ĐẠI HỌC QUỐC GIA
ĐẠI HỌC BÁCH KHOA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ
BỘ MƠN ĐIỆN TỬ
***********
BÁO CÁO THÍ NGHIỆM
MẠCH ĐIỆN TỬ
BÀI 4: KHẢO SÁT ĐÁP ỨNG TẦN SỐ
MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP E CHUNG
Giàng viên hướng dẫn
:
Nguyễn Thanh Phương
Sinh viên thực hiện
1910237
:
Võ Dân Anh Kha
Nguyễn Huy Hoàng
1910170
1911198
Huỳnh Nguyễn Đức Phúc Hậu
Link record báo cáo
:
/>
Thành phố Hồ Chí Minh – 2021
I. Mục tiêu thí nghiệm
Bài thí nghiệm có mục đích cơ bản giúp chúng ta kiểm chứng
nguyên lý hoạt động và các thông số cơ bản của hai mạch khuếch
đại dùng BJT: Mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp và mạch
khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp. Hiểu rõ cơng dụng cũng như
các nguyên lý hoạt động của các mạch, góp phần trong việc hiểu
chính xác các cách tính tốn lý thuyết cúng như vận dụng mạch vào
thực tiễn và nâng cao trình độ cũng như hiểu biết.
Cụ thể, bài thí nghiệm kiểm chứng tính tốn lý thuyết của độ lợi
áp dãy giữa của mạch, tần số cắt thấp, tần số cắt cao từ các thông
số đã cho, các thông số cịn thiếu lấy từ kết quả thí nghiệm của bài
thí nghiệm 1.
Tiếp theo đó, bài thí nghiệm u cầu sử dụng dao động ký để
quan sát dạng sóng ngõ vào và ngõ ra của mạch ở các tần số khác
nhau tính tồn được độ lơi áp. Từ các độ lơi áp tính được từ tần số
thấp đến tần số cao, vẽ đáp ứng tần số của các mạch.
Trong quá trình thí nghiệm, bài thí nghiệm đã giúp các bạn hiểu
và thành thạo các thao tác trong việc sử dụng các thiết bị đo trong
phịng thí nghiệm giả lập (hộp thí nghiệm chính, máy dao động ký…)
cũng như trong thao tác thực hiện đi dây trong mạch và thực hiện đo
đạc để lấy số liệu cần thiết.
II. Thí nghiệm kiểm chứng
1. Mạch khuếch đại ghép E chung khơng hồi tiếp
Hình 1: Mạch khuếch đại ghép E chung không hồi tiếp
Thay BJT 2SD468 bằng BJT 2SD592 được sử dụng trong kit thí
nghiệm, theo datasheet, ta có β = 128 (phân tích DC với hai mạch là
tương tự nhau).
a. Kiểm chứng lý thuyết mạch DC
- Tính tốn lý thuyết:
Ta có:
;
;
Hình 2:Mạch phân tích DC
-
Kiểm chứng lý thuyết bằng LTspice
.op
Sơ đồ mạch
kiểm chứng:
-
IC
VCC
0
12
.
.
.
.
.
.
.
R22
C3
R16
R14
R12
R10
R3
C1
R8
R7
.
.
R23
R21
IB
FEEE - BEE
BK
C&M LAB
TP.HCM
0
2SD592/ 3
Q3
S/ N: BJTLABSN004
2SD592/ 1
C2
.
R9
.
Q2
Q1
.
.
R17
R4
.
2SD592/ 2
R11
.
R20
.
R19
R18
IE
0
Hình 3: Sơ đồ đi dây LTspice kiểm chứng DC
Khi đo ta thu được:
I(Ic):
I(Vcc):
I(Ib):
I(Ie):
0.00444359
-0.0049749
3.48145e-005
0.00447841
device_current
device_current
device_current
device_current
Bên cạnh đó, chúng ta có thể xem các thông số khác trong mục Text
(tại thư mục lưu mạch hiện làm):
Semiconductor Device Operating Points:
--- Bipolar Transistors --Name:
q:u1:3
q:u1:2
q:u1:1
Model:
u1:2sd592q3 u1:2sd592q2 u1:2sd592q1
Ib:
0.00e+00 0.00e+00 3.48e-05
Ic:
0.00e+00 0.00e+00 4.44e-03
Vbe:
Vbc:
Vce:
BetaDC:
Gm:
Rpi:
Rx:
Ro:
Cbe:
Cbc:
Cjs:
BetaAC:
Cbx:
Ft:
0.00e+00 0.00e+00 6.12e-01
0.00e+00 0.00e+00 -4.62e+00
0.00e+00 0.00e+00 5.24e+00
0.00e+00 0.00e+00 1.28e+02
0.00e+00 0.00e+00 1.71e-01
1.84e+10 1.84e+10 9.06e+02
0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00
1.15e+11 1.15e+11 2.34e+04
5.00e-12 5.00e-12 1.79e-10
3.92e-11 3.92e-11 1.53e-11
0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00
0.00e+00 0.00e+00 1.55e+02
0.00e+00 0.00e+00 0.00e+00
1.96e-01 1.96e-01 1.40e+08
Date: Mon Nov 15 16:58:06 2021
Total elapsed time: 0.069 seconds.
