ĐỀ CƯƠNG ÔN TẬP CẢM BIẾN

1: Chọn loại cảm biến tích cực trong các loại cảm biến sau:
A.

Chiết áp potentiometer

B.

Cảm biến điện dung

C.

Cặp nhiệt ngẫu x

D.

Cảm biến từ tính

2: Chọn loại phần tử cảm biến tích cực trong các loại cảm biến sau:
A. Cảm biến điện dung tụ phẳng
B. Cảm biến điện cảm
C. Chiết áp potentiometers
D. Phần tử quang-điện
3: Chọn loại phần tử cảm biến thụ động trong các loại cảm biến sau:
A. Cặp nhiệt ngẫu
B. Tinh thể áp-điện
C. Chiết áp potentiometer x
D. Phần tử quang-điện
4: Một phần tử cảm biến là tuyến tính trong một dải biến thiên trạng thái đầu vào khi
A. Trong dải đó độ nhạy của cảm biến phụ thuộc vào giá trị của biến đầu vào
B. Trong dải đó độ nhạy của cảm biến phụ thuộc hoặc không phụ thuộc vào giá trị của
biến đầu vào một cách linh hoạt.

C. Trong dải đó độ nhạy của cảm biến khơng phụ thuộc vào giá trị của biến đầu vào x
D. Khi độ nhạy là một biến số biến đổi linh hoạt.
5: Nguyên nhân gây ra sai số hệ thống của cảm biến:
A. Do đặc tính kỹ thuật của của cảm biến thay đổi mà không được chuẩn lại;
B. Do tác động nhiễu ngẫu nhiên;
C. Do giá trị đại lượng chuẩn-so không chính xác
D. Do ảnh hưởng những thay đổi mơi trường (thường là điều kiện đo).
6: Nguyên nhân gây ra sai số ngẫu nhiên của cảm biến:
A. Do đặc tính kỹ thuật của của cảm biến thay đổi mà không được chuẩn lại x
B. Do đặc tính kỹ thuật của cảm biến khơng tương thích;
C. Do điều kiện và chế độ sử dụng không phù hợp;
D. Do xử lý kết quả đo không tốt.
7: Đại lượng tác động đầu vào của cảm biến:
A. Đại lượng cần đo và nhiễu


B. Đại lượng điện
C. Dòng điện và điện áp
D. Tổng trở
8: Đại lượng đầu ra của cảm biến đo khối lượng là:
A. Điện áp hoặc dòng điện
B. Khối lượng
C. Nhiễu
D. Độ nhạy
9: Định nghĩa độ nhạy của cảm biến
A. Là tỉ số đầu ra trên đầu vào của cảm biến
B. Là tỉ số đầu vào trên đầu ra của cảm biến
C. Là tỉ số biến thiên đầu ra trên biến thiên đầu vào của cảm biến
D. Là tỉ số biến thiên đầu vào trên biến thiên đầu ra của cảm biến
10: Lựa chọn cảm biến, giới hạn đo như thế nào là phù hợp nhất

A. Càng lớn càng tốt
B. Càng nhỏ càng tốt
C. Lớn hơn hoặc bằng khoảng muốn đo và càng gần khoảng muốn đo càng tốt
D. Nằm trong 2/3 khoảng muốn đo
11: Cảm biến loại tích cực biến đổi trực tiếp đại lượng không điện cần đo thành
A. Tổng trở
B. Đại lượng R/L/C
C. Trở kháng
D. Đại lượng điện
12: Cảm biến loại thụ động biến đổi đại lượng không điện cần đo thành
A. Đại lượng R/L/C
B. Đại lượng không điện
C. Đại lượng điện
D. Đại lượng tuyến tính
13: Các đại lượng đầu vào của cảm biến là
A. Dòng điện
B. Điện áp
C. Các đại lượng vật lý
D. Tổng trở


14: Sơ đồ khối đơn giản của hệ thống đo lường không điện bao gồm
A. Cảm biến, mạch đo, chỉ thị
B. Chuyển đổi sơ cấp, mạch lọc nhiễu, mạch khuếch đại
C. Chuyển đổi sơ cấp, mạch đo, mạch khuếch đại
D. Cảm biến, chỉ thị, volt kế tuyến tính
15: Một cảm biến khơng thụ động có đầu ra là
A. Điện áp (V) x
B. Điện cảm (L)
C. Điện dung (C)

D. Điện trở ( R)
16: Độ phân giải của cảm biến là
A. Là sự thay đổi nhỏ nhất của đại lượng vật lý cần đo mà khơng gây ra sự thay đổi về
tín hiệu đầu ra của cảm biến
B. Là sự thay đổi lớn nhất của đại lượng đầu ra khi tác động ở đầu vào
C. Là sự thay đổi lớn nhất của đại lượng vật lý cần đo mà không gây ra sự thay đổi về tín
hiệu đầu ra của cảm biến
D. Là sự thay đổi nhỏ nhất của đại lượng đầu ra khi tác động ở đầu vào
17: Hiệu ứng cảm ứng điện từ là nguyên lý để chế tạo cảm biến nào
A. Lực, áp suất
B. bức xạ quang
C. Tốc độ (vận tốc) x
D. Nhiệt độ
18: Hiệu ứng Hall là nguyên lý để chế tạo cảm biến nào
A. Tốc độ (vận tốc)
B. Vị trí x
C. Biến dạng
D. Mức
19: Hiệu ứng quang điện từ là nguyên lý để chế tạo cảm biến nào
A. Từ thông, bức xạ ánh sáng
B. Nhiệt độ
C. Độ ẩm
D. Mức
20: Tín hiệu đầu ra của cảm biến đo áp suất sử dụng hiệu ứng áp điện là


