Chế tạo và nghiên cứu một số tính chất vật lý của vật liệu ZnO pha tạp Ag

Header Page 1 of 16.

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
----------------------

Trần Thị Ngọc Anh

CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU MỘT SỐ TÍNH CHẤT VẬT LÝ
CỦA VẬT LIỆU ZnO PHA TẠP Ag

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

Hà Nội - 2015
Footer Page 1 of 16.


Header Page 2 of 16.

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
----------------------

Trần Thị Ngọc Anh

CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU MỘT SỐ TÍNH CHẤT VẬT LÝ
CỦA VẬT LIỆU ZnO PHA TẠP Ag

Chuyên ngành: Vật Lý Chất Rắn
Mã số: 60440104

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HOC
TS. Phạm Nguyên Hải

Hà Nội - 2015
Footer Page 2 of 16.


Header Page 3 of 16.

LỜI CẢM ƠN
Trong suốt thời gian thực hiện luận văn, tôi đã nhận đƣợc sự hƣớng dẫn tận
tình của thầy giáo TS. Phạm Nguyên Hải. Em xin chân thành bày tỏ lòng biết ơn
sâu sắc đến thầy và kính chúc thầy cùng gia đình luôn mạnh khỏe, hạnh phúc.
Tôi xin chân thành cảm ơn CN. Nguyễn Văn Thanh đã nhiệt tình giúp đỡ tôi
trong quá trình làm thực nghiệm.
Tôi xin chân thành cảm ơn PGS.TS. Lê Văn Vũ, ThS. Nguyễn Quang Hòa,
ThS. Sái Công Doanh, ThS. Nguyễn Duy Thiện, TS. Nguyễn Việt Tuyên đã giúp đỡ
tôi trong các phép đo thực nghiệm.
Tôi xin chân thành cảm ơn PGS.TS Vũ Đình Lãm, CN. Trần Quốc Đạt và
CN. Phạm Văn Đại (Viện Khoa học Vật liệu) đã tạo điều kiện giúp đỡ tôi trong quá
trình tạo màng mỏng ZnO pha tạp Ag bằng thiết bị phún xạ sputtering.
Tôi cũng xin đƣợc bày tỏ lòng biết ơn đến các thầy cô giáo khoa Vật lýtrƣờng Đại Học Khoa Học Tự Nhiên- Hà Nội, đặc biệt các thầy cô trong bộ môn
Vật lý chất rắn, Vật lý đại cƣơng đã truyền đạt kiến thức, tạo mọi điều kiện để tôi
học tập và hoàn thành luận văn.
Tôi cũng xin gửi lời cảm ơn đến ngƣời thân trong gia đình, các đồng nghiệp,
bạn bè đã luôn giúp đỡ, động viên tôi trong suốt quá trình làm luận văn.
Bản luận văn này đƣợc thực hiện tại bộ môn Vật lý Chất rắn- khoa Vật lýtrƣờng Đại học Khoa học Tự Nhiên- Đại học Quốc Gia Hà Nội. Phần thực nghiệm
của luận văn đã đƣợc hoàn thành trên cơ sở sử dụng các thiết bị đo phổ huỳnh

quang, phổ Raman, phổ nhiễu xạ tia X, kính hiển vi lực nguyên tử AFM, kính hiển
vi điện tử SEM, hệ đo hiệu ứng Hall tại khoa Vật lý.

Footer Page 3 of 16.


Header Page 4 of 16.

MỤC LỤC
MỞ ĐẦU .....................................................................................................................1
CHƢƠNG 1. TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU ZnO và ZnO PHA TẠP Ag ...... Error!
Bookmark not defined.
1.1. Cấu trúc tinh thể của ZnO............................ Error! Bookmark not defined.
1.2. Cấu trúc vùng năng lƣợng của ZnO với mạng lục giác Wurtzite ........ Error!
Bookmark not defined.
1.3. Tính chất quang của ZnO ........................... Error! Bookmark not defined.
1.4. Độ dẫn điện của vật liệu ZnO ...................... Error! Bookmark not defined.
CHƢƠNG 2. KỸ THUẬT THỰC NGHIỆM ........... Error! Bookmark not defined.
2.1. Chế tạo mẫu ZnO và ZnO:Ag ..................... Error! Bookmark not defined.
2.1.1.
Chế tạo mẫu khối ZnO bằng phƣơng pháp phản ứng pha rắn .. Error!
Bookmark not defined.
2.1.2.
Tạo màng bằng phƣơng pháp phún xạ sputteringError!
not defined.

