BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI
KHOA ĐIỆN
BỘ MÔN KTĐ & THCN
--------------- o0o ----------------
ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Đề tài:
NGHIÊN CỨU CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỆT ĐỘ VÀ
THIẾT KẾ MẠCH ĐO NHIỆT ĐỘ HIỂN THỊ MÁY TÍNH
Giáo viên hướng dẫn: Th.S LÊ THỊ THANH HÀ
Sinh viên thực hiện: NGUYỄN MINH THƯ
NGUYỄN VĂN QUYẾT
Líp: KTĐ&THCN – K3
HÀ NỘI - 04/2008
Bé giáo dục và đào tạo Cộng hoà xã hội chủ nghỉa Việt Nam
Trường ĐHBK Hà Nội Độc lập tự do hạnh phóc
..………………. …………………
NHIỆM VỤ THIẾT KẾ TỐT NGHIỆP
Họ và tên: Nguyễn Minh Thư
Nguyễn Văn Quyết
Khoá : K3 Khoa : Điện
1. Đề tài thiết kế:
Ngiên cứu các phương pháp đo nhiệt độ và thiết kế thiết bị đo nhiệt độ,
hiển thi máy tính.
2. Các số liệu ban đầu :
Dải nhiệt độ đầu vào từ 0á100
0
C
Sai sè cho phép của thiết bị 1,5%
3. Mục đích yêu cầu của bài toán:
Ngiên cứu các phương pháp đo nhiệt độ
Phân tích đề tài, chọn phán thiết kế
Thiết kế phần cứng tổng thể
Ngiên cứu chi tiết các linh kiên sử dụng trong thiết kế
Tính sai số của mạch thiết kế
4. Các bản vẽ:
Sơ đồ các khối chức năng
Sơ đồ mạch đo
5. Giáo viên hớng dẫn:
Thạc sĩ : Lê Thị Thanh Hà
6. Ngày giao nhiệm vụ thiết kế:
7. Ngày hoàn thành nhiệm vụ thiết kế:
CHỦ NHIỆM BỘ MÔN CÁN BỘ HỚNG DẪN
(Ký, ghi rõ họ tên) (Ký, ghi rõ họ tên)
SINH VIÊN HOÀN THÀNH ĐỒ ÁN
(Ký, ghi rõ họ tên)
Mục lục
Chương 1 : Các phương pháp đo nhiệt độ………………
1.1 Khái niệm về nhiệt độ…………………………………
1.1.1 Khái niệm………………………………………..
1.1.2 Thang đo nhiệt độ……………………………….
1.1.3 Sơ lược về phương pháp đo nhiệt độ……………
1.2 Đo nhiệt độ bằng phương pháp tiếp xúc………………
1.2.1 Đo nhiệt độ bằng nhiệt điện trở…………………
1.2.1.1 Nhiệt điện trở kim loại………………………...
1.2.1.2 Nhiệt điện trở bán dẫn…………………………
1.2.2 Đo nhiệt độ bằng cặp nhiệt ngẫu……………………
1.2.3 IC cảm biến nhiệt độ……………………………….
1.2.3.1 LM335……………………………………….
1.2.3.2 ADC22100……………………………………
1.3 Đo nhiệt độ bằng phương pháp không tiếp xúc…………
1.3.1 Hoả quang kế phát xạ………………………………
1.3.2 Hoả quang kế cường độ sáng………………………
1.3.3 Hoả quang kế màu sác………………………………
Chương 2 : Tính toán và thiết kế tổng thể thiết bị đo……
2.1 Sơ đồ khối của thiết bị đo…………………………………
2.2 Thiết kế phần cứng……………………………………….
2.2.1 senser……………………………………................
2.2.1.1 Khái niệm………………………………………
2.2.1.2 Cấu tạo LM335…………………………………
2.2.1.3 Nguyên lý hoạt động……………………………
2.2.1.4 Sơ đồ chân LM741…………………..
2.2.2 Mạch chuyển đổi chuẩn hoá………………………….
2.2.3 Thiết kế card thu thập và xử lý thông tin……………..
2.2.3.1 ADC 0809 và các mạch phụ…………………….
2.2.3.2 Vi xử lý 89C51 và các mạch phụ…………..
2.2.3.3 Lưu đồ thuật toán chương trình………..
2.2.4 Thiết kế nguồn cung cấp……………………………
2.2.4.1 Khái niệm cơ bản về bô ổn áp………………………
2.2.4.2 Nguyên tắc ổn áp…………………………………...
2.2.4.3 Sơ đồ khối của nguồn cung cấp ổn định……………
2.2.5 Sơ đồ nguyên lý của card thu thập dữ liệu………………
Chương 3 : Linh kiện sử dụng trong thiết kế …………………
3.1 Bộ biến đổi ADC 0809………………………………………
3.1.1 Đặc điểm……………………………………………….
3.1.2 Các thông số kỹ thuật……………………………………
3.1.3 Sơ đồ chân………………………………………………
3.1.4 Nguyên lý………………………………………………
3.1.5 Hoạt động………………………………………………
3.2 Vi xử lý………………………………………………………
3.2.1 Đặc điểm…………………..…………………………...
