Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của chấm lượng tử cds znse

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN

NGUYỄN TRUNG KIÊN

CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG

CỦA CHẤM LƢỢNG TỬ CdS/ZnSe
Chuyên ngành: Vật lý chất rắn
Mã số: 60 44 01 04

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

Ngƣời hƣớng dẫn khoa học:
PGS. TS. NGUYỄN XUÂN NGHĨA

HÀ NỘI - 2014


LỜI CẢM ƠN
Đầu tiên, cho phép em gửi lời cảm ơn chân thành tới PGS. TS. Nguyễn
Xuân Nghĩa đã trực tiếp hướng dẫn khoa học và tạo điều kiện làm việc tốt
nhất cho em trong suốt quá trình nghiên cứu và thực hiện luận văn.
Em xin gửi lời cảm ơn tới NCS. Nguyễn Xuân Ca, NCS. Nguyễn Thị Luyến đã
dành thời gian thảo luận và đóng góp các ý kiến quý báu về kết quả của luận văn.
Em xin được gửi lời cảm ơn đến các thầy, cô giáo trong Khoa Vật lý –
Trường Đại học Khoa học tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội đã dạy và trang bị
cho em những tri thức khoa học và tạo điều kiện học tập thuận lợi cho em trong
suốt thời gian qua.
Cuối cùng xin được bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc và tình yêu thương tới gia
đình và bạn bè – nguồn động viên quan trọng nhất về mặt tinh thần cũng như vật

chất, giúp em có điều kiện học tập và nghiên cứu khoa học như ngày hôm nay.
Hà Nội, ngày 12 tháng 12 năm 2014
Học viên

Nguyễn Trung Kiên


LỜI CAM ĐOAN
Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi dƣới sự
hƣớng dẫn của PGS. TS. Nguyễn Xuân Nghĩa. Các số liệu và kết
quả trong luận văn là trung thực và chƣa đƣợc ai công bố trong bất
cứ công trình nào khác.
Tác giả luận văn

Nguyễn Trung Kiên


MỤC LỤC
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ ..................................................... 1
DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT......................................... 4
MỞ ĐẦU .......................................................................................................... 5
Chƣơng 1: TỔNG QUAN MỘT SỐ VẤN ĐỀ VỀ CÔNG NGHỆ
CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA CẤU TRÚC NANO
BÁN DẪN DỊ CHẤT LOẠI II ..................... Error! Bookmark not defined.
1.1. Giới thiệu các cấu trúc nano bán dẫn dị chấtError! Bookmark not defined.
1.2. Một số vấn đề về công nghệ chế tạo...... Error! Bookmark not defined.
1.2.1. Lựa chọn vật liệu ............................... Error! Bookmark not defined.
1.2.2. Động học phát triển nano tinh thể và phân bố kích thƣớc hạtError! Bookmark
1.2.3. Bề mặt tiếp giáp trong cấu trúc nano lõi/vỏError! Bookmark not defined.
1.3. Tính chất quang...................................... Error! Bookmark not defined.

1.3.1. Sự tách các hàm sóng điện tử và lỗ trốngError! Bookmark not defined.
1.3.2. Kích thƣớc lõi, vỏ và chế độ phân bố hạt tảiError! Bookmark not defined.
1.3.3. Tính chất hấp thụ và quang huỳnh quangError! Bookmark not defined.

1.3.4. Ảnh hƣởng của công suất kích thích đến phổ huỳnh quangError! Bookmark no
KẾT LUẬN CHƢƠNG 1................................ Error! Bookmark not defined.
Chƣơng 2: THỰC NGHIỆM ....................... Error! Bookmark not defined.
2.1. Chế tạo cấu trúc nano lõi/vỏ loại II CdS/ZnSeError! Bookmark not defined.
2.1.1. Tạo các dung dịch tiền chất............... Error! Bookmark not defined.
2.1.2. Chế tạo nano tinh thể lõi CdS ........... Error! Bookmark not defined.
2.1.3. Chế tạo lớp vỏ ZnSe .......................... Error! Bookmark not defined.
2.1.4. Làm sạch mẫu ................................... Error! Bookmark not defined.

