và Mn
i hc Khoa hc T nhiên
ngành: ; 60 44 07
2012
Abstract:
--yAlyO.
Keywords: ; ; ;
Content
MỞ ĐẦU
hu
công ngh :
thâ
Trong này, ,
, chúng tôi
u p Al
2
CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU ZnO
1.1. Cấu trúc mạng tinh thể ZnO:
c giác wurtzite
C
4
6v
– P
6
3
mc. M
u) và (1/3; 2/3; 1/3 +
uu = 3/5. (hình 1.
Hình 1.1: Cấu trúc lục giác wurtzite [3].
6] là:
1.2. Cấu trúc vùng năng lƣợng của ZnO dạng lục giác wurtzite:
A
II
B
VI
A
II
B
VI
ng.
u wurtzite.
[3]
ư
O
2-
Zn
2+
3
1.3. Tính chất điện của ZnO
1.4. Tính chất quang của ZnO
Ph hunh quang ca ZnO tn ti hai ci phát x.
1.5. Tính chất từ của ZnO:
i ta nhn thy rng ZnO là mt vt liu ny trin vng cho vic pha tp st
t.
CHƢƠNG 2: PHƢƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM
2.1. Phương pháp chế tạo mẫu:
Trong , Al
Phƣơng pháp gốm:
1-x
Mn
x
O và Zn
1-x
Al
x
O
Hình 1.3: Đường cong từ hóa phụ thuộ c nhiệ t độ củ a dây Zn
1-x
Mn
x
O (x = 0,13) tạ i từ
trường 500 Oe. Phía góc trên là đ ường từ trễ củ a quá trình từ hóa thu đ ược ở nhiệ t
độ 5K [5].
Hình 1.2: Sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng (a)- theo Birman và (b)- theo Thomas
của ZnO ở lân cận k=0.
4
2.2. Các phép đo
2.2.1. Phép đo tính chất cấu trúc:
2.2.1.1. Phép đo nhiễu xạ tia X (XRD):
t, p
2.2.1.2. Phép đo hiển vi điện tử quét (SEM):
. và nguyên SEM mô trên hình 2.3.
2.2.1.3. Phép đo tính chất từ:
1-x
Mn
x
.
2.2.1.4. Phép đo tính chất quang:
Phép đo phổ tán xạ Raman:
Hình 2.1: Nhiễ u xạ tia X góc
nhỏ [5].
Hình 2.2: Thiế t bị nhiễ u xạ tia
X, D5005 – Bruker, Siemens.
Hình 2.3 :Mô phỏng tương tác chùm
đ iệ n tử với chấ t rắ n.
Hình 2.4: Máy SEM Jeol- JSM5410LV.
5
Trong
các
1-x
Mn
x
O , Zn
1-y
Al
y
O
-ng laser kích thích là 632,8
nm.
2.2.1.5. Phép đo tính chất điện
:
CHƢƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
Trong
,
1-x
Mn
x
1-
y
Al
y
.
3.1. Kết quả của hệ mẫu Zn
1-x
Mn
x
O:
3.1.1. Tính chất cấu trúc của hệ mẫu Zn
1-x
Mn
x
O:
3.1.1 .1. Phổ nhiễu xạ tia X:
Kt qu kho sát tính cht cu trúc da vào ph nhiu x tia X (XRD) ca h mu Zn
1-
x
Mn
x
O c trình bày trên hình 3.1.
0
'
Ct
A
0
"
2
Gt
fA
6
Nhìn vào ph nhiu x ta thy: Tt c các mu có cu trúc lc giác wurtzite vnh
ng là (100), (002), (101), (102), (110), (103) .
3.1.1.2. Ảnh SEM và phổ tán sắc năng lƣợng EDS của hệ mẫu Zn
1-x
Mn
x
O:
Ảnh SEM:
nh SEM ca h mu khi Zn
1-x
Mn
x
O nung 1100
o
C
3.2.
a) x = 0,00
b) x = 0,02
c) x = 0,04
d) x = 0,06
20 30 40 50 60 70
*
*
C-êng ®é
(®.v.t.y
)
2 theta (®é)
(100)
(101)
(002)
(102)
(110)
(103)
(112)
(200)
(201)
*
Zn
1-x
Mn
x
O
x=0,10
x=0,08
x=0,06
x=0,04
x=0,02
*: ZnMn
2
O
4
x=0,00
Hình 3.1: Phổ nhiễu xạ tia X (XRD) của hệ mẫu khối Zn
1-x
Mn
x
O.
7
e) x = 0,08
f) x = 0,10
Hình 3.2: Ảnh SEM của hệ mẫu Zn
1-x
Mn
x
O.