3.2.2 Mô tả………………………………………………….
3.2.3 Định dạng chân………………………………………….
3.2.4 Sơ đồ chân……………………………………………….
3.2.5 Timer/ Counter…………………………………………..
3.2.6 Chế độ nghỉ……………………………………………...
3.2.7 Chế độ nguồn giảm……………………………………...
3.2.8 Các bit khoá chương trình……………………………….
3.3 Cổng truyền thông RS 232…………………………………...
3.3.1 Về chuẩn RS 232………………………………………...
3.3.2 Cổng nối tiếp RS 232……………………………………
3.3.3 Các yêu cầu của chuẩn RS 232 víi phần tạo dạng phát…
3.4 Giới thiệu về máy tính PC……………………………………
3.4.1 Giới thiệu chung về máy tính……………………………
3.4.2 Các cổng vào ra của máy tính…………………………...
3.4.3 Cổng nối tiếp…………………………………………….
Chương 4 : Đánh giá sai sè chung……………………………
4.1 Sai số của senser………………………………………
4.2 Sai số của bộ khuếch đại…………………………….
4.3 Sai số của ADC………………………………………………
4.3 Kết luận => sai số toàn mạch……………………..
4.4 Cách hiệu chỉnh sai số………………………………………
Lời nói đầu
Đo nhiệt độ là một trong các phương pháp cơ bản và thường gặp trong
đo lường, nó đã có từ lâu, mỗi giai đoạn có những phương pháp đo khác
nhau. Trước đây khi công nghệ điên tử và bán dẫn chưa phát triển thì các
mạch đo chủ yếu dùa trên kỹ thuật tương tự, phương pháp xử lý chủ yếu dùa
vào phần cứng cho nên giá trị đó có sai số lớn, thiết bị cồng kềnh, lắp đặt
không thuận tiện . Đến đầu những năm 80 và nhất là những năm cuối thế kỷ
20, khi công nghệ bán dẫn và vi mạch phát triển mạnh, cùng với sự phát
triển của khoa học kỹ thuật đặc biệt là kỹ thuật số đã được ứng dụng rộng rãi
trong các ngành đo lường điều khiển làm thay đổi hẳn phương pháp xử lý tín
hiệu đo. Trước đây xử lý tín hiệu đo chủ yếu là đo bằng phần cứng thì ngày
nay việc xử lý được mềm hoá cùng với sự ra đời của những sensor thông
minh đã làm cho các thiết bị đo ngày càng thông minh và độ chính xác cao
hơn. Ngày nay xuất hiên nhiều phương pháp đo nhiệt độ sử dụng cảm biến
loại cặp nhiệt, nhiệt điện trở hay bán dẫn hoặc sử dụng phương pháp phân
tích phổ để xác định nhiệt độ. Đối với những nơi không trực tiếp đặt được
các đầu đo nhiệt độ (nơi có nhiệt độ quá cao). Nhìn chung các phương pháp
đo nhiệt độ có nhiều nét giống nhau nhưng cách xử thì có thể khác nhau, tuỳ
vào mục đích và yêu cầu kỹ thuật đối với từng công việc cụ thể nhưng mục
đích cuối cùng của phép đo là thể hiện giá trị nhiệt độ với khoảng sai sè cho
phép có thể chấp nhận được.
Phần chi tiết em xin trình bày dưới đây.
Chương 1
CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỆT ĐỘ
1.1 Khái niệm về nhiệt độ:
1.1.1 Khái niệm:
Nhiệt độ là đại lý đặc trưng cho cường độ chuyển động của các nguyên
tử, phân tử của một hệ vật chất. Tuỳ theo từng trạng thái của vật chất ( rắn,
lỏng, khí) mà chuyển động này có khác nhau. ở trạng thái láng, các phân tử
dao động quanh vi trí cân bằng nhưng vi trí cân bằng của nó luôn dịch
chuyển làm cho chất lỏng không có hình dạng nhất định. Còn ở trạng thái
rắn, các phần tử, nguyên tử chỉ dao động xung quanh vị trí cân bằng. Các
dạng vận động này của các phân tử, nguyên tử được gọi chung là chuyển
động nhiệt. Khi tương tác với bên ngoài có trao đổi năng lượng nhưng không
sinh công, thì quá trình trao đổi năng lượng nói trên gọi là sự truyền nhiệt.
Quá trình truyền nhiệt trên tuân theo 2 nguyên lý:
Bảo toàn năng lượng.
Nhiệt chỉ có thể tự truyền từ nơi có nhiệt độ cao đến nơi có nhiệt độ
thất. Ở trạng thái rắn, sự truyền nhiệt xảy ra chủ yếu bằng dẫn nhiệt và bức
xạ nhiệt.
