1
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ
PHẠM THỊ LIÊN
CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU DÂY NANO
(Eu,Tb)PO
4
.H
2
O NHẰM ỨNG DỤNG TRONG Y SINH
LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN NANÔ
Hà Nội – 2012
2
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ
PHẠM THỊ LIÊN
CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU DÂY NANO
(Eu,Tb)PO
4
.H
2
O NHẰM ỨNG DỤNG TRONG Y SINH
Chuyên ngành : Vật liệu và linh kiện Nanô
Mã số : Chuyên ngành đào tạo thí điểm
LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN NANÔ
NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC
TS. Nguyễn Thanh Hường
Hà Nội - 2012
54
MỤC LỤC
MỞ ĐẦU 1
CHƢƠNG 1 : TỔNG QUAN 6
1.1 Vật liệu phát quang 6
1.2 Vật liệu nano phát quang 8
1.2.1 Vật liệu phát quang cấu trúc nano 8
1.2.2 Vật liệu nano phát quang chứa đất hiếm 10
1.3 Phƣơng pháp chế tạo vật liệu 19
1.3.1 Phương pháp thủy nhiệt 19
1.3.2 Phương pháp đồng kết tủa từ dung dịch 20
1.3.3 Phương pháp sol – gel 21
1.3.4 Phương pháp Vi sóng (Microwave) 21
Chƣơng 2: THỰC NGHIỆM 24
2.1 Giai đoạn 1: Tổng hợp TbPO
4
.H
2
O, EuPO
4
.H
2
O 24
2.1.1 Hóa chất 24
2.1.2 Bảng thí nghiệm 25
2.1.3 Dụng cụ thí nghiệm 25
2.1.4 Pha hóa chất 25
2.1.5 Tiến hành thí nghiệm 26
2.2 Giai đoạn 2. Hoạt hóa bề mặt dây nano (Tb/Eu)PO
4
.H
2
O 28
2.2.1 Bọc vỏ dây Tb/EuPO
4
.H
2
O bằng Silica (SiO
2
) 28
2.2.2 Bọc Tb/EuPO
4
.H
2
O@SiO
2
–NH
2
29
2.2.3 Hoạt hóa bằng Glutaraldehyde (GDA) – IgG (Immunoglobulin G) 29
2.3 Các phƣơng pháp nghiên cứu hình thái học, cấu trúc và tính chất
của vật liệu (Tb,Eu)PO
4
. H
2
O 29
2.3.1 Phương pháp đo phổ huỳnh quang 29
2.3.2 Phương pháp nghiên cứu cấu trúc bằng nhiễu xạ tia X 32
2.3.3 Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) 33
2.3.4 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) 34
Chƣơng 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 37
3.1 Kết quả đo SEM 37
3.2 Kết quả đo TEM 37
3.3 Kết quả đo X-ray 38
3.4 Kết quả đo phổ huỳnh quang 39
3.5 Ứng dụng trong y sinh 41
3.5.1 Cơ sở phương pháp phân tích miễn dịch huỳnh quang (MDHQ) 42
3.5.2 Điều kiện và các quy định khi tiến hành thử nghiệm công cụ đánh
dấu y sinh nhận dạng virút/vắc-xin 43
3.5.3 Kết quả xây dựng quy trình phân tích HQMD 43
3.5.4 Kết quả phân tích nhận dạng vi hình thái bằng kính hiển vi quang
học phân giải cao 44
KẾT LUẬN 47
55
HƢỚNG PHÁT TRIỂN ĐỀ TÀI 48
TÀI LIỆU THAM KHẢO 49
56
BẢNG KÍ HIỆU, VIẾT TẮT TRONG LUẬN VĂN
1
TEM
Transmission Electron Microscope
Kính hiển vi điện tử truyền qua
2
FESEM
Field Emission Scanning Electron Microscope
Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường
3
SEM
Scanning Electron Microscope
Kính hiển vi điện tử quét
4
XRD
X-ray diffraction
Nhiễu xạ tia X
5
ETOH
Ethanol
6
IgG
Immunoglobulin G
7
GDA
Glutaraldehyde
8
APTMS
3-Aminopropyl – trimethoxysilar