2.2. Các phƣơng pháp khảo sát đặc trƣng của vật liệuError! Bookmark not defined
2.2.1. Hiển vi điện tử truyền qua................. Error! Bookmark not defined.


2.2.2. Nhiễu xạ tia X ................................... Error! Bookmark not defined.
2.2.3. Tán xạ Raman ................................... Error! Bookmark not defined.
2.2.4. Hấp thụ quang học ............................ Error! Bookmark not defined.
2.2.5. Quang huỳnh quang .......................... Error! Bookmark not defined.
KẾT LUẬN CHƢƠNG 2................................ Error! Bookmark not defined.
Chƣơng 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN ... Error! Bookmark not defined.
3.1. Phân bố kích thƣớc của nano tinh thể CdSError! Bookmark not defined.

3.2. Giải pháp chế tạo cấu trúc nano lõi/vỏ CdS/ZnSeError! Bookmark not defined.
3.3. Ảnh hƣởng của chiều dày lớp vỏ lên tính chất hấp thụ và quang
huỳnh quang của cấu trúc nano CdS/ZnSe Error! Bookmark not defined.
3.4. Ảnh hƣởng của công suất kích thích lên phổ quang huỳnh
quang của các cấu trúc nano lõi/vỏ CdS/ZnSeError! Bookmark not defined.

KẾT LUẬN CHƢƠNG 3................................ Error! Bookmark not defined.
KẾT LUẬN .................................................... Error! Bookmark not defined.
TÀI LIỆU THAM KHẢO .............................................................................. 7


DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ
Hình 1.1.

Giản đồ vùng năng lƣợng của cấu trúc nano bán dẫn dị
chất loại I và loại II .................... Error! Bookmark not defined.

Hình 1.2.

Các chế độ phân bố hạt tải khác nhau trong cấu trúc nano
dị chất lõi/vỏ CdS/ZnSe khi thay đổi chiều dày của lớp vỏ:
(a) Chế độ giam giữ loại I (lõi CdS); (b) Chế độ giam giữ
giả loại II (lớp vỏ mỏng); và (c) Chế độ giam giữ loại II
(lớp vỏ dày) ................................ Error! Bookmark not defined.

Hình 1.3.

Tổng hợp các NC kiểu lõi/vỏ theo quy trình hai bƣớc T1

và T2 tƣơng ứng là các nhiệt độ chế tạo lõi và lớp vỏ .Error! Bookmark no
Hình 1.4.

(a) Năng lƣợng vùng cấm của các vật liệu khối CdSe, CdS,

ZnSe và ZnS; và (b) Sai lệch hằng số mạng tinh thể của chúngError! Bookma
Hình 1.5.

Mô hình La Mer về sự tạo mầm và phát triển NC .Error! Bookmark not de

Hình 1.6.

Sự phụ thuộc của tốc độ phát triển hạt theo tỉ số r/r * .Error! Bookmark not

Hình 1.7.

Sự thay đổi kích thƣớc và phân bố kích thƣớc theo thời
gian phản ứng của NC CdSe. Mũi tên chỉ thời điểm bơm
thêm dung dịch tiền chất ............ Error! Bookmark not defined.

Hình 1.8.

Cấu trúc nano lõi/vỏ loại II ZnTe/ZnSe và cấu trúc vùng
năng lƣợng tƣơng ứng với các trƣờng hợp: (a) không có
ứng suất; (b) có ứng suất; và (c) có lớp hợp kim tại miền
tiếp giáp lõi/vỏ . .......................... Error! Bookmark not defined.

Hình 1.9.

