báo cáo tiểu luận tìm hiểu về dvor

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (1.05 MB, 93 trang )

<span class="text_page_counter">Trang 1</span><div class="page_container" data-page="1">

<b>HỌC VIỆN HÀNG KHÔNG VIỆT NAMKHOA ĐIỆN - ĐIỆN TỬ</b>

<b>BÁO CÁO TIỂU LUẬN TÊN ĐỀ TÀI:TÌM HIỂU VỀ DVOR</b>

GVHD: TH.S Phạm Hồng DũngSINH VIÊN: ĐỖ THỊ HỒI TRANG MSSV: 1953020041

LỚP: 19ĐHĐT02

<b>Thành phố Hồ Chí Minh – 7/2023</b>

</div><span class="text_page_counter">Trang 2</span><div class="page_container" data-page="2">

<b>HỌC VIỆN HÀNG KHÔNG VIỆT NAMKHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ </b>

<b>BÁO CÁO TIỂU LUẬN TÊN ĐỀ TÀI: TÌM HIỂU VỂ DVOR</b>

GVHD: Th.S Phạm Hồng DũngSVTH: ĐỖ THỊ HỒI TRANG

MSSV: 1953020041LỚP: 19ĐHĐT02

<b>Thành phố Hồ Chí Minh - 7/2023</b>

</div><span class="text_page_counter">Trang 3</span><div class="page_container" data-page="3">

HỌC VIỆN HÀNG KHÔNG VIỆTNAM

<b>CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨAVIỆT NAM</b>

<b>NHIỆM VỤ BÁO CÁO TIỂU LUẬN </b>

Họ và tên sinh viên: ĐỖ THỊ HOÀI TRANG MSSV: 1953020041

Lớp: 19ĐHĐT02

1. Tên đề tài: Tìm hiểu về DVOR

2. Nhiệm vụ của tiểu luận: Tìm hiểu, phân tích và trình bày các thông tin về phổ,nguyên lý hoạt động của DVOR

3. Ngày giao tiểu luận: 7/20234. Ngày hoàn thành tiểu luận: 7/2023

5. Họ tên người hướng dẫn: Th.s Phạm Hồng Dũng

T/p Hồ Chí Minh, ngày tháng 7 năm 2023 GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN

</div><span class="text_page_counter">Trang 4</span><div class="page_container" data-page="4">

<b>NHẬN XÉT CỦA GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN </b>

Ý thức thực hiện: Nội dụng thực hiện:Hình thức trình bày:Tổng hợp kết quả:

Điểm bằng số: Điểm bằng chữ:

(Quy định về thang điểm và lấy điểm tròn theo quy định của Học viện) Tp. Hồ Chí Minh, ngày tháng năm 20…GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN

(Ký và ghi rõ họ tên)

</div><span class="text_page_counter">Trang 5</span><div class="page_container" data-page="5">

<b>LỜI NÓI ĐẦU</b>

Trong một xã hội ngày càng phát triển của các ngành khoa học kỹ thuật, kỹ thuật điện tử như hiện nay thì việc vận dụng các kỹ thuật hiện đại vào cuộc sống là điều tất yếu. Và tất nhiên kéo theo sự phát triển và đa dạng của các ngành nghề. Hơn hết, ngành hàng không đang trên con đường phát triển và đẩy mạnh phát triển. Từ đó có thể thấy tầm quan trọng của việc nâng cấp và nâng tầm ngành hàng khơng. Và đó cũnglà lý do em chọn đề tài này để tìm hiểu sâu hơn về nó

Đề tài là được nghiên cứu, chế tạo dựa trên những kiến thức đã học, kế thừa vàphát huy những kết quả của các cơng trình nghiên cứu trước đây.

Em xin chân thành cảm ơn các thầy cô trong khoa điện – điện tử đã tậntình chỉ bảo để nhóm em có thể hồn thành đề tài nghiên cứu này. Đặc biệt là sựhướng dẫn, góp ý tận tình của giảng viên hướng dẫn Th.S Phạm Hồng Dũng

Do thời gian và kiến thức còn nhiều hạn chế, đề tài của em sẽ khơng tránhkhỏi những sai sót, em mong thầy góp ý, chỉnh sửa để có thể hồn thiện hơn.

</div><span class="text_page_counter">Trang 6</span><div class="page_container" data-page="6">

<b>MỤC LỤC</b>

<b>CHƯƠNG 1 PHỔ CỦA THIẾT BỊ DVOR 1150...1</b>

<b>CHƯƠNG 2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA DVOR...3</b>

<b>Nguyên lý Antenna DVOR...3</b>

<b>CHƯƠNG 3 CHI TIẾT SƠ ĐỒ KHỐI HỆ THỐNG DVOR 1150...5</b>

<b>3.1 Sơ đồ khối đơn giản của hệ thống:...5</b>

<b>3.2 Sơ đồ khối chi tiết hệ thống:...7</b>

3.2.1 Bộ tạo tần số (Frequency Synthesizer 1A4/1A20)...9

<b>3.2.2 Khối khuếch đại công suất cao tần (CSB Power Amplifier Assembly 1A3/1A19 )...50</b>

<b>3.2.3 Khối khuếch đại công suất cao tần (CSB Power Amplifier Assembly 1A3/1A19 )...51</b>

<b>3.2.4 Khối lọc thông thấp (Low Pass Filter Assembly1A35/1A36)...65</b>

<b>3.2.5 Bộ ghép hai hướng (Bi_directional Couplers)...66</b>

<b>3.2.6 Khối tạo biên tần (Sideband Generator Assembly 1A5,1A6/1A21,1A22).663.2.7 Khối lấy mẫu biên tần (Sideband Sample Assembly 1A29,1A30/1A31,1A32)...87</b>

<b>3.2.8 Khối giám sát cao tần (RF Monitor Assembly 1A2)...89</b>

<b>3.2.9 Khối ghép nối RSCU (RSCU Interface Assembly 1A26) Optional...116</b>

<b>3.2.10 Khối đèn báo mặt máy (Display Status Assembly 1A1/1A2 )...120</b>

<b>3.2.11 Khối tách sóng trường (Field Detector Assembly 2A6A1/2A6A2)...121</b>

<b>3.2.12 Phần nạp và cấp nguồn (Battery Charger Power Subsystem 1A33/1A34)</b>140<b>3.2.13 Module cấp nguồn liên tục (UPS module - Uninterupt Power Supply)..141</b>

</div><span class="text_page_counter">Trang 7</span><div class="page_container" data-page="7">

MỤC LỤC HÌNH ẢNH

Hình 1.1 Phổ cao tần của DVOR...1

Hình 3.1 Sơ đồ khối đơn giản của hệ thống...6

Hình 3.2 Sơ đồ khối chức năng của bộ tạo tần số...9

Hình 3.3 Sơ đồ khối mạch tạo tần số...12

Hình 3.4 Sơ đồ khối vịng pha carrier...16

Hình 3.5 Vịng tạo sidebar RF...19

Hình 3.6 Sơ đồ khối tạo âm thanh CCA...23

Hình 3.7 Sơ đồ khối CCA của bộ tạo âm thanh (Bộ vi điều khiển và Mạch nhớ)...24

Hình 3.8 Sơ đồ khối CCA của bộ tạo âm thanh (Bộ tạo tham chiếu & dải biên)...26

Hình 3.9 Sơ đồ khối CCA của bộ tạo âm thanh (Mạch điều chế tham chiếu)...28

Hình 3.10 Sơ đồ khối CCA của bộ tạo âm thanh (Mạch điều khiển pha và mức dải biên)...30

Hình 3.11 Sơ đồ khối CCA của bộ tạo âm thanh (Mạch giọng nói và giai điệu thửnghiệm)...31

Hình 3.12 Sơ đồ khối lắp ráp bộ khuếch đại cơng suất CSB...44

Hình 3.13 Sơ đồ khối Exciter CCA...46

Hình 3.14 Sơ đồ khối CCA của bộ khuếch đại cơng suất...48

Hình 3.15 Sơ đồ khối CCA của Bộ điều chỉnh thiên vị/Bộ điều biến kích thích...52

Hình 3.16 Sơ đồ khối CCA của bộ điều chế bộ khuếch đại cơng suất...55

Hình 3.17 Sơ đồ khối CCA xu hướng điều chế...57

Hình 3.18 Khối lọc thơng thấp...58

Hình 3.19 Sơ đồ khối bộ tạo dải biên...59

Hình 3.20 Sơ đồ kết nối tổ hợp máy phát dải biên...61

Hình 3.21 Sơ đồ khối CCA của bộ khuếch đại dải biên...65

Hình 3.22 Sơ đồ khối CCA của bộ điều khiển dải biên...71

Hình 3.23 Sơ đồ khối CCA mẫu dải biên...81

Hình 3.24 Sơ đồ khối lắp ráp màn hình RF...83

Hình 3.25 Sơ đồ khối CCA màn hình RF...85

Hình 3.26 Sơ đồ khối CCA của CPU...89

Hình 3.27 Sơ đồ khối cơ sở CCA...94

Hình 3.28 Sơ đồ khối Giao diện nối tiếp CCA,...99

Hình 3.29 Sơ đồ khối trình tạo thử nghiệm CCA...104

Hình 3.30 Sơ đồ khối Modem CAA (102101-1001)...108

Hình 3.31 Sơ đồ khối Giao diện điều khiển RSCU CCA (012601)...109

Hình 3.32 Sơ đồ khối Nguồn cấp điện áp thấp CCA...113

Hình 3.33 Sơ đồ khối hiển thị CCA...1147

</div><span class="text_page_counter">Trang 8</span><div class="page_container" data-page="8">

Hình 3.34 Sơ đồ khối máy dị trường...115

Hình 3.35 Sơ đồ khối giám sát CCA...118

Hình 3.36 Sơ đồ khối giám sát CCA...120

Hình 3.37 Sơ đồ khối giám sát CCA...121

Hình 3.38 Sơ đồ khối giám sát CCA...122

Hình 3.39 Sơ đồ khối giám sát CCA...124

Hình 3.40 Bảng điều khiển điện...134

Hình 3.41 Hệ thống điện phụ...135

</div><span class="text_page_counter">Trang 9</span><div class="page_container" data-page="9">

<b>CHƯƠNG 1PHỔ CỦA THIẾT BỊ DVOR 1150</b>

Hình 1.1 Phổ cao tần của DVOR

Độ dịch tần số được xác định bằng công thức:fd

= . . (1)

Với: fd tương ứng độ dịch tần (tính bằng Hz) tương ứng vận tốc góc của tín hiệu (30Hz)

tương ứng đường kính của vịng trịn trong chiều dài sóng

(có thể hiểu tương đương là : Rd=đường kính/ =13.4/ ) = 3,14

Do đó cơng thức (1) được viết dưới dạng saufd

</div><span class="text_page_counter">Trang 10</span><div class="page_container" data-page="10">

Năng lượng bức xạ liên tiếp tiếp của các anten biên tần và điều chế biên độ

30Hz của sóng mang có mối quan hệ thời gian với nhau, vì thế các tín hiệu 30Hz pha chuẩn và pha biến thiên có trùng pha là 00 theo hướng từ trường từ trạm DVOR.