Bookmark

2.2. Các phƣơng pháp nghiên cứu tính chất mẫuError! Bookmark not defined.
2.2.1.

Phƣơng pháp đo phổ nhiễu xạ tia X .. Error! Bookmark not defined.

2.2.2.

Phép đo phổ huỳnh quang ................. Error! Bookmark not defined.

2.2.3.

Kính hiển vi lực nguyên tử ................ Error! Bookmark not defined.

2.2.4.

Phổ tán xạ Raman .............................. Error! Bookmark not defined.

2.2.5.

Kính hiển vi điện tử (SEM) ............... Error! Bookmark not defined.

2.2.6.

Phép đo hiệu ứng Hall ....................... Error! Bookmark not defined.

2.2.7.

Phổ tán sắc năng lƣợng EDS ............. Error! Bookmark not defined.

2.2.8.
Phép đo phổ truyền qua và hấp thụ UV- VISError! Bookmark not
defined.

CHƢƠNG III. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN .......... Error! Bookmark not defined.
3.1. Khảo sát tính chất bia gốm ZnO:Ag (0% - 4%)Error!
defined.

Bookmark

not

3.2. Khảo sát tính chất màng mỏng ZnO:Ag ...... Error! Bookmark not defined.
3.3 Sự thay đổi tính chất vật lý của màng sau khi ủ nhiệtError! Bookmark not
defined.
KẾT LUẬN ............................................................... Error! Bookmark not defined.
Tài liệu tham khảo .....................................................................................................11

Footer Page 4 of 16.


Header Page 5 of 16.

Danh mục hình vẽ
Hình 1.1: Ở nhiệt độ thường, tinh thể ZnO tồn tại dưới dạng lục giác wurtzite.
Hình 1.2: Cấu trúc lập phương giả kẽm (trái) và cấu trúc lập phương tâm mặt kiểu
NaCl (phải) của ZnO.
Hình 1.3: Cấu trúc vùng năng lượng của ZnO với mạng lục giác Wurtzite.
Hình 2.1: Quy trình chế tạo mẫu khối ZnO và ZnO:Ag (1%, 2%, 4%).
Hình 2.2: Mẫu khối ZnO:Ag sau khi nung tại nhiệt độ 1200oC.
Hình 2.3: Nguyên lý hoạt động của hệ phún xạ sputtering
Hình 2.4: Hiện tượng nhiễu xạ trên các lớp nguyên tử của tinh thể.
Hình 2.5: Sơ đồ khối của hệ đo phổ huỳnh quang.
Hình 2.6: Sơ đồ đo của hệ đo AFM.

Hình 2.7: Sơ đồ hoạt động của kính hiển vi lực và đường cong đặc tuyến lựckhoảng cách của tương tác giữa mũi dò và mẫu.
Hình 2.8: Hình ảnh của mũi dò và bề mặt mẫu trong chế độ rung.
Hình 2.9: Hình ảnh mũi dò và mẫu trong chế độ không tiếp xúc.
Hình 2.10: Nguyên lý của phổ tán xạ Raman.
Hình 2.11: Sơ đồ khối của phép đo tán xạ Raman.
Hình 2.12: Nguyên lý của phép đo SEM.
Hình 2.13: Sơ đồ khối của phép đo SEM.
Hình 2.14: Sơ đồ phép đo hiệu ứng Hall.
Hình 2.15: Sơ đồ nguyên lý phép đo EDS.
Hình 2.16: a) electron thứ cấp ở lớp trong bị bắn phá bởi chùm electron của SEM;
b) electron lớp ngoài chuyển xuống mức thấp hơn, phát ra tia X.
Hình 2.17: Sơ đồ hệ đo phổ hấp thụ UV–VIS.
Hình 3.1: Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu khối ZnO (a) và ZnO:Ag: 1% (b); 2% (c) và
4% (d) nung ở 600oC trong không khí.
Hình 3.2: Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu khối ZnO (a) và ZnO:Ag: 1% (b); 2% (c) và
4% (d) nung ở 800oC trong không khí.
Hình 3.3:Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu khối ZnO (a) và ZnO:Ag: 1% (b); 2% (c) và
4% (d) nung ở 1200oC trong không khí.
Hình 3.4: Hình ảnh SEM của mẫu khối ZnO (a) và mẫu khối ZnO pha tạp Ag: 1%
(b); 2% (c) và 4% (d) nung ở 1200oC.
Footer Page 5 of 16.


