L
u tiên, tôi xin bày t lòng kính tr ng và bi t n sâu s c t i Ban Giám
trình nghi
cho chúng tôi trong su t quá
trình th c hi n
này.
Trang
1
3
4
7
7
11
15
1.1.
1.2.
2.1.
2.2.
2.3.
2.4.
2.5.
ng c a n
monomer
15
17
18
19
21
24
25
B N TÓM T T
H VIÊN
04
1.
:
-
2.
Nghiên
3.
4.
na nô mét.
-
:
:
M
U
1.
-sinh)
2B6
octadecene,
-
.
2B6
cao
-
3B5
2B6
3B5
2B6
.
InP
-y-
-III-VI2
-
2
2,
CuInSe2 và CuGaS2
nanô, CuInS2
-
.
-down)
photolithography)
nanô
ô
2.
nanô
3.
ùng dung môi
coo
ODE (1-octadecence)
0
sôi khá cao (3200C),giá thành
4.
-
na
nh m
-
nanô tinh
-
5. P
nanô
6.
nanô
.
7-10].
1
1940. Jongnam Park và
trình bày khá rõ ràng trong báo cáo
các tinh th nano hình
n phân tán [8], trong
này La Mer
c
ng
iên
ng
bùng
" (brust nucleation
thành
có
thêm
nhân
.V
tinh
vi tinh
lúc nên kh
hình thành cùng
nhau,
phát
các
nhau.
vi tinh
thì
Do
, "s
vi tinh
trong cùng
phát
tinh
vi tinh
tách
Tron
vi tinh
m
c
các
ng
th
có
là
(H
m
khác
n ng l
này
không có ng
phát
thái có
nào khác. Q
thái
các vi tinh
các giai
n ng l
sang
trong dung
vi tinh
và phát
sau
này
Hình 2.1.
giai
I) nh ng
các vi tinh
ng
n ng l
. Trong giai
có
hình thành, tích
bùng
ng
và
ngay khi
khi
n ng l
Các vi tinh
nhân
các monomer (do
monomer
mà
Khi
Ng
monomer
0
d
Sc
siêu bão hòa
),
n ng l
ra các tinh t
l
r
G
4 r2
4 3
r G
3
(2.1)
= ( RTlnS)/Vm. (Vm
S
, giá
c
Khi
, bán kính
Công
ra
hòa cao h n
có
rc =
(2.2)
tiên
kích th
l
quá bão hòa.
quá bão
h n. Thay (2.2) vào (2.1) ta có n ng
ra
:
(2.3)
T c
t o m m:
(2.4)
Trong
k: h ng s Boltzmanm, NA: s Avogadro
Công th
N ng
c dùng
tính toán s m m t o ra trong m i kho ng th i gian
monomer trong dung d ch trong th i gian
.
c tính b ng cách l y s
monomer t ng c ng tr cho s monomer có trong các h t.
T (2.4) khó có th xác
nh chính xác m c quá bão hòa t i h n
u, b i vì s t o m m và s tái hòa tan có th x y ra
th ng giáng n ng l
b n
th ng s th ng giáng n ng l
G i Sc là m c quá bão hòa t i h n,
quá t c
b t k n ng
nào do s
ng t do trong dung d ch. Tóm l i, các m m v n có th t o thành
ngay c trong dung d ch ch a bão hòa và các h t
khi n
s t om mb t
c t o ra có th tái hòa tan tr
ng t do c a môi tr
t c
ng xung quanh.
phát tri n m m cân b ng ho c v
t
tái hòa tan c a h t.
T (2.4) có th bi u di n nh h
ng c a m c quá bão hòa t i t c
t o m m nh sau:
(2.5)
Jongnam Park và
pháp
mô
quá trình
ph
ng
.
Hình 2.2a mô ph ng s phát tri n theo th i gian c a n ng
h tv
trong vài giây
quá bão hòa ban
u tiên c a ph n ng. Trong mô ph ng này
quá bão hòa
uS
= 100 và nhi t
không
bão hòa cao và t c
i. Trong 2s
u tiên, n ng
h t t ng r t nhanh do
quá
phát tri n c a các m m m i m c này c ng r t cao. Quá trình
m c m m và phát tri n tinh th nhanh t c là tiêu th monomer trong dung d ch nhanh
làm cho
quá bão hòa gi m nhanh chóng và quá trình m c m m th c s ch m d t
trong th i gian ti p theo.
Hình 2.2 b mô t s phát tri n theo th i gian c a n ng
ban
u khác nhau. Khi
gian c n thi t
t
quá bão hòa
h tc c
i t ng và th i
gi m. K t thúc giai o n t o m m
quá bão hòa
quá bão hòa ban
nc c
i
là r t th p. Nh ng h t có kích th
gi m d n. Các h t tan ra
h t v i các
u t ng n ng
c nh h n kích th
khuy ch tán
c t i h n rc tan ra và n ng
n các h t l n h n và k t t a trên chúng làm
các h t l n l n h n.