Phân bố theo bán kính của các hàm sóng điện tử (đƣờng liền
nét màu đỏ) và lỗ trống (đƣờng đứt nét màu xanh) có năng
lƣợng thấp nhất trong các cấu trúc nano bán dẫn dị chất loại I
(hình trên) và loại II (hình dƣới). Các bề mặt tiếp giáp lõi/vỏ
và vỏ/ligand đƣợc chỉ ra bằng các đƣờng đứt nét thẳng đứng.
Vị trí bờ vùng dẫn và vùng hóa trị của vật liệu bán dẫn khối
đƣợc chỉ ra tƣơng ứng bằng các đƣờng liền nét màu đen và
đƣờng đứt nét màu xám .............. Error! Bookmark not defined.

1


Hình 1.10. Chế độ phân bố hạt tải trong mối liên quan với bán kính lõi
R và độ dày của lớp vỏ H .......... Error! Bookmark not defined.
Hình 1.11. Các chuyển dời hấp thụ trong cấu trúc nano lõi/vỏ loại II
CdS/ZnSe ................................... Error! Bookmark not defined.
Hình 1.12. Phổ hấp thụ và phổ PL của các cấu trúc nano lõi/vỏ
ZnSe/CdS khi thay đổi chiều dày lớp vỏ từ 1-5 ML .Error! Bookmark not
Hình 1.13. Sự thay đổi phổ PL của cấu trúc nano lõi/vỏ loại II
CdTe/CdSe tại 15 K khi thay đổi công suất kích thích
quang. Hình bổ sung chỉ ra ảnh hƣởng của hiệu ứng uốn
cong vùng đến cấu trúc vùng năng lƣợng loại II. Vùng dẫn
và vùng hóa trị đƣợc viết tắt là CB và VB Error! Bookmark not defined.
Hình 1.14.

Sự thay đổi năng lƣợng phát xạ theo công suất kích thích
quang của cấu trúc nano lõi/vỏ loại II CdTe/CdSe. Đồ thị bổ
sung trình bày sự phụ thuộc năng lƣợng phát xạ vào công suất
kích thích quang theo quy luật mũ 1/3 Error! Bookmark not defined.

Hình 2.1.

Sơ đồ mô tả việc chế tạo lớp vỏ ZnSe.Error! Bookmark not defined.

Hình 2.2.

(a) Sơ đồ nguyên lý của kính hiển vi điện tử truyền qua; (b)
Kính hiển vi điện tử truyền qua JEM 1010 tại Viện Vệ sinh

Dịch tễ Trung ƣơng. ..................... Error! Bookmark not defined.

Hình 2.3.

Minh họa hình học của định luật nhiễu xạ Bragg.Error! Bookmark not def

Hình 2.4.

Phổ kế micro-Raman LABRAM-1B.Error! Bookmark not defined.

Hình 2.5.

Sơ đồ nguyên lý của hệ đo hấp thụ UV-Vis hai chùm tia.Error! Bookmark

Hình 2.6.

Sơ đồ nguyên lý của hệ đo huỳnh quang.Error! Bookmark not defined.

Hình 3.1.

Phổ hấp thụ và phổ huỳnh quang của NC CdS.Error! Bookmark not defin

Hình 3.2.

Phổ hấp thụ và phổ huỳnh quang của các lõi CdS chế tạo
tại các nhiệt độ 270oC(a), 290oC(b), 310oC(c) theo thời
gian phản ứng ............................. Error! Bookmark not defined.

Hình 3.3.

Sự thay đổi vị trí đỉnh huỳnh quang và FWHM theo thời gian
phản ứng của các NC CdS chế tạo tại các nhiệt độ khác nhau:
(a) 270oC; (b) 290oC; và (c) 310oC.Error! Bookmark not defined.

2


Hình 3.4.

Giản đồ nhiễu xạ tia X đã chuẩn hóa của các NC CdS chế
tạo tại các nhiệt độ khác nhau .... Error! Bookmark not defined.

Hình 3.5.

Phổ hấp thụ và phổ huỳnh quang của các NC CdS và
CdS/ZnSe khi thay đổi thời gian chế tạoError! Bookmark not defined.

Hình 3.6.

Sự thay đổi của năng lƣợng phát xạ theo công suất kích
thích mũ 1/3 của các NC CdS/ZnSe chế tạo trong thời gian
5 phút .......................................... Error! Bookmark not defined.