Khi điểm thu chuyển động theo chiều kim đồng hồ vòng quanh trạm, tín hiệu pha thay đổi (30Hz FM) bắt đầu sớm pha so với tín hiệu pha chuẩn (30Hz AM). Ví dụ: quan sát viên ở hướng Tây trạm DVOR sẽ thấy tín hiệu 30Hz FM sớm pha hơn tín hiệu 30Hz AM là 2700. Máy thu trên máy bay xác định sự khác pha giữa hai tín hiệu 30Hz và vì thế nó có liên hệ về độ (từ trường) tới trạm, khí đó xác định được số độ nhờ tín hiệu 30Hz AM chậm pha hơn tín hiệu 30 Hz FM.

</div><span class="text_page_counter">Trang 11</span><div class="page_container" data-page="11">

CHƯƠNG 2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA DVOR

Nguyên lý hoạt động của trạm DVOR dựa theo sự sai pha giữa hai tín hiệu30Hz được điều chế với sóng mang, tín hiệu thứ nhất là tín hiệu pha chuẩnkhơng thay đổi ở mọi phương vị trong vòng tròn 360 độ ký hiệu là REF và tínhiệu thứ hai có pha thay đổi ký hiệu là VAR,tại hướng bắc từ pha của 30HzREF trùng với pha của 30Hz VAR.

Tín hiệu pha chuẩn có được nhờ điều biên sóng mang với tín hiệu hình sin30Hz. Tín hiệu điều biên này được bức xạ đẳng hướng trong mặt phẳng ngangnhờ Anten sóng mang trung tâm (Central Carier Antenna). Đồ thị bức xạ làhình trịn và các thơng số trong tín hiệu 30Hz REF này thu được trên máy baycó pha khơng phụ thuộc phương vị của máy bay.

điều chế biên độ vào sóng mang. Sự điều biên sóng mang nàythường gọi là điều chế không gian (Space Modulation) vì nó được hình thành bằng cách cộng trong khơng gian tín hiệu sóng mang bức xạ đẳng hướng và các tín hiệu biên trên và biên dưới được bức xạ riêng rẽ từ vòng tròn của các anten biên tần. Các tín hiệu biên trên và biên dưới chuyển đổi qua mức trung bình, 9660Hz trên và dưới sóng mang tương ứng vàkhi cộng thêm tín hiệu pha đúng vào sóng mang sẽ tạo ra tín hiệu kết quả được điều biên ở 9660Hz.

Sóng mang phụ được điều tần với tín hiệu 30Hz. Các tín hiệu biên tần được

phân bổ lần lượt tới và bức xạ từ 48 anten biên tần giống như cách mô phỏng 2 anten đối xứng nhau qua đường kính, quay ngược chiều kim đồng hồ theo đường tròn của vòng anten biên tần với tốc độ 30 vịng/s, với 1 anten bức xạ tín hiệu biên

trên và một cái bức xạ tín hiệu biên dưới. Vì chiều dài hiệu dụng đường quay giữa các nguồn phát biên tần quay và khoàng cách điểm thu biến đổi với tốc độ 30Hz nên tần số quan sát của các tín hiệu biên tần cũng biến đổi ở tốc độ 30Hz (chẳng hạn các biên tần) và vì thế tín hiệu sóng mang phụ được điều tầnở tốc độ 30Hz. Độ dịch dần tỷ lệ với đường kính vịng anten biên tần thể hiện qua bước sóng ở tần số hoạt động. Nếu đặt đường kính tới 44 feet (13,4m) sẽ tạo ra độ di tần đỉnh là 480Hz ở tần số 113,85MHz; 454Hz ở 108 MHz và 497Hz ở 118MHz. Hình 2-1 mơ tả một phổ cao tần điển hình của trạm DVOR

</div><span class="text_page_counter">Trang 12</span><div class="page_container" data-page="12">

ở tần số hoạt động fc. Tỷ lệ dịch tần tương ứng biến đổi từ 15,13 ở 108 MHz tới 16,57 ở 118 Mhz

<b>Nguyên lý Antenna DVOR</b>

Hệ thống anten DVOR mơ phỏng như là một tay địn quay trịn ở mỗi đầu cómột anten phát, bức xạ tín hiệu biên trên ở một đầu và tín hiệu biên dưới ởđầu kia. Để đạt được điều đó bàng cách sử dụng 48 anten bố trí cách đềuquanh chu vi vịng trịn đường kính 44ft (13,4m) xung quanh một anten ởtrung tâm vịng trịn bức xạ sóng mang chuẩn.

Xét hiệu ứng của sự quay anten mô phỏng trên máy thu ở máy bay. Khinguồn biên trên chuyển động về phía máy bay, hiệu ứng Doppler làm cho tầnsố đầu vào máy thu tăng lên fc + 9960Hz, và khi nguồn biên dưới chuyểnđộng ra xa tần số giảm đi fc - 9960Hz; fc là tần số sóng mang. Sự khác nhautần số biến đổi hình sin phù hợp với đường trịn được mơ phỏng. Sự khácnhau là cực đại khi đường nối giữa 2 anten vng góc với tia máy bay. Sựkhác nhau là bằng 0 khi 2 nguồn biên tần thẳng hàng với tia máy bay, vàothời điểm đó khoảng cách giữa mỗi nguồn biên tần và máy thu là không đổi.Chú ý:

Tần số sóng mang phụ thực tế là 10KHz với sai số 1% nhưng khinghiên cứu để đơn giản chọn tần số sóng mang phụ chuẩn là 9960 Hz.Thời điểm độ dịch tần số bằng 0 được phân biệt với các vị trí khác của máybay xung quanh trạm. Vì thế, tín hiệu 30Hz FM được khơi phục sẽ có phakhác nhau đối với mỗi vị trí khác nhau. Với máy thu ở hướng Bắc trạmDVOR, tín hiệu 30Hz FM phải cùng pha với tín hiệu 30Hz AM; cả 2 tín hiệuđều qua vị trí 0 chính xác ở cùng một thời điểm. Để đạt được điều này, nhữngvấn đề sau phải được xét. ở thời điểm sóng mang điều biên 30 Hz qua vị trí 0chính xác của nó, các antena quay được mô phỏng sẽ liên kết với anten số 1(ở hướng Bắc) và anten 25 (ở hướng Nam); với điều kiện anten hướng Bắcphát xạ đỉnh tín hiệu biên dưới và anten hướng Nam phát xạ đỉnh tín hiệubiên trên. Tần số biên dưới sẽ giảm, tần số biên trên sẽ tăng. Tần số sóngmang phụ sẽ tăng từ 9960Hz (10KHz) lên và tín hiệu 30Hz FM sẽ qua vị trí0.

</div><span class="text_page_counter">Trang 13</span><div class="page_container" data-page="13">

<b>CHƯƠNG 3 CHI TIẾT SƠ ĐỒ KHỐI HỆ THỐNG DVOR 1150</b>

<b>3.1 Sơ đồ khối đơn giản của hệ thống:</b>

Xem hình 3.1 Máy phát (chính và dự phịng) gồm một khối tạo tần số, khốikhuếch đại công suất cao tần CSB , bộ lọc thông thấp, bộ ghép định hướng,vỉ mạch tạo tín hiệu âm tần, 2 khối tạo tín hiệu biên tần và 2 khối lấy mẫu tínhiệu cao tần.

Khối tạo tần số tạo 3 tín hiệu cao tần liên hệ với nhau cung cấp cho trạmDVOR. Tín hiệu cao tần sóng mang trên kênh điều khiển khối khuếch đạicơng suất cao tần. Tín hiệu cao tần biên trên và biên dưới điều khiển 2 khốitạo tín hiệu biên tần.

Khối khuếch đại công suất cao tần khuếch đại và điều chế tín hiệu cao tầnsóng mang tới mức đầu ra hoạt động. Khối này có 3 phiên bản: phiên bản 1 là030363-001 gồm 5 khối nhỏ, phiên bản 2 là 030363-003 và 3 là 030363-003gồm 4 khối nhỏ và chỉ khác nhau ở cực nguồn của transistor đầu ra cuối cùng.Khối lọc thông thấp gồm một mạch lọc 4 cực để: triệt hết các hài tạp từ tínhiệu sóng mang cao tần. Bộ lọc cũng lấy mẫu phần năng lượng cao tần sửdụng như tín hiệu sửa sai sau đó hồi tiếp về khối tạo tần số.

Bộ ghép hai hướng gồm 1 mẫu sóng mang tới và phản xạ. Sóng tới và sóngphản xạ được lấy mẫu trực tiếp đưa tới khối giám sát cao tần sử dụng chomạch tách sóng và mạch xử lý phân tích.

Khối giám sát cao tần có chức năng như một bộ khuếch đại/tách sóng cao tầnRF và phân luồng tín hiệu cao tần tách sóng. Khối này cũng bao gồm tải giảcho tín hiệu sóng mang cao tần máy phát dự phòng. ở các thế hệ trước, khốinày bao gồm tải giả cho 4 tín hiệu biên tần. Thế hệ hiện nay khơng có tải giảbên trong khối. Các tải giả cho 4 tín hiệu biên tần được thay đổi gắn trực tiếptrên các rơle chuyển đổi.

Vỉ mạch tạo tín hiệu âm tần tạo và xử lý tất cả các tín hiệu điều chế phát ra từmáy phát DVOR và tạo ra tín hiệu điều khiển mức cơng suất và các tín hiệuđiều khiển pha cần thiết cho hoạt động máy phát và khối chuyểnmạch(Commutator). Nó cũng phụ trách việc giám sát hoạt động của máy phát.Hệ thống DVOR sử dụng 2 khối tạo tín hiệu biên tần cho mỗi máy phát. Mỗibộ gồm 2 vỉ mạch khuếch đại biên tần và 2 vỉ mạch điều khiển biên tần.Bộ tạo tín hiệu biên tần khuếch đại tín hiệu cao tần biên tần từ bộ tạo tần sốtới các mức công suất hoạt động được. Nó cũng đưa ra tín hiệu sai pha và

</div><span class="text_page_counter">Trang 14</span><div class="page_container" data-page="14">

biên độ điều khiển méo trong tín hiệu cao tần biên tần.

Hình 3.2 Sơ đồ khối đơn giản của hệ thống

Khối lấy mẫu biên tần trộn một phần của 2 tín hiệu cao tần USB hoặc 2 tínhiệu LSB để tạo ra tín hiệu hồi tiếp sửa sai hồi tiếp mà nó gửi về khối tạo tầnsố.

Phần xử lý điều khiển hệ thống RMS đảm nhiệm tất cả yêu cầu điều khiển,liên lạc và thơng tin cho hệ thống DVOR.

Hai bộ tách sóng trường tách tín hiệu cao tần bức xạ thu được từ anten giámsát trường. Các bộ tách sóng gửi tín hiệu của chúng tới các bộ giám sát VORđể xử lý và phân tích. Ở các thế hệ cũ, khối này đặt trong cabin điện tử. Hiệnnay, nó được đặt trong bộ commutator.

Vỉ mạch giám sát VOR làm việc độc lập với máy phát và với các khối khác;tuy nhiên đặc điểm điều khiển cảnh báo của hai bộ giám sát có thể tổ chứchoạt động theo chức năng logic AND hoặc OR.

Bộ chuyển mạch (Commutator) gồm các khối cần thiết để điều khiển chuyểnmạch điện tử của các anten biên tần. Các trạm DVOR hiện nay có 2 bộ táchsóng trường, một bộ tách tín hiệu và mạch triệt tạm thời(chống sốc điện) đặttrong khối.