A. Điện tích
B. Điện áp
C. Dịng điện
D. Biến dạng

21: Tín hiệu đầu ra của cảm biến đo nhiệt độ sử dụng hiệu ứng nhiệt điện là
A. Dòng điện
B. Nhiệt độ
C. Xung điện
D. Điện áp
22: Tín hiệu đầu ra của cảm biến đo vị trí sử dụng hiệu ứng hall là
A. Dòng điện
B. Xung điện
C. Điện áp
D. Điện trở
23: Khả năng theo kịp về thời gian của đại lượng đầu ra khi đầu vào biến thiên là đặc
trưng nào của cảm biến
A. Độ nhạy
B. Độ chính xác
C. Độ tuyến tính
D. Độ nhanh
24: Biết ∆S là biến thiên đầu ra của cảm biến; ∆m là biến thiên đầu vào của cảm biến, tỷ
số ∆S/∆m là
A. Độ nhanh
B. Độ chính xác
C. Độ nhạy
D. Độ tuyến tính
25: Một cảm biến được coi là tuyến tính trong một giải đo xác định nếu trong giải đó
A. Độ nhạy khơng phụ thuộc vào đại lượng đo
B. Độ tuyến tính khơng phụ thuộc vào đại lượng đo
C. Độ chính xác khơng phụ thuộc vào đại lượng đo
D. Độ nhanh không phụ thuộc vào đại lượng đo


26: Biểu thức độ nhạy của cảm biến với ∆s là biến thiên đầu ra, ∆m là biến thiên đầu

vào
A.
B.
C.
D.
27: Cảm biến được gọi là tuyến tính trong một dải đo xác định nếu:
A. Độ nhạy không phụ thuộc vào thời gian sử dụng.
B. Độ nhạy không phụ thuộc vào môi trường xung quanh.
C. Độ nhạy không phụ thuộc vào đại lượng đo. x
D. Độ nhạy không phụ thuộc vào nhiệt độ
28: Đâu không phải nguyên nhân gây sai số hệ thống của cảm biến.
A. Do giá trị của đại lượng chuẩn khơng đúng.
B. Do đặc tính của bộ cảm biến.
C. Do dải đo và hiệu chỉnh cảm biến.
D. Do điều kiện và chế độ sử dụng.
29: Cảm biến tích cực là loại cảm biến.
A. Đầu ra là tín hiệu xung số.
B. Đầu ra đáp ứng điện tích , điện áp hay dịng.
C. Đầu ra đặc trưng bằng các thơng số R,L,C,M...
D. Đầu ra là áp suất , lực , vị trí.
30: Cảm biến thụ động là loại cảm biến.
A. Hoạt động như một trở kháng trong đó đáp ứng (s) là điện trở, độ tự cảm hoặc điện
dung.
B. Hoạt động như một máy phát, đáp ứng (s) là điện tích, điện áp hay dịng.
C. Đầu ra là điện trường.
D. Đầu ra là nguồn áp hoặc nguồn dòng.
31: Hiệu ứng nhiệt điện dùng để xác định.
A. Nhiệt độ ở mối hàn T.
B. Cường độ tác dụng của lực F.

C. Thông lượng ánh sáng ễ.
D. Độ biến thiên nhiệt độ t
32: Hiệu ứng Hall dùng để xác định.
A. Tốc độ của vật di chuyển
B. Cường độ của lực tác dụng F.
C. Độ biến thiên nhiệt độ t.
D.

Vị trí của một vật chuyển động.

33: Hiệu ứng cảm ứng điện từ dùng để xác định.
A. Cường độ của lực tác dụng F.
B. Thông lượng của ánh sáng.
C.

Tốc độ của vật di chuyển.

D. Vị trí của một vật chuyển động.
34: Tỉ số giữa biến thiên đầu ra và biến thiên đầu vào của cảm biến được gọi là:
A. Độ tuyến tính
B. Dải đo
C. Tần số đo
D. Độ nhạy.
35: Theo tiêu chuẩn công nghiệp thì tín hiệu cảm biến có giá trị dịng trong khoảng:
A. 10-100 mA x
B. 30- 100 mA
C. 4-20 mA
D. 2-5 mA
36: Quang trở Photoresistor

A. Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đơn tinh thể nhưng khơng có tiếp giáp bán dẫn p-n
B.

Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể nhưng khơng có tiếp giáp bán dẫn p-n

C. Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể có tiếp giáp bán dẫn p-n x
D. Được chế xuất từ vật liệu bán dẫn đơn tinh thể có tiếp giáp bán dẫn p-n
37: Ánh sáng rọi lên photoresistor
A. Tăng độ dẫn điện, tăng điện trở
B. Giảm độ dẫn điện, giảm điện trở
C. Tăng độ dẫn điện, giảm điện trở