Đối với các chất lỏng và khí ngoài dẫn nhiệt và bức xạ nhiệt còn có
truyền nhiệt bằng đối lưu. Đó là hiện tượng vận chuyển năng lượng nhiệt
bằng cách vận chuyển các phần của khối vật chất giữa các vùng khác nhau
của hệ do chênh lệch về tỉ trọng.
1.1.2 Thang đo nhiệt độ:
Từ xa xưa con người đã nhận thức được hiện tượng nhiệt và đánh giá cường
độ của nó bằng cách đo và đánh giá nhiệt độ theo một đơn vị đo của mỗi
thời kỳ. Có nhiều đơn vị đo nhiệt độ, chúng được định nghĩa theo từng vùng,
từng thời kỳ phát triển của khoa học kỹ thuật và xã hội. Hiện nay chóng ta
có 3 thang đo nhiệt độ chính là:
Thang nhiệt độ tuyệt đối ( K ).
Thang Celsius ( C ): T(
0
C ) = T(
0
K ) – 273,15.
Thang Farhrenheit: T(
0
F ) = T(
0
K ) – 459,67.
Đây là 3 thang đo nhiệt độ được dùng phổ biến nhất hiện nay. Trong
đó thang đo nhiệt độ tuyệt đối (K) được quy định là một trong 7 đơn vị đo cơ
bản của hệ đơn vị quốc tế (SI). Dùa trên 3 thang đo này chúng ta có thể đánh
giá được nhiệt độ.
1.1.3 Sơ lược về phương pháp đo nhiệt độ:
Nhiệt độ là đại lượng chỉ có thể đo gián tiếp trên cơ sở tính chất của
vật phụ thuộc nhiệt độ. Hiện nay chóng ta có nhiều nguyên lí cảm biến khác
nhau để chế tạo cảm biến nhiệt độ như: nhiệt điện trở, cặp nhiệt ngẫu,
phương pháp quang dùa trên phân bố phổ bức xạ nhiệt, phương pháp dùa
trên sự dãn nở của vật rắn, lỏng, khí hoặc dùa trên tốc độ âm… Có 2 phương
pháp đo chính:
Ở dải nhiệt độ thấp và trung bình phương pháp đo là phương pháp tiếp
xúc, nghĩa là các chuyển đổi được đặt trực tiếp ngay trong môi trường đo.
Thiết bị đo như: nhiệt điện trở, cặp nhiệt, bán dẫn.
Ở dải nhiệt độ cao phương pháp đo là phương pháp không tiếp xúc
( dông cụ dặt ngoài môi trường đo). Các thiết bị đo nh: cảm biến quang, hoả
quang kế ( hoả quang kế phát xạ, hoả quang kế cường độ sáng, hoả quang kế
màu sắc)…
1.2 Đo nhiệt độ bằng phương pháp tiếp xúc
1.2.1 Đo nhiệt độ bằng nhiệt điện trở:
Nguyên lý hoạt động:
Điện trở của một số kim loại thay đổi theo nhiệt độ và dùa vào sự thay
đổi điện trở đó người ta đo được nhiệt độ cần đo.
Nhiệt điện trở dùng trong dụng cụ đo nhiệt độ làm việc với dòng phụ tải nhỏ
để nhiệt năng sinh ra do dòng nhiệt điện trở nhỏ hơn so với nhiệt năng nhận
được từ môi trường thí nghiệm.
Yêu cầu cơ bản đối với vật liệu dùng làm chuyển đổi của nhiệt điện
trở là có hệ số nhiệt độ lớn và ổn định, điện trở suất khá lớn…
Trong công nghiệp nhiệt điện trở được chia thành nhiệt điện trở kim
loại và nhiệt điện trở bán dẫn.
1.2.1.1 Nhiệt điện trở kim loại:
Quan hệ giữa nhiệt điện trở của nó và nhiệt độ là tuyến tính, tính lặp
lại của quan hệ là rất cao nên thiết bị được cấu tạo đơn giản. Nhiệt điện trở
kim loại thường có dạng dây kim loại hoặc màng mỏng kim loại có điện trở
suất thay đổi theo nhiệt độ. Trong điện trở kim loại dược chia thành 2 loại:
Kim loại quý (Pt)
Kim loại thường (Cu, Ni…)
Platin được chế tạo với độ tinh khiết cao, cho phép tăng độ chính xác
của các đặc tính điện trở của nó, hơn nữa Platin còn trơ về mặt hoá học và
ổn định tinh thể, cho phép hoạt động tốt trong dải nhiệt độ rộng. Ngoài ra nó
lại còn có tính lặp rất cao, sai số ngẫu nhiên thấp ( dưới 0,01%), có độ sai
khác 0.01
0
C…
Niken có độ nhạy cao hơn so với Platin nhưng Niken có tính hoá học
cao, dễ bị oxy hoá khi nhiệt độ tăng do vậy dải nhiệt độ làm việc của nó bị
hạn chế ( dưới 250
0
C ). Tuy vậy nó lại có giá thành rẻ vẫn đáp ứng về mặt
kỹ thuật cho nên cũng hay được sử dụng.