</div><span class="text_page_counter">Trang 15</span><div class="page_container" data-page="15">

Tủ điên tử VOR chứa tất cả các khối điện tử tạo ra, điều khiển và giám sátcác tần số DVOR được điều chế.Vị trí các khối tách sóng trường VOR phụthuộc vào hệ thống VOR được cài đặt. Phiên bản đầu tiên bbộ tách sóngtrường được đặt trong tủ điện tử. Các phiên bản sau này chúng được đặt trongtủ chuyển mạch(Commutator).

Ngăn tủ A18

Ngăn tủ này là một khe để giữ máy phát và các modul RMS. Nó cung cấp cácbiện pháp bảo vệ vật lý cho các module trong tủ điện tử và tạo ra sự nối liềncủa các modul đó với các cáp dẹt chính. Được gắn liền nhưng độc lập với nólà 4 bộ điều chỉnh điện áp (cho các bộ khuyếch đại Sideband), hai bộ lọcthông thấp(cho đầu ra của mỗi khối khuyếch đại công suất CSB), 4 khối lấymẫu sideband (mỗi máy phát có hai khối) , khe cắm RMS, tấm rơle chuyểnđổi và khối điện trở AC cho mỗi máy phát.

Có 5 rơle đồng trục được gắn trực tiếp vào ngăn tủ phía sau của khối giám sátRF. Các rơle này được đóng bởi xung tiếp đất với một trong hai chốt hoặccuộn dây ngắt mạch. Các rơle được nuôi bằng nguồn điện áp chung 28V. cácrơle chuyển mạch 10 đầu vào ( chính và dự phịng)giữa hệ thống antena vàcác tải giả. Nó đồng thời tạo các tín hiệu logic DC được sử dụng bởi bộ vi xửlý RMS nhận biết máy phát nào phát ra antena. Tín hiệu logic DC cũng đượccung cấp bởi bộ tạo âm tần để cho phép các tín hiệu chuyển mạch bộCommutator và nhận dạng được cung cấp từ vỉ mạch tạo âm tần trên máy bay

<b>3.2 Sơ đồ khối chi tiết hệ thống:</b>

Sơ đồ khối này mô tả các thành phần chính của trạm DVOR(cho cả phụ trợ vàyêu Cầu), chức năng và tín hiệu nhận dạng cơ bản, các đường điện áp và điềukhiển trong trạm. Máy chính và máy dự phòng giống hệt nhau nên ta chỉ nêumáy chính.

Thành phần quan trọng nhất của hệ thống DVOR là cabin điện tử và tủchuyển mạch(Commutator). Các thành phần bên ngoài là các màn hình hiểnthị, antena sóng mang, các antena biên tần, antena giám sát trường và các khốituỳ chọn (máy in, ắc quy).

Cabin điện tử có các thành phần chính là khối đèn báo đặt máy, bộ xử lý ghépnối và điều khiển hệ thống RMS, máy phát chính và dự phòng, các vỉ mạchgiám sát DVOR, các bộ tách sóng trường (ở những thế hệ cũ), bộ giám sát caotần, các rơ le chuyển dự phòng, phân hệ nguồn và nạp ắc quy, và các bộ cáchly cao tần biên tần.

Panel đèn báo mặt máy gồm các bảng hiển thị cung cấp hiển thị trạng thái cácbộ giám sát DVOR.

</div><span class="text_page_counter">Trang 16</span><div class="page_container" data-page="16">

Bộ RMS quản lý tất cả các lệnh, điều khiển, liên lạc và thông tin cho trạm.Máy phát chính bao gồm các khối tạo tần số, khối khuyếch đại công suấtCSB, bộ lọc thông thấp, bộ ghép hai hướng, vỉ mạch tạo âm tần, hai bộtạo biên tànn và hai khối lấy mẫu biên tần. Cung cấp điện áp cho máy phátchính là phân hệ nguồn và nạp ắc quy (BCPS) và bộ cung cấp nguồn điệnáp thấp (LVPS) cung cấp điện áp cho máy phát chính. Ở các thế hệ hiện nay,có một khối điện trở được gắn ở đầu vào bộ BCPS để triệt tất cả các daođộng tự kích có thể xuất hiện khi công tắc AC được mở. Nếu không loại bỏcác dao động đó có thể gây ra chỉ thị lỗi sai nguồn.

Khối tạo tần số chia làm 2 vỉ mạch. Khối này tạo ra 3 tín hiệu cao tần liên hệvới nhau sử dụng cho DVOR. Tín hiệu cao tần sóng mang RF trên kênhđiều khiển khối khuếch đại công suất cao tần. Các tín hiệu cao tần biên trênvà biên dưới điều khiển 2 khối tạo biên tần.

Vỉ mạch tạo tín hiệu âm tần tạo ra các tín hiệu điều chế sóng mang, điềukhiển và giám sát mức cơng suất và tín hiệu điều khiển pha cao tần cho máyphát DVOR.

Mỗi bộ tạo biên tần lại được chia nhỏ theo sự sắp sếp chức năng của các vỉmạch trong khối. Theo chức năng mỗi khối tạo biên tần có 2 bộ khuếch đạibiên tần, mỗi bộ có 1 vỉ mạch khuếch đại biên tần và 1 vỉ mạch điều khiểnbiên tần. Chỉ có khối khuyếch đại trong mỗi khối là có sơ độ khối rõ ràng.Mỗi bộ khuếch đại biên tần điều chế và khuếch đại 1 trong 4 hiệu biên tầnriêng rẽ sử dụng trong DVOR.

Bộ lấy mẫu cao tần Sideband trộn một phần của 2 tín hiệu USB hoặc 2 tínhiệu LSB để tạo ra tín hiệu sửa sai hồi tiếp về khối tạo tần số.

Khối khuếch đại công suất cao tần được chia chỏ thành 4 vỉ mạch và 6transistor cơ bản. Các tín hiệu cao tần RF cơ bản và điều khiển giữa các vỉmạch này được chỉ ra trong sơ đồ khối. Khối này khuếch đại sóng mang caotần RF tới mức công suất hoạt động của trạm và điều chế nó với các tín hiệm tần. Một bộ lọc thơng thấp riêng biệt triệt các sóng hài tạp trong tín hiệucao tần RF. Bộ lọc cũng trích một phần mẫu năng lượng cao tần sử dụng làmtín hiệu sửa sai hồi tiếp về khối tạo tần số và một phần mẫu thứ 2 cấp chođiểm thử ở phía trước khối giám sát cao tần. Bộ ghép định hướng (Coupler)trên đường dẫn cho phép lấy mẫu năng lượng cao tần sóng tới và sóng phảnxạ.

Bộ giám sát cao tần RF xử lý các tín hiệu cao tần RF chính và dự phịng sử dụngcho bộ tạo tín hiệu âm tần và các vỉ mạch giám sát DVOR. Bộ giám sát cao tần

</div><span class="text_page_counter">Trang 17</span><div class="page_container" data-page="17">

trước kia chứa tất cả các tải giả cho máy phát dự phịng. Hiện nay chỉ có tải tínhiệu sóng mang. Tín hiệu biên tần máy phát dự phịng được đưa ra các tải giả ởđầu ra rơle chuyển đổi.

Bốn bộ cách ly biên tần sử dụng để tạo ra mẫu tín hiệu cao tần RF phản hồi từmỗi cáp RF biên tần dẫn tới khối chuyển mạch(Commutator) và các antena biêntần.

Hai bộ tách sóng trường tách tín hiệu cao tần bức xạ từ anten giám sát trường. Cácbộ tách sóng gửi tín hiệu tới bộ giám sát DVOR để xử lý và phân tích. ở các thế hệtrước các bbộ này đặt trong tủ 1, ở các thế hệ sau này được đặt ở tủ 2.

Mỗi vỉ mạch giám sát làm việc độc lập với máy phát chính và với các vỉ mạchkhác. Tuy nhiên đặc điểm điều khiển cảnh báo của hai bộ giám sát có thẻ được tổchức theo chức năng logic AND hoặc OR.

</div><span class="text_page_counter">Trang 18</span><div class="page_container" data-page="18">

3.2.1 Bộ tạo tần số ( Frequency Synthesizer 1A4/1A20 )

Hình 3.3 Sơ đồ khối chức năng của bộ tạo tần số

Chức năng của khối tạo tần số là tạo ra các tần số biên trên, biên dưới và sóngmang bức xạ ra ngồi khơng giang nhờ máy phát VOR. Bộ tạo tần số cịn có 3vịng khố pha (PLL) sử dụng cho một số chức năng như: duy trì pha sóngmang trung bình chuẩn liên hệ với pha trung bình khuếch đại ở sóng mang đầura, mẫu tín hiệu phản hồi của bộ khuyếch đại biên tần (Sideband) được sử dụngđể duy trì tần số và các đặc tính pha của tín hiệu Upper và Lower Sideband làtốt nhất. Có hai vỉ mạch trong khối tạo tần số. Vỉ mạch tạo tần số 012100, và vỉmạch kết nối 012102. Mạch cơ bản nhất là vỉ mạch tạo tần số 012100 với đầura duy nhất mạch khuyếch đại đệm (mơ tả ở phía dưới) trên vỉ mạch kết nối012102.

Một mạch dao động thạch anh bù nhiệt TCXO( ) trên vỉ mạch tạo tần số nó18

</div><span class="text_page_counter">Trang 19</span><div class="page_container" data-page="19">

tạo ra tín hiệu 10MHz chuẩn. Tín hiệu này được chia 4 tạo ra tín hiệu xungnhịp (clock) 2.5MHz cho bộ xử lý điều khiển, và được chia 10 tạo ra tín hiệu 10KHz chuẩn cho vòng lặp tạo tần số.

Tần số sóng mang(carrier)DVOR được tạo ra bởi một bộ tạo tần số PLL tínhiệu chuẩn tới 10KHz, một điện áp điều khiển dao động VCO tạo ra tín hiệuRF. Tín hiệu này được khuyếch đại đệm và một phần của tín hiệu sẽ được hồitiếp tới điều khiển PLL tại đó nó được chia bởi chương trình chia. Đầu ra chiađược so sánh với tín hiệu chính xác 10KHz chuẩn. Trong vỉ mạch điều khiểnPLL so sánh pha tạo ra điện áp lỗi pha nó được lọc và cấp tới đầu vào điềukhiển điện áp của VCO do đó nó khoá tần số đầu ra tới tần số chuẩn. Chuyểnkênh VOR đã hoàn thành bởi thay đổi tỉ lệ chia của điều khiển chia PLL. Tỉlệ chia là một chương trình trong PLL điều khiển bởi bộ vi xử lý điều khiểnCarrier. Bộ vi xử lý đọc Dip Switch của chuyển mạch kênh tính tốn đúngthơng tin và tải(Load) những thông tin vào IC điều khiển PLL. Đầu ra củamạch tạo tần số sóng mang Carrier được chia và gửi tới mạch pha carrier,mạch chia đếm tần số carrier, mạch khuyếch đại đệm đầu ra kiểm tra(testpoint) và một mạch khuyếch đại đệm nó được sử dụng để điều khiển khuếchđại Sideband trong CVOR, trong DVOR mạch này không được sử dụng vàkết thúc là một điện trở tải.