D. Giảm độ dẫn điện, tăng điện trở
38: Điện trở tối R0 của photoresistor là
A. Trị số điện trở sau 10 phút khi chiếu ánh sáng lên nó
B. Trị số điện trở sau 10 phút sau khi chắn toàn bộ ánh sáng rọi lên nó
C. Trị số điện trở sau 1 phút sau khi chắn toàn bộ ánh sáng rọi lên nó
D. Trị số điện trở sau 1 phút khi chiếu ánh sáng lên nó
39: Photoresistor biến đổi điện trở theo năng lượng ánh sáng chiếu xạ một cách quán tính
A. Qn tính này phụ thuộc vào bước sóng và cường độ chói
B. Qn tính này khơng phụ thuộc vào bước sóng mà chỉ phụ thuộc vào cường độ chói
C. Qn tính này khơng phụ thuộc vào điểm làm việc mà chỉ phụ thuộc vào cường độ
chói
D. Qn tính này phụ thuộc vào điểm làm việc và cường độ chói
40: Cấu tạo diode quang và tế bào quang-thế
A. Là những phần tử cảm quang làm từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể
B. Là những phần tử cảm quang làm từ vật liệu bán dẫn đa tinh thể có lớp tiếp giáp bán
dẫn p-n mỏng x
C. Là những phần tử cảm quang có lớp tiếp giáp bán dẫn p-n mỏng

D. Là những phần tử cảm quang khơng có lớp tiếp giáp bán dẫn p-n
41: Lý do hạn chế độ nhạy của photodiode
A. Lớp tiếp giáp suy biến được giữ ở mức nhỏ để có được dịng điện tối nhỏ nhất và điện
áp chặn cao x
B. Lớp tiếp giáp suy biến được giữ ở mức nhỏ để có được dịng điện tối nhỏ nhất
C. Lớp tiếp giáp suy biến được giữ ở mức nhỏ để có được dịng điện tối lớn nhất
D. Lớp tiếp giáp suy biến được giữ ở mức nhỏ để có được dịng điện tối nhỏ nhất và điện
áp chặn thấp
42: Đối với tế bào quang-điện
A. Thời gian đáp ứng chế độ ngắn mạch tốt hơn chế độ hở mạch
B. Thời gian đáp ứng chế độ hở mạch tốt hơn chế độ ngắn mạch
C. Thời gian đáp ứng chế độ hở mạch và chế độ ngắn mạch là như nhau
D. Tùy thuộc từng điều kiện làm việc cụ thể để đánh giá
43: Nguyên lý phototransistor


A. Có thể coi phototransistor thực hiện chức năng như một photodiode có mắc kế tiếp
transistor để khuyếch đại dịng điện. trạng thái khoá của photodiode được điều khiển
bởi bức xạ ánh sáng
B. Có thể coi phototransistor thực hiện chức năng như một photoresistor có mắc kế tiếp
transistor để khuyếch đại dịng điện. trạng thái khố của photodiode được điều khiển
bởi bức xạ ánh sáng
C. Có thể coi phototransistor thực hiện chức năng như một photodiode có mắc kế tiếp
photoresistor để khuyếch đại dịng điện. trạng thái khố của photodiode được điều
khiển bởi bức xạ ánh sang
D. Tất cả đều sai
44: Độ nhạy của phototransistor so với photodiode
A. Độ nhạy của phototransistor lớn hơn của photodiode từ 1000 đến 5000 lần
B. Độ nhạy của phototransistor nhỏ hơn của photodiode từ 100 đến 500 lần
C. Độ nhạy của phototransistor lớn hơn của photodiode từ 100 đến 500 lần x

D. Độ nhạy của phototransistor nhỏ hơn của photodiode từ 1000 đến 5000 lần
45: Thời gian đáp ứng của photodiode so với phototransistor
A. Thời gian đáp ứng của photodiode chậm hơn so với phototransistor
B. Thời gian đáp ứng của photodiode so với phototransistor là bằng nhau
C. Thời gian đáp ứng của photodiode nhanh hơn so với phototransistor
D. Tùy thuộc vào điều kiện làm việc
46: Cơng thức tính độ rọi E = τ

dΦ
hệ số τ là
dA

A. Hệ số triết suất của môi trường.
B. Hệ số xuyên thấu của hệ quang.
C. Hệ số khúc xạ
D. Hệ số truyền năng lượng
47: Cơng thức tính độ rọi E = τ
A. Độ chói
B. Cường độ
C. Quang năng
D. Quang thong x

dΦ
đại lượng Φ là
dA


48: Cơng thức tính độ chói L =

dI

đại lượng I là
dAn

A. Cường độ quang năng
B. Cường độ quang thong
C. Cường độ ánh sáng
D. Cường độ rọi sáng
49: Nguồn sáng nào được dùng chủ yếu cho cảm biến quang
A. Nguồn phát xạ sợi đốt
B. Nguồn phát xạ bán dẫn
C. Tất cả các nguồn sáng trên
D. Nguồn bức xạ quang học
50: Cường độ ánh sáng là:
A. Là công suất phát xạ, lan truyền hoặc hấp thụ
B. Là luồng năng lượng phát ra theo một hướng cho trước ứng với một đơn vị góc khối
C. Là năng lượng lan truyền hoặc hấp thụ dưới dạng bức xạ
D. Là tỉ số giữa luồng năng lượng thu được bởi một phần tử bề mặt và diện tích của
phần tử đó.
51: Hiệu ứng quang dẫn có tác dụng.
A. Làm tăng tính dẫn nhiệt của vật liệu.
B. Làm tăng tính đàn hồi của vật liệu.
C.

Làm tăng tính dẫn điện của vật liệu.