Đồng cũng được sử dụng nhiều vì sự thay đổi nhiệt độ của đồng có độ
tuyến tính cao, giống nh Niken thì hoạt tính hoá học của đồng lớn nên dải
nhiệt độ làm việc của đông bị hạn chế ( dưới 180
0
C ).
Để đạt được độ nhạy cao nhiệt điện trở phải lớn muốn vậy phải giảm
tiết diện và tăng chiều dài dây. Để có độ bền cơ học tốt các nhiệt điện trở
kim loại có trị số điện trở R vào khoảng 100Ω ở 0
0
C. Các nhiệt điện trở có
trị số lớn thường dùng đo dải ở nhiệt độ thấp vì ở đó cho phép thu được độ
nhạy cao. Để sử dụng cho mục đích công nghiệp các nhiệt điện trở có vỏ bọc
tốt, chống được va chạm và rung mạnh…
Đối với bạch kim thì giữa điện trở và nhiệt độ trong giới hạn từ 0 ÷
660
0
C được biểu diễn bằng biểu thức:
Rt = Ro(1+At+Bt
2
)
Trong đó Ro là nhiệt độ ở 0
0
C
Đối với bạch kim tinh khiết thì: A = 3,940.10
-3
/
0
C
B = -5,6.10
-7
/
0
C
Trong khoảngtừ -190 ÷ 0
0
C thì quan hệ giữa điện trở của bạch kim với
nhiệt độ có dạng: Rt = { 1+At+Bt
2
+C(t-100)
3
Trong đó C = -4,10.10
-12
/
0
C
Đối với đồng ta có công thức: Rt = Ro(1+αt).
Trong đó: Ro - điện trở ở nhiệt độ 0
0
C
α
0
- hệ số nhiệt độ đối với khoảng nhiệt độ bắt đầu từ 0
0
V
bằng 4,3.10
-3
/
0
C.
Trong khoảng nhiệt độ từ -50
0
C ÷ 150
0
C. Loại này có thể dùng được
trong các môi trường có độ Èm và khí ăn mòn.
Trong thực tế có loại nhiệt điện trở TCM-0879-01T3 bằng đồng công
thức mô tả: Rt = 50(1+4,3.10
-3
T) (Ω).
1.2.1.2 Nhiệt điện trở bán dẫn:
Nhiệt điện trở bán dẫn được chế tạo từ hỗn hợp nhiều oxit kim loại
khác nhau (ví dô nh: CuO, MnO…). Một số nhiệt điện trở bán dẫn đặc trưng
bởi quan hệ: Rt = A.e
B/T
Trong đó A: Hằng số chất phụ thuộc vào tính chất vật lý của chất bấn
dẫn, kích thước và hình dạng của vật.
B: Hằng số chất phụ thuộc vào tính chất vật lý của chất bán dẫn.
T: Nhiệt độ Kenvin của nhiệt điện trở.
Nhược điểm của nhiệt điện trở bán dẫn là có hệ số phi tuyến giữa điện
trở với nhiệt độ. Điều này gây khó khăn cho việc có thang đo tuyến tính và
việc lầm lẫn giữa các nhiệt điện trở khi sản xuất hàng loạt.
Nhiệt điện trở có thể dùng mạch đo bất kỳ để đo điện trở nhưng thông
thường dùng mạch cầu không cân bằng, chỉ thị là Logomet từ điện hoặc cần
tự động cân bằng, trong đó một nhánh là nhiệt điện trở khi sản xuất hàng
loạt.
NÕu dùng cầu 2 dây dụng cụ sẽ có sai sè do sù thay đổi nhiệt điện trở
của đường dây khi nhiệt độ môi trường thay đổi.
1.2.2 Đo nhiệt độ bằng cặp nhiệt ngẫu:
Nguyên lý làm việc:
Bộ cảm biến cặp nhiệt ngẫu là 1 mạch từ có 2 hay nhiều thanh dẫn
điện gồm 2 dây dẫn A và B. Sebeck đã chứng minh rằng nếu mối hàn có
nhiệt độ t và t
0
khác nhau thì trong mạch khép kín có một dòng điện chạy
qua. Chiều của dòng điện này phụ thuộc vào nhiệt độ tương ứng của mối hàn
nghĩa là t > t
0
thì dòng điện chạy theo hướng ngược lại. Nếu để hở một đầu
thì sẽ xuất hiện một sức điện động nhiệt. Khi mối hàn có cùng nhiệt độ ( ví
dụ bằng t
0
) thì sức điện động tổng bằng:
E
AB
= e
AB
(t
0
) + e
AB
(t
0
) = 0
Từ đó rót ra: e
AB
= e
AB
(t
0
)
Khi t
0
và t khác nhau thì sức điện động tổng bằng:
E
AB
= e
AB
(t) – e+
AB
(t
0
)
Phương trình trên là phương trình cơ bản của cặp nhiệt ngẫu ( sức
điện động phụ thuộc vào hệ số nhiệt độ của mạch vòng t và t
0
)
Nh vậy bằng cách đo sức điện động ta có thể tìm được nhiệt độ của
đối tượng.