Hình 2.2. M t s k t qu mô ph ng c a quá trình m c m m và phát tri n c a
các nano tinh th . N
h
tri n theo th i gian c a n
nhi
r
quá bão hòa theo th i gian (a). S phát
h tv
quá bão hòa khác nhau (b),
ng t do b m t (d). Các hình chèn (bu.
th m
S phát tri n theo th i gian c a n ng
nhau
trình bày trên hình 2.2c và hình 2.2d.
theo
t
h t v i nhi t
ng
t ng
nh
và
t ng
và n ng l
phát
theo
n ng l
mô
ra theo
có
thích
phun nóng (hot- injection).
phun nhanh
quá trình phát
t ng và
và
cung
quá
tinh
là có
này,
và
giai
i vào giai
cùng
giá
phát
nào
liên quan
và
ng pháp
.
. Sau
do
ph
. Quá trình
quá trình phát
bùng
tinh
xu h
tính
nhanh monomer
và
1
ng
vào bình
tiêu
thúc nhanh sau
gian
quá bão hòa.
vào
bão hòa cao
ng b m t khác
monomer,
monomer
mô
quá trình phát
[11].
phác
cách
nh
sau[7,9,10,13]:
Quá trình
nano tinh
phía
có
tham gia
chia thành 2 b
nano tinh
.B
các monomer trong quá trình phát
.B
, các monomer di
hai, các monomer t
Nói chung, quá trình th
các monomer
phát
monomer
bán kính
nhau
monomer trong tinh
tán và t
quá trình
do và
tinh
tinh
thành tinh
và
ng tác trên trong
nano tinh
hai
.
vào
.
l
miêu
.
tán và do
tán D. Trong khi
vào
trình
ng tác
qua
a vào
các
các
hàm theo
gian
monomer tham gia vào hai quá
n
gian.
phát
:
(2.6)
dm là
monomer trong tinh
(
tích
monomer).
Trong quá trình
các nano tinh
phun vào bình
h
l
trí
/
tán
các monomer
ng
ng
i nhau
so
vào bán kính tinh
/tinh
. Mô hình phát
gian
gian
t
Sau
gian l
vào
mà
các monomer
trí
coi nh không
. Trên
trong
tinh
hình
, thông l
theo
phát
. Dòng
/thông l
vào
các monomer
monomer/monomer liên
c
và
ang phát
là
không thay
.
tinh
phía các tinh
các
kích th
kích th
i
các monomer
tinh
dành cho
các tinh
monomer
monomer.
u
phân
là bán kính trung bình
không
là quá trình phát
phân
ng
.
.
phát
này
cao. Trong mô hình này
theo
monomer
thành tinh
. Do
và mô hình này
monomer
do
monomer và tinh
tích
do
.D
nh không
vào
t
d các monomer
quá trình phát
quá trình
cao. Khi có
,
do và do
J
C
l
. Trong mô hình này,
bán kính x (x
các
monomer
h n r) bao quanh tinh
monomer J
các
monomer:
J(x=r) =
hình
có bán kính
xác
(2.7)
h n r, thông l
J qua
hình
tán Fick:
J(x>r) = 4
D là
(2.8)
tán.
, thông l
J không
vào x
(2.9)
=ph
(2.10)
ng trình (2.10) ta
tinh
biên nh
Ci,
a vào
biên.
monomer trong
ta có
monomer trên
dung
bao quanh tinh
Cb .
các
:
(2.11)
hàm
C theo x:
=
(2.12)
Thay (2.12) vào (2.8) ta có thông l
các monomer
phía tinh
có bán kính
r:
J=4
r (Cb - Ci)
(2.13)
Thay (2.13) vào (2.6) ta thu
phát
tinh
:
(2.14)
vào ph
ph
th
ng trình Gibbs-Thompson tính
Cb và Ci
ng trình
thay vào (2.14) ta thu
phát
tinh
vào kích
:
(2.15)
Trong
C là
tan
,
(2.15) ta
h n kích th
âm (
rc thì
tan ra) trong khi các
chúng
nano tinh
phát
Khi
ra quá trình
Ostwald
là
phát
và
phát
kích th
.
kích th
ra khi các
. Khi
các
lên do quá trình epitaxy
).
suy
trung bình
do
,
do
h n
h n
(do các
monomer
h n kích th
các h
có kích th
h n rõ ràng kích th
nhanh h n các
.
các tinh
vào kích th
gian h n
c ng
monomer xác
có kích th
trong dung
là
tan ra
phát
. Khi
phân
phát
tinh
là
phát
h n kích th
kích th
kích th
và phân
, trong khi
các
có kích th
. Khi
và phân
phát
kích th
thì th
nhanh h n và phân
b m thêm dung
kích th
tái
.