9
Microwave
Phương pháp vi sóng
10
TEOS
TetraEthylOrthoSilica
11
PBS
Phosphate Buffered Saline
12
EDTA
Ethylendiamintetraaceticacide
13
MEM
Minimum Essential Medium Eagle
57
DANH MỤC CÁC HÌNH ẢNH
Hình 1. 1 Ion huỳnh quang A trong mạng của nó. HEAT: sự trở về không
bức xạ tới trạng thái cơ bản. 6
Hình 1. 2 Sơ đồ mức năng lượng của ion huỳnh quang A trong hình 1.1. 7
Hình 1. 3 Quá trình truyền năng lượng từ S tới A. Dịch chuyển S→S* là hấp
thụ, A
2
*→A là phát xạ. Mức A
1
* được tích lũy nhờ sự truyền năng lượng, sẽ
tắt dần không phát xạ tới mức A
2
*. Điều này ngăn cản mức chuyển đổi
ngược…………… 7
Hình 1. 4 Hàm phân bố các điện tử của nguyên tố Ce 12
Hình 1. 5 Sự thay đổi bán kính của các nguyên tử nguyên tố Lantan theo điện
tích hạt nhân nguyên tử [5] 13
Hình 1. 6 Sự thay đổi bán kính của các ion Ln
3+
theo điện tích hạt nhân [5] 14
Hình 1. 7 Các quá trình phát quang có thể có khi vật liệu được kích thích. 15
Hình 1. 8 Sơ đồ mô tả quá trình truyền năng lượng cộng hưởng Jablonski. . 17
Hình 1. 9 Sơ đồ các mức năng lượng của Eu
3+
và Tb
3+
[3, 37, 43]. 18
Hình 1. 10: Giản đồ mức năng lượng của các ion RE
3+
- Giản đồ Dieke 18
Hình 2. 1 Ảnh thiết bị tổng hợp vi sóng 26
Hình 2. 2 Sơ đồ thí nghiệm tổng hợp Dây (Eu,Tb)PO
4
.H
2
O 27
Hình 2. 3 Sơ đồ chuyển dời giữa các mức năng lượng của điện tử. 30
Hình 2. 4 Sơ đồ hệ đo phổ huỳnh quang. 31
Hình 2. 5 Hệ đo quang huỳnh quang iHR550 tại Viện Khoa học Vật liệu 31
Hình 2. 6 Sơ đồ nhiễu xạ tia X từ một số hữu hạn các mặt phẳng 32
Hình 2. 7 Thiết bị nhiễu xạ tia X D5000 do hãng SIEMENS 33
Hình 2. 8 Sơ đồ cấu tạo máy TEM 34
Hình 2. 9 Kính hiển vi điện tử truyền qua (JEM1010-JEOL). 34
Hình 2. 10 Sơ đồ cấu tạo máy SEM 36
Hình 2. 11 Ảnh kính hiển vi điện tử quét tại Viện Vệ sinh Dịch tễ Trung
ương (Hitachi S - 4800) 36
Hình 3. 1 Kết quả đo SEM của mẫu (Eu,Tb)PO
4
.H
2
O với các tỷ lệ nồng độ
Eu
3+
:Tb
3+
a)1:0,b) 1:2, c)1:8 37
Hình 3. 2 Kết quả đo TEM của mẫu (Eu,Tb)PO
4
.H
2
O với tỷ lệ nồng độ
Eu
3+
:Tb
3+
= 1:8 38
Hình 3. 3 Giản đồ nhiễu xạ tia X của các mẫu TbPO
4
.H
2
O, EuPO
4
.H
2
O,
(Tb,Eu)PO
4
.H
2
O 38
Hình 3. 4 Phổ huỳnh quang của các mẫu (Eu,Tb)PO
4
.H
2
O với các tỷ lệ nồng
độ Eu
3+
:Tb
3+
thay đổi từ 1/1 đến 1/16 39
58
Hình 3. 5 Phổ huỳnh quang của mẫu EuPO
4
.H
2
O và (Eu,Tb)PO
4
.H
2
O với các
tỷ lệ nồng độ Eu
3+
:Tb
3+
là 1/2 đến 1/8 40
Hình 3. 6 Phổ huỳnh quang của mẫu tỷ lệ Eu/Tb = 1/8 bọc và chức năng
hóa…………………………………………………………………………… 40
Hình 3. 7 Mô hình virút cowpea, sởi và Rota 41
Hình 3. 8 Sơ đồ nguyên lý phương pháp phân tích đánh dấu huỳnh quang
miễn dịch…… ………………………………………………………………….42
Hình 3. 9 Kính hiển vi huỳnh quang BX 40- Olympus 45
Hình 3. 10 (a) Vi ảnh tế bào vero nhiễm virút sởi sử dụng công cụ đánh dấu
MP (USA); (b Vi ảnh tế bào vero nhiễm virút sởi,công cụ đánh dấu MP (USA).