Phương pháp này được sử dụng nhiều trong công nghiệp khi cần đo
những nơi có nhiệt độ cao.
1.2.3 IC cảm biến nhiệt độ
Có rất nhiều hãng chế tạo linh kiện điện tử đã sản xuất ra các loại IC
bán dẫn dùng để đo dải nhiệt độ từ -55÷150
0
C. Trong các mạch tổ hợp IC,
cảm biến nhiệt thường là điện áp của líp chuyển tiếp p-n trong một loại
tranzitor loại bipola.
1.2.3.1 Loại LM 335
IC loại LM 335 có điện áp ngõ ra tỉ lệ trực tiếp với nhiệt độ thang
đo
0
C, điện áp ra là 10mV/
0
C và sai số không tuyến tính là ±1,8 mV cho
toàn thang đo. Điện áp nguồn nuôi có thể thay đổi từ 4V÷30V. LM 335 được
chế tạo cho 3 thang đo:
-55÷150
0
C loại LM 335 và LM 35D
-40÷110
0
C loại LM35C và LM35CA
0÷100
0
C loại LM35DA
1.2.3.2 Loại AD22100
AD22100 có hệ số nhiệt độ 22,5 mV/
0
C. Điện áp ngõ ra có công
thức:
Vout = (V
+
/5V).(1,375V+22,5mV/
0
C.T)
Trong đó:
V
+
: Trị số điện áp cấp
T : Nhiệt độ cần đo
Các IC trong họ AD22100:
AD100KT/KR cho dải nhiệt độ từ 0÷100
0
C
AD100AT/AR cho dải nhiệt độ từ -40÷85
0
C
AD100ST/SR cho dải nhiệt độ đo từ -50÷150
0
C
Hình dạng bên ngoài của AD22100:
V
+
: Điện áp nguồn nuôi 4÷30 VDC
Vo : Đầu ra
GND : nối vào 0V
NC : bá trống
1.3 Đo nhiệt độ bằng phương pháp không tiếp xúc
Nguyên lý hoạt động:
Dưạ trên định luật bức xạ của vật đen tuyệt đối, tức là vật hấp thụ
năng lượng theo mọi hướng với khả năng lón nhất. Bức xạ nhiệt của mọi vật
đặc trưng bởi mật độ phổ E
λ
nghĩa là số năng lượng bức xạ trong một đơn vị
độ dài của sóng.
Quan hệ giữa mật độ bức xạ của vật đen tuyệt đối với nhiệt độ và độ dài
sóng được biểu diễn bởi công thức:
E
0
λ
= C1.λ
-5
(e
c
2/
λ
T
-1)
-1
Trong đó: C
1
: Hằng số và C
1
= 37,03.10
-7
(Jm
2
/s)
C
2
: Hằng số vá C
2
= 1,432.10
-2
(m.độ)
λ: Độ dài sóng
T: Nhiết độ tuyệt đối
1.3.1 Hoả quang kế phát xạ:
Đối với vật đen tuyệt đối năng lượng bức xạ toàn phần trên một đơn vị
bề mặt E
t
0
= δ.T
4
p
( với δ = 4,96.10
-2
Jm
2
.sgrad
4
)
T
p
: Nhiệt độ của vật theo lý thuyết đối với vật thực
E
0
T
= ε
T
δT
4
t
Trong đó : ε
T
là hệ số bức xạ tổng, xác định tính chất của vật và nhiệt
độ của nã ( thường nhỏ hơn 1 )
T
t
: Nhiệt độ thực của vật
Hoả quang kế phát xạ được khắc độ theo bức xạ của vật đen tuyệt đối.
Nhưng khi đo ở đối tượng thực thì T
p
được tính theo công thức:
δ.T
4
p
= ε
T
.δ.T
4
T
⇒ T
T
= T
p
4
√
1
/ε
T
( T
t
bao giê cũng nhỏ hơn T
p
)
Hoả quang kế dùng để đo dải nhiệt độ từ 20 ÷ 100
0
C. khi cần đo nhiệt
độ lớn ( trên 100 ÷ 2500
0
C ) mà tần số bước sóng đủ lớn người ta dùng 1
thấy kính bằng thạch anh hay thuỷ tinh đặc biệt để tập chung các tia phát xạ
và phần tử nhạy cảm với nhiệt độ được thay bằng cặp nhiệt ngẫu. Trong
nhiệt kế phát xạ thấu kính không thể đo được nhiệt độ thấp vì các tia hồng
ngoại không thể xuyên qua được thấy kính ( kể cả thạch anh ).
Khoảng cách để đo giữa đối tượng và hoả quang kế được xác định do
kích thước. Chùm tia sáng từ đối tượng đo đến dụng cụ phải chùm hết tầm
nhìn ống ngắm của nhiệt kế.
Nhược điểm của tất cả các hoả quang kế là đối tượng không phải là
vật đen tuyệt đối do đó trong vật nóng có sự phát xạ nội tại và dòng phát xạ
nhiệt đi qua bề mặt.