Header Page 6 of 16.

Hình 3.5: Phổ huỳnh quang của mẫu khối ZnO (a) và mẫu khối ZnO:Ag: 1% (b);
2% (c) và 4% (d) nung ở 1200 oC.
Hình 3.6: Phổ huỳnh quang của mẫu khối ZnO pha 4% Ag nung ở 1200 oC.
Hình 3.7: Phổ Raman của mẫu khối ZnO (a) và ZnO:Ag (b: 2%, c: 4%) nung ở
1200oC.

Hình 3.8: Phổ EDS của màng ZnO và ZnO pha Ag phún xạ ở 175W.
Hình 3.9: Ảnh AFM bề mặt của màng ZnO (a) và ZnO:Ag (b:1%; c: 2%, d:4%)
phún xạ ở công suất 175W.
Hình 3.10: Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b);
2% (c) và 4% (d) phún xạ ở công suất 125W.
Hình 3.11: Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b);
2% (c) và 4% (d) phún xạ ở công suất 150W.
Hình 3.12: Phổ nhiễu xạ tia X của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b);
2% (c) và 4% (d) phún xạ ở công suất 175W.
Hình 3.13: Phổ nhiễu xạ tia X của các màng ZnO pha 4% Ag khi phún xạ với các
công suất khác nhau (a: 125W, b: 150W, c: 175W).
Hình 3.14: Phổ Raman chuẩn của ZnO [].
Hình 3.15: Phổ Raman của màng ZnO phún xạ ở công suất 150 W.
Hình 3.16: Phổ Raman của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b); 2% (c)
và 4% (d) phún xạ ở công suất 150W.
Hình 3.17: Phổ Raman của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b); 2% (c)
và 4% (d) phún xạ ở công suất 175W.
Hình 3.18: Phổ truyền qua của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b); 2%
(c) và 4% (d) phún xạ ở công suất 125W.
Hình 3.19: Phổ truyền qua của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b); 2%
(c) và 4% (d) phún xạ ở công suất 150W.
Hình 3.20: Phổ truyền qua của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b); 2%
(c) và 4% (d) phún xạ ở công suất 175W.
Hình 3.21: Phổ hấp thụ của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b); 2% (c)
và 4% (d) phún xạ ở công suất 125W.
Hình 3.22: Phổ hấp thụ của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b); 2% (c)
và 4% (d) phún xạ ở công suất 150W.
Footer Page 6 of 16.

Header Page 7 of 16.

Hình 3.23: Phổ hấp thụ của mẫu màng ZnO (a) và ZnO pha tạp Ag: 1% (b); 2% (c)
và 4% (d) phún xạ ở công suất 175W.
Hình 3.24: Phổ XRD của mẫu màng ZnO (H1) và ZnO pha tạp Ag (H2: 1%, H3:
2%, H4: 4%) phún xạ ở công suất 175W trước và sau khi ủ nhiệt (a:
Chưa ủ nhiệt, b: ủ không khí, c: ủ khí O3/O2).
Hình 3.25. Ảnh AFM của màng ZnO:Ag (1%) trước khi ủ (a), ủ trong không khí (b)
và ủ trong khí khí O3/O2 (c)).
Hình 3.26: Ảnh AFM của màng ZnO:Ag (2%) trước khi ủ (a) và ủ trong khí O3/O2
(b).
Hình 3.27: Ảnh AFM của màng ZnO:Ag (4%) trước khi ủ (a), ủ trong không khí (b)
và ủ trong khí O3/O2 (c)).
Hình 3.28: Sự thay đổi màu sắc của các mẫu màng ZnO:Ag trước và sau khi ủ.
Hình 3.29: Phổ truyền qua của màng ZnO (H1) và màng ZnO:Ag (H2: 1%, H3:
2%, H4: 4%) phún xạ ở công suất 175W trước khi ủ (a) và sau khi ủ
trong không khí (b), ủ trong khí O3/O2 (c).
Hình 3.30: Phổ hấp thụ của mẫu màng ZnO (H1) và ZnO pha tạp Ag (H2: 1%, H3:
2%, H4: 4%) phún xạ ở công suất 175W trước và sau khi ủ nhiệt (a:
Chưa ủ nhiệt, b: ủ trong không khí, c: ủ trong khí O3/O2).