Phổ tán sắc năng lƣợng EDS:
nh thành phn các cht có trong mu, chúng tôi tin tán sc
ng (EDS).Trên các ph
3.3 3.4 ch xut hin ba thành phn Zn, Mn
và O, không xut hin nguyên t nào khác.
Hình 3.3: Phổ tán sắc EDS của mẫu Zn
0.94
Mn
0.06
O
3.1.2. Kết quả đo Raman của hệ mẫu Zn
1-x
Mn
x
O:
nh 3.4 Zn
1-x
Mn
x
O
. H3.7 3.12
0,00 0,10.
8
200 300 400 500 600 700 800 900
0
100
200
300
400
500
600
700
800
C-êng ®é (®.v.t.®)
Sè sãng (cm -1)
0%
2%
4%
6%
8%
10%
E
2low
A
1
(TO)
E
1
(TO)
E
2
(high)
A
1
(LO)
Hình 3.6: Phổ tán xạ Raman của hệ mẫu Zn
1-x
Mn
x
O.
200 300 400 500 600 700 800 900
2000
4000
6000
8000
C-êng ®é (®.v.t.®)
Sè sãng (cm
-1
)
ZnO
332 cm-1
378 cm-1
412 cm-1
437 cm-1
528 cm-1
Hình 3.4: Phổ tán xạ Raman của mẫu ZnO chưa pha ta
̣
p.
Khi tng n pha t s d
chuy c các nh
-1
và 522 cm
-1
sang 414 cm
-1
và 526 cm
-1
.
3.1.3. Kết quả đo tính chất từ của hệ mẫu Zn
1-x
Mn
x
O:
-0.08
-0.04
0.00
0.04
0.08
M (emu/g)
H (kOe)
x = 0
x = 0.02
x = 0.04
x = 0.06
x = 0.08
x = 0.1
-5
-10-15 5
10
15
9
Hình3.5: Đường cong từ trễ của hệ mẫu khối Zn
1-x
Mn
x
O.
3.2. Kết quả đo của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O:
3.2.1. Kết quả đo tính chất cấu trúc của hệ mẫu Zn
1- y
Al
y
O:
3.2.1.1. Phổ nhiễu xạ tia X:
3.14 l
1-y
Al
y
O.
20 30 40 50 60 70
(201)
(112)
(200)
*
*
**
*
*
*
2.thetha (®é)
C-êng ®é (®.v.t.y)
y=0,00
y=0,03
y =0,06
y=0,09
y=0,12
y=0,15
*: ZnAl
2
O
4
(100)
(002)
(
1
01
)
(102)
(110)
(103)
Hình 3.6: Phổ nhiễu xạ tia X của hê
̣
Zn
1-y
Al
y
O.
(XRD) ta trên
a ZnO.
3.2.1.2. Ảnh SEM và phổ tán sắc năng lƣợng EDS của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O
ẢNH SEM
10
3.7 nh SEM
1-y
Al
y
O
0
15%.
a) y =0,00
b) y =0,03
c) y =0,06
d) y = 0,09
e) y= 0,12
f) y = 0,15
Hình 3.7: Ảnh SEM của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O.
3.7 ta C
u.
Phổ tán sắc năng lượng EDS :
hàn trong
1-y
Al
y
O,
tán sc
EDS g.
11
Trên O, Al
1-y
Al
y
O.
3.2.2. Kết quả đo Raman của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O:
i 2 mode E
2 LOW
và A
1
(TO)
E
1
(TOcm
-1
sang 418 cm
-1
,
mode E
2
(high) 437 cm
-1
sang 439 cm
-1
cm
-1
2LOW
+B1(high).
3.2.3. Kết quả đo tính chất điện của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O:
3.2.3.1. Kết quả đo giá trị của điện dung (C):
Zn
1-y
Al
y
200 300 400 500 600 700 800 900
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
C-êng ®é (®.v.t.®)
Sè sãng cm-1
0 %
Al- 3%
Al-6%
Al-9%
Al-12%
Al-15%
E
2LOW
A
1
(TO)
E
1
(TO)
E
2
(high)
A
1
(LO)
E
2LOW
+B1high
Hình 3.8: Phổ Raman của hệ mẫ u Zn
1-y
Al
y
O
Hình 3.8: Phổ tán sắ c EDS củ a mẫ u Zn
0.94
Al
0.06
O.
12
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
C (nF)
F (Khz)
0% 3 %
6% 9%
12% 15%
Hình 3.9 : Giá trị điện dung của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O
i 13MHz), có
0.
3.2.3.2. Kết quả đo giá trị của độ dẫn điê
̣
n (G):
n.
3.2.3.3.
Kết quả
các giá
trị phần
thực của hằng số điện môi:
C G ,
c
.