Mạch khuyếch đại đệm đầu ra kiểm tra(test point) ở trên vỉ mạch đấu nối012102 trên phía sau của khối tạo tần số. Đầu ra của mạch đệm cung cấp 10mW chuẩn tần số sóng mang Carrier đầu ra, tín hiệu có tại đầu nối SMA trênmặt trước của khối. Mạch suy hao cũng dùng để cung cấp một điện trở tải chomạch đệm khi mà khơng có tải bên ngồi đấu nối vào đầu nối SMA. Khơngcó mạch nào khác trong vỉ mạch đấu nối nó chỉ là đầu nối 25 chân D có vỏbọc nối từ đầu nối 30 chân với vỉ mạch tạo tần số 012100 nó cung cấp sự đấunối cho những tín hiệu phản hồi mẫu Sideband.

Đầu ra của pha carrier là một mạch khuyếch đại bởi một mạch khuyếch đạiđệm Carrier và cung cấp cho khối khuyếch đại công suất lớn trong DVOR.Trong xử lý điều chế biên độ sóng mang VOR tạo ra khơng được điều pha củatín hiệu đầu ra. Thêm và đó, một mạch thay đổi pha của mạch khuyếch đạiRF xẽ kéo theo sự thay đổi nhiệt độ. Pha carrier sử dụng để đếm hai hiệu ứng.Tín hiệu hồi tiếp từ đầu ra Carrier VOR đưa quay trở về khối tạo tần số. Tínhiệu hồi tiếp là mẫu đại diện cho đầu ra cuối cùng RF Carrier và có 2 tín hiệuđiều biên 30Hz và thơng tin dịch pha khơng mong muốn.

Tín hiệu hồi tiếp Carrier đầu tiên đưa qua mạch hạn chế trong khối tạo tần sốđể loại bỏ thông tin 30Hz AM. Đầu ra mạch hạn chế được cấp tới mạch tách

</div><span class="text_page_counter">Trang 20</span><div class="page_container" data-page="20">

sóng pha tại đó nó được so sánh với đầu ra của bộ tạo tần số Carrier PLL. Đầura của mạch tách sóng pha là tín hiệu sai pha nó được khuyếch đại và lọc đưatới điều khiển pha Carrier. Pha sóng mang là điều chế để duy trì điện áp sailệch ở 0V. Vì thế đếm sự dịch pha không mong muốn và pha hiệu ứng điềuchế của bộ khuyếch đại VOR Carier RF.Có một điện áp một chiều DC đặt vàođầu vào của bộ khuyếch đại sai pha Carrier là hiệu ứng của sự dịch pha của đầu. ra Carrier VOR với pha chuẩn đưa về trong khối tạo tần số nó cho phép điều chỉnhpha của sóng mang Carrier tới các đầu ra tín hiệu Sideband RF cho thoả mãn trongđặc trưng điều chế khơng gian của tín hiệu bức xạ VOR.

Mạch chia đếm tần số sóng mang cũng được lập trình bởi bộ vi xử lý điều khiểnCarrier nó cung cấp bộ chia cố định 2560 CMOS đầu ra tương thích cho giám sáttần số sóng mang Carrier.

Tần số Upper và Lower Sideband được tạo ra trong khối tạo tần số PLL chúng hoạtđộng giống với bộ tạo tần số PLL carrier đã mô tả ở trên. Một vòng lặp tạo tần số sửdụng một tần số chuẩn chính xác 10KHz chúng có thể lập trình tăng lên 10KHz nócho phép tạo ta tần số Upper Sideband bởi trương trình của vịng lặp tới trên 10KHzkênh tần số VOR.

Tương tự tần số Lower Sideband được tạo ra bởi trương trình vịng lặp dưới 10KHzkênh tần số VOR. Chúng được tạo ra bởi bộ vi sử lý điều khiển Upper và LowerSideband. Cả 3 mạch vi xử lý được thiết lập chuyển mạch kênh giống nhau. Bộ xửlý điều khiển USB, LSB xác định đúng tỉ lệ chia với tải bên trong chips điều khiểnvòng lặp PLL để tạo ra 10KHz offset từ kênh tần số VOR. Loại trừ nếu muốnchuyển tần số USB và LSB riêng rẽ đảm bảo hoạt động đúng của bộ tạo tần số.Trong hệ thống DVOR Có hai khối lấy mẫu Sideband phía ngồi được nối tới khốitạo tần số tại đó có mẫu tần số Sin và Cosin điều chế tần số Sideband và kết quả đểtạo ra tín hiệu hồi tiếp Lower và Uper Sideband, chúng bao gồm cốc thơng tin phatrung bình của tần số bức xạ Sideband. Mẫu của đầu ra Sideband được đưa tới khốitạo tần số nó là tín hiệu hồi tiếp có giới hạn, đệm và được sử dụng bởi IC điều khiểnPLL trong bộ tạo tần số USB và LSB. Tại đây tần số và pha của bộ tạo Sideband làđiều khiển và duy trì pha đưa về với tần số chuẩn 10KHz trong khối tạo tần sốHai bộ tạo tần số USB và LSB có bộ chia cố định 2560 chúng hoạt độnggiống như bộ chia tại Carrier PLL để cung cấp giám sát tần số USB và LSBCả 3 mạch tạo tần số PLL đều sử dụng tần số chính xác 10KHz nó có hiệu quả củaviệc duy trì pha khác nhau của tần số 10KHz giữa USB với Carrier và LSB vớiCarrier trong mối quan hệ cố định. Khi những tín hiệu này được bức xạ bởi hệthống antena DVOR. Sự kết hợp giữa tín hiệu USB và LSB với tín hiệu Carriertrong khơng gian tạo ra một tín hiệu 30Hz điều biên với Carrier nó đã đề cập ở trên.Pha của tín hiệu Carrier có thể dịch để thoả mãn được hiệu suất của tín hiệu bức xạtrong không gian.

</div><span class="text_page_counter">Trang 21</span><div class="page_container" data-page="21">

<b>3.2.2Khối khuếch đại công suất cao tần (CSB Power Amplifier Assembly 1A3/1A19 )</b>

Xem hình 3.12 Khối khuếch đại cơng suất cao tần khuếch đại sóng mang caotần khi điều biên nó với tín hiệu 30 Hz, tín hiệu nhận dạng 1020 Hz và thoại(nếu như cần thiết). Khối này gồm 4 vỉ mạch: vỉ mạch kích thích(Exiter CCA), vỉ mạch khuếch đại cơng suất(Power Amplifier CCA), vỉ mạch khuếch đạicông suất điều chế (Power Amplifier Modulator CCA), vỉ mạch điều chỉnhthiên áp/kích thích điều chế (Bias Regulator/Exiter Modulator CCA). Ở thế hệcũ có thêm vỉ mạch thiên áp điều chế(Modulator Bias CCA).

Hình 3.13 Sơ đồ khối lắp ráp bộ khuếch đại công suất CSB

<b>3.2.3Khối khuếch đại công suất cao tần (CSB Power Amplifier Assembly 1A3/1A19 )</b>

Khối khuếch đại công suất cao tần khuếch đại tín hiệu cao tần RF tới mức120W và thực hiện điều biên với 30Hz, Nhận dạng 1020Hz và tín hiệu thoại(Voice) nếu có

Vỉ mạch kích thích(Exciter CCA) nhận sóng mang cao tần từ khối tạo tần sốđưa tới . ở đây nó được điều chế với sóng mang RF, khuếch đại và đưa tới vỉmạch khuếch đại công suất. Transistor Q4 cung cấp một tín hiệu điều khiểnđiều chế mức thấp cho tầng khuếch đại cuối trong vỉ kích thích.

Mạch khuyếch đại cơng suất nhận tín hiệu RF từ vỉ mạch kích thích khuếchđại và cung cấp cho khối lọc thông thấp

</div><span class="text_page_counter">Trang 22</span><div class="page_container" data-page="22">

Vỉ mạch điều chỉnh thiên áp(định thiên)/kích thích điều chế(BiasRegulator/Exiter Modulator CCA) tạo ra điện áp định thiên cho vỉ mạch kíchthích và khuếch đại cơng suất. Đồng thời nó cũng tạo ra tín hiệu điều khiểnngắt q nhiệt sóng mang và tín hiệu điều khiển điều chế mức thấp cho vỉmạch kích thích.

Vỉ mạch khuếch đại cơng suất điều chế điều khiển điều chế RF và mức côngsuất với khối khuếch đại công suất. Vỉ mạch khuếch đại công suất điều chếkhuếch đại các tín hiệu âm tần xẽ được điều chế tín hiệu cao tần RF và mứcmột chiều DC xẽ xác định mức công suất đầu ra cuối cùng. Vỉ mạch khuếchđại cơng suất điều chế giám sát mức tín hiệu điều chế tới vỉ mạch khuếch đạicông suất và điều chế tín hiệu cao tần từ vỉ mạch khuếch đại cơng suất. Nócũng sử dụng tín hiệu điều khiển ngắt quá nhiệt từ vỉ mạch điều chỉnh thiênáp/kích thích điều chế để điều khiển tín hiệu cao tần RF.

Điều này ngăn các transistor của khối khuếch đại công suất cuối cùng đượcdao động với sự điều chế khi xoá lệnh tắt máy.

Transistor công suất Q1,Q2, Q3, Q4, Q5 và Q6 có sinh nhiệt nối vào vỏ củakhối. Khối khuếch đại cơng suất phải được toả nhiệt tốt,do đó, phần lớn cáckhối có tấm toả nhiệt làm bằng kim loại là những khối rất nặng.

Vỉ mạch thiên áp điều chế cung cấp định thiên cho các cực G của cáctransistor điều khiển điều chế âm tần tầng cuối Q1, Q2 và Q3.

Những transistor điều khiển điều chế âm tần cuối Q1, Q2, và Q3 được thiếtlập đối xứng. Nếu có lỗi trong bất kỳ transistor nào đòi hỏi sự thay thế cả 3 .Cực S(Sources) của chúng được nối tới nguồn 43/48V của BCPS và tín hiệuâm tần và tín hiệu điều chế DC được cấp và cực G(Gate).Tín hiệu âm tầnđiều chế thay đổi độ dẫn của các transistor này và thay đổi điện áp tại cựcD(Drains) của nó. Điện áp DC thiết lập trung bình tạo một điểm làm việc chophép các bộ khuếch đại cao tần RF tạo tại một mức công suất nhất định. Điệnáp cực D thay đổi là điện áp hoạt động cho các transistor khuếch đại công suấttầng cuối Q5 và Q6. Giá trị điện áp thay đổi này là sự điều chế mức cao củatín hiêu sóng mang cao tần(Carrier RF) trong vỉ mạch khếch đại cơng suất.

3.2.3.1Vỉ mạch kích thích A3 (Exciter CCA A3)

Xem hình 3.13 Tín hiệu cao tần sóng mang từ khối tạo tần số và điện áp địnhthiên trong bộ kích thích Q1 được lấy từ vỉ mạch kích thích điều chế đượcđưa tới khuếch đại RF Q1. Q1 khuếch đại sóng mang cao tần và điều chế nóvới tín hiệu điều chế kích thích Q1.