Hình 3.7.

Phổ Raman của các NC CdS/ZnSeError! Bookmark not defined.

Hình 3.8.

Phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang (a) và sự thay đổi kích thƣớc

(b) của các NC CdS khi bơm vào ODE lấy theo thời gianError! Bookmark n
Hình 3.9.

Phổ hấp thụ, PL (a) và phổ Raman (b) của dung dịch chứa

các ion Cd2+, S2-, Zn2+ và Se2- khi tăng dần nhiệt độError! Bookmark not d
Hình 3.10:

Phổ PL và AbS của các NC ZnSe chế tạo tại các nhiệt độ
khác nhau .................................... Error! Bookmark not defined.

Hình 3.11:

Phổ PL, AbS (a), Raman (b) của các NC CdS và CdS/ZnSe. Đồ
thị sự phụ thuộc của năng lƣợng phát xạ theo công suất chiếu
sáng của các NC CdS/ZnSe (c) ....... Error! Bookmark not defined.

Hình 3.12.

Ảnh TEM của các NC CdS (a), CdS/ZnSe1(b) và giản đồ

phân bố kích thƣớc của các NC CdS (c) và NC CdS/ZnSe1(d)Error! Bookmar
Hình 3.13. Phổ hấp thụ và huỳnh quang của các NC lõi CdS và các

NC CdS/ZnSe1, CdS/ZnSe2 có chiều dày lớp vỏ thay đổiError! Bookmark
Hình 3.14. Phổ XRD của các NC CdS và CdS/ZnSe1Error! Bookmark not defined.
Hình 3.15. Phổ huỳnh quang của các NCs lõi CdS(a) và cấu trúc
lõi/vỏ loại II CdS/ZnSe1(b), CdS/ZnSe2(c) khi thay đổi
công suất kích thích .................... Error! Bookmark not defined.

Hình 3.16. Sự thay đổi năng lƣợng phát xạ theo công suất kích thích
mũ 1/3 của các NC CdS, CdS/ZnSe1 và CdS/ZnSe2Error! Bookmark not

3


DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT
Eg

Năng lƣợng vùng cấm

LO

Dao động

NC

Nano tinh thể

OA

Acid Oleic

ODE

Octadecene

PL

Quang huỳnh quang

FWHM

Đô rộng bán phổ

QY

Hiệu suất lƣợng tử

SEM

Hiển vi điện tử quét

TEM

Hiển vi điện tử truyền qua

RS

Tán xạ Raman

TOP

Tri – n – octylphosphine

XRD

Nhiễu xạ tia X

θ

Góc therta

CB

Vùng dẫn

VB

Vùng hóa trị

4


MỞ ĐẦU
1. Lý do chọn đề tài
Trong vài thập kỷ gần đây, khoa học và công nghệ nano đang đƣợc
quan tâm do khả năng ứng dụng của vật liệu có kích thƣớc nanomet trong
nhiều lĩnh vực khác nhau của kỹ thuật và đời sống. Các vật liệu nano biểu
hiện các tính chất quang, điện và từ đặc biệt mà ở các vật liệu khối không có.
Nói riêng, tính chất quang của vật liệu nano bị chi phối bởi kích thƣớc, hình
dạng và thành phần hóa học của nó.
Công nghệ hóa học cho phép chế tạo các nano tinh thể (NC) bán dẫn có
kích thƣớc, hình dạng và thành phần hóa học khác nhau. Bằng cách kết hợp các
vật liệu bán dẫn khác nhau trong cùng một NC có thể tạo ra các loại cấu trúc
nano dị chất có tính chất vật lý khác nhau. Tùy thuộc vào vị trí tƣơng đối của các
mức năng lƣợng cơ bản của điện tử và lỗ trống trong các vật liệu bán dẫn thành
phần mà các cấu trúc nano dị chất thuộc về cấu trúc nano loại I hoặc loại II
Trong cấu trúc nano loại I, cả hai mức năng lƣợng cơ bản của điện tử và
lỗ trống của chất bán dẫn này nằm bên trong vùng cấm của một chất bán dẫn

