Tải bản đầy đủ (.pdf) (43 trang)

Tài liệu Malvino-EP-13- JFETS ppt

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (455.93 KB, 43 trang )

Chương 13g
JFET
Tithiệ ứ t ờTransistor hiệu ứng trường
Từ Vựng (1/2)
• Automatic gain control (AGC) = điều khiển tự động
độ lợiđộ lợi
• chopper = mạch ngắt quãng

Current-source bias = phân cực nguồn dòngCurrent source bias phân cực nguồn dòng
• Drain = (cực) máng
• Field effect transistor (FET)= transistor hiệu ứng trường• Field effect transistor (FET)= transistor hiệu ứng trường
• Gate = (cực) cổng
• Gate bias = phân cựccổng• Gate bias = phân cực cổng
• Gate lead = đầu ra cổng
Gt tff lt điệ á ắtGS( ổ ồ )• Gate source cutoff voltage = điện áp cắt G-S (cổng-nguồn)
Từ Vựng (2/2)
• Metal-oxide semiconductor (MOS) = bán dẫn oxide
kim lo
ạiạ
• Multiplexing = dồn kênh

Ohmic region = miền Ohm (tuyến tính)Ohmic region miền Ohm (tuyến tính)
• Pinchoff voltage = điện áp nghẹt (nghẽn)
• Self bias = tự phân cực• Self-bias = tự phân cực
• Series switch = công tắc nối tiếp
Sh t it h ô tắ ẽ há h ( )• Shunt switch = công tắc rẽ nhánh (song song)
• Source follower = mạch theo nguồn
ỗ ẫ• Transcoductance = hỗ dẫn
GiớithiệuGiới thiệu
•BJT dựa trên 2 loại hạt dẫn: điện tử và lỗ
• FET thuộc loại đơn cực (unipolar) vì hoạt động


của nó phụ thuộc vào 1 loại hạt dẫn điện tử hoặc
lỗlỗ.
•Phần lớn trong các ứng dụng tuyến tính, người ta
dù BJT t hiê ới ứ d ầ tổ t ởdùng BJT, tuy nhiên với ứng dụng cần tổng trở
vào cao thì người ta dùng FET.
Vớiáứ d h ể h ờit thí h• Với các ứng dụng chuyển mạch người ta thích
dùng FET hơn vì không có điện tích chứa do hạt
dẫnthiểusố trong miềntiếp xúcdẫn thiểu số trong miền tiếp xúc.
• Có 2 loại transistor đơn cực: JFET và MOSFET.
Nội dung chương 13
1. Các ý tưởng cơ bản
2 Các đường cong ở (cực) máng2. Các đường cong ở (cực) máng
3. Đường cong hỗ dẫn
4 Phâ iề Oh4. Phân cực trong miền Ohm
5. Phân cực trong miền tích cực
6. Hỗ dẫn
7. Mạch KĐ JFETạ
8. Công tắc analog dùng JFET
9 Các ứng dụng JFET khác9. Các ứng dụng JFET khác
10. Đọc bảng dữ liệu
áý ở ả
13-1
Các ý tưởng cơ bản
Transistor hiệu ứng trường (JFET) kênh Nệ g g( )
Drain
D
n
Gate
G
pp

Gate
V
DD
S
D
Source
V
GG
G
Source
S
JFETJFET
• Dụng cụ đơncực Æ hoạt động dựa trên 1 loạiDụng cụ đơn cực Æ hoạt động dựa trên 1 loại
hạt dẫn: kênh N (điện tử), kênh P (lỗ)
• Được điều khiểnbằng điệnáp(điệnápcổng• Được điều khiển bằng điện áp (điện áp cổng
điều khiển dòng điện máng)
Tổ ở à• Tổng trở vào cao
• Không chứa hạt dẫn thiểu số
• Trong phần lớn các ứng dụng tần thấp có thể
hoán đổi D và S
13-2
Các đường cong ở
13 2
Các đường cong ở
(cực) máng(cực) máng
I
D
theo V
DS
khi V

GS
=0 (Fig.13-4)
Họ đặctuyến ở mángHọ đặc tuyến ở máng
Các đường cong ở (cực) mángCác đường cong ở (cực) máng
VớiV 0dò á I đ i ở I• Với V
GS
= 0, dòng máng I
D
cực đại ở I
DSS
• V
P
= điện áp nghẹt (nghẽn=pinch-off)
• Khi V
DS
= V
P
các miền nghèo chạm nhau

VớiV
DS
> V
P
JFET hoạt động như nguồnVới V
DS
V
P
JFET hoạt động như nguồn
dòng
• V = V• V

GS(off)
= -V
P
0 V
10
I
DSS
V
GS
8
V
P
= 4 volts
Ctt t i
I
D
in mA
-1 V
6
Constant current region
-2 V
2
4
4V
-3 V
2
0
V
DS
in Volts

-
4 V
510
15
20
VV
GS(off)
MiềnOhmMiền Ohm
• V phân cách miềntíchcựcvớimiềnOhmV
P
phân cách miền tích cực với miền Ohm.
• Trong miền này, JFET hoạt động như điện
trởtrở.
• R
DS
= V
P
/I
DSS
0 V
10
V
GS
8
Ohmic region
I
D
in mA
-1 V
6

-2 V
2
4
4V
-3 V
2
0
V
DS
in Volts
-
4 V
510
15
20
Tóm tắt JFET kênh N (1)
ấvới V
DS
thấp
Tóm tắt JFET kênh N (2)
vớiV
DS
lớnvới V
DS
lớn

×