Các thông số chính có thể kể đến như:
Kết luận:
Có thể thấy được giữa tính tốn lý thuyết và phép đo có sự chênh
lệch rất nhỏ, một vài sai số có thể là do sự chênh lệnh giá trị của các
thiết bị đo giả lập, nhưng không đáng kể.
b. Khảo sát độ lợi áp tần số dãy giữa A M của mạch không
hồi tiếp:
Tính tốn lý thuyết:
Hình 4: Sơ đồ mạch tín hiệu nhỏ tần số dãy giữa của mạch không hồi tiếp
với
-
Sơ đồ mạch LTspice:
Các thơng số chính:
Vin hình sin, 10mV, tần số f = 10kHz, các tụ có giá trị đều là
100uF, thời gian giả lập là 0.4ms.
Vout
VCC
.
VCC
.
.
.
.
FEEE - BEE
BK
C&M LAB
R4
R21
2SD592/ 3
Q3
S/ N: BJTLABSN004
2SD592/ 2
.
2SD592/ 1
C2
.
R9
.
R23
.
R22
C3
R16
R14
R12
.
TP.HCM
12
R10
R3
.
Q1
Q2
.
.
R17
Vi
C1
R7
.
R8
Vi
VCC
Vi
SINE(0 10m 10k)
R11
.
R20
.
R19
R18
.tran 0.4m
Hình 5: Sơ đồ mạch kiểm chứng Am
-
Dạng sóng ngõ ra quan sát được so với dạng sóng ngõ vào:
V(vi)
10mV
8mV
6mV
4mV
2mV
Vin
0mV
-2mV
-4mV
-6mV
-8mV
-10mV
V(vout)
700mV
600mV
500mV
619.1616mV
400mV
300mV
200mV
100mV
0mV
Vout
-100mV
-200mV
-300mV
-400mV
-500mV
-649.20114mV
-600mV
-700mV
0µs
40µs
80µs
120µs
160µs
200µs
240µs
280µs
320µs
360µs
400µs
So sánh, nhận xét và kết luận:
Ta có giá trị
c. Khảo sát đáp ứng tần số mạch
- Tính tốn lý thuyết tần số cắt cao và thấp:
- Đối với tần số cắt thấp, ta có:
Hình 6a: Xét tụ Ci
Từ đó ta tính được:
Vậy, ta có được
Với
Hình 6b: Xét tụ Co
Hình 6c: Xét tụ CE
-
Đối với tần số cắt cao, áp dụng hiệu ứng Miller ta có:
Hình 7: Mạch tín hiệu nhỏ tần số cắt cao
F
Suy ra:
Vậy
d.
-
Thí nghiệm kiểm chứng
Sơ đồ nối dây LTspice
Trước hết ta vào Simulate – Edit Simulatin Cmd – AC Analysis
Vin
Hình 8: Cấu hình AC Analysis
VCC
VCC
Vin
SINE()
AC 1
out
.ac dec 100 1 1G
.
VCC
.
.
.
.
FEEE - BEE
BK
C&M LAB
2SD592/ 2
R4
2SD592/ 1
C2
.
R9
.
Q1
R11
Q2
.
.
Hình 9: Sơ đồ mạch kiểm chứng fL và fH
Kết quả dạng sóng quan sát được
R23
R21
2SD592/ 3
Q3
S/ N: BJTLABSN004
.
-
.
R22
C3
R16
R14
R12
.
TP.HCM
12
R10
R3
.
R17
Vin
C1
R8
R7
.
.
R20
R19
R18
.
V(out)
45dB
-60°
140.8604KHz,33.12286dB
142.31214Hz,32.934934dB
36dB
-90°
27dB
-120°
18dB
-150°
9dB
-180°
0dB
-210°
-9dB
-240°
-18dB
-270°
-27dB
-300°
-36dB
-330°
-45dB
-360°
-54dB
-390°
-63dB
1Hz
10Hz
100Hz
1KHz
10KHz
100KHz
1MHz
10MHz
100MHz
Hình 10: Đồ thị dạng sóng ngõ ra khi khảo sát
-
Các giá trị quan sát được:
2. Mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp
Hình 11: Mạch khuếch đại ghép E chung có hồi tiếp
-420°
1GHz
a.
Khảo sát độ lợi áp tần số dãy giữa AM của mạch hồi
Hình 12: Sơ đồ mạch tín hiệu nhỏ tần số dãy giữa của mạch hồi tiếp
tiếp:
Tính tốn lý thuyết:
,
-
Sơ đồ mạch LTspice:
Các thơng số chính:
Vin hình sin, 5mV, tần số f = 10kHz, các tụ có giá trị đều là
100uF, thời gian giả lập là 0.4ms.
.
Vin
VCC
.
.
Vout
.
.
.
.
FEEE - BEE
BK
C&M LAB
TP.HCM
2SD592/ 2
2SD592/ 1
C2
.
R9
.
Q2
Q1
.
.
R17
R4
.
R11
R23
R21
2SD592/ 3
Q3
S/ N: BJTLABSN004
12
.