(c) Vi ảnh tế bào vero nhiễm virút sởi sử dụng công cụ đánh dấu )-
(Eu,Tb)PO
4
.H
2
O-GDA-IgG 46
59
DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU
Bảng 1. 1 Mối quan hệ giữa kích thước và số nguyên tử bề mặt. 9
Bảng 1. 2 Các ion nguyên tố đất hiếm hóa trị 3 [5] 11
Bảng 2. 1 Bảng thí nghiệm (Tb,Eu)PO
4
25
Bảng 2. 2 Các thông số thí nghiệm 28
3
MỞ ĐẦU
ch cht vi nhiu ng dng quan
tru y sinh [13,15, 27, 36]. Trong nhnh
quang cc t
cht quang vt p dn c [8, 10, 27, 28, 32, 33, 40, 43]m ca
i gian sng hu dch
chuyn Stock l rng ph hp rt hu hunh quang,
m bin cho vic m
p i [6,15, 35] n
nh cao, d ch t ch [22, 23]. Mt liu hunh
quang ct liu nano dng thanh cha ion Tb
3+
3+
trin vng lng dng y sinh hc [31, 36, 39, 40, 44].
Vt li ng dng trong sinh h c ca
c vc ca t - 100 nm), virus (20 - 450 nm),
protein (5 - 50 nm), DNA (2 nm r- 100 nm chic
nh ng vi vic th sinh h
th c virus [1]. ng dng ca vt liu nano trong
sinh hc rt r t tr snh
trong cng t hng dng
hp vt liu) [40]t lit nhim
c, khng m nh chn lc,
gim thin truyn thuc.
giu khoa hc thuc vt li
c mt s kt qu ng
sinh hn quan tr
a bc kho cho cng [32]
nhm bi vt linh quang.
Cm bi quan tr
n quan trng c s protein, polipeptid, axit
chc s virus. Trong y t
ph nh s
chng, cha tr u qu.
u sinh hc bng v bc x ng
c ng dng t nhy rt cao (10
-9
- 10
-11
m v c ngn n
c ph cp rt hn chu (label)
4
hoc nhum mu (staining) bt li
tri cm bin sinh hc quan
trng nhc m sinh hc, y t [16, 38].
t li u hunh
i: ct mu hu ct liu nano kiu
n, vt liu hunh quang cht him.
t mu hu c t liu
truyn thng, hin vng
sinh hc s dn b hn ch v nh
n lc [16, 18, 35].
Gt liu nano kin loi ZnS hay CdSe,
t huc bit ni tri, li rt b
c t u hunh quang sinh hc r
trin vng [18, 21]t liu ngun ZnS hay CdSe lc
c hc ng dc t gp nhi
m loi vt liu mc
h u hu
p thiy mt loi vt li t liu
hunh quang cht him [38].
u ch tng dng vt lic y
sinh t kt qu u v vt liu nano t
vt lit liu nano t yu ng dng oxit st nano
c ti nhiu vi:
PGS Nguy- i, GS Nguy
ng vin KHVLVN, PGS Tr
vc Vt lii k n PGS Nguyn Ngc Long, GS Nguyn
, PGS Phm Thu Nga, PGS
Nguy tt liu quantum dot b
n t ni tri c
Theo mp th khoa hc ca PGS Tr
Qung hp mi vt
lit hi
cao hiu sun ti tp th khoa h
ch ch to vt lit him, c th
t liu ch nh quang
mnh. cu ch t t him m c
u m ng dng trong y sinh hc m ra mt
5
u nhiu trin vng [31, 35, 37, 39].
c lp cc cc Minh Nghiên
cứu chế tạo vật liệu nanô chứa đất hiếm huỳnh quang mạnh nhằm liên hợp sinh
học để phát triển công nghệ đánh dấu huỳnh quang có triển vọng ứng dụng
trong nông y sinhc hin t
c hi u Chế tạo và tính chất của vật liệu dây nano
Eu/TbPO
4
.H
2
O nhằm ứng dụng trong y sinh”, t phn c trong
a tp th vi m
Tng hp nano cht him Tb
3+
, Eu
3+
quang cao. Kh c nhm ng dng trong vic
u hunh quang, th nghim vi virus si.
ch to vt li
n ng nng kt t
m (Soft- h tr c
y nhi [7, 11, 33] Mi
Trong microwave
gim thi gian phn ng, gim phn ng phu su
chn lng.