H
CÁC THÔNG
QUÁ TRÌNH
VÀ PHÁT
Các thông
h
th
và phát
, các
và h
ph
h
quá trình phát
nhanh
các ligand
l
tinh
các
, t
.
ng tác Wander
không
ng n
các
trong
trung bình, hình
vào
và
thì
)
trong quá trình
là kích th
Peng và các
bán
các nano tinh
c
xác
nhanh,
ng vai trò quan
và
. Thông
, nên sau khi
hình thành và phát
theo
.
phát
các
c (
các
soát
tinh
ng pháp
tinh
gây ra
nh
sát,
các ligand
Trong quá trình
tinh
gian và
monomer và
u tiên phát
cho
tinh
,
và
phát
Waals có
tinh
,
, các
2.1.
CÁC
quá trình hình thành và phát
vi tinh
tinh
LÊN
phát
, phân
l
các nano
kích th
toàn
các ligand.
n m
ra
t
nh
các axit béo, amin, phosphonic axit, phosphine và phosphine oxit [12].
này
các
cho
các
và không liên
các
,
l
InP
phosphine oxit và
l
các ligand
cao.
axit béo,
.
ligand
hình thành liên
ligand
khi dùng
dung môi liên
phát
ng
vi
nh các amin,
tinh
là không
nh phosphonic axit, không quan sát
. Và trong
sát, các axit béo
c kim,
không phù
ligand t
nào d
n
nh
CdSe, CdS và CdTe trong
. Tuy nhiên,
l
tránh
thành
dài
các ligand
hydrocarbon thích
các dung môi không liên
nh ODE.
cho là
Peng và các
nghiên
và phát
tinh
axít béo lên quá trình
.
Hình 3.1 minh
InP
h
phát
theo
trong ODE
In/axit là 1:3 cho
các
.
hydrocarbon càng dài thì
dài
cân
InP
và
các ch
l
các ligand là các axit béo khác nhau
hình 3.1 ta
myristic (MA) là hai ligand thích
PA và MA có
gian
rõ axít palmitic (PA) và axít
hình là, các axit béo mà c
thành
nhân càng
. Các axit béo nh
hydrocarbon trung bình là hai ligand thích
phát
mong
n phân tán.
Hình 3.1.
ác nhau
cho
dài
phát
cho
các NC
nanô
ng
Hình 3.2.
c nhau
2
quá t
Reiss(CEA-
hàn lâm
o
Hình 3.3.
In khác nhau
2
Hình 3.4.
khác nhau
2
T
-VI, III-V, IIIIcác thí
trên hình 3.5.
ng
khác nhau
Hình 3.5.
o
Hình 3.6.
o
[2]
C
o
C phát quang
o
2
.
khác nhau [1]
1 trình bày v
1.
nhau
(phút)
quang (nm)
5
30
60
90
150
240
360
540
512
530
545
557
572
596
609
613
35
32
33
33
34
38
42
47
nanô
khác nhau.
Hình 3.7.
Hình 3.8.
CuInS2
o
10, 15, 20, 30 và 60 phút.
o
Hình 3.8
[2].
giúp chúng
ra
-
có
d
-
- Khi nhi
-K
ph n
thì
c ch
ng t
A.
1.
(2013).
2.
T.49 (6) 709-709, (2011)
B.
3. O. I. Micic, C. J. Curtis, K. M. Jones, J. R. Sprague, and A. J. Nozik, J. Phys.
Chem. 98, 4966 (1994).
4. A. A. Guzelian, , J. E. B. Katari, A. V. Kadavanich, U. Banin, K. Hamad, E.
Juban, A. P Alivisatos, R. H. Wolters, C. C. Arnold, J. R. Heath. J. Phys. Chem.
100, 7212-7219 (1996).
Synthese und Charakterisierung von III-V Halbleiter-
5.
Nanoclustern
6. U. T. D. Thuy, P. Reiss, N. Q. Liem, Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 193104.
7. X. Peng, Wickkham, A. P. Alivisator , J. Am. Chem. Soc. 120, 5343 5344,
(1998).
8. J. Park, J. Joo, S. G. Kwon, Y. Jang, T. Hyeon, Angew. Chem. Int. Ed. 46,
4630 4660, (2007).
9. D. V. Talapin, Ph
Experimental and theoretical studies on the
formation of highly luminescent II-VI, III-V and core-shell semiconductor
nanocrystals
10. A. L. Rogach, Semiconductor Nanocrystal quantum Dots, (2008).
11. C. B Muray, C. R. Kagan, M. G. Bawendi, Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 546-610,
(2000).
12. X. Peng, D. Battaglia, Nano Lett.2, 1027-1030, (2002).
13. S. Xu, J. Ziegler, and T. Nann, J. Mater. Chem. 18, 2653, (2008).
14. U. T. D. Thuy, PhD. Thesis, University of Joseph Fourier, Grenoble I, France
(2010).