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000
-2
0
2
4
6
8
10
G (mS)
F (khz)
0%
3%
6%
9%
12%
15%
Hình 3.10: Giá trị độ dẫn phụ thuộc tn số của hê
̣
mẫu Zn
1-y
Al
y
O.
13
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000
-400
0
400
800
1200
1600
2000
2400
PhÇn thùc ®iÖn m«i
F (Khz)
0%
3%
6%
9%
12%
15%
Hình 3.11: Giá trị phn thực của hằng số điện môi của hệ Zn
1-y
Al
y
O.
3.2.3.4. Kết quả các giá trị phần ảo của hằng số điện môi
1-y
Al
y
3.29.
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
0
50
100
150
200
250
300
PhÇn ¶o ®iÖn m«i
F (Khz)
0%
3%
6%
9%
12%
15%
0 50 100 150 200
0
50
100
150
200
250
300
PhÇn ¶o ®iÖn m«i
F (Khz)
0%
3%
6%
9%
12%
15%
Hình 3.12 : Giá trị phn ảo của hằng số điện môi của hê
̣
mẫu Zn
1-y
Al
y
O.
”
”
3.2.3.5. Kết quả đo giá trị tg():
Hình 3.13
14
-1000 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
tg theta
F (KhZ)
0%
3%
6%
9%
12%
15%
Hình 3.13: Giá trị của tg(
) phụ thuộc tn số của hệ mẫu Zn
1-y
Al
y
O
3.13 : n()
1-y
Al
y
MHz.
1- x
Mn
x
O và Zn
1- y
Al
y
O m
P
.
:
x =
0,02; 0,04; 0,06 và 0,08.
K (
6%
1-yA
l
yO
.
References
15
Tiếng Việt
[1 (2006). Cơ sở vật lý chất rắn” .
[2]. (1996). Chế tạo và nghiên cứu một số tính chất của các màng mỏng
A
II
B
IV
’-.
(1999).Giáo Trình Vật Lý Bán Dẫn.
(2007)Tạp chí phát triển KH&CN,”
3 .
(2008)Chế tạo và nghiên cứu vật liệu nano ZnO và ZnO:Co bằng phương
pháp hóa sử dụng sóng viba làm xúc táci.
(2000) Giáo trình vật lý bán dẫn
.
[7]. N (2007).Vật lý chất rắn”.
(2010), Báo cáo FT-Raman và Micro-Raman, TP.HCM.
(2005), “ Nghiên cứu chế tạo và khảo sát một số tính chất của màng
mỏng trên cơ sở ZnO và khả năng ứng dụng của chúng”
.
(2008). Giáo Trình Vật Liệu Từ.
[11]. Tô Thành Tâm (2011). Chế tạo và nghiên cứu tính
chất điện của vật liệu ZnO pha tạp P
(2006)tạo và khảo sát một số tính chất của vật liệu bán dẫn ZnO pha
tạp Mni.
(2012) Chế tạo và nghiên
cứu vật liệu ZnO pha tạp Mn
(2010), Giới thiệu về phương pháp SEM, TP.HCM.
Tiếng Anh
[15]. Ahuja R., Lars Fast, Eriksson O., Wills J. M. and Johansson B (1998), “Elastic and high
pressure properties of ZnO”, Journal of Applied Physics, 83 (12), 8065-8067.
[16]. Birman(1959), Phys. Rev. Lett. 2, 157.
16
[17]. Cari F. Herrmann, Frank W. DelRio, David C. Miller, Steven M. George,Victor M. Bright,
Jack L. Ebel, Richard E. Strawser, Rebecca Cortez, Kevin D. Leedy(2007) Alternative
dielectric films for rf MEMS capacitive switches depositedusing atomic layer deposited Al
2
O
3
/ZnO alloys135 .
[18]. Chang Y.Q, Way D.B., Luo X.H, Chen X.H (2003)Magnetic properties of Mn_doped ZnO
nanowiresAppl. Phys. Lett 83, 4020.
[19]. Chen, T.H. Fang, F.Y. Hung, L.W. Ji, S.J. Chang, S.J. Young, Y.J. Hsiao (2008) The
crystallization and physical properties of Al-doped ZnO nanoparticles
Science 254, 57915795.
[20].Chen, T.H. Fang, F.Y. Hung
, L.W. Ji, S.J. Chang, S.J. Young, Y.J. Hsiao (2008), The
crystallization and physical properties of Al-doped ZnO nanoparticles, Applied Surface
Science 254, , 57915795.
[21]. David R. Lide, ed, (1994), CRC Handbook of Chemistry and Physics 75th edition. CRC
Press, 10227.
[22]. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand(2000), Science 287, 1019.
[23]. Feng Zhu, Ye Zhang, Youguo Yan, Wenhai Song and Lingli Xia (2008), Bull.Mater.Sci.,
Vol.31, No.2, , pp.121124.