Mu:
Ch to (Eu,Tb)PO
4
.H
2
O v l n Eu
3+
/Tb
3+
bMicrowave.
u cn vt v
nano (Eu,Tb)PO
4
.H
2
O bu x tia X, FESEM,
nh quang.
X mb
b mt bng vic gn v.
Gn kt vt li Tb)PO
4
.H
2
ng
amin vi phn t sinh hu ni GDA (glutaraldehyde).
ng dng th nghim trong vic nhn dng virus si.
6
CHƢƠNG 1 : TỔNG QUAN
1.1 Vật liệu phát quang
Vt lii vt li chuyi mt s d
c x n t i mc bc x nhit. Bc x n t
nm t ng ngo ngong ny.
Vt liu hu b i nhiu lo
bc x n tn t t liu bng hiu
n th c phn c.
Hình 1. 1 Ion huỳnh quang A trong mạng của nó. HEAT: sự trở về không
bức xạ tới trạng thái cơ bản.
Vt liu hunh quang bao gm mt mng ch nh quang
c g1. vi vt liu hu
YVO
4
:Eu
3+
[29] mng ch
4
3+
nh
quang trong h x. Bc x c hp th trc tip b
i tr
*
1.2). Tr trn bng s
bc x nh tranh vi s chuyn di tr v c x ti
tr, ng ca tr
ng mng ch.
tt liu hunh quang hiu qu, cn phim thiu
c x .
7
Hình 1. 2 Sơ đồ mức năng lượng của ion huỳnh quang A trong hình 1.1.
Bc x hp th b t (A
hp th
i truyng (ET) tp
th c gy (S -
Hình 1. 3 Quá trình truyền năng lượng từ S tới A. Dịch chuyển S→S* là hấp
thụ, A
2
*→A là phát xạ. Mức A
1
* được tích lũy nhờ sự truyền năng lượng, sẽ
tắt dần không phát xạ tới mức A
2
*. Điều này ngăn cản mức chuyển đổi
ngược.
ng Ca
5
(PO
4
)
3
F:Sb
3+
, Mn
2+
. Bc
x t ngo hp th bi Mn
2+
i Sb
3+
i bc x t ngo
x gm mt phn mu xanh da tri ca Sb
3+
t phn ma Mn
2+
.
B
2+
c ti
c truyn t Sb
3+
ti Mn
2+
.
Nu t n th
ng ch.
8
Trong nhing hp mng ch truy
ng ch t chy.
n quan trng trong vt liu hunh quang
S hp th thc hin
hot, y hoc mng ch.
t t.
Hi phc x ti trm
hiu sua vt liu.
Truyng ginh quang.
hii, vt liu hung ng dng
ht sc to l phn hunh
quang mi hoi th
c, vt liu hut liu
ch to ngu
khui si quang.
u ca vt liu hunh quang r
hut h
ion kim loi chuyn tic bit hi t
ch ng dt liu cht hi
mt trong nh
.
1.2 Vật liệu nano phát quang
1.2.1 Vật liệu phát quang cấu trúc nano
Vt lit liu hu
t c sp xc c nanomet. Vt liu
ng: ht nano (nanoparticles), thanh nano (nanorods), ng
m nano, di nano (nanobelts)
Nhia vt liu ph thung
c c nano, c ng bi s
mt, bi hiu ng t cn tt li
cht mi l so vi mu dng khi. S t v t ca vt liu nano so
vi vt liu kh hai hing sau:
9
Hiệu ứng bề mặt
Khi vt lic nh s gia s m
tng s ca vt li
t liu t u.
Nu gi n
s
n mng s i
gia hai con s
n
s
= 4n
2/3
T s gia s mng s s
f = n
s
/n = 4/n
1/3
= 4r
0
/r
0
a ht nano).
y, nc ca vt liu gim (r gi s
m t so v t c
ng vt lic vt liu giu
b mu ng b m
s c ca vt liu gi
. S i v n hiu ng b m
t bin theo s i v l nghch vi r theo m
c. Hiu ng b mng vi tt c cc,
hu c li. i h,
ngay c vt liu khi truyn thu ng b mt, ch u hiu
ng b b y, vic ng dng hiu ng b mt ca vt
lii d
i vi mt hc 1nm, s ngu n mt s
M gia s b mc ca h
bng 1.1
10
Bng 1. 1 Mối quan hệ giữa kích thước và số nguyên tử bề mặt.