Footer Page 7 of 16.


Header Page 8 of 16.

Danh mục bảng
Bảng 1.1: Điện trở suất của màng mỏng dẫn điện ZnO pha tạp chất do một số nhóm
nghiên cứu chế tạo bằng các phương pháp khác nhau.
Bảng 3. 1: Giá trị hằng số mạng tinh thể và kí ch thước trung bình tinh thể

Bảng 3.2: Giá trị độ rộng vùng cấm Eg của mẫu màng ZnO:Ag với các nồng độ
khác nhau (0, 1%, 2%, 4%) phún xạ ở các công suất 125W, 150W và
175W.
Bảng 3.3: Giá trị các tính chất điện mẫu màng ZnO:Ag (1%, 2%, 4%) tại công suất
phún xạ 125 W, 150 W, 175W .
Bảng 3.4: Độ rộng vùng cấm của các mẫu màng ZnO và ZnO pha tạp Ag (1%, 2%,
4%) phún xạ ở công suất 175W trước và sau khi ủ.

Footer Page 8 of 16.


Header Page 9 of 16.

MỞ ĐẦU

Trong thời gian gần đây, màng oxit dẫn điện trong suốt (Transparent Conductive
Oxide -TCO) đƣợc sử dụng rộng rãi và là thành phần quan trọng trong các thiết bị điện tử
nhƣ tấm nền chiếu sáng tinh thể lỏng (LCD), tấm nền cảm ứng (touch screen), điốt phát
quang (LED) hay trong các ứng dụng sử dụng hiệu ứng quang điện (photovoltaic). Khi
đƣợc sử dụng để làm điện cực, yêu cầu của màng oxit dẫn điện trong suốt TCO là phải có
điện trở suất thấp, đồng thời phải cho ánh sáng trong những miền bƣớc sóng định trƣớc
truyền qua để tránh hấp thụ. Thực tế, các chất đƣợc dùng để làm nền trong công nghệ chế
tạo màng oxit dẫn điện trong suốt chủ yếu là hỗn hợp Indium Ôxít và Ôxit thiếc - ITO,
hỗn hợp Indium Ôxít pha pha Flo (FTO) hay Kẽm Ôxít (ZnO). Màng ITO có các tính
chất khá ấn tƣợng nhƣ điện trở suất thấp cỡ ~10−4 Ω·cm và độ truyền qua lớn hơn 80%.
Mặc dầu vậy, giá thành của loại màng ITO này lại khá cao do Indium là nguyên tố khá
hiếm và đắt, độ bền của sản phẩm chƣa cao và độc hại. Do đó, màng mỏng ZnO dẫn điện
khi pha tạp các nguyên tố nhƣ Al, Cu, N, … đƣợc nhiều phòng thí nghiệm tập trung
nghiên cứu để thay thế loại màng ITO nhờ các ƣu thế nhƣ độ rộng vùng cấm lớn (cỡ
3,37eV ở nhiệt độ phòng), nguồn cung cấp dồi dào, giá thành rẻ và đặc biệt là thân thiện

với môi trƣờng.
Trong các nghiên cứu gần đây, ZnO đƣợc pha tạp nhiều nguyên tố tùy thuộc vào
mục đích sử dụng. ZnO không pha tạp thƣờng là bán dẫn loại n do các sai hỏng nội tại
(nút khuyết của Oxy, Zn điền kẽ, …) là các tâm donor đóng góp điện tử ở vùng dẫn. Để
tăng độ dẫn điện, các nguyên tố nhóm III nhƣ B, Al, Ga hay In cũng đƣợc sử dụng để pha
tạp. Mặt khác, các ứng dụng trong quang điện tử yêu cầu phải chế tạo bán dẫn ZnO loại
p, trong khi giống nhƣ hầu hết các bán dẫn có độ rộng vùng cấm lớn, việc tạo ra ZnO pha
tạp loại p là khá khó khăn, do có sự bù trừ bởi tạp thuần hoặc do khả năng hòa tan của tạp
là thấp. Các nguyên tố thuộc nhóm I và V nhƣ Na, Li, K, Au, Cu, Ag, N, P hay Sb có thể
đƣợc dùng nhằm tạo ra bán dẫn loại p. Tuy nhiên, thực tế cho thấy các sản phẩm tạo ra
vẫn chƣa có tính ổn định cao, cơ chế hình thành các tâm tạp chƣa rõ ràng, cần phải tiếp
Footer Page 9 of 16.