Sóng mang cao tần điều chế từ Q1 tới khuếch đại cao tần Q2. Tụ C8 phốihợp trở kháng vào cho Q2. Điện áp định thiên cho Q2 (bộ kích thích Q2 thiênáp trong {Exciter Q2 Bias In}) được thiết lập trên vỉ mạch định thiên điều chế

</div><span class="text_page_counter">Trang 23</span><div class="page_container" data-page="23">

thiên áp. Điện áp điều khiển điều chế cho Q2 được cấp bởi transistor điềukhiển điều chế Q4 được gắn ở khung trong bộ khuếch đại công suất cao tần.Q2 khuếch đại tín hiệu lên mức xấp sỉ 20W đầu ra. Tín hiệu này cung cấp chovỉ mạch khuếch đại cơng suất.

Hình 3.14 Sơ đồ khối Exciter CCA

3.2.3.2Nguyên lý hoạt động chi tiết vỉ mạch kích thích Exciter (A3).Vỉ mạch Exciter gồm 2 Transistor khuyếch đại RF để tạo ra công suất RF xấpxỉ 20W từ một đầu vào khoảng 300mW CW từ khối tạo tần số.

Tín hiệu RF vào từ khối tạo tần số đưa vào khối khuyếch đại công suất thôngqua đầu nối RF J1. Mạch phối hợp trở kháng đầu vào bao gồm C17, C4 (đượcnhà máy điều chỉnh để có đầu vào VSWR tốt nhất), L5 và L1. Điện trở R1cấp dòng định thiên cho Q1 và đồng thời tạo sự phối hợp trở kháng cho đầuvào Q1. Bộ khuyếch đại Q1 tăng mức tín hiệu Carrier đầu vào lên khoảng 3Wtại đầu ra.

Định thiên cho Q1 được cấp bởi vỉ mạch điều chỉnh thiên áp điều chếgọi làđiện áp Exciter Q1 Bias In. Điều này được điều chỉnh R19 trên vỉ mạch điềuchỉnh thiên áp điều chếvà được cấp tới qua đầu nối P1-2. Ở điều kiện khônghoạt động (không có tín hiệu RF cấp tới), chiết áp R19 được điều chỉnh đểtạo một điện áp

giảm 25mV qua các điểm Test TP3 và TP4. Điều này tương ứng tới một dịngkhơng hoạt động (tĩnh) 50mA qua Q1.

Tín hiệu điều chế kích thích Q1 là điện áp cực máng D được cấp bởi vỉ mạchđiều chỉnh thiên áp điều chế. Điện áp này là một tín hiệu với một thành phầnDC tương ứng với công suất Carrier, được loại bỏ tất cả sự điều chế AC VORbởi bộ lọc thông thấp trên vỉ mạch điều chỉnh thiên áp điều chế.

Phối hợp trở kháng đầu vào được thực hiện bởi C6, C8 (nhà máy đã điềuchỉnh ở điều kiện tốt nhất cho điện áp điều chế và hiệu suất máy phát), L2, C9và L3. RF đã được điều chế đưa tới cực Gate của Q2, tại đây nó được

</div><span class="text_page_counter">Trang 24</span><div class="page_container" data-page="24">

khuyếch đại lên xấp xỉ 20W. Điện trở R5 cấp dòng định thiên cho Q2, và cungcấp phối hợp trở kháng đầu vào Q2. Điện trở R4 và C13 cung cấp một phầnhồi tiếp tần số thấp qua Q2 để hỗ trợ độ ổn định bộ khuyếch đại và tăng độrộng băng tần bộ khuyếch đại. Đầu ra được phối hợp trở kháng bằng L6,C18, L4, C14 và C15. C16 là một tụ ghép để ngăn DC ở phần đầu ra.Dòng định thiên Q2 được cấp bởi vỉ mạch điều chỉnh thiên áp điều chế. Tínhiệu này được điều chỉnh bởi R20 trên vỉ mạch điều chỉnh thiên áp điều chếvàđược cấp qua đầu nối P1-9 tới cực G của Q2. Trong điều kiện không hoạtđộng, Jumper giữa E3 và E4 được gỡ bỏ. Chiết áp R20 trên vỉ mạch điềuchỉnh thiên áp điều chếđược điều chỉnh để tạo ra một điện áp giảm 55mV quacác điểm Test TP1 và TP2. Điều này sẽ tương ứng một dòng định thiên xấp xỉ25mV qua Q2. Sau khi điều chỉnh, Jumper giữa E3 và E4 được cài lại. Điềuchỉnh định thiên cho Q2 được nhà máy thiết lập và phạm vi điều chỉnh khơngnên thay đổi.

Tín hiệu điều khiển sự điều chế bộ kích thích Q2 là điện áp máng D được cấpcho Q2. Tín hiệu này được cấp bởi Transistor điều khiển bộ điều chế1A3/1A19 Q4 được gắn trên khung khối khuyếch đại cơng suất. Tín hiệu nàyđược nối thơng qua các chân 11, 12, 13 và 14 của đầu nối P1. Một mẫu củatín hiệu được sử dụng cho việc điều khiển hồi tiếp của bộ điều chế và đượcnối thông qua P1-10. Giống như tín hiệu bộ điều chế Q1, tín hiệu này baogồm một thành phần DC và các dạng sóng AC VOR điều chế.

Đầu ra xấp xỉ 20W được nối thông qua E2 thông qua một cáp đồng trục điểm tới vỉ mạch khuyếch đại công suất.

điểm-3.2.3.3 Vỉ mạch khuếch đại công suất A2 (Power Amplifier CCA 1A3/1A19)Vỉ mạch khuếch đại cơng suất nhận tín hiệu cao tần xấp sỉ 20W từ vỉ mạchkích thích và khuếch đại tới mức công suất ra theo yêu cầu của hệ thốngDVOR. Tín hiệu cao tần đã được điều chế từ vỉ mạch kích thích được phânlàm hai đường cho khuếch đại. Hai phần là như nhau vì thế chỉ nghiên cứumột mạch.

Đầu vào cao tần RF đưa vào và được chia làm hai đường song song. Bộ suygiảm AT1 và AT2 tạo cân bằng và giảm trở kháng khác nhau giữa hai phầngiúp cho việc phân phối tải của hai đầu ra công suất.

Biến áp T3 là một biến áp lõi sắt đồng trục có tỉ lệ trở kháng 9:1. Nó tạo sựđiều khiển cân bằng cho Transistor Q5 đẩy kéo. Định thiên cho Q5 được lấy từthứ cấp của T3. Đầu ra Q5 đựơc đưa tới biến áp T4 có tỉ lệ trở kháng 4:1 để

</div><span class="text_page_counter">Trang 25</span><div class="page_container" data-page="25">

chuyển tín hiệu cân bằng thành tín hiệu khơng cân bằng. Tín hiệu điều chếđược cấp thơng qua cuộn dây trở kháng thấp của T4 tới cực D của Q5.Hai đầu ra (T4 và T2) được mắc song song và được phối hợp trở kháng thànhđầu ra 50 ohm bởi C29, L1, C10 và C11. Mẫu của tín hiệu ra được cấp tới vỉmạch khuếch đại cơng suất điều chế để hồi tiếp điều khiển dạng sóng tín hiệuđầu ra.

Điện trở nhiệt RT1 được nối vào toả nhiệt của khối khuếch đại công suất vàđược sử dụng bảo vệ quá nhiệt của khối khuyếch đại công suất.

Chú ý : Chiết áp trên vỉ mạch thiên áp kích thích điều chế đã được điều chỉnhở nhà máy. Khơng được thử điều chỉnh các điện trở này. các mức định thiênkhơng phù hợp có thể làm hỏng các Transistor khuyếch đại công suất RF cuốicùng.

3.2.3.4Nguyên lý hoạt động chi tiết vỉ mạch khuyếch đại công suất (A2)Vỉ mạch khuyếch đại cơng suất đưa các tín hiệu RF được khuyếch đại từ vỉmạch Exciter và khuyếch đại nó tới đúng mức hoạt động của hệ thống DVOR(thông thường là 100W). Hai khối đầu ra được sử dụng để tạo ra công suấtyêu cầu. Cả hai được điều khiển pha, với mạch chia và kết hợp song song đơngiản.

Các bộ suy hao AT1 và AT2 tạo cân bằng ra của bất kỳ sự khác nhau trởkháng vào nhỏ trong hai khối ra, chắc chắn rằng cả hai khối có tải đầu ra nhưnhau. Tại điểm này tín hiệu được chia thành hai phần giống nhau. Một tronghai phần này sẽ được thảo luận chi tiết.

Biến thế T3 là một biến thế đồng trục tỷ lệ trở kháng là 9:1 (tỷ lệ biến đổi3:1). (khối khuyếch đại công suất cũ -0001 và -0002 sử dụng biến thế có tỷ lệ

Hình 3.15 Sơ đồ khối CCA của bộ khuếch đại công suất

</div><span class="text_page_counter">Trang 26</span><div class="page_container" data-page="26">

trở kháng 4:1). Cuộn dây trung tâm của trục có 3 vịng trong khi các cuộn đầura chỉ có 1 vòng thứ cấp. Cuộn thứ cấp của biến thế được ghép tâm và tâmghép là RF được nối đất thông qua tụ C3. Sự sắp xếp này tạo cho biến thếđược ghép tâm và tâm ghép là RF được nối đất thông qua tụ C3. Sự sắp xếpnày tạo cho biến thế hoạt động như một biến thế cân chỉnh, chuyển đổi tínhiệu điều khiển đầu vào không cân bằng thành đầu ra điều khiển cân bằng,đầu ra pha điều khiển cho hai cực G của bộ kép Q5. Điện áp định thiên đầuvào được cấp qua thứ cấp của T3 tới các cực G của Q5. Trên thực tế transistorQ5 là FET cặp đối xứng cùng một vỏ, được thiết kế hoạt động như bộkhuyếch đại đẩy kéo.

Transistor Q5 được cấu hình như một bộ khuyếch đại cực nguồn (S) chung,hoạt động theo kiểu đẩy kéo. Các điện trở R7 và R8 cùng với độ tự cảm củachúng và các tụ C4, C6, chúng được sử dụng như vòng hồi tiếp âm tần số thấpquanh khối. Sự hồi tiếp này dùng để tăng thêm ổn định cho bộ khuyếch đại vàtăng độ rộng băng tần của nó. Bộ khuyếch đại có hệ số khuyếch đại xấp xỉ7dB, tăng cơng suất đầu vào từ 10W (1/2 công suất đầu vào danh định 20Wtới vỉ mạch) đến 50W ở đầu ra. Điện áp điều khiển sự điều chế cho Q5 là 48Vtrong bộ điều chế. Tín hiệu này được cung cấp bởi các Transistor 1A3/1A19Q1, Q2 và Q3 được gắn trên khối khuyếch đại cơng suất có phiến tản nhiệt.Điện áp điều chế được đưa tới nhánh trung tâm cuộn dây sơ cấp của đầu rabiến thế T4.

Điện áp định thiên cho Q5 được điều khiển bởi vỉ mạch điều chỉnh thiên ápđiều chế. Trước đây có hai cách định thiên được sử dụng cho khối khuyếchđại công suất. Trong các phiên bản cũ của khối khuyếch đại công suất -0001và -0002, chiết áp R21 trên vỉ mạch điều chỉnh thiên áp điều chếđược điềuchỉnh để tạo ra điện áp 0.01V Vdc qua TP1 và TP2 cho Q5 (TP3 và TP4 choQ6) với 24Vdc đưa tới điểm tín hiệu vào bộ điều chế, với khơng có tín hiệuRF đưa tới khối khuyếch đại công suất. Điều này tương ứng với một dòngtĩnh khoảng 450mA cấp cho Q5.