D. Làm tăng tính dẫn điện và dẫn nhiệt của vật liệu.
52: Tế bào quang điện hoạt động theo nguyên lý nào sau đây.
A. Khi có ánh sáng nội trở tế bào quang điện giảm.
B. khi có ánh sáng nội trở tế bào quang điện tăng.
C. Khi có ánh sáng bên trong tế bào sẽ có dịng điện chạy qua

D. Khi có ánh sáng hai cực tế bào quang điện xuất hiện một sức điện động
53: Độ nhạy của tế bào quang dẫn không phụ thuộc vào:
A. Nhiệt độ.
B. Thông lượng ánh sáng.
C. Bức xạ.
D. Bước sóng.
54: Photodiot cấu tạo gồm:


A. Tấm bán dẫn N,P ghép tiếp xúc nhau.
B. Tấm bán dẫn N,P,N ghép tiếp xúc nhau.
C. Tấm bán dẫn P,N,P ghép tiếp xúc nhau.
D. Tất cả đều sai.
55: Phototranzito là các tranzito
A. Chuyển tiếp B-C phân cực ngược
B. Có điện áp đặt lên bazơ
C. Khơng có điện áp trên C
D. Chuyển tiếp B-C phân cực thuận
56: Hiệu ứng quang điện phát xạ hay còn được gọi là hiệu ứng quang điện ngoài là
hiện tượng các điện tử được giải phóng khỏi bề mặt vật liệu tạo thành dịng khi chiếu
vào chúng một:
A. Chùm photon
B. Tia hồng ngoại
C. Bức xạ ánh sáng
D. Bức xạ nhiệt
57: Hiệu ứng quang dẫn xảy ra khi chiếu vào một bức xạ ánh sáng có bước sóng thỏa
mãn:
A.

Bằng các giá trị xác định

B.

Lớn hơn một ngưỡng nhất định

C. Nhỏ hơn một ngưỡng nhất định
D. không phụ thuộc vào bước sóng
59: Thang nhiệt-động tuyệt đối, nhiệt độ cân bằng ba trạng thái của nước là

A. 0 K

B. 100 K

C. 273,15  K

D. 212 K

60: Điểm không tuyệt đối của nhiệt độ là giá trị nào sau đây

A. 0 K

B. -273,15 C

C. -459,67 F

D. Cả 3 đáp án trên


61: Nhiệt lượng truyền thụ tới cảm biến trong một đơn vị thời gian dt theo công thức
dQ = αA∆Tdt . Đại lượng α là

A. Nhiệt dẫn xuất của môi trường
B. Hệ số dãn nở của vật liệu cảm biến
C. Hệ số dãn nở của môi trường
D. Nhiệt dẫn xuất của vật liệu cảm biến
62: Điện trở nhiệt kim loại được chế xuất từ các vật liệu
A. Có hệ số nhiệt độ âm
B. Có giá trị hệ số nhiệt lớn
C. Có hệ số nhiệt độ dương
D. Có giá trị hệ số nhiệt trung bình
63: Kim loại dùng để chế tạo điện trở nhiệt kim loại yêu cầu
A. Giá trị điện trở lớn
B. Giá trị điện trở nhỏ
C. Giá trị điện trở trung bình
D. Tùy theo u cầu cụ thể có thể chọn nhỏ hoặc trung bình
64: Kim loại dùng để chế tạo điện trở nhiệt kim loại yêu cầu
A. Hệ số nhiệt càng ít phụ thuộc vào nhiệt độ càng tốt
B. Hệ số nhiệt càng phụ thuộc vào nhiệt độ càng tốt
C. Hệ số nhiệt phụ thuộc vào nhiệt độ ở mức vừa phải
D. Hệ số nhiệt phụ thuộc vào nhiệt độ hay không, không quan trọng
65: Ưu điểm nickel dùng để chế tạo điện trở nhiệt kim loại so với sắt hợp kim
A. Nickel không tốt bằng sắt hợp kim
B. Như nhau
C. Nickel tốt hơn sắt hợp kim
D. Tùy vào điều kiện sử dụng để đánh giá
66: Các điện trở nhiệt kim loại có đặc điểm
A. Hệ số nhiệt điện trở nhỏ và ổn định
B. Hệ số nhiệt điện trở phụ thuộc vào môi trường và ổn định
C. Hệ số nhiệt điện trở lớn và ổn định
D. Hệ số nhiệt điện trở nhỏ và thay đổi theo môi trường
67: Đối với Cặp nhiệt-ngẫu Thermocouple , sai lệch nhiệt độ giữa đầu làm việc T và đầu

tự do T0 càng lớn


A. U sinh ra trong mạch sẽ càng lớn
B. U sinh ra trong mạch sẽ càng nhỏ
C. U sinh ra trong mạch không đổi
D. U sinh ra trong mạch chỉ thay đổi đến mơt giá trị max nào đó
68: Đối với Cặp nhiệt-ngẫu Thermocouple, đặc tuyến biến thiên của nhiệt điện động
A. Tuyến tính
B. Khơng hồn tồn tuyến tính
C. Phi tuyến
D. Tùy thuộc vào từng loại cặp nhiệt
69: Cặp nhiệt Platin–PlatinoRhodi (90% Pt, 10% Rh) đo được nhiệt độ tối đa là