Header Page 10 of 16.

tục nghiên cứu sâu hơn. Các nghiên cứu lý thuyết và thực nghiệm trong thời gian vừa qua
cho thấy tạp kim loại Ag làm tăng tính dẫn của màng tinh thể ZnO, có thể tạo ra tính dẫn
loại n hoặc loại p, tùy thuộc điều kiện chế tạo mẫu để tạo ra tạp Ag ở vị trí thay thế Zn
hay điền kẽ trong mạng tinh thể ZnO. Đây là tính chất đặc biệt của tạp Ag trong vật liệu
ZnO.
Từ những thực trạng trên, chúng tôi đã chọn vật liệu ZnO pha tạp Ag là đối tƣợng
nghiên cứu trong bản luận văn này nhằm chế tạo màng trong suốt có điện trở suất thấp và
cho ánh sáng trong vùng khả kiến truyền qua. Kết quả nghiên cứu đƣợc trình bày trong
luận văn bao gồm các phần sau:
 Chƣơng 1: Tổng quan một số tính chất của vật liệu ZnO và ZnO pha tạp Ag
 Chƣơng 2: Kỹ thuật thực nghiệm chế tạo vật liệu ZnO pha tạp Ag (các nồng độ
0%, 1%, 2%, 4%) dạng khối và màng mỏng, cũng nhƣ các phƣơng pháp đƣợc sử
dụng để nghiên cứu tính chất vật lý của các vật liệu ZnO tạo đƣợc.
 Chƣơng 3: Kết quả và thảo luận tính chất của mẫu ZnO pha tạp Ag dạng khối

đƣợc chế tạo bằng phƣơng pháp gốm, mẫu màng ZnO pha Ag đƣợc tạo ra bằng
phƣơng pháp phún xạ magnetron RF khi thay đổi nồng độ Ag pha tạp, công suất
phún xạ (125W, 150W, 175W) và sự thay đổi tính chất của màng ZnO pha Ag sau
khi ủ nhiệt trong không khí và trong khí ozon ở nhiệt độ 450 °C trong 2h.

Footer Page 10 of 16.


Header Page 11 of 16.

Tài liệu tham khảo
Tài liệu tiếng Việt
1.

Hoàng Sơn (2015), “Chế tạo và nghiên cứu tính chất vật lý của vật liệu ZnO pha tạp
Cu”, khóa luận tốt nghiệp.

2.

Nguyễn Văn Thanh (2014), “Chế tạo và nghiên cứu tính chất màng mỏng trong suốt
dẫn điện (TCO) ZnO pha tạp Al”, khóa luận tốt nghiệp.

3.

Nguyễn Việt Tuyên (2011), “Chế tạo, nghiên cứu tính chất của màng mỏng, vật liệu
cấu trúc nano trên cơ sở oxit kẽm pha tạp và khả năng ứng dụng”, luận án Tiến sỹ.

Tài liệu tiếng Anh
4.

A.N. Gruzintsev, V.T.Volkov, I.I Khodos, T.V.Nikiforove, M.N.Koval’chuk, Russ
(2002), “Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device
Applications”, Microelectron, 31.

5.

B. Houng, C.J Huang (2006), “Structure and properties of Ag embedded aluminum
doped ZnO nanocomposite thin films prepared through a sol–gel process”, Surf.
Coat. Tech.201, 3188.

6.

B. Yao, L.X. Guan, G.Z. Xing, Z.Z. Zhang, B.H. Li, Z.P. Wei, X.H. Wang, C.X.
Cong, Y.P. Xie, Y.M. Lu, D.Z. Shen (2007), “P-type conductivity and stability of
nitrogen-doped zinc oxide prepared by magnetron sputtering”, J.Lumin., 122, 191.

7.

D. G. Thomas (1960), “The exciton spectrum of zinc oxide”, J. Phys. Chem. Solids,
15, 86.

8.

