Nội dung
I. Giới thiệu Phơng pháp chụp X quang kỹ
thuật số (DR)
II. Nguyên lý của phơng pháp
III. Dữ liệu vật lý và Đánh giá ban đầu
IV. Xử lý hình ảnh
Chuyển sang gam mầu xám / Làm nét / Tăng
cờng hiển thị
I. Phơng pháp chụp X quang
kỹ thuật số (DR)
Chụp X-quang kỹ thuật số là Ph
ơng pháp thay thế phim chụp X-
quang bằng một thiết bị xử lý tín
hiệu hình ảnh trực tiếp.
Hình ảnh chụp đợc hiện trực tiếp
trên màn hình vi tính, không cần
tới quá trình rửa phim.
Thời gian chụp nhanh (03sec).
Khoảng thời gian giữa các lần
chụp ngắn (15sec).
Giảm liều chiếu X-quang lên cơ
thể bệnh nhân và hình ảnh có chất
lợng tốt hơn.
Operation Panel
H×nh ¶nh mét hÖ chôp X-quang
kü thuËt sè
CXDI 40G CXDI 50G
Control PC
HÖ thèng c¬ b¶n
HÖ thèng c¬ b¶n
II. Nguyên lý của phơng pháp
II. Nguyên lý của phơng pháp
chụp ảnh X quang Kỹ thuật số
chụp ảnh X quang Kỹ thuật số
1. Sơ đồ nguyên lý chụp ảnh bức xạ bằng hệ X
quang kỹ thuật số
2. Nguyên lý chế tạo và hoạt động của sensor
trong hệ DR
S¬ ®å nguyªn lý
M¸y X-quang
BÖnh nh©n/
®èi tîng
Tinh thÓ nhÊp nh¸y
Sensor quang (a-Si)
KhuyÕch
®¹i
ADC
IPS
PC
M¹ng m¸y tÝnh
ICD/ICS
Nguyên lý
Dựa trên công nghệ sản xuất các mạng MIS&TFT sử dụng
tinh thể bán dẫn vô định hình a-Si tạo thành các Sensor ghi nhận
ánh sáng phát ra từ chất nhấp nháy khi có tia bức xạ tác động vào.
Nguyên lý chế tạo tấm ghi nhận
hình ảnh
Chất nhấp nháy
Lớp phủ
IC lu giữ IC đọc ra
Cảm biến a-Si
Cảm biến:
Diện tích tạo ảnh:
Pixel:
Chiều rộng mỗi pixel:
à
Độ phân giải:
Grayscale: ! A/D:
Cảm biến loại MIS & TFT diện tích lớn
( LANMIT)
1Pixel
¶nh phãng ®¹i cña mét C¶m biÕn a-Si
Bazer
Gate
Transitor
lo¹i a-Si
TFT
®êng tÝn
hiÖu
Chi tiÕt vÒ m¹ch ®iÖn tö cña
mét sensor a-Si
1 Pixel 160μm
C¶m biÕn
quang-®iÖn
lo¹i a-Si MIS
Nguyªn lý ghi nhËn tia X, Gamma
cña hÖ DR
Photon ¸nh s¸ng
Photon tia X, Tia Gamma
ChÊt nhÊp nh¸y
( 2688 x 2688 pixel )
43cm x 43cm
C¶m biÕn a-Si
DÔ chÕ t¹o
"##$
%&
ChÊt nhÊp
nh¸y
Trùc tiÕp
e
+
e
-
+ + + + + + + + + + +
¸nh s¸ng Electron
Ph¸t bíc sãng
540nm(peak)
Ph¸t bíc sãng
545nm(peak)
Ph¬ng ph¸p thu nhËn tia X
a-SeCsIGOS
( Gd2O2S:Tb )
¸nh s¸ng
Khã chÕ t¹o
'(&)*+,
Yªu cÇu ®iÖn
¸p cao (5kV)
-+ %&
Ngêi hoÆc mÉu vËt
ChÊt nÒn
保護層
ChÊt nhÊp nh¸y
TFT
(Thin Film Transistor )
a-Si (n+)
Líp c¸ch ®iÖn
a-Si
X-ray
¸nh s¸ng
Electron
Electric Current
passivation
C¶m biÕn d¹ng MIS
CÊu tróc mÆt c¾t ngang cña mét pixel
c¶m biÕn a-Si
§iÖn cùc kim lo¹i
thÕ cao
§iÖn cùc kim lo¹i
thÕ thÊp
CR
CR
DR
DR
Chất nhấp nháy
Thu tia X
Lá Phosphor kích hoạt đợc
(BaFX:Eu)2+
Chất nhấp nháy
Gd2O2S:Tb
CsI
Chuyển đổi quang
điện a-Se
IP refresh Xray exposure
IP reader Laser
stimulating detecting
light
Chiếu tia X
Thu nhận ánh sáng
Xoá tín hiệu d
điện áp hiệu dịch
chiếu thu electron
Moving parts
Disposal
IP reader
Nil
Nil
IP
Nil
Nil
Dùng chất nhấp nháy
Trực tiếp
So sánh nguyên lý CR với DR (1)
Quy trình
cảm nhận
To PMT
Thu tia X
KÝch thÝch ¸nh
s¸ng huúnh quang
X-ray X-ray
Chïm laser
So s¸nh nguyªn lý CR víi DR (2)
CR D R
§äc ¸nh s¸ng
huúnh quang
Xö lý h×nh ¶nh
Xö lý h×nh ¶nh
Trớc xử lý
Hiệu chỉnh bù
Biến đổi Log
Hiệu chỉnh khuếch đại
JPEG compression
Sub-Sampling
Lựa chọn
DICOM 3.0
NetworkLaser Imager
Hình ảnh từ sensor
Hình ảnh để chuẩn đoán
ảnh cha xử lý
ảnh gốc
Quy trình xử lý hình ảnh của DR
Chuẩn trực tia X
Hiệu chỉnh trờng tia X
Phân tích hình ảnh 2D
Xử lý DE
Chỉnh nét
Chuyển sang Gray-scale
Xử lý hình ảnh
ảnh đã xử lý
Quy tr×nh xö lý h×nh ¶nh
- =
Unsharp-mask-filtered image
ChØnh nÐt (Sharpening)
¶nh gèc
¶nh ®îc lµm nÐt
¶nh ®îc läc cao
Selective sharpened image
Original Image Edge image
High pass image Selective high pass image
⑤Addition
③Weighting
②Edge extraction
①Creating
high pass image
( Unsharp masking )
Xö lý lµm nÐt theo tuú chän
C¸c h×nh ¶nh bÖnh lý chôp kü thuËt sè
Chøc n¨ng hÖ thèng më cña
DR
KÕt nèi m¹ng
Theo kÕt nèi tiªu chuÈn
GhÐp nèi
DICOM3.0 Function, Case
DR Outside connecting option
※ HIS / RIS communication module
※ Generator communication module
※ Auto Exposure Control System
※ Parameter Management Software
HÖ thèng më réng
HÖ thèng m¹ng më réng
KÕt nèi hÖ thèng