A. 1200 [ C ]

B. 900 [ C ]

C. 1550 [ C ]

D. 850 [ C ]

70: Các loại nhiệt điện trở bán dẫn Thermistor
A. Có hệ số nhiệt độ âm ( NTC)
B. Có hệ số nhiệt độ dương ( PTC)
C. Có thể là PTC hoặc NTC tùy loại
D. Một loại Thermistor có thể là PTC hoặc NTC tùy thời điểm
71: Đặc tuyến của các điện trở bán dẫn Thermistor
A. Tuyến tính cao
B. Một số có độ tuyến tính cao

C. Khơng tuyến tính
D. Tùy thuộc vào mơi trường đo
72: Độ nhạy của các điện trở bán dẫn Thermistor
A. Thấp hơn tất cả các loại nhiệt trở kim loại
B. Cao hơn các loại nhiệt trở kim loại
C. Thấp hơn một số loại nhiệt trở kim loại
D. Tùy vào môi trường đo có thể thấp hơn hoặc cao hơn
73: Hoả kế hồng ngoại IR Infrared Pyrometry đo năng lượng bức xạ hồng ngoại phát xạ
từ đối tượng ở bước sóng
A. 40-100 micron


B. 4-20 micron
C. 20-40 micron
D. 10-20 micron
74: Đâu là ưu điểm của Hoả kế hồng ngoại IR Infrared Pyrometry


A. Phạm vi nhiệt độ điển hình là từ -18 tới +538 C (từ 0 tới 1000 F )

B. Các ý trên đều đúng
C. Độ chính xác ± 1%
D. Dùng phối hợp với cáp quang để thực hiện cảm biến từ xa
75: Hoả kế hồng ngoại IR Infrared Pyrometry đo được nhiệt độ

A. -38 tới +638 C

B. -28 tới +738 C

C. -18 tới +538  C


D. -8 tới +738 C

76: Đâu là ưu điểm của điện trở bán dẫn Thermistor
A. Tuyến tính trong dải nhiệt độ rộng
B. Đo được nhiệt độ cao, dải đo lớn
C. Đáp ứng nhanh
D. ổn định tốt ở nhiệt độ cao
77: Đâu là ưu điểm của điện trở nhiệt kim loại
A. Độ nhậy cao
B. Giá thành thấp
C. Ổn định tốt ở nhiệt độ cao
D. Đáp ứng nhanh
78: Đâu là nhược điểm của điện trở bán dẫn Thermistor
A. Giá thành cao
B. Độ nhậy kém
C. Khả năng tuyến tính thấp ở dải đo lớn
D. Bị ảnh hưởng do rung động
79: Đo chính xác nhiệt độ bằng cách.
A. Đo được trực tiếp
B. Khơng đo được chính xác


C. Đo gián tiếp dựa vào sự phụ thuộc của tính chất vật liệu vào nhiệt độ.
D. Tất cả đều sai.
80: Các thang đo nhiệt độ được dùng hiện nay.
A. Celsius , Fahrenheit và Kelvin
B. Celsius (C)
C. Fahrenheit (F)
D. Celsius và Fahrenheit

81: Cảm biến nào thuộc loại cảm biến nhiệt không tiếp xúc.
A. Hỏa kế
B. Nhiệt kế giãn nở
C. Nhiệt điện trở
D. Cặp nhiệt ngẫu
82: Nhiệt kế gồm 2 thanh kim loại khác khác chất gắn với nhau thuộc loại nào

A. Nhiệt kế giãn nở (đ)
B. Hỏa kế
C. Nhiệt điện trở
D. Cặp nhiệt ngẫu
83: Vật liệu Platin và Niken được dùng làm cảm biến
A. Nhiệt kế giãn nở
B. Hỏa kế
C. Cặp nhiệt ngẫu
D. Nhiệt điện trở
84: Nhiệt kế bề mặt thường sử dụng loại vật liệu gì.


A. Cu
B. Fe
C. Fe-Ni
D. Mg
85: Phương pháp đo nhiệt độ bằng cảm biến nhiệt ngẫu dựa trên cơ sở
A. Cảm ứng điện từ
B. Hiệu ứng nhiệt điện
C. Bức xạ nhiệt
D. Hiệu ứng quang điện
86 : Điều nào sai khi nói về Hỏa kế
A. Đo được nhiệt độ cao đến rất cao

B. Cho sai số thấp
C. Dựa trên năng lượng bức xạ
D. Hỏa kế quang học dựa trên cường độ sáng của vật cần đo
87: Nhiệt điện kế ơ xít bán dẫn loại hệ số nhiệt dương PTC có đặc điểm:
A.

Chỉ đo được nhiệt độ dương theo thang độ C

B.

Điện trở giảm theo nhiệt độ

C. Điện trở tăng theo nhiệt độ
D.

Đo nhiệt độ với thang độ F

88: Trong cảm biến nhiệt điện trở kim loại thì điện trở biến đổi phụ thuộc chủ yếu vào:
A.

Chiều dài điện trở

B.

Độ rộng của tiết diện điện trở

C.