Các khối khuyếch đại công suất -0002 và -0003 đời mới hơn thì điểm địnhthiên trên các đầu ra của khối được thay đổi tới mức nhỏ hơn so với khốikhuyếch đại trước kia. Điều này làm tăng hiệu suất và giảm nhiệt độ trên khốikhuyếch đại công suất. Các chiếp áp điều khiển định thiên được điều chỉnh ởmức 0.005 ±0.0005V qua TP1 và TP2 cho Q5 (TP3 và TP4 cho Q6) dưới cácđiều kiện hoạt động tĩnh (không cấp RF, Xấp sỉ 15V trên điểm tín hiệu vàobộ điều chế). Khơng được cố điều chỉnh khối cũ -0001 và -0002 tới điểm này,nó xẽ khơng cung cấp điểm hoạt động đúng. Khối đời cũ -002 có thể chấpnhận biết biến áp phối hợp đầu vào với các biến áp 4:1 đúng hơn là 9:1 sửdụng trong hiện nay. Các biến áp 4:1 tạo bởi hai phần của cáp cứng, trong khi

</div><span class="text_page_counter">Trang 27</span><div class="page_container" data-page="27">

biến áp 9:1 lại có 3 lớp trục nằm trong lõi sắt.Chú ý:

Các chiết áp R21 và R22 trên vỉ mạch điều chỉnh thiên áp điều chếđược nhàmáy thiết lập. Không được thử điều chỉnh các chiết áp này. Các mức địnhthiên khơng phù hợp có thể phá hỏng các Transistor trong khối khuyếch đạicông suất RF cuối.

Đầu ra của biến thế T4 có một tỷ lệ trở kháng sơ cấp tới thứ cấp là 1:4. Điềunày được sử dụng để phối hợp trở kháng đầu ra của Q5 thành điểm nối liềntrở kháng, nơi mà đầu ra của Q5 được cộng với đầu ra của Q6. Điểm nối liềnnày sau đó được phối hợp trở kháng thành đầu ra 50Ω cho khối khuyếch đạicông suất bởi C28, C29, C10, C11 và L1. Tụ C11 được nhà máy điều chỉnhđể vỉ mạch khuyếch đại công suất cho thực hiện trong điều kiện tốt nhất.Bộ chia điện áp điện dung được thực hiện bằng các tụ C12 và C9 chúng đượcsử dụng để cung cấp một tín hiệu mẫu của RF đầu ra đưa tới vỉ mạch điều chếkhuyếch đại công suất(power amplifier modulator CCA), tại đó nó được táchsóng và sử dụng để cung cấp điều khiển hồi tiếp của điện áp điều chế.Điện trở nhiệt RT1 được gắn cùng phiến tản nhiệt của bộ khuyếch đại cơngsuất. Nó có giá trị khoảng 10KΩ tại 25 C(khuếch đại lạnh, phòng nhiệt độ).<small>0</small>Khi nhiệt độ của phiến tản nhiệt tăng, điện trở RT1 sẽ giảm. RT1 là dây củamột phần của bộ chia điện áp điện trở, do đó điện áp tại tín hiệu đầu ra nhiệtgiảm tương ứng với sự tăng nhiệt độ của khối khuyếch đại cơng suất. Tín hiệunày được sử dụng trong vỉ mạch điều chỉnh thiên áp điều chếđể tắt khốikhuyếch đại công suất trong trường hợp nhiệt độ của khối tăng cao. Điện ápnày đồng thời được sử dụng để tạo hồi tiếp cho mạch tạo điện áp định thiên,giảm dòng định thiên khi nhiệt độ tăng.

3.2.3.5Vỉ mạch điều chỉnh thiên áp/kích thích điều chế A4 (Bias Regulator/Exciter Modulator CCA 1A3/1A19)

Xem hình 3.15 Tín hiệu điều chế bộ khuyếch đại cuối từ Q1, Q2 và Q3 được sử dụng như là đầu vào vỉ mạch điều chế kích thích(Exciter Modulator). Thành phần AC trong tín hiệu điều chế cuối được loại bỏ bởi R16 và C11 cịnlại mức điều chế DC (tương ứng với cơng suất Carrier ở đầu ra) được đưa tới một đầu vào của bộ khuyếch đại vi sai là cặp Q1 và Q2. Đầu ra của bộ khuyếch đại vi sai được khuyếch đại bởi Q5. Đầu ra của Q5 được sử dụng như điện áp bộ điều chế cho Q1 trên vỉ mạch kích thích(Exciter). Đầu ra của Q5 đồng thời được cấp tới đầu vào khác của bộ khuyếch đại vi sai(Q1, Q2) để điều khiển hồi tiếp cho đầu ra điều chế.

</div><span class="text_page_counter">Trang 28</span><div class="page_container" data-page="28">

Tín hiệu bộ khuyếch đại điều chế cuối đồng thời cấp cho bộ khuyếch đại vi sai gồm Q3 và Q4. Đầu ra của bộ khuyếch đại vi sai cấp cho Transistor Q4, được gắn trên phiến tản nhiệt của bộ khuyếch đại công suất. Đầu ra của Q4 là điện áp điều khiển điều chế cho Q2 trên vỉ mạch kích thích Exciter. Đầu ra của Q4 cấp tới một đầu vào khác của bộ khuyếch đại vi sai Q3/Q4 như là tín hiệu hồi tiếp để điều khiển điện áp điều chế.

Tín hiệu tương tự (Analog) cơng suất phản hồi (Reflected) từ khối giám sát cao tần(RF Monitor) được cấp cho bộ khuyếch đại U1. Đầu ra của U1 cấp chobộ so sánh U3B thông qua một mạch tác động nhanh, suy hao chậm. U3B so sánh điện áp đầu ra của U1 với một điện áp chuẩn 1.63V.

Hình 3.16 Sơ đồ khối CCA của Bộ điều chỉnh thiên vị/Bộ điều biến kích thích

</div><span class="text_page_counter">Trang 29</span><div class="page_container" data-page="29">

3.2.3.6 Nguyên lý hoạt động chi tiết vỉ mạch điều chỉnh thiên áp/kích thích điều chế (Q4).

Vỉ mạch điều chỉnh thiên áp/kích thích điều chế được sử dụng để tạo các tín hiệu điều khiển chung cho khối khuyếch đại công suất.

Điện áp đầu ra của các Transistor 1A3/1A19 Q1, Q2 và Q3 (các Transistor

điều chế khuyếch đại tầng cuối, được gắn trên khung của bộ khuyếch đạiCSB) được đưa tới vỉ mạch bộ điều chỉnh thiên áp điều chế như là tín hiệu điều khiển điều chế đầu vào.

Đầu vào điều chế được lọc thông thấp bởi R16 và C11, hiệu quả để loại bỏthành phần AC trong phần điều chế cuối, đưa ra mức DC thay đổi tuỳ theocơng suất ra. Tín hiệu này được đưa tới cho cực B của Q1 là một đầu vào củabộ khuyếch đại vi sai bao gồm Q1 và Q2. Đầu ra của Q1 thêm nữa đượckhuyếch đại bởi Q5. Đầu ra của Q5 là tín hiệu điều khiển điều chế choTransistor đầu tiên khuyếch đại RF trên vỉ mạch Exciter. Đầu ra của Q5 đồngthời cũng được sử dụng như là tín hiệu hồi tiếp tới đầu vào thứ hai của bộkhuyếch đại vi sai Q1/Q2 để điều khiển điện áp đầu ra.

Đầu vào điều chế không được lọc được đưa tới đầu vào của cặp Transistorkhuyếch đại vi sai thứ hai Q3/Q4. Đầu ra của Q3 được chọn ngắt thông quaJ1-21 trên mạch (board) để điều khiển Transistor 1A3/1A19 Q4 được gắn trênphiến tản nhiệt của bộ khuyếch đại. Đầu ra của Transistor này là tín hiệu điềukhiển điều chế cho bộ khuyếch đại RF thứ 2 trên vỉ mạch Exciter, 1A3/1A19Q2. Tín hiệu hồi tiếp từ đầu ra của 1A3/1A19 Q4 được đưa tới đầu vào thứhai của bộ khuyếch đại vi sai tại cực B của Q4 để điều khiển sự hoạt động củabộ khuyếch đại.

Tín hiệu Analog cơng suất phản xạ (phản hồi) (từ khối giám sát RF “RFMonitor Assembly”) phản ánh(thể hiện) công suất CSB phản hồi. Bộ khuyếchđại U1 là bộ khuyếch đại khơng đảo nó được dùng để khuếch đại đệm tínhiệu vào. Đầu ra của U1 đưa tới mạch tác động nhanh, suy hao chậm gồmCR5, C10, C8 và R35. Mạch này hình thành bộ tách cơng suất phản hồi đỉnh.Đầu ra của mạch tách sóng đỉnh được đưa tới đầu vào đảo của bộ so sánhđiện áp U3B, tại đây nó so sánh với một điện áp chuẩn 1V. Nếu cơng suấtphản hồi vượt q giới hạn an tồn thì đầu ra của U3B sẽ chuyển sang mứcthấp LOW, để cắt công suất phản hồi đầu ra(reflected power shutdownoutput).

Bộ cảm biến nhiệt được gắn trên phiến tản nhiệt của bộ khuyếch đại công suấtthuộc vỉ mạch khuyếch đại cuối. Điện trở nhiệt này có giá trị danh định là

</div><span class="text_page_counter">Trang 30</span><div class="page_container" data-page="30">

10KΩ tại 25 C. Nó được nối với R30, R29 và R28 để điều khiển đầu ra củabộ điều chỉnh điện áp U2. Khi nhiệt độ của phiến tản nhiệt tăng thì điện trởcủa nó giảm làm giảm điện áp đầu ra của U2.

Điện áp đầu ra của bộ cảm biến nhiệt đồng thời cấp cho bộ so sánh điện ápU3A tại đầu vào không đảo. Tại đây nó được so sánh với điện áp 1.2Vchuẩn.Nếu điện áp của bộ cảm biến nhiệt thấp hơn 1.2V thì đầu ra của U3A sẽ làmức thấp LOW, làm cho cắt Carrier cảm biến nhiệt đầu ra (carrier thermalshutdown output).

Cả hai tín hiệu cắt nhiệt Carrier đầu ra và công suất được phản hồi đều đượcđưa tới cực B của Q6 thông qua R39 và R40 tương ứng. Nếu một trong haiđầu ra là thấp thì Q6 sẽ thơng để đưa ra lệnh điều khiển cắt đầu ra tới+5V(shutdown control command output).

Bộ điều chỉnh điện áp U2 cung cấp một điện áp đầu ra lớn nhất khoảng +7V.Vỉ mạch điều chế khuếch đại cơng suất A1 (Power Amplifier Modulator CCA1A3/1A19)

Xem hình 3.16 Vỉ mạch điều chế khuyếch đại công suất so sánh tín hiệu đầu rađược tách của khối khuyếch đại CSB với tín hiệu âm tần chuẩn (AudioReference) đầu vào và điều chỉnh độ sâu điều chế tầng khuyếch đại cuối đểđiều khiển các dạng sóng đầu ra của bộ khuyếch đại CSB.