Kích
thƣớc
hạt (nm)
Số nguyên
tử
Tỉ số nguyên tử
tại bề mặt (%)
Năng lƣợng bề
mặt (erg/mol)
Năng lƣợng bề
mặt/ năng
lƣợng tổng (%)
10
3.10
4
20
4,08.10
11
7,6
4
4.10
3
40
8,16.10
11
14,3
2
2,5.10
2
80
2,04.10
12
35,3
1
30
99
9,23.10
12
82,2
Hiệu ứng lƣợng tử
i hiu ng b m thang nu ng t
t ca vt lit quang,
ca vt lic bic c vt liu gin mc
thp ca thang nano (0.1-10 i vi vt lim rt nhi
tu ng t i rt nhi
b
ng t th hi mt chng t
th c ng git
t liu m
ng t ng t n t hc.
Hiệu ứng kích thƣớc
t vc ca ct lit gii hn v
c. Nu vt li t c
i ta gc ti hn. Vt lic
bic c c vc ti hn c
t ca vt lii bt c vt li
thuu.
S t ca vt li
h ng dng, tt quang mi l c
hiu , hiu ng t huu ng dp
tt hunh quang [2, 4, 7].
1.2.2 Vật liệu nano phát quang chứa đất hiếm
11
1.2.2.1 Cấu trúc điện tử của các ion đất hiếm
C t hi h
lantanit (Ln). H lantanit bao g : lantan (La), xeri (Ce),
praseodim (Pr), neodim (Nd), prometi (Pm), samari (Sm), europi (Eu), gadolini
(Gd), tecbi (Tb), dysprosi (Dy), honmi (Ho), ecbi (Er), tuli (T
lutexi (Lu).
C t him [45, 46]:
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
4s
2
3d
10
5s
2
4p
6
4d
10
4f
n
5d
m
5p
6
6s
2
i t n 14
m ch nh 0 hoc 1
t him tn ti kh gic ng dng
rt nhin t hc,
c, quang hc, y hc c bit tinh th c ng dng nhiu trong khuch
i si quang.
V h Lanthanit ng kim loi
s ly ln t 4f [15]
3 (Ln
3+
c cng nn r
t
3 trong c
n
5s
2
5p
6
ng 1.2
Bảng 1. 2 Các ion nguyên tố đất hiếm hóa trị 3 [5]
STT
Ln
C n t
Ln
Ion Ln
3+
Cn t
3+
57
La
[Xe]4f
0
5d
1
6s
2
La
3+
[Xe]4f
0
58
Ce
[Xe]4f
2
5d
0
6s
2
Ce
3+
[Xe]4f
1
59
Pr
[Xe]4f
3
5d
0
6s
2
Pr
3+
[Xe]4f
2
60
Nd
[Xe]4f
4
5d
0
6s
2
Nd
3+
[Xe]4f
3
61
Pm
[Xe]4f
5
5d
0
6s
2
Pm
3+
[Xe]4f
4
62
Sm
[Xe]4f
6
5d
0
6s
2
Sm
3+
[Xe]4f
5
63
Eu
[Xe]4f
7
5d
0
6s
2
Eu
3+
[Xe]4f
6
12
T bng 1.2 t hi o ca lp
n t 4f nm c che chn khng xung quanh bi
5s
2
6
o t hich
chuyn quang hch hp vn s g c
u ng ca mng nn. S ph a lp
4f vp 5t.
Hình 1. 4 Hàm phân bố các điện tử của nguyên tố Ce
c cng nn r ph
ln t l nh
quang ty ph ct him trong tinh th
c u ng cng tinh th
vt liu n minh ha b th a ion Ce
3+
y, vin t lp 4f ch mt phc s nh
ng ca vi hi
a hn t l
co Lantan). S Ln
3+
theo chi c biu di
13
Hình 1. 5 Sự thay đổi bán kính của các nguyên tử nguyên tố Lantan theo điện
tích hạt nhân nguyên tử [5]
Theo chi n c
+
c Lantan gim dn do ln gia
hi v
t tu
c gi
n t bn 4f
7
14
cung cn t
dn ph nhau ca nhn t a h
cnh nhau s nh s lc li, m
t Ce (Z = 58) ch n t ng cung cp bn t dn
n t bn [19]y, phn ph nhau ca nhn t
ln ti kho cnh nhau nh
vi nh [5].