R22
C3
R16
R14
R12
R10
R3
C1
R7
.
R8
Vin
VCC
Vin
VCC
SINE(0 5m 10k)
.
R20
.
R19
R18
.tran 0.4m
Hình 13: Sơ đồ mạch kiểm chứng Am
-
Dạng sóng ngõ ra quan sát được so với dạng sóng ngõ
V(vin)
5mV
4.9946418mV
4mV
3mV
2mV
1mV
Vin
0mV
-1mV
-2mV
-3mV
-4mV
-4.9934297mV
-5mV
V(vout)
120mV
100mV
102.89254mV
80mV
60mV
40mV
20mV
Vout
0mV
-20mV
-40mV
-60mV
-80mV
-102.43456mV
-100mV
-120mV
0µs
40µs
80µs
120µs
160µs
200µs
240µs
280µs
Hình 14: Dạng sóng ngõ ra so với dạng sóng ngõ vào mạch hồi tiếp
vào:
So sánh lý thuyết:
320µs
360µs
400µs
Ta có giá trị
b.
-
Khảo sát đáp ứng tần số mạch
Tính toán lý thuyết tần số cắt cao và thấp:
Đối với tần số cắt thấp, ta có:
(tương tự mạch khơng hồi tiếp)
Hình 15a: Khảo sát Ci
Hình 15b: Khảo sát Ce
Từ đó ta tính được:
Vậy, ta có được
Với
-
Đối với tần số cắt cao, áp dụng hiệu ứng Miller ta có:
;
Theo hiệu ứng Miller ta có:
Hình 16: Khảo sát R'i
Suy ra:
Vậy
c. Thí nghiệm kiểm chứng
- Các bước tương tự như thực hiện với mạch không hồi tiếp
- Sơ đồ nối dây LTspice và kết quả quan sát được
V(vout)
-40°
SINE()
AC 1
.ac dec 100 1 1G
.
R22
C3
R16
R14
.
.
-80°
R23
-120°
R21
-160°
VCC
FEEE - BEE
BK
C&M LAB
TP.HCM
12
0dB
-10dB
2SD592/ 3
Q3
S/ N: BJTLABSN004
2SD592/ 2
.
R4
10dB
R12
R3
422.29483KHz,23.297066dB
.
.
.
.
.
2SD592/ 1
C2
.
R9
.
R11
Q1
Q2
.
.
R17
Vin
C1
R8
51.08866Hz,23.354713dB
R10
.
30dB
R7
Vin
VCC
40dB
20dB
Vout
Vin
VCC
50dB
.
R20
R19
.
-200°
R18
-240°
-280°
Hình 17: Sơ đồ mạch LTspice cho mạch hồi tiếp khảo sát fL, fH
-20dB
-320°
-30dB
-360°
-40dB
-400°
-50dB
1Hz
10Hz
100Hz
1MHz
Hình 8: dạng1KHz
sóng quan 10KHz
sát ở ngõ ra100KHz
với các tần số
cắt cao và10MHz
thấp
100MHz
-440°
1GHz
-
Các giá trị quan sát được:
III. Nhận xét và kết luận
•
Cả hai mạch đều cùng dạng DC nên khi khảo sát DC ta
•
khảo sát cho cả hai mạch.
LTspice text giúp cung cấp thêm các công cụ cũng như
số liệu để có thể tính tốn mạch lý thuyết một cách
•
•
chính xác hơn.
Kiểm chứng DC với sai số rất nhỏ, không đáng kể.
Đối với độ lợi áp dãy giữa , mạch không hồi tiếp có sai
số cao hơn mạch hồi tiếp nhưng đều ở ngưỡng có thể
-
chấp nhận, cụ thể:
Với mạch khơng hồi tiếp :
Với mạch hồi tiếp
:
Sai số này là do các khâu làm trịn trong tính tốn lý
thuyết, thơng số của mạch mơ phỏng, bên cạnh đó cịn là
do sai số trong chọn khoảng của người thực hiện.
• Bên cạnh đó, đáp ứng tần số có sai số nhỏ hơn tại tần
-
số thấp nhưng sai số cao hơn tại tần số cao, cụ thể:
Với mạch không hồi tiếp :;
Với mạch hồi tiếp
: ;
Sai số lớn tại tần số cao có thể được giải thích là do sự
đánh giá chủ quan, cũng như sự làm trịn qua nhiều khâu
tính tốn, sai số trong phân cùng đồ thị để đánh dấu tần
số cắt.
Kết luận chung:
Bài thí nghiệm đã thực hiện tồn bộ mục tiêu đề ra, giúp sinh viên
nâng cao kiến thức, hiểu được cách nối dây, trình tự khảo sát và
cách thực hiện khảo sát một mạch khuếch đại BJT không hồi tiếp và
hồi tiếp. Nhìn chung, mơ phỏng thí nghiệm có thể giúp sinh viên
kiểm chứng lý thuyết khá an tồn và chắc chắn, nhưng có điểm yếu
là không thể cung cấp tới cho sinh viên những kỹ năng làm thí
nghiệm thực tế nên có.