Mẫu của tín hiệu RF CSB (từ mạch khuyếch đại cuối Final Amplifier) đượctách đường bao bởi CR1. Tín hiệu được tách này được đưa qua bộ khuyếch đạiđệm U1A. Đầu ra của U1A được so sánh với tín hiệu âm tần (Audio) đầu vàobằng bộ khuyếch đại U2. U2 điều khiển Q1 cung cấp cổng điều khiển cho cácTransistor thuộc tầng khuyếch đại cuối Q1, Q2 và Q3 được gắn trên phiến tảnnhiệt bộ khuyếch đại.

Đầu ra của các Transistor Q1, Q2 và Q3 đồng thời được chọn tuyến trở về Vỉmạch điều chế khuyếch đại cơng suất như là tín hiệu điều chế mẫu. Các giắcđấu nhảy(Jumper) được đặt cấu hình ở chế độ Test, tín hiệu này chính xác hơntín hiệu RF được tách để điều khiển vòng hồi tiếp bộ điều chế. Chế độ nàyđược nhà máy sử dụng để cho phép kiểm tra và liên kết các tầng khuyếch đạiRF. Hơn nữa, có một mạch bảo vệ quá áp U1B, nó sẽ giảm bớt điện áp điều chếtầng cuối nếu như có sự vượt quá. Điều này sẽ xảy ra tùy theo vào lỗi của mộthoặc nhiều thiết bị RF trong khối khuyếch đại CSB.

Một đầu vào điều khiển khác, điều khiển cắt (Shutdown Control In) (từ vỉmạch điều chỉnh định thiên điều chế Bias RegulatorModulator CCA ) được đưatới đầu vào đảo của bộ khuyếch đại U2. Khi được kích, đầu vào này sẽ đượcđẩy lên +5Vdc trên vỉ mạch điều chỉnh định thiên điều chế. Tín hiệu +5V này

</div><span class="text_page_counter">Trang 31</span><div class="page_container" data-page="31">

được đưa tới đầu vào đảo của U2 để nó cắt đầu ra, ngăn sự điều chế ở các tầngkhuyếch đại cuối.

Hình 3.17 Sơ đồ khối CCA của bộ điều chế bộ khuếch đại công suất

3.2.3.7 Nguyên lý hoạt động chi tiết Vỉ mạch điều chế khuyếch đại công suất (A1).Vỉ mạch điều chế khuyếch đại công suất là bộ khuyếch đại điều khiển hồitiếp, nó so sánh tín hiệu RF được tách ở đầu ra của khối khuyếch đại cơngsuất với tín hiệu chuẩn Audio đầu vào. Nó sửa tín hiệu tín hiệu điều khiểnđiều chế khuyếch đại công suất tới điều khiển đầu ra RF của khối khuyếch đạicơng suất. Tín hiệu điều khiển tắt từ vỉ mạch điều chỉnh thiên áp điều chế làmcho vỉ mạch điều chế khuyếch đại công suất ngắt điện áp điều chế đưa tớicác tầng khuyếch đại RF.

Một mẫu của tín hiệu đầu ra RF đi vào vỉ mạch điều chế khuyếch đại côngsuất từ vỉ mạch khuyếch đại cuối. Nó được tách sóng đường bao bởi DiodeCR1. CR1 được định thiên trong dải tách sóng tuyến tính của nó bởi CR2.CR1 và CR2 là cặp đối xứng và phải được thay thế khi một cái bị lỗi. Đầu racủa bộ tách CR1 được lọc bởi L2 và C3 và được cấp tới đầu vào không đảocủa bộ khuyếch đại đệm đồng nhất U1A. Đầu ra của U1A là điện áp Analogtiêu biểu của dạng sóng RF đầu ra.

Bộ khuyếch đại U2 là bộ khuyếch đại hồi tiếp lỗi áp dùng để điều khiển vònglặp điều chế. Đầu vào Audio chuẩn từ vỉ mạch tạo Audio trong hệ thốngDVOR được cấp tới đầu vào không đảo và điện áp điều khiển hồi tiếp đượccấp tới đầu vào đảo. Sự khác nhau của hai tín hiệu này tạo ra một điện áp đầura từ U2, nó điều khiển các Transistor điều chế cho tầng khuyếch đại cuối.Điện áp điều khiển hồi tiếp có thể lấy từ một trong hai vị trí. Trong suốt qtrình hệ thống hoạt động bình thường, E1 được nối với E2 và mức RF táchsóng được thảo luận ở đoạn trên được sử dụng. Có một chế độ kiểm tra khảnăng hoạt động thêm vào phần này. Nếu E3 được nối với E2, một mẫu của

</div><span class="text_page_counter">Trang 32</span><div class="page_container" data-page="32">

điện áp điều chế đầu ra được sử dụng như là điện áp điều khiển hồi tiếp. Chếđộ này được sử dụng ở nhà máy để kiểm tra và sửa chữa các tầng RF củakhối khuyếch đại CSB. Chế độ kiểm tra khơng nên sử dụng cho hoạt độngbình thường, khi bộ khuyếch đại khơng tuyến tính hoặc nhiều méo khơngđúng bởi vòng điều khiển điều chế.

3.2.3.8 Vỉ mạch định thiên điều chế A5 (Modulator Bias CCA1A3/1A19)Xem hình 3.17 Vỉ mạch này chỉ được sử dụng trong khối công suất - 0001 vàkhối trước đây - 0002. Đầu ra Transistor trên khối điều chế khuyếch đại cuốiđược cấu trúc để có thể chịu được dòng lớn (tham khảo nguyên lý hoạt độngcủa khối điều chế khuyếch đại cuối). Vỉ mạch định thiên điều chế tạo tín hiệukích vào cực cổng G của các Transistor trên tầng khuyếch đại cuối Q1, Q2 vàQ3. Các cực cổng của các Transistor này thực chất là các tụ điện lớn và đượcdành để tăng tốc độ nạp cho các tụ này. Hiện tại khối khuyếch đại công suấtkhông sử dụng vỉ mạch này mà được sử dụng thay thế bằng một điện trở côngsuất để kích các cực cổng của Transistor tầng cuối. Trong CVOR, điều chế9960Hz bị méo nhẹ bởi đặc tính trễ thời gian ở Q1 trên vỉ mạch định thiên điềuchế và việc thay thế bằng điện trở ở khối mới đã loại bỏ được các méo này.Các sửa chữa bảo đảm được thực hiện trên khối khuyếch đại công suất baogồm việc thay mới khối khuyếch đại để loại bỏ vỉ mạch định thiên điều chế vàthay thế điện trở R12 như trình bày trên phần sơ đồ khuyếch đại công suất Cácsửa chữa không bảo đảm nên được cân nhắc và đưa trở lại nhà máy để nâng cấplên cấu hình mới nhất.

Hình 3.18 Sơ đồ khối CCA xu hướng điều chế

3.2.3.9Nguyên lý hoạt động chi tiết vỉ mạch định thiên điều chế (A5).Vỉ mạch định thiên điều chế hình thành một điện áp định thiên cho các cựccổng của các Transistor công suất 1A3/1A19 Q1, Q2 và Q3. Q1 là transistor

</div><span class="text_page_counter">Trang 33</span><div class="page_container" data-page="33">

tín hiệu nhỏ với điện áp 43/48Vdc được cấp trực tiếp tới cực C từ đầu E4.Chân E của Q1 được nối tới đâud E3 và E4. Q1 được định thiên bằng điện trởR2 và Diode CR2 chúng cho phép một điện áp DC cố định để cấp tới các cựcG của điều khiển điều chế 1A3/1A9Q1, Q2 và Q3. Điện áp cố định này đượctạo ra qua R1, đi ốt CR1 và mạch đầu ra của Q1 trên vỉ mạch điều chếkhuyếch đại công suất. Các Diode CR1 và CR2 là các Diode khôi phục nhanhđược sử dụng để bảo vệ dòng Badơ-Emitter của Q1 và cung cấp khả năngkhôi phục nhanh chế độ tĩnh của Q1.

Các Transistor 1A3/1A19 Q1, Q2 và Q3 là các Transistor MOFET được mắcsong song với các điện trở cân bằng ở mỗi cực G. Điều này có nghĩa là điệndung của cực G được thêm vào; do đó điện dung cực G của ba Transistor nàylà tương đối lớn. Điện dung lớn này có khả năng tích điện và chống lại sựthay đổi trong điện áp. Trong chế độ ngăn cản méo của tín hiệu điều chếAudio, việc tích điện này phải được rút nhanh từ các cực D. Định thiên củaQ1 chắc chắn là giống như thay đổi tín hiệu điều chế Audio đưa vào E1 đểcấp cho các cực G, điện tích nạp trên mỗi cực G là hiệu quả cực D.

Mạch điện cho Q1 đồng thời cung cấp dòng D cho Q1 trên vỉ mạch điều chếkhuyếch đại công suất. Các cực G của các bộ điều khiển điều chế về cơ bảnđược điều khiển bởi sự biến đổi điện thế cực D của Q1 trên vỉ mạch điều chếkhuyếch đại công suất.

<b>3.2.4Khối lọc thông thấp (Low Pass Filter Assembly1A35/1A36)</b>

</div><span class="text_page_counter">Trang 34</span><div class="page_container" data-page="34">

các tần số hài có thể xuất hiện của tín hiệu sóng mang cao tần RF. Tín hiệucao tần đưa ra bộ lọc thông thấp qua giắc nối J2.

Khối lọc thơng thấp có một vịng thụ cảm chứa một điện áp cao tần nhỏ. Tínhiệu cao tần này là phản hồi sóng mang và được đưa về khối tạo tần số quagiắc nối J3.

Mẫu tín hiệu ra cao tần tạo bởi mạch điều khiển điện áp. Tín hiệu này đưa tớikhối giám sát cao tần của hệ thống A hoăc B qua giắc J4.

3.2.4.1Khối lọc thông thấp (Low Pass Filter Assembly1A35/1A36)Khối lọc thông thấp bao gồm một mạng lọc 4 cực để loại bỏ các tần số hài từtín hiệu sóng mang cao tần RF.

Tín hiệu sóng mang cao tần từ khối khuếch đại công suất CSB dưa tới bộ lọcthông thấp thơng qua Jắc nói J1. Tín hiệu sóng mang cao tần đưa tới mạng loc4 cực loại bỏ các năng lượng hài khoảng 250MHz hiện có trong tín hiệu sốngmang. Tín hiệu cao tần đưa ra bộ loc thơng thấp qua jắc nối J2

Khối lọc thơng thấp có một vịng thụ cảm chứa một điện áp cao tần nhỏ. Mộtlượng nhỏ tín hiệu cao tần này được cảm biến vào trong vịng lặp...nó đượctạo ra bởi R1, là điện trở 50 ohm cho sự phối hợp trở kháng. Tín hiệu này đưatới khối tạo tần số là tín hiệu sóng mang phản hồi qua giắc nối J3.