khác. Trong trƣờng hợp này, cặp điện tử - lỗ trống đƣợc tạo ra gần miền
chuyển tiếp dị chất sẽ có xu hƣớng định xứ trong chất bán dẫn có độ rộng vùng
cấm nhỏ [3]. Khác với các cấu trúc nano loại I, sự sắp xếp các vùng năng lƣợng
của hai vật liệu bán dẫn trong cấu trúc nano loại II sẽ tách các hạt tải đƣợc kích
thích quang vào các miền không gian khác nhau. Đồng thời, độ rộng vùng cấm
của cấu trúc nano loại II là nhỏ hơn so với các độ rộng vùng cấm của các bán
dẫn thành phần. Do đó, có thể điều khiển bƣớc sóng phát xạ, thời gian sống
phát xạ và nhận đƣợc khuếch đại quang trong chế độ exciton [25].
Với các ƣu thế tiềm năng của mình, các cấu trúc nano đƣợc tổng hợp
bằng phƣơng pháp hóa học đang rất đƣợc quan tâm trong những năm gần đây.

5


Một số cấu trúc nano loại II đã đƣợc thiết kế và chế tạo dựa trên các tổ hợp
bán dẫn khác nhau nhƣ CdSe/ZnTe [14], CdTe/ZnSe [6] CdTe/CdSe [1, 2, 4,
28], ZnTe/ZnSe [9], CdSe/CdTe [15]… Tất cả các cấu trúc này đều có một
thành phần dựa trên hợp chất của Te. Tuy nhiên trong thực tế Te là một vật
liệu dễ bị oxy hóa và không bền quang, cần thêm các lớp vỏ bảo vệ bổ sung
để tách vật liệu nền Te khỏi môi trƣờng.

6


TÀI LIỆU THAM KHẢO
1.

Cai, X., Mirafzal, H., Nguyen, K., Leppert, V., & Kelley, D. F., (2012),
“Spectroscopy of CdTe/CdSe Type-II Nanostructures: Morphology,
Lattice Mismatch, and Band-Bowing Effects”, The Journal of Physical

Chemistry C, 116(14), pp. 8118-8127.

2.

Chin P. T., de Mello Donegá C., van Bavel S. S., Meskers S. C.,
Sommerdijk N. A., and Janssen R. A., (2007), “Highly luminescent
CdTe/CdSe colloidal heteronanocrystals with temperature-dependent
emission color”, J. Am. Chem. Soc. 129, pp. 14880-14886.

3.

Chuang C. H., Doane T. L., Lo S. S., Scholes G. D., and Burda C.,
(2011), “Measuring Electron and Hole Transfer in Core/Shell
Nanoheterostructures”, ACS Nano 5, pp. 6016-6024.

4.

Chuang, C. H., Lo, S. S., Scholes, G. D., & Burda, C., (2010), “Charge
separation and recombination in CdTe/CdSe core/shell nanocrystals as a
function of shell coverage: Probing the onset of the quasi type-II
regime”, The Journal of Physical Chemistry Letters, 1(17), pp. 2530-2535.

5.

Cihan, A. F., Kelestemur, Y., Guzelturk, B., Yerli, O., Kurum, U.,
Yaglioglu, H. G., & Demir, H. V., (2013), “Attractive versus Repulsive
Excitonic Interactions of Colloidal Quantum Dots Control Blue-to RedShifting (and Non-shifting) Amplified Spontaneous Emission”, The
Journal of Physical Chemistry Letters, 4(23), pp. 4146-4152.

6.

De Mello Donegá, C., (2010), “Formation of nanoscale spatially indirect
excitons: Evolution of the type-II optical character of CdTe/CdSe
heteronanocrystals”, Physical Review B, 81(16), pp. 165303/ 1-20.

7.

Embden J. V., Jasieniak J., Gómez D. E., Mulvaney A. P., Giersig M.
(2007), “Review of the Synthetic Chemistry Involved in the Production of
Core/Shell Semiconductor Nanocrystals”, Aust. J. Chem., 60, pp. 457–471.