Độ rộng và tiết diện điện trở

89: Cảm biến tiệm cận điện cảm (Inductive proximity) phát hiện được đối tượng
A. phi kim
B. Bán dẫn
C. kim loại
D. Kim loại & phi kim
90: Khoảng cách cảm nhận của Cảm biến tiệm cận điện cảm (Inductive proximity)
A. 0,2 – 60 mm
B. 0,06 mm – 20 mm
C. 0,6mm – 20 mm x
D. 0,6 mm – 60 mm


91: Cảm biến tiệm cận điện dung (Capacitive proximity) phát hiện được đối tượng
A. kim loại
B. phi kim
C. Kim loại & phi kim
D. Bán dẫn
92: Khoảng cách cảm nhận của cảm biến tiệm cận điện dung (Capacitive proximity)
A. 0,5 mm – 20 mm
B. 0,2 mm – 50 mm
C. 2 mm – 50 mm
D. 5 mm – 20 mm
93: Vùng mù tồn tại đối với loại cảm biến tiệm cận nào
A. Tiệm cận điện cảm (Inductive proximity)
B. Tiệm cận điện dung (Capacitive proximity)
C. Tiệm cận quang học (Photoelectric proximity)
D. Tiệm cận siêu âm (Ultrasonic proximity)
94: Vùng mù đối với cảm biến tiệm cận trong khoảng nào
A. 6 mm – 80 mm
B. 60 mm – 80 mm

C. 6 cm – 80 cm
D. 6 m – 80 cm
95: Những yếu tố nào ảnh hưởng đến chế độ làm việc của cảm biến tiệm cận điện cảm
(Inductive proximity)
A. Khối lượng của đối tượng
B. Nhiệt độ của đối tượng
C. Hình dáng đối tượng
D. Mầu sắc của đối tượng
96: Những yếu tố nào không ảnh hưởng đến chế độ làm việc của cảm biến tiệm cận điện
cảm (Inductive proximity)
A. Hình dáng đối tượng
B. Độ dầy của đối tượng
C. Mầu sắc của đối tượng x
D. Vật liệu của đối tượng


97: Loại cảm biến tiệm cận nào sử dụng trường tĩnh điện để phát hiện đối tượng bằng
kim loại và phi kim loại.
A. Tiệm cận điện dung (Capacitive proximity)
B. Tiệm cận điện cảm (Inductive proximity)
C. Tiệm cận siêu âm (Ultrasonic proximity)
D. Tiệm cận quang học (Photoelectric proximity)
98: Cảm biến tiệm cận điện dung (Capacitive proximity) có khả năng phát hiện mức chất
lỏng xuyên qua thùng trong suốt với điều kiện
A. Chất lỏng phải có hằng số điện mơi thấp hơn vỏ thùng
B. Chất lỏng phải có khối lượng riêng cao hơn vỏ thùng
C. Chất lỏng phải có hằng số điện mơi cao hơn vỏ thùng
D. Chất lỏng phải có khối lượng riêng thấp hơn vỏ thùng
99: Cho cách bố trí 2 cảm biến tiệm cận siêu âm (Ultrasonic proximity) với khoảng cách
cảm nhận là 100cm, thì khoảng cách x giữa 2 cảm biến là bao nhiêu

A. > 16 cm
B. > 60 cm
C. > 26 cm
D. > 36 cm
100: Cho cách bố trí 2 cảm biến tiệm cận siêu âm (Ultrasonic proximity) với khoảng cách
cảm nhận là 100cm, thì khoảng cách x giữa 2 cảm biến là bao nhiêu

A. > 300 cm
B. > 200 cm
C. > 400 cm


D. > 140 cm
101: Những yếu tố nào không ảnh hưởng đến chế độ làm việc của cảm biến tiệm cận siêu
âm (Ultrasonic proximity)
A. Nhiệt độ
B. Áp suất
C. Mầu sắc
D. Độ ẩm
102: Những yếu tố nào ảnh hưởng đến chế độ làm việc của cảm biến tiệm cận siêu âm
(Ultrasonic proximity)
A. Khối lượng đối tượng
B. Nhiệt độ đối tượng
C. Khả năng dẫn điện của đối tượng
D. Mầu sắc của đối tượng
103: Tốc độ gió có ảnh hưởng đến chế độ làm việc của cảm biến tiệm cận siêu âm
(Ultrasonic proximity) hay khơng
A. Khơng ảnh hưởng
B. Có ảnh hưởng

C. Chỉ ảnh hưởng khi gió có tốc độ >100 Km/h
D. Chỉ ảnh hưởng khi gió có tốc độ >150 Km/h
104: Trong mơi trường nào thì cảm biến tiệm cận siêu âm (Ultrasonic proximity) khơng
hoạt động được
A. Dưới nước
B. Chân khơng
C. Khí trơ
D. Nhiệt độ > 80oC
105: Cảm biến tiệm cận dạng điện dung dùng để phát hiện:
A.

Chỉ đối tượng phi kim và kim loại

B.

Chỉ các đối tượng có từ tính

C. Mọi đối tượng
D.

Đối tượng phát ra hồng ngoại

106: Vật đặt vào vùng mù 6-80 cm phía trước cảm biến tiệm cận siêu âm sẽ khiến trạng
thái đầu ra sẽ:
A.

Ổn định

B.