Mẫu tín hiệu đầu ra RF cho mục đích kiển tra (Test) nó được tạo ra bởi mạngchia điện áp của tụ C9 và R2. R2 là 50 cho sự phối hợp trở kháng tín hiệu vớicáp đồng trục. Tín hiệu này xấp sỉ 100 tới 300mW cho đầu ra công suất sóngmang 100W. Tín hiệu RF đưa tới khối giám sát cao tần của hệ thống A hoặc Bmẫu sóng mang cao tần lấy ra ở giắc J4

<b>3.2.5Bộ ghép hai hướng (Bi_directional Couplers)</b>

Bộ ghép hai hướng dùng để tạo ra mẫu tín hiệu đặc trưng cho cơng suất caotần sóng tới (Forward) và sóng phản hồi (Reflected) của tín hiệu sóng mang(sơ đồ khối hệ thống DVOR). Bộ ghép suy hao khơng đáng kể giữa giắc nốivào và ra. Vịng lặp thụ cảm định hướng bên trong ghép một phần cơng suấtsóng tới và sóng phản hồi tới các đầu ra lấy mẫu. Những đầu ra cung cấp tỉ lệcố định của mẫu công suất tới khối giám sát cao tần để tách sóng và xử lýphân tích.

</div><span class="text_page_counter">Trang 35</span><div class="page_container" data-page="35">

<b>3.2.6Khối tạo biên tần (Sideband Generator Assembly 1A5,1A6/1A21,1A22)</b>

Hình 3.20 Sơ đồ khối bộ tạo dải biên

Xem hình 3.19 DVOR sử dụng hai khối tạo biên tần (Sideband) cho mỗi máy phát. Mỗi khối chứa hai vỉ mạch khuyếch đại Sideband và hai vỉ mạch điều khiển Sideband. Một khối xử lý RF biên tần (Lower Sideband) dưới và khối kia xử lý RF biên tần trên (Sideband Upper).

Vỉ mạch điều khiển Sideband đảm nhận hình thành điện áp điều khiển phađộng Sideband (Dynamic phase), tín hiệu điều khiển, điện áp điều khiển phabằng tay Sideband(Manual phase) và điện áp điều khiển pha trung bìnhSideband (Mean phase).

Điện áp điều khiển pha động Sideband được đưa tới bộ lọc điều khiển phađộng Sideband trên vỉ mạch khuyếch đại Sideband ở đó nó được sử dụng đểthiết đặt điểm hoạt động của bộ lọc điều khiển pha động Sideband.

Tín hiệu điều khiển điều chế được sử dụng như là điện áp cấp cho TransistorQ105/205 trên vỉ mạch khuyếch đại Sideband.

Điện áp điều khiển pha bằng tay Sideband được sử dụng trên vỉ mạch khuyếch69

</div><span class="text_page_counter">Trang 36</span><div class="page_container" data-page="36">

đại Sideband để thiết đặt điểm hoạt động cho bộ lọc điều khiển pha bằng taySideband.

Điện áp điều khiển pha trung bình Sideband được đưa tới bộ lọc điều khiển phatrung bình Sideband trên vỉ mạch khuyếch đại Sideband ở đó nó được sử dụngđể thiết đặt điểm hoạt động cho bộ lọc điều khiển pha trung bình Sideband.Vỉ mạch khuyếch đại Sideband đảm nhận tạo ra tín hiệu RF Sideband đượckhuyếch đại. Nó cũng tạo ra biên độ và pha của bộ tách tín hiệu sai khác cũngnhư tín hiệu tách mức cơng suất phát xạ.

Tín hiệu sai lệch biên độ được xử lý bởi vỉ mạch điều khiển Sideband như làtín hiệu phản hồi để bù vào sự thay đổi biên độ từ từ ở trong mức điều chế củatín hiệu điều chế Sideband.

Tín hiệu sai lệch pha được xử lý bởi vỉ mạch điều khiển Sideband như là tínhiệu phản hồi cho mạch điều khiển pha động và chính Sideband.

3.2.6.1Nguyên lý chi tiết khối tạo biên tần (Sideband Generator Assembly 1A5,1A6/1A21,1A22)

Xem hình 3.20. Tất cả các bộ khuyếch đại và điều khiển Sideband là có chứcnăng như nhau, việc phân tích sẽ được giới hạn trong một nhóm Sideband baogồm một vỉ mạch khuyếch đại Sideband và một vỉ mạch điều khiển Sideband.Khi một khối tạo Sideband được đặt ở vị trí 1A5 hoặc 1A21, nó xử lý các tínhiệu cho khối khuyếch đại Sideband 1 và 2. Khi một khối tạo Sideband đượcđặt ở vị trí 1A6 hoặc 1A22, nó xử lý các tín hiệu cho khối khuyếch đạiSideband 3 và 4

Chú ý:

Nó là quan trọng để ghi nhớ khối tạo Sideband nào và bạn đang điều chỉnh bộ khuyếch đại Sideband nào. Bởi vì có sự ảnh hưởng lẫn nhau của các bộ này, chắc chắn phải được thực hiện khi có bất kỳ sự điều chỉnh nào.

</div><span class="text_page_counter">Trang 38</span><div class="page_container" data-page="38">

SB1 xử lý tín hiệu LSB RF được điều chế bởi tín hiệu Sin 360Hz. SB2 xử lýtín hiệu LSB RF được điều chế bởi tín hiệu Cos 360Hz. SB3 xử lý tín hiệuUSB RF được điều chế bởi tín hiệu Sin 360Hz. SB4 xử lý tín hiệu USB RFđược điều chế bởi tín hiệu Cos 360Hz. Các tín hiệu USB/LSB RF được cấpbởi khối tạo tần số. Tín hiệu Sideband RF đưa vào khối tạo Sideband thôngqua đầu nối RF J1 được đặt trên tấm kim loại nối liền với E45 trên vỉ mạchkhuyếch đại Sideband A4. Tín hiệu RF đầu vào 0dBm (thấp nhất là -1dBm)được chia bằng nhau giữa hai nhóm bộ khuyếch đại và khối tạo Sideband.Khoảng cách điện mà tín hiệu RF truyền đi từ E46 tới E47 trên vỉ mạchkhuyếch đại Sideband A2 được giữ để vừa khít dung sai. Sai khác đáng kểtrong khoảng cách điện được truyền bởi các tín hiệu RF trên hai phần này cóthể là ngun nhân sai pha giữa các tín hiệu RF đầu ra.

Mỗi khối tạo Sideband có một bộ ổn áp theo liền nó. Các bộ ổn áp cho cáckhối tạo Sideband 1A5 và 1A6 được đặt trong tủ sau mỗi khối tạo Sideband.Chúng là 1VR1 cho 1A5 và 1VR3 cho 1A6. Các bộ ổn áp cho các bộ tạoSideband 1A21 và 1A22 được đặt trong tủ sau mỗi khối tạo Sideband. Chúnglà 1VR2 cho 1A21 và 1VR4 cho 1A22. Các bộ ổn áp độc lập này đổi +28Vdcra nguồn +12Vdc được cách ly cho mỗi khối tạo Sideband. Sự cách ly nàyngăn cản các dòng điều chế xuất hiện từ trên các đường nguồn chính và có thểảnh hưởng tới các tín hiệu Sideband khác.

3.2.6.2Vỉ mạch khuyếch đại biên tần (Sideband Amplifier CCA A2,A4)Xem hình 3.21. Tín hiệu RF Sideband được khuyếch đại bởi bộ khuyếch đạiQ1 trước khi có được dịch pha bởi mạng điều khiển pha bằng tay Sidebandgồm Diode CR1, CR2, L2 và L3. Một điện áp điều khiển pha Sideband bằngtay từ vỉ mạch điều khiển Sideband thiết đặt điểm hoạt động cho mạng điềukhiển pha bằng tay. Bộ khuyếch đại RF U1 khuyếch đại tín hiệu cao tần RFđể nó có thể được chia giữa các mạch tách và bộ khuyếch đại RF Q2.Q2 khuyếch đại tín hiệu cao tần RF Sideband được dịch pha và đưa nó tớimạch điều chế hai pha (Bi-Phase) bao gồm các diode CR3, CR4, CR5, CR6và bộ chia công suất HY1. Mạch điều chế hai pha đưa tín hiệu RF tới bộkhuyếch đại RF U2.

U2 khuyếch đại tín hiệu RF từ mạch điều chế hai pha và đưa nó tới bộ lọc điều khiển pha trung bình Sideband. Bộ lọc điều khiển pha trung bình Sideband (Mean Phase) là bộ lọc điện tử thiết lập một giá trị dịch pha trung bình của tín hiệu RF Sideband. Điện áp điều khiển pha trung bình là một điện áp DC để thiết lập điểm làm việc của bộ lọc điều khiển pha trung bình Sideband(Mean Phase Control). Sau đó tín hiệu RF được đưa tói bộ lọc điều

</div><span class="text_page_counter">Trang 39</span><div class="page_container" data-page="39">

khiển pha động Sideband (Dynamic Phase). Thông thường bộ lọc này điều chỉnh pha tức thời của tín hiệu RF Sideband để loại bỏ bất cứ sự méo pha ngẫu nhiên nào mà nó gây ra bởi sự điều chế biên độ của tín hiệu RF Sideband. Điện áp điều khiển pha động là một điện áp DC

để điều chỉnh điểm làm việc cho bộ lọc này.

Bộ khuếch đại RF U3 khuyếch đại tín hiêu RF Sideband từ bộ lọc điều khiểnpha động và đưa nó tới Transistor khuyếch đại cơng suất RF Q103, Q203.Q103, Q203 khuyếch đại tín hiệu RF Sideband và đưa nó tới bộ khuyếch đạiQ105, Q205.

Điện áp cung cấp cho Q105, Q205 là tín hiệu ra của bộ điều chế được cấp bởivỉ mạch điều khiển Sideband. Đầu ra của Q105, Q205 đua tới mạch lọc thôngthấp gồm các tụ C57, C64, C109 và các cuộn cảm L22, L26 được thiết kế đểloại bỏ bất cứ hài bậc cao nào từ tín hiệu RF Sideband.

Từ bộ lọc thơng thấp tín hiệu điều chế Sideband được gửi đi tới 3 mạch riêngbiệt: mạng tách sóng đường bao, mạch tách sóng pha và đưa tới đầu nối RFphía đằng sau là tín hiệu cao tần RF đầu ra.

Phần chia của tín hiệu Sideband RF được đưa tới mạch tách sóng đường baonó được chuyển đổi thành tín hiệu điều chế tương tự được đệm bởi U6A. Tínhiệu đã tách này được gửi tới vỉ mạch điều khiển Sideband như là tín hiệutách sóng cơng suất phản xạ nó được xử lý bởi vỉ mạch điều khiển Sidebandđể bù cho thay đổi dần dần mạch khuyếch đại trong mức điều chế của tínhiệu điều khiền điều chế Sideband.

Phần mẫu của tín hiệu RF Sideband đã điều chế được sử dụng như là tín hiệuso sánh cho mạch tách sóng pha. Tín hiều ra RF Sideband đã điều chế đượcđưa tới bộ chia công suất HY7 ở đó nó được chia làm hai thành phần vớilượng dịch pha là 0 độ. Hai thành phần bằng nhau này chúng được sử dụngnhư là đầu vào biến đổi cho mạch tách sóng pha bao gồm HY2, HY5 và U4.

</div><span class="text_page_counter">Trang 40</span><div class="page_container" data-page="40">

Hình 3.22 Sơ đồ khối CCA của bộ khuếch đại dải biên

3.2.6.3 Nguyên lý hoạt động chi tiết vỉ mạch khuyếch đại biên tần (Sideband AmplifierA2,A4).

Vỉ mạch khuyếch đại Sideband khuyếch đại tín hiệu RF Sideband từ khối tạotần số tới mức công suất sinh ra hoạt động được yêu cầu. Vỉ mạch này cũng

</div>