1.3.2 Hoả quang kế cường độ sáng:
Trong thực tế khi đo nhiệt độ T dưới 3000
0
C với bước sóng trong
khoảng 0,40µm < λ < 0,70µm thì mật độ phổ bức xạ của vật đen tuyệt đối có
thể biểu diễn bằng công thức:
E
0
λ
= C
1
λ
-5
.e
-c2/
λ
T
Đối với vật thật:
E
0
λ
= ε
λ
.C
1
λ
-5
.e
-c2/
λ
T
Xác định ε
λ
là điều rất khó, thường ε
λ
= 0,03 ÷0,7 ở các vật liệu khác
nhau và với độ sóng λ = 0,6 ÷ 0,7µm.
Nguyên lý làm việc :
So sánh cường độ sáng của đối tượng đo nhiệt độ với cường độ sáng
của một nguồn sáng chuẩn trong dải phổ hẹp. Nguồn sáng chuẩn là một
bóng đèn sợi đốt Vonlfram sau khi đã được già hoá trong khoảng 100 giê
với nhiệt độ khoảng 2000
0
C. Cường độ sáng có thể điÒu chỉnh bằng cách
thay đổi dòng đốt hay dùng bộ lọc ánh sáng.
NÕu cường độ sáng của đối tượng đo lớn hơn độ sáng của dây đốt ta
sẽ thấy dây thâm trên nền sáng.
Nếu cường độ của đối tượng đo yếu hơn độ sáng của dây đốt thì kết
quả sẽ cho thấy dây sáng trên nền thẫm.
Nếu độ sáng bằng nhau thì dây sẽ mất và đọc vị trí của bộ chắn sáng.
So sánh bằng mắt tuy thô sơ nhưng vẫn đảm bảo độ chính xác nhất
định vì cường độ sáng thay đổi nhiều hơn gấp 10 lần so với sự thay đổi nhiệt
độ.
Ánh sáng từ đối tượng đo 1 đến mẫu 10 qua khe hở và bộ lọc ánh
sáng 8 cùng đặt vào tế bào quang điện 4. Sự sánh được thực hiện bằng cách
lần lượt cho ánh sáng từ đối tượng đo và đèn chiếu tế bào quang điên nhờ
tấm chắn 3 và sự di chuyển tấm chắn cảm ứng điện từ 9 của chuyển đổi
ngược với tần số 50 Hz.
Dòng ánh sáng Φ
1
và Φ
2
được tế bào quang điện biến thành dòng điện,
dòng điện này được đưa vào khuếch đại xoay chiều và được chỉnh lưu bằng
bộ chỉnh lưu nhạy pha 6 để biến thành dòng 1 chiều và đưa vào
miliampemet 7 và đèn đốt 10 thay đổi cho đến khi cường độ sáng của đối
tượng đo.
Miliampemet được khắc trực tiếp giá trị nhiệt độ cho ta biết giá trị đo
được. Hoả quang kế loại này có độ chính xác cao ( sai sè ±1% ) trong dải
nhiệt đo 900 ÷ 2200
0
C.
1.3.3 Hoả quang kế màu sắc
Nguyên lý làm việc:
Dùa trên phương pháp đo tỉ số cường độ bức xạ của 2 ánh sáng có
bước sóng khác nhau λ
1
và λ
2
. Nếu năng lượng thu được:
E
1
= ε
1
.C
1
λ
-5
1
e
-c2/
λ
1T
E
2
= ε
2
.C
1
λ
-5
2
e
-c2/
λ
1T
⇒ T = C
2
( 1/λ
1
- 1/λ
2
).ln (E1ε2λ2)/(E2ε1λ1)
Vì vậy trong dụng cụ hoả kế màu sắc có thiết bị tự giải phương trình.
Các giá trị λ
1
,λ
2
,ε
1
,ε
2
được đưa vào trước. Nếu các thông số trên không được
đưa vào trước sẽ gây nên sai sè.
Khi đo đến dải nhiệt độ 2000÷ 2500
0
C thì giá trị ε
1
,ε
2
có thể xác định
được bằng thực nghiệm.
Cường độ bức xạ từ đối tượng đo A qua hệ thấu kính 1 tập chung ánh
sáng trên đĩa 2. Đĩa này quay quanh trục nhờ động cơ 3.
Sau khi ánh sáng qua đĩa 2 đi vào tế bào quang điện 4 trên đĩa khoan 1
số lỗ, trong đó một nửa đặt bộ lọc ánh sáng đỏ (LĐ) còn nửa kia lọc ánh
sáng xanh (LX). Khi đĩa qua tế bào quang lần lượt nhận được ánh sáng đỏ và
xanh với tần số nhất định tuỳ theo tốc độ quay của động cơ. Dòng quang
điện được khuếch đại 5 từ đó đưa vào bộ chỉnh lưu pha 7.
Nhờ bộ chuyển mạch 8 tín hiệu đĩa chia thành 2 phần tuỳ theo ánh
sáng của tế bào quang điện là xanh hay đỏ.