7


8.

Embden J. V., Mulvaney P. (2005), “Nucleation and Growth of CdSe
Nanocrystals in a Binary Ligand System”, Langmuir, 21, pp. 10226-10233.

9.

Fairclough, S. M., Tyrrell, E. J., Graham, D. M., Lunt, P. J., Hardman, S.
J., Pietzsch, A., & Smith, J. M., (2012), “Growth and Characterization of
Strained and Alloyed Type-II ZnTe/ZnSe Core–Shell Nanocrystals”, The
Journal of Physical Chemistry C, 116(51), pp. 26898-26907.

10. Hewa-Kasakarage N. N., Gurusinghe N. P., and Zamkov M., (2009),
“Blue-shifted emission in CdTe/ZnSe heterostructured nanocrystals”, J.
Phys. Chem. C 113, pp. 4362-4368.
11. Hewa-Kasakarage, N. N., Gurusinghe, N. P., & Zamkov, M., (2009),

“Blue-shifted emission in CdTe/ZnSe heterostructured nanocrystals”,
The Journal of Physical Chemistry C, 113(11), pp. 4362-4368.
12. Ivanov S. A., Piryatinski A., Nanda J., Tretiak S., Zavadil K. R., Wallace
W. O., and Klimov V. I., (2007), “Type-II core/shell CdS/ZnSe
nanocrystals:

synthesis,

electronic

structures,

and

spectroscopic

properties”, J. Am. Chem. Soc. 129, pp. 11708-11719.
13. Ivanov, S. A., Piryatinski, A., Nanda, J., Tretiak, S., Zavadil, K. R.,
Wallace, W. O., & Klimov, V. I., (2007). Type-II core/shell CdS/ZnSe
nanocrystals:

synthesis,

electronic

structures,

and

spectroscopic

properties. Journal of the American Chemical Society, 129(38), pp.
11708-11719.
14. Kaniyankandy S., Rawalekar S., Verma S., and Ghosh H. N., (2010),
“Ultrafast

Hole

Transfer

in

CdSe/ZnTe

Type

II

Core−Shell

Nanostructure”, J. Phys. Chem. C 115, pp. 1428-1435.
15. Kaniyankandy, S., Rawalekar, S., & Ghosh, H. N., (2013), “Charge
carrier

cascade

in

Type

II

CdSe–CdTe

graded

core–shell

interface”, Journal of Materials Chemistry C, 1(15), pp. 2755-2763.

8


16. Kaniyankandy, S., Rawalekar, S., & Ghosh, H. N., (2013), “Charge
carrier

cascade

in

Type

II

CdSe–CdTe

graded

core–shell

interface”, Journal of Materials Chemistry C, 1(15), pp. 2755-2763.
17. Kim S., Fisher B., Eisler H.J., Bawendi (2003) M., “Type-II quantum dots:
CdTe/CdSe(core/shell) and CdSe/ZnTe(core/shell) heterostructures”, J. Am.
Chem. Soc. 125, 11466.
18. La Mer V. K., Dinegar R. H. (1950), “Theory, Production and Mechanism of
Formation of Monodispersed Hydrosols”, J. Am. Chem. Soc., 72, pp. 4847-4854.

19. McDaniel, H., Pelton, M., Oh, N., & Shim, M., (2012), “Effects of lattice
strain and band offset on electron transfer rates in type-II nanorod
heterostructures”, The Journal of Physical Chemistry Letters, 3(9), pp.
1094-1098.
20. Nandakumara, C. Vijayana, M. Rajalakshmib, Akhilesh K. Arorab,
Y.V.G.S. Murtic, (2001), “Raman spectra of CdS nanocrystals in Nafion:
longitudinal optical and confined acoustic phonon modes”, Physic E, 11,
pp. 377-383.
21. Nemchinov, A., Kirsanova, M., Hewa-Kasakarage, N. N., & Zamkov,
M., (2008), “Synthesis and characterization of type II ZnSe/CdS
core/shell nanocrystals”, The Journal of Physical Chemistry C, 112(25),
pp. 9301-9307.
22. Ning, Z., Tian, H., Yuan, C., Fu, Y., Qin, H., Sun, L., & Ågren, H., (2011),
“Solar cells sensitized with type-II ZnSe–CdS core/shell colloidal quantum
dots”, Chemical Communications, 47(5), pp. 1536-1538.
23. Niu, J. Z., Shen, H., Zhou, C., Xu, W., Li, X., Wang, H., & Li, L. S. (2010),
“Controlled synthesis of high quality type-II/type-I CdS/ZnSe/ZnS
core/shell1/shell2 nanocrystals”, Dalton Transactions, 39(13), pp. 3308-3314.

