800,06
0,2142
0,0641
0,0267
0,0080

803,05
903,71
0,9438
0,2849
0,1175
0,0354

809,77
811,30
2,2253
0,6818
0,2748
0,0852

821,20
823,45
2,7949
0,5457
0,3403
0,0662

833,95
836,54
2,0447
0,5429
0,2452

t1
Giá trị   , ns

Sai số đo tuyệt đối

ttd , ns

Sai số đo tương đối

 ,

%

2

2

2

Bảng 4. Sự phụ thuộc độ chính xác đo   vào sai số đo vị trí
Sai số đo

1

tk , %

Giá trị   , ns
Sai số đo tuyệt đối

ttd ,

ns
Sai số đo tương đối   ,

%

thời gian của xung cửa (tử số khi K=6, mẫu số khi K=26).
4
8
12
16
20

802,08
802,14
2,0863
2,1469

808,34
808,59
8,3453
8,5878

816,69
817,17
16,691
17,176

825,04
825,76
25,036
25,763

833,38

834,35
33,381
34,351

841,73
842,94
41,727
42,939

0,2601
0,2676

1,0324
1,0620

2,0437
2,1018

3,0345
3,1199

4,0055
4,1171

4,9578
5,0939

Nhìn vào Bảng 1, ta nhận thấy: khi số lượng các xung cửa tăng lên thì giá trị đo thời
gian trễ của tín hiệu cũng tăng lên, nhưng sai số tương đối đo khoảng thời gian đã giảm đi
chứng minh rằng độ chính xác đo thời gian trễ phụ thuộc vào chu kỳ lặp của xung cửa. Ở

Bảng 2, tiếp tục khảo sát khi giữ nguyên chu kỳ lặp xung của thì tương ứng với sai số đo
biên độ điện áp Ura tại thời điểm tăng lên thì sai số đo tương đối thời gian trễ cũng tăng lên
cho thấy sự gia tăng của điện áp nhiễu đã ảnh hưởng trực tiếp đến sai số đo thời gian trễ.
Tại các bảng 3 và 4 tiếp tục khảo sát với việc đánh giá sự phụ thuộc của độ chính xác đo
thời gian trễ   của tín hiệu thu vào độ không ổn định của vị trí các xung cửa và sai số đo
vị trí thời gian của các xung cửa đầu vào máy thu. Khi độ không ổn định tăng lên thì
khoảng thời gian   tăng lên, dẫn đến sai số đo   tăng lên.
Dễ dàng nhận thấy rằng việc nghiên cứu mô hình đo thời gian



khi có tác động của

nhiễu điện từ trường mạnh trên máy tính cho phép đánh giá được một số giải pháp sau đây:
- Xác định chu kỳ lặp của xung cửa Tc cần thiết để đảm bảo độ chính xác cho phép khi
đo   ;
- Đánh giá ảnh hưởng của các yếu tố không ổn định và sai số các phép đo

tk , U ra

đến

độ chính xác đo   ;
- Đưa ra các khuyến nghị cần lưu ý khi thiết kế và sử dụng thiết bị đo thời gian trễ.

Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018

123

Kỹ thuật Điện tử – Thông tin

4. KẾT LUẬN
Việc nghiên cứu, đánh giá các tác động của xung điện từ mạnh lên sự hoạt động của
các phương tiện vô tuyến điện đã có nhiều nơi nghiên cứu và áp dụng vào thực tiễn. Một
số kết quả nghiên cứu đã đưa ra những phương pháp chống nhiễu điện từ mạnh như sử
dụng các tấm che chắn, tăng công suất máy phát, triệt tiêu các xung cao áp trong hệ thống
cáp, dây dẫn điện, nâng cao độ tin cậy của nguồn điện cấp...Tuy nhiên các phương pháp
này bên cạnh những ưu điểm thì còn tồn tại một số nhược điểm: chưa đánh giá hết các tác
động của nhiễu điện từ mạnh, chưa tiến hành mô phỏng vào một đối tượng cụ thể nên
trong một vài trường hợpvẫn chưa giải quyết được triệt để .
Để giải quyết những vấn đề nghiên cứu trên, nội dung bài báo đã tập trung vào việc xây
dựng lý thuyết, đưa ra mô hình tương tác của nhiễu điện từ mạnh với các phương tiện vô
tuyến điện và xây dựng thuật toán và tiến hành đánh giá định lượng, xác định, đánh giá
được khoảng thời gian tồn tại và chu kỳ của xung cửa máy thu tác động trực tiếp đến độ
chính xác kết quả đo thời gian máy thu. Kết quả của bài toán đã đưa ra mô hình đánh giá
tương tác của nhiễu điện từ mạnh đến các phương tiện vô tuyến điện để từ đó có thể đưa ra
các biện pháp giúp cho thiết bị điện tử hoạt động bình thường theo những tiêu chí của nhà
sản xuất đã đưa ra.
TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1]. Phan Anh, “Trường điện từ và truyền sóng” NXB Đại học Quốc gia Hà Nội (2002).
[2]. Апорович А.Ф. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств”.
Минск “Бестпринт” 2003.
[3]. C.R. Paul, “Introduction to Electromagnetic Compatibility”, Wiley-Interscience, New
Jersey (2006), pp. .
[4].
Иванов, В.А. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных
средств” /В.А.Иванов, Л.Я.Ильинский, М.И.Фузик.-К.:Техника, 1983.-120с.
[5]. Князев, А.Д. “Элементы теории и практики электромагнитной местимости
радиоэлектронных средств”. - М.:Радио и связь, 1984. - 336 с.

[6]. “Радиоэлектронные средства и мощные электромагнитные помехи” / под ред.
В.И. Кравченко. - М. : Радио и связь,1984. - 256 с.
[7]. Крылов, В.А. “Защита от электромагнитных излучений” / В.А. рылов, Т.В.
Югенков. - М. : Советское радио, 1972.- 216 с.
[8]. Уайт, Д. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и
непреднамеренные помехи” / Д. Уайт; пер. с англ. - М. : Советское радио, 1977.
- Вып. 1. - 348 с.
[9]. ГОСТ 11001-80, “Измерители радиопомех”. Общие требования.
[10]. Михайлов, А.С. “Измерение параметров ЭМС РЭС” / А.С. Михайлов. - М. :
Связь, 1980. - 244 с.
[11]. Михайлов, А.С. “Справочник по расчету электромагнитных экранов” / А.С.
Михайлов. - М. : Энергоатом изд-во, 1988. - 244 с.
[12]. ГОСТ Р 51724–2001 “Экранированные объекты, помещения, технические
средства”. Поле гипогеомагнитное.
[13]. Е.В Кереселидзе. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных
средствю Минск”, 2005.
[14]. А.Ф Апорович. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных
средствю Минск «Бестпринт»”, 2003.

124

N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá … vô tuyến điện.”


Nghiên cứu khoa học công nghệ

ABSTRACT
BUILDING THE IMPACT ASSESSMENT MODEL
STRONG ELECTRONICS WITH MEANS OF RADIO POWER
Radio equipment operating under conditions influenced by a variety of factors,

in which the source of the electromagnetic pulse will directly affect the operation of
radio equipment. These electromagnetic pulses are formed from external sources
such as: radio transmitters, information, lightning, high voltage transmission lines,
internal sources such as transformers, coils, circuit breakers and switches. To
ensure the requirements of electromagnetic compatibility and the strength of radio
equipment for the impact of strong electromagnetic pulse, interference sources are
developed by the manufacturers. First of all, because they create areas that are
detrimental to the operation of radio equipment. The paper discusses an interactive
model of how strong electromagnetic interference affects wireless media under
different conditions.
Keywords: Interactive; Electromagnetic interference; Radio.

Nhận bài ngày 26 tháng 06 năm 2018
Hoàn thiện ngày 10 tháng 9 năm 2018
Chấp nhận đăng ngày 20 tháng 9 năm 2018
Địa chỉ: 1 Cục Tiêu chuẩn - Đo lường - Chất lượng;
2
Viện Điện tử - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự;
3
Khoa Vô tuyến Điện tử - Học viện Kỹ thuật quân sự.
*
Email:

Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018

125