Tuỳ theo cường độ bức xạ của đối tượng đo, độ nhạy của khuếch đại
được điều chỉnh tự động nhờ thiết bị 6.
Bé chia logomet từ điện: góc quay của nó tỉ lệ với nhiệt độ cần đo và
bộ chuyển mạch là các rơle phân cực, làm việc đồng bộ với các đĩa quay,
nghĩa là: sự chuyển mạch của logomet xảy ra đồng thời với sự thay đổi bộ
lọc ánh sáng mà dòng bức xạ đặt lên tế bào quang điện.
- Ưu điểm: Trong quá trình đo không phụ thuộc vào khoảng cách từ vị
trí đo đến đối tượng đo và không phụ thuộc vào sự hấp thụ bức xạ của môi
trường.
- Nhược điểm: Cấu tạo tương đối phức tạp.
Nhận xét chung về các loại cảm biến:
Các loại
cảm biến
Ưu điểm Nhược điểm
Nhiệt
điện trở
- ổn định nhất
- Chính xác nhất
- Tuyến tính hơn so với
cặp nhiệt ngẫu
- Đắt tiền
- Cần phải cung cấp nguồn
dòng
- Lượng thay đổi ∆R nhá
- Điện trở tuyệt đối thấp
- Tù gia tăng nhiệt
Cặp
nhiệt
ngẫu
- Là thành phần tích cực,
tự cung cấp công suất
- Đơn giản, rẻ tiền
- Tầm thay đổi rộng
- Tầm đo nhiệt độ rộng
- Phi tuyến
- Điện áp cung cấp thấp
- Đòi hỏi điện áp tham chiếu
- Kém ổn định nhất
- Kém nhạy nhất
IC cảm
biến
- Tuyến tính nhất
- Ngõ ra có giá trị cao
- Nhiệt độ đo thấp
- Cần cung cấp nguồn dòng cho
nhất
- Rẻ tiền
Cảm biến
Đo bằng
phương
pháp
không
tiếp xúc
- Tầm đo nhiệt độ rộng - Cấu tạo phức tạp
Chương 2
TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ MẠCH ĐO
2.1 Sơ đồ khối của thiết bị đo.
Hình trên là sơ đồ khối của thiết bị đo nhiệt độ hiển thị máy tính.
IC cảm biến nhiệt độ là LM335
Vì giá trị điện áp ở đầu ra của mạch đo chưa thể tương thích với dải làm
việc của ADC ( thông thường giá trị này rất nhỏ), trước khi đưa vào bộ
chuyển đổi A/ D thì tín hiệu này phải đưa qua bộ chuyển chuẩn hoá ( thông
thường giá trị này được khuếch đại đủ lớn) để đáp ứng đầu vào của mạch
Sensor M¹ch
®o
ChuyÓn
®æi
chuÈn
ho¸
ADC Vi xö
lý
M¸y
tÝnh
Max
232
A/D. Mạch khuếch đại đo lường thường chia làm 3 tầng trong đó có một
tầng có tác dụng lọc nhiễu nguồn.
Bộ chuyển đổi ADC được thực hiện chức năng cơ bản chuyển tín hiệu
tương tự sang tín hiệu số.
Từ ADC tín hiệu số được đưa vào vi điều khiển để tính toán sau đó
truyền số liệu đã thu được lên hiển thị trên máy tính thông qua bộ đệm Max
232 qua cổng COM1 theo chuẩn RS232.
2.2 Thiết kế phần cứng.
2.2.1 Chọn senser cảm biến là LM335.
2.2.1.1 Khái niệm
Để đo nhiệt độ chính xác thì phải có những đầu đo đặc biệt và đầu đo
LM335 là một đầu đo được sử dụng rộng rãi. Vi mạch LM335 là một loại
sensor của hãng National Semiconductor chế tạo. Loại sensor được tích hợp
dạng vi mạch có độ chính xác là 1
0
C.
2.2.1.2 Nguyên lý hoạt động.
Hoạt động của đầu đo giống nh mét diod Zener hai cực, điện áp đánh
thủng tương ứng với nhiệt độ tuyệt đối là 10
0
K. Trở kháng động khi đầu đo
hoạt động trong vùng dòng 400àA đèn 5mA nhỏ hơn 1Ω. Trở kháng nhỏ
cùng điện áp ra tuyến tính là ưu điểm của đầu đo này.
Các thông số của vi mạch :
1. Định thang trực nuôi theo độ K.
2. Tín hiệu lối ra bằng 10 mV /
0
K.
3. Độ chính xác 1
0
C.
Dòng hoạt động trong vùng 400àA ÷ 5 mA.
4. Điện áp nguồn nuôi từ 5V ÷ 18V.
5. Dải làm việc :
Chế độ liên tục: -40
0
C ÷ 100
0
C.
Chế độ không liên tục: 100
0
C ÷ 125
0
C.
Vi mạch LM335 được đóng vỏ IC dạng TO-92 có 3 chân: hai chân
cung cấp nguồn 1 và 2 đầu ra lấy trên chân số 2, chân số 3 dùng để hiệu
chỉnh điện áp đầu ra.