[24]. HE Qing-Bo, XU Jia-Yue, LI Xin-Hua, A.Kamzin, L.Kamzina,(2007), Chin. Phys. Lett.,
Vol.24, No.12 ,3499.
[25]. Huong Ngo Thu, Nguyen Viet Tuyen, Nguyen Hoa Hong (2011), Materials Chemistry and
Physics 126, 54-57.
[26]. Jacques I. Pankove (1971), Optical Processe in Semiconductors, New Jersey, USA.
[27]. Khalid Omar (2009), Investigation on Dielectric Constant of Zinc Oxide, Modern Applied
Science, Vol3, No. 2, 110 - 116.
[28]. Khalid Omar, (2009)Investigation on Dielectric Constant of Zinc Oxide
Science, Vol. 3, No. 2, 110 - 116.
[29]. Khan A. Alim, Vladimir A. Fonoberov, Manu Shamsa, and Alexander A. Balandina, Micro-
Raman investigation of optical phonons in ZnO nanocrystals, Nano-Device Laboratory,
Department of Electrical Engineering, University of California-Riverside.
[30]. Klingshim C.F (1995), Semiconductors Optics, Berlin.
17
[31]. Liua, W.F. Hsieha, C H. Hsub, K.S. Liangb, F.S S. Chienc(2006) Influence of the
threading dislocations on the electrical properties in epitaxial ZnO thin films
Crystal Growth 297, 294 - 299.
[32]. Lu, Y. Z. Zhang, Z. Z. Ye, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and Q. L. Liang, Appl(2006), Phys. Lett.
88, 222114.
[33]. Mohd Rafie Johan, Lim May Ting(2011), Structural, Thermal and Electrical Properties of
Nano Manganese-Composite Polymer Electrolytes,Int.J. Electrochem. Sci., vol. 6., 4737
4748.
[34 (2006)
tem
Sci, 7(2), , 153-159.
[35]. Murday, J. S, (2002), AMPTIAC Newsletter 6 .
[36]. -J. Cho, H.
Morkoçd (2005), J.Appl.Phys 98, 041301.
[37]. Pauling, L., The Nature of the Chemical Bond (3rd Edn.), Ithaca, NY: Cornell University
Press, (1960).
[38]. Rubi, A. Calleja, J. Arbiol, X.G. Capdevila, M. Segarra, Ll. Aragonès and J. Fontcuberta
(2007), Structural and magnetic properties of ZnO:TM (TM:Co,Mn) nanopowders J.
Magn. Magn. Mater. 317 e211-e214.
[39]. Sedky, Ayman Al- Sawalha and Amal M. Yassin (2008), Enhancement of Electrical
Conductivity of ZnO Ceramic Varistor by Al doping AVol. 31, No. (2),
205 - 213.
[40]. Shih-Shou Lo, Dison Huang, Chun Hsiang Tu, Chia-Hung Hou, and Chii-Chang Chen(2009),
Raman scattering and band-gap variations of Al-doped ZnO nanoparticles synthesized by a
chemical colloid process42 ,095420.
[41]. Shufen Wang, Zhicheng Zhang, Huarong Liu, Wei Zhang, Zhen Qian, Bibo Wang (2010),,
Colloid Polym Sci , 288, 1031–1039.
[42]. Te-Hua Fang, and Shao-Hui Kang (2010) Physical Properties of ZnO:Al Nanorods for
Piezoelectric Nanogenerator ApplicationVol 6, No. 5, 505 - 511.
[43]. Thomas, J. Phys. Chem. Solids, 15, (1960), pp.86.
18
[44]. M. Tzolov, U. N. Tzenov, D. Dimova-Malinovska, M. Kalitzova, C. Pizzuto, G. Vitali, G.
Zollo, I. Ivanov, (2000), Vibrational properties and structure of undoped and Al-doped ZnO
films deposited by RF magnetron sputtering Thin Solid Films 379, 28 - 36.
[45]. V. Vaithianathan, B. T. Lee, C. H. Chang, K. Asokan, and S. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 88,
(2006),112103.
[46]. Q.Wan, Appl. Phys. Lett. 89, (2006), 082515.
[47]. Yi-Wei Tseng, Fei-Yi Hung, Truan-Sheng Lui, Yen-Ting Chen, Ren-Syuan Xiao, and Kuan-
Research Article Electrical Crystallization Mechanism and Interface
Characteristics of Nanowire ZnO/Al Structures Fabricated by the Solution Method
of Nanomaterials, (2012), 6 trang.
[48]. Z.G. Yu, P. Wu, H. Gong, Physica B 401–402, (2007), 417420.
[49]. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, (2001), 075205.