Khơng có tín hiệu


C. Khơng ổn định
D. Tín hiệu dao động hình Sin
E. 107: Khoảng cách tối thiểu để không gây nhiễu giữa hai cảm biến tiệm cận có
khoảng cách cảm nhận là 6 cm được đặt song song là:
A. 12 cm
B. 18 cm
C. 15 cm x
D. 20 cm
108: Khoảng cách tối thiểu để không gây nhiễu giữa hai cảm biến tiệm cận có khoảng
cách cảm nhận là 6 -30cm được đặt đối diện nhau là:
A. 300 cm
B. 400 cm
C. 120 cm
D. 500 cm
109: Điện áp lớn nhất U 0 max có thể cung cấp cho chiết áp được tính U 0 max = Pth R , đại
lượng Pth là:
A. Trị số điện trở danh định
B. Sai số cho phép
C. công suất tổn hao cho phép của chiết áp
D. Độ phân giải
110: Trị số điện trở thuần Ohm của biến trở kim loại dây cuốn R = ρ
A. Điện trở suất của dây
B. Khối lượng riêng của dây
C. Hệ số tính đến độ bền của dây
D. Hệ số an toàn của dây
111: Đối với chiết áp độ phi tuyến của đặc tuyến điện áp ra
A. Tăng lên khi điện trở tải Rtai giảm

B. Tăng lên khi điện trở tải Rtai tăng
C. Chỉ thay đổi khi điện trở tải Rtai nhỏ hơn giá trị cho phép
D. Không phụ thuộc vào điện trở tải Rtai

l
, đại lượng ρ là
A


112: Điện dung của phần tử biến dung bằng C = ε r ε 0 .

A
đại lượng ε 0 là
l0

A. Hằng số điện môi tương đối
B. Hằng số điện dung của mơi trường
C. Hằng số điện mơi khơng khí
D. Hằng số điện dung của phần tử cảm biến
113: Phần tử biến dung có đặc điểm
A. Khơng ảnh hưởng bởi nhiễu từ trường
B. Độ phi tuyến cao
C. Nhạy với nhiễu từ trường
D. Tín hiệu đầu ra lớn
114: Biến thiên điện dung của cảm biến tụ điện là
A. Là hàm tuyến tính
B. Là hàm phi tuyến
C. Là hàm tuyến tính khi diện tích bản cực và hằng số điện mơi thay đổi
D. Là hàm phi tuyến tính khi diện tích bản cực và hằng số điện môi thay đổi
115: Cho cấu tạo cảm biến: A1 Là bản cực động; A2, A3 là các bản cực

A. Đây là cảm biến điện cảm
B. Đây là cảm biến hỗ cảm
C. Đây là cảm biến tụ kép vi sai
D. Đây là cảm biến tụ điện
116: Cho cấu tạo cảm biến: A1 Là bản cực động; A2, A3 là các bản cực


A. Đây là cảm biến điện cảm
B. Đây là cảm biến hỗ cảm
C. Đây là cảm biến tụ kép vi sai
D. Đây là cảm biến tụ đơn
117: Biến thiên dung kháng của cảm biến tụ điện
A. Là hàm tuyến tính
B. Là hàm tuyến tính khi khoảng cách giữa 2 bản cực thay đổi
C. Là hàm phi tuyến
D. Là hàm phi tuyến khi khoảng cách giữa 2 bản cực thay đổi
118: Biến thiên điện dung của cảm biến tụ điện là
A. Là hàm tuyến tính
B. Là hàm phi tuyến khi khoảng cách giữa 2 bản cực thay đổi x
C. Là hàm phi tuyến
D. Là hàm tuyến tính khi khoảng cách giữa 2 bản cực thay đổi
119: Cảm biến tụ đơn và tụ kép vi sai
A. Độ nhạy và độ tuyến tính của tụ kép vi sai thấp hơn tụ đơn
B. Độ nhạy và độ tuyến tính của tụ kép vi sai cao hơn tụ đơn
C. Độ nhạy tụ kép vi sai cao hơn tụ đơn nhưng độ tuyến tính thấp hơn
D. Độ nhạy tụ kép vi sai thấp hơn tụ đơn nhưng độ tuyến tính cao hơn
120: Chọn cảm biến có cấu tạo: 1 Là cuộn sơ cấp; 2 Gông từ; 3 Lõi từ di động; 4 Cuộn
thứ cấp

A. Cảm biến tự cảm
B. Đây là cảm biến tụ điện
C. Cảm biến hỗ cảm vi sai


D. Cảm biến hỗ cảm
121: Chọn cảm biến có cấu tạo : 1 Là cuộn sơ cấp; 2 Cuộn thứ cấp ; 3 Lõi từ

A. Cảm biến tự cảm
B. Cảm biến hỗ cảm
C. Đây là cảm biến tụ điện
D. Cảm biến hỗ cảm vi sai
122: Cảm biến hỗ cảm vi sai và cảm biến hỗ cảm
A. Độ nhạy và độ tuyến tính của tụ kép vi sai cao hơn tụ đơn x
B. Độ nhạy và độ tuyến tính của tụ kép vi sai thấp hơn tụ đơn
C. Độ nhạy tụ kép vi sai cao hơn tụ đơn nhưng độ tuyến tính thấp hơn
D. Độ nhạy tụ kép vi sai thấp hơn tụ đơn nhưng độ tuyến tính cao hơn
123: Cảm biến hỗ cảm khi mắc vi sai độ nhạy của cảm biến
A. Tăng gấp 2 lần
B. Tăng gấp 10 lần
C. Tăng gấp 5 lần
D. Giữ nguyên x
124: Chọn cảm biến có cấu tạo: 1 Lõi sắt; 2 Cuộn dây ; 3 Gông từ