14
Hình 1. 6 Sự thay đổi bán kính của các ion Ln
3+
theo điện tích hạt nhân [5]
1.2.2.2 Các quá trình phát quang của hợp chất đất hiếm
Vt lip th photon t p
s u fluorescence (dch quang), thi
gian sng ca bc x c t 1-
quang), thi gian sng ca bc x c kiu fluorescence
ki
ch triplet ). Hu hnh quang d p
cht hi kiu phosphorescence vi thi gian sng t
.
15
Hình 1. 7 Các quá trình phát quang có thể có khi vật liệu được kích thích.
Huỳnh quang (Fluorescence):
exc
o
h S
1
0
1
0
-
0
7].
Lân quang (Phosphorescence):
photon electron
16
ms.
[7].
S n gia hui gian tn ti
ca electron tra hut thp c
quang c ms. S n gi vi hu
chuyn v trn, quang ph hp
th ng t bi dng photon
chuyn v tr
ng c i dng nhit,
c 2 m s
p th 7]
G u c
c biu n t
quang chuyt liu nano pha t t him
3+
, Tb
3+
, Sm
3+
, Pr
3+
, Er
3+
, Yb
3+
, Tm
3+
nhu su
tit ki rc ng dng mi.
1.2.2.3 Phát quang truyền năng lượng[3]
nh quang truy ng, mt ion b
u (donor - D) s truyt ion
(acceptor - sau:
D
*
+ A D + A
*
u tru ki vt li
quang truyn ng (bc x hay c chng chp gia ph
hunh quang c hp th ca acceptor.
ruyn Coulomb. T truyn
ng t
6
1
R
R
K
O
D
AD
(1.1)
D
i gian suy gim hunh quang (fluorescence decay time)
ca D; ng c
O
n gii hn (tc
u t khong bng R
O
D truyng cho A
su D t ng nhau). R
O
17
tr trong khong t T truyng s
i rt
O
y nu bic R
O
, ta s bic t
truy ng.
O
c t thc
nghi
0
446
2
6
0
128
109000
AD
D
f
d
Nn
KLn
R
(1.2)
u sung t hunh quang c
2
ng s phn
i cng ct sut c
-
0
4
AD
f
d
(1.3)
chng chp (JDA) tc t hunh
quang ca donor (f
D
hp th c
A
s truyn
u sut cao nhi xy ra cng gia hai ph
hunh quang ca donor phi ph hp th ca
vy s truyc g truyng cng
-FRET).
Hình 1. 8 Sơ đồ mô tả quá trình truyền năng lượng cộng hưởng Jablonski.
S t lan truyn sang m
tr t kt qu ca s truy ng c ng
nh x gn nhau. Kho
t c ng tr nh tranh
cng cng
8
c b by t t tt hay tp cht, dn
i ph dp tt hunh
18
quang do n i phc
t qu khu
t b. S suy
gim n ca t s ng ging d
tr b kt qu thc nghim cho thy, n ng
t n 5% mol. nh truyng gi
th ding gn vi nhau [26]. Tuy
truyn i vi Eu
3+
3+
;
Ce
3+
3+
hay Cr
3+
3+
[8, 9, 14, 19, 24, 44] b dp tt
i vi Eu
3+
3+
). ng c
Eu
3+
3+
.
.
Hình 1. 9 Sơ đồ các mức năng lượng của Eu
3+
và Tb
3+
[3, 37, 43].
Hình 1. 10: Giản đồ mức năng lượng của các ion RE
3+
- Giản đồ Dieke
19
1.3 Phƣơng pháp chế tạo vật liệu
-
(Microwave
.
1.3.1 Phương pháp thủy nhiệt
y nhic to ra vt
ling hp thy nhi
ng hc (hoa ch
t s ng hn trong pha rn, xy ra nhit
cao (lt ln (l
i ta s dng kh c ca hu h
nhi t l tinh th a cht lng vt li
ng nhi y nhi
nm trong khong t t trong khong t atm
n 10
4
atm. y nhi c gi nh
nhi i.
t lng thy nhit ch bao gt r to vt
liu c c b n cho n ca
n hp lm gii hn
t liu tin cht vn tip tc b u kin
cht thy tinh s b tan cht k r
thu rng ca tin cht
thi tin chn t c
dung dch t lic nhn t c
thu kit cao, nhi ln.
Ti mnh xt tinh t
cht trong dung dch gic sn phm. Nhi
thi gian phn vy nhit.
Nhi ng cho s n phnh
nhing hc cn pht cn thit cho s ng
o ra s tinh th n to ra s nh nhit
ng hc ca pha sn phm. Th quan trng b
nh din ra trong thi gian ngng nhing
hc l sau mt khong th
Mt s m c :