9


24. Park, Y. S., Bae, W. K., Padilha, L. A., Pietryga, J. M., & Klimov, V. I.,

(2014), “Effect of the Core/Shell Interface on Auger Recombination
Evaluated by Single-Quantum-Dot Spectroscopy”, Nano letters, 14(2),
pp. 396-402.
25. Peng X., Wickham J., Alivisatos A. P. (1998), “Kinetics of II-VI and IIIV Colloidal Semiconductor Nanocrystal Growth: “Focusing” of Size,
Distributions”, J. Am. Chem. Soc., 120, pp. 5343-5344.
26. Perera, D., Lorek, R., Khnayzer, R. S., Moroz, P., O’Connor, T., Khon, D.,
& Zamkov, M., (2012), “Photocatalytic Activity of Core/Shell
Semiconductor Nanocrystals Featuring Spatial Separation of Charges”, The
Journal of Physical Chemistry C, 116(43), pp. 22786-22793.
27. Reiss P., Protiere M., and Li L., (2009), “Core/shell semiconductor
nanocrystals”, Small 5, pp. 154-168.
28. Sai, L. M., & Kong, X. Y., (2011), “Microwave-assisted synthesis of
water-dispersed CdTe/CdSe core/shell type II quantum dots”, Nanoscale
research letters, 6(1), pp. 1-7.
29. Talapin V., Mekis I., Gotzinger S., Kornowski A., Benson O., Weller H.,
“CdSe/CdS/ZnS and CdSe/ZnSe/ZnS Core-Shell-Shell Nanocrystals” J.
Phys. Chem. B 108, 18826 (2004).
30. V. Baranov, Yu. P. Rakovich, J. F. Donegan, T. S. Perova, R. A. Moore,
D. V. Talapin, A. L. Rogach, Y. Masumoto, and I. Nabiev, (2003),
“Effect of ZnS shell thickness on the phonon spectra in CdSe quantum
dots”, Phys. Rev., B 68, pp. 165306/ 1-7.
31. Verma, S., Kaniyankandy, S., & Ghosh, H. N., (2013), “Charge
separation by indirect bandgap transitions in CdS/ZnSe type-II core/shell
quantum dots”, The Journal of Physical Chemistry C, 117(21), pp.
10901-10908.

10


32. Verma, S., Kaniyankandy, S., & Ghosh, H. N., (2013), “Charge

separation by indirect bandgap transitions in CdS/ZnSe type-II core/shell
quantum dots”, The Journal of Physical Chemistry C, 117(21), pp.
10901-10908.
33. Wang, C. H., Chen, T. T., Tan, K. W., Chen, Y. F., Cheng, C. T., &
Chou, P. T., (2006), “Photoluminescence properties of CdTe∕ CdSe coreshell type-II quantum dots”, Journal of applied physics, 99(12), pp.
123521 - 123524.
34. Wuister S. F., Driel F. V., Meijerink A., (2003), “Luminescence and growth
of CdTe quantum dots and clusters”, Phys. Chem, 5, pp. 1253-1258.
35. Zhu H., Song N., Lian T., (2011), “Wave Function Engineering for
Ultrafast Charge Separation and Slow Charge Recombination in Type II
Core/Shell Quantum Dots” J. Am. Chem. Soc. 133, pp. 8762-8771.

11