D.C. Look, G.C. Farlow, Pakpoom Reunchan, Sukit Limpijumnong, S.B. Zhang, K.
Nordlund (2005), “Evidence for Native-Defect Donors in n-Type ZnO”, Phys. Rev.
Lett. 95, 225502.

Footer Page 11 of 16.

Header Page 12 of 16.

9.

D.R. Sahu (2007), “Studies on the properties of sputter-deposited Ag-doped ZnO
films”, Microelectronics Journal, 38, 1252.

10. E. –C. Lee, Y. –S. Kim, Y. –G. Jin, K. J. Chang (2001), “Compensation mechanism
for N acceptors in ZnO”, Phys. Rev. B 64, 085120.
11. In Soo Kim, Eun-Kyung Jeong, Do Yun Kim, Manoj Kumar, Se-Young Choi
(2008), “Investigation of p-type behavior in Ag-doped ZnO thin films by E-beam
evaporation”, Applied Surface Science, 255, 4011.
12. J. L. Birman (1959), “Polarization of Fluorescence in CdS and ZnS Single
Crystals”, Phys. Rev. Lett. , 2.
13. J.M. Qin, B. Yao, Y. Yan, J.Y. Zhang, X.P. Jia, Z.Z. Zhang, B.H. Li, C.X. Shan,
D.Z. Shen (2009), “Formation of stable and reproducible low resistivity and high
carrier concentration p-type ZnO doped at high pressure with Sb”, Appl. Phys. Lett.
95, 022101.
14. Jae-Hong Lim, Chang-Ku Kang, Kyoung-Kook Kim, Il-Kyu Park, Dae-Kue
Hwang, Seong-Ju Park (2006), “UV Electroluminescence Emission from ZnO
Light-Emitting Diodes Grown by High-Temperature Radiofrequency Sputtering”,
Adv. Mater. 18, 2720.
15. Kaipeng Liu, Beifang Yang, Hongwei Yan, Zhengping Fu, Meiwang Wen, Youjun
Chen, Jian Zuo (2009), “Effect of Ag doping on the photoluminescence properties
of ZnO films”, Journal of Luminescence, Volume 129, Issue 9.
16. R. K. Guptan, K. Ghosh, P.K Kahol (2010), “ Effect of substrate temperature on
structural and electrical properties of silver doped zinc oxide thin films”, Physica E:
Low-dimensional Systems and Nanostructures, Volume 42, Issue 7, 2000.

Footer Page 12 of 16.

Header Page 13 of 16.

17. S. B. Zhang, S. H. Wei, A. Zunger (2001), “Intrinsic n-type versus p-type doping
asymmetry and the defect physics of ZnO”, Phys. Rev. B 63, 075205.
18. S.S. Lin, J.G. Lu, Z.Z. Ye, H.P. He, X.Q. Gu, L.X. Chen, J.Y. Huang, B.H. Zhao
(2008), “p-type behavior in Na-doped ZnO films and ZnO homojunction lightemitting diodes”, Solid State Commun. 148, 25.
19. Saeed Masoumi and Ebrahim Nadimi (2014), “First- principles study of Zinc oxide:
The p-type doping perspective”, Proceeding on “The 22nd Iranian Conference on
Electrical Engineering”, page 318.
20. X.H. Wang, B. Yao, Z.Z. Zhang, B.H. Li, Z.P. Wei, D.Z. Shen, Y.M. Lu, X.W. Fan
(2006), “The mechanism of formation and properties of Li-doped p-type ZnO
grown by a two-step heat treatment”, Semicond. Sci. Technol. 21, 494.
21. Y. Yan, M. Al-Jassim, S. –H. Wei (2006), “Doping of ZnO by group-Ib elements”,
App. Phys. Letter 89 (18), 181912.
22. Y.Kanai (1991), “Admittance Spectroscopy of ZnO Crystals Containing Ag”,
Jpn.J.Appl. Phys.30 (Part 1), 2021.
23. S.H. Jeong, B.N. Park, S.B. Lee, J.-H. Boo (2005), “Structural and optical
properties of silver-doped zinc oxide sputtered films”, Surface and Coatings
Technology 193 (1-3), 340.
24. R. Sanchez Zeferino, M. Barboza Flores, and U. Pal (2011), “Photoluminescence
and Raman scattering in Ag-doped ZnO Nanoparticles”, Journal of Applied
Physics, 109, 014308.

Footer Page 13 of 16.