A. Cảm biến hỗ cảm
B. Đây là cảm biến tụ điện


C. Cảm biến hỗ cảm vi sai
D. Cảm biến tự cảm

125: Nguyên lí làm việc của điện thế kế điện trở để xác định vị trí dựa trên
A. Thay đổi giá trị điện áp trên điện trở
B. Thay đổi giá trị dòng điện chạy qua điện trở
C. Thay đổi điện trở con chạy
D. Thay đổi giá trị góc quay của con chạy
126: Cảm biến điện cảm là nhóm các cảm biến làm việc dựa trên nguyên lý
A. Biến thiên dòng điện
B. Biến thiên hiệu điện thế
C. Biến thiên từ thong
D. Cảm ứng điện từ
127: Cảm biến tụ điện hoạt động theo nguyên tắc khi dịch chuyển hai bản cực thì
A. Hai cực tụ điện xuất hiện sức điện động thay đổi
B. Điện trường giữa hai bản cực thay đổi
C. Điện dung tụ điện thay đổi
D. Tất cả đều sai
128: Cảm biến quang phản xạ hoạt động theo nguyên tắc dọi phản quang: vị trí đầu thu
quang so với nguồn phát
A. Cách xa nhau
B. Nằm trên cùng đường thẳng
C. Cùng phía
D. Khác phía
129: Cảm biến đo dịch chuyển bằng sóng đàn hồi dựa theo nguyên tắc đo
A. Tần số bước sóng đàn hồi
B. Biên độ sóng đàn hồi
C. Thời gian di chuyển sóng đàn hồi
D. Vận tốc sóng đàn hồi
130: Hiệu ứng cảm ứng điện từ được ứng dụng để xác định tốc độ dịch chuyển thông qua
việc:
A.

Đo cường độ từ trường

B.

Đo cường độ từ thong

C. Đo sức điện động trên khung dây


D.

Đo điện tích trên khung dây

131: Kênh 0 (kênh z hay kênh chỉ thị) trên Encoder tương đối có tác dụng gì:
A. Tăng độ phân giải.
B. Xác định chiều quay của trục động cơ.
C. Giảm sai số hệ thống
D. Đếm số nguyên vòng quay. x
132: Encoder trong động cơ servo có khả năng phản hồi:
A. Vị trí và mơ men xoắn
B. Lực dọc trục động cơ và vận tốc
C. Vị trí và vận tốc x
D. Mơ mem và vận tốc
133: Trong cảm biến đo vị trí và dịch chuyển dạng điện trở thì vị trí và dịch chuyển sẽ
phụ thuộc vào:
A. Tiết diện của điện trở
B. Khe hở tiếp xúc
C. Độ dài của điện trở
D. Điện trở suất của điện trở.
134: Một encoder tuyệt đối có 4 vành đồng tâm sẽ mã hóa được:

A. 12 vị trí
B. 8 vị trí
C. 16 vị trí x
D. 32 vị trí
135: Đầu đo biến dạng điện trở kim loại có tiết diện trịn đường kính cỡ
A. Khoảng 2 µm
B. Khoảng 2 mm
C. Khoảng 20 µm
D. Khoảng 20 mm
136: Đâu là những kim nguyên tố chính chế tạo đầu đo biến dạng điện trở kim loại
A. Ni, Pt, Cr x
B. Ag, Mg, Zn
C. Ni, Fe, Ag
D. Cu, Pb, Zn
137: Vật liệu chế tạo đầu đo biến dạng điện trở kim loại có


A. Điện trở xuất phải đủ lớn
B. Điện trở xuất phải nhỏ
C. Điện trở xuất phải có giá trị nhỏ phù hợp
D. Điện trở xuất càng lớn càng tốt
138: Hệ số đầu đo K của cảm biến biến dạng điện trở kim loại
A. Khoảng từ 2 đến 4
B. Khoảng từ 12 đến 14
C. Khoảng từ 0,2 đến 0,4
D. Khoảng từ 1,2 đến 1,4
139: Các đặc trưng chủ yếu của cảm biến biến dạng điện trở kim loại
A. Điện trở xuất; Hệ số đầu đo; Độ nhạy ngang; Ảnh hưởng của nhiệt độ và lực
B. Khối lượng riêng; Hệ số đầu đo; Độ nhạy ngang; Ảnh hưởng của độ ẩm và rung động
C. Điện trở xuất; Giới hạn phá hủy; Độ nhạy ngang; Ảnh hưởng của độ ẩm và rung động

D. Khối lượng riêng; Giới hạn phá hủy; Độ nhạy ngang; Ảnh hưởng của nhiệt độ và lực
140: Đầu đo khuếch tán điện trở loại N nhận được bằng cách
A. Khuếch tán Sb vào đế silic loại N
B. Khuếch tán In vào đế silic loại P
C. Khuếch tán Sb vào đế silic loại P
D. Khuếch tán Ga vào đế silic loại N
141: Đầu đo khuếch tán điện trở loại P nhận được bằng cách
A. Khuếch tán Sb vào đế silic loại N x
B. Khuếch tán Ga vào đế silic loại P
C. Khuếch tán In vào đế silic loại N
D. Khuếch tán Sb vào đế silic loại p
142: Đối với đầu đo khuếch tán bán dẫn khi tăng độ pha tạp
A. Điện trở xuất tăng
B. Điện trở xuất không đổi
C. Điện trở xuất giảm
D. Điện trở xuất giảm hoặc tăng tùy thuộc vào loại P hay N
143: Ảnh hưởng của nhiệt độ đối với đầu đo khuếch tán bán dẫn
A. Khi nhiệt độ nhỏ hơn 1200C hệ số nhiệt điện trở có giá trị dương giảm dần khi độ
pha tạp tăng