Nguyên lý hoạt động của mạch đo nhiệt độ dùng LM335:
Theo dải đo của LM335 thì nếu ta cung cấp cho nó một dòng điện từ
400àA đến 5 mA ở đầu vào thì đầu ra của nó sẽ có mức điện áp thay đổi
theo nhiệt độ 10 mV/
0
K, ở đây ta cung cấp cho LM335 dòng điện là 5 mA.
Để đổi giá trị nhiệt độ từ độ K sang độ C thì phải có thêm mạch bù
nhiệt độ. Như vậy ta thấy rằng lúc đầu điện áp thay đổi từ 2,73 V đến 3,73 V
ứng với 273
0
K đến 373
0
K tức là từ 0
0
C đến 100
0
C. Sau khi qua mạch bù
nhiệt độ thì đầu ra sẽ có mức điện áp từ 0 V đến 1 V tương ứng 10 mV /
0
C.
2.2.1.3 Mạch bù nhiệt độ LM335.
Điện áp LM335 chuyển đổi tính theo
0
C là:
Từ 0
0
C ữ 100
0
C tương ứng với 2,73V ữ 3,73V
Ta chỉnh VR1 sao cho điện offset của vi mạch LM741 là : -2,73V
Khi đó ta có : 0
0
C ữ 100
0
C tương ứng với 0V ữ 1V
2.2.1.4 Sơ đồ chân LM741
2.2.2 Mạch chuyển đổi chuẩn hoá.
Tín hiệu ra của sensor ta đưa tín hiệu qua bộ khuếch đại sau đó mới đưa
vào ADC. Mạch khuyếch đại sử dụng OP-07.
Hình dạng:
Cấu tạo:
Vi mạch OP 07 gồm:
- 8 chân.
- chân 1, chân 8: điện áp Vos TRIM.
- chân 2, chân 3: điện áp đầu vào.
- chân 6: điện áp ngõ ra.
- chân 4, chân 7: điện áp nguồn nuôi.
- chân 5 không sử dụng.
Đặc điểm:
- Volt thấp 75àm max/
0
Cmax.
- Mức trôi volt thấp: 1,3 àV/
0
Cmax.
- Nhiễu thấp 0,6 àVppmaxx.
- Dải điện áp đầu vào rộng ± 14V.
- Dải nguồn cung cấp rộng: 3V đến 18V.
OP-07 cã điện áp lệch đầu vào thấp ( lín nhất là 75 àV đối với OP-07).
Những điện áp lệch thấp này cho phép lọai trừ sự cần thiết của chỉnh 0 bên
ngoài. OP-07 cũng có một số đặc điểm giống nh dòng phân cực đầu vào thấp
( ±4 nA cho OP-07E và sự khuếch đại vòng hở cao ứng dụng cho thiết bị đo
khuyếch đại cao).
Trong mạch khuyếch đại ở đây ta dùng 3IC OP07.
Ở tầng đầu tiên là mạch khuyếch đại thuật toán với 2IC OP07 có hệ số
khuyếch đại là:
K
1
= 1+ (R
8
+ R
9
)/ R
10
Có thể điều chỉnh hệ số khuếch đại này bằng cáchđiều chỉnh biến trở R7.
Ở tầng thứ 2 ta sử dụng OP07 thứ 3 với hệ số khuyếch đại là:
K
2
= R
5
/ R
4
Vậy hệ số khuyếch đại của toàn mạch khuyếch đại là:
K = K
1
. K
2
= ( R
5
/ R
4
). ( 1+(R
8
+ R
9
)/ R
10
).
Chọn K
1
= 2 ⇒ 1+( R
8
+R
9
)/ R
10
= 2
Chọn R
8
= R
9
= 10K ⇒ R
10
= 20K
K = K
1
.K
2
= 5 ⇒ K
2
= 2,5
( K = 5 vì điện áp cung cấp cho ADC 0809 dùng nguồn là 5V )
Chọn R
5
= 10K ⇒ R
4
= 4K
R
6
= R
4
= 4K
R
7
= R
5
= 10K
2.2.1 Thiết kế card thu thập và xử lý thông tin.
Card thu thập và xử lý thông tin gồm các phần chính sau:
Bộ biến đổi tương tự số trong mạch thiết kế là bộ chuyển đổi ADC-
0809 tám bit nhận tín hiệu số đưa vào vi xử lý để xử lý.
Trong thiết kế này nhóm làm đồ án chọn vi xử lý là loại AT98C51.
Nhiệm vụ chính của nó là đưa ra tín hiệu kích hoạt và điều khiển ADC, thu
thập thông tin do ADC biến đổi, xử lý thông tin đó và truyền thông tin nhận
được ( các kết quả đo trên máy tính).
Bộ đệm chuyên dùng dùng cho truyền nhận tiếp giữa MC và máy tính
là MAX 232. Tín hiệu 0÷5V từ hai chân TxD và RxD của vi điều khiển