Nghiên cứu giải pháp phát hiện mã độc phần cứng dùng mạch thác điện áp vi sai (tt)

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

TRƯƠNG QUỐC HUY

NGHI N C U GI I H
H T HI N
Đ C H N C NG
ẠCH TH C ĐI N
I
I

Chuyên ngành: Kỹ thuật Điện tử
Mã số:

TÓ

60 52 02 03

TẮT LUẬN ĂN THẠC Ĩ KỸ THUẬT

Đà Nẵng - Năm 2015

NG


Công trình được hoàn thành tại
ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS. NGUYỄN ĂN CƯỜNG

Phản biện 1: TS. HU NH I T THẮNG

Phản biện 2: TS. NGUYỄN H ÀNG C

Luận văn được bảo vệ tại Hội đồng chấm Luận văn tốt nghiệp
Thạc sĩ kỹ thuật điện tử tại Đại học Đà Nẵng vào ngày 21 tháng 6
năm 2015

* Có thể tìm hiểu luận văn tại:
Trung tâm Thông tin - Học liệu, Đại học Đà Nẵng


1
Đ U
1. Tính cấp thiết của đề tài
V i s h t tri n v công nghệ n n c ng như s gia tăng
v số lượng các nhà sản xuất và cung cấ , IC đ thành thành h n
hông th thi u trong c c lĩnh v c c a đ i sống Tu nhi n, s gia
tăng c ng đ đặt ra vấn đ quan ngại v bảo mật ph n cứng c a thi t
bị C c m độc c th làm giảm chất lượng hệ thống, có th xóa dữ
liệu, hoặc mở ra c c cửa hậu đ ăn cắp các thông tin tối mật hoặc
thậm chí phả h y cả hệ thống.
Đ khắc phục vấn đ này, nhi u nghiên cứu đ được th c hiện
đ tìm ra hương h tối ưu h t hiện m độc hương h th
công là h n cứng được hân tích ư i máy phân tích phổ l ctron
Ngoài hương h , c n c hương h
h c được chia làm 2 loại
chính:
Ki m tra v logic
Phân tích các thông số khác

Kiểm tra về logic:
Hạn ch c a hương h nà là c n c một thi t
tham
chi u vàng thi t
hông nhi m m độc đ làm chu n và chu n bị
các v ctor đ ki m tra.
Phân tích kênh bênh (SCA):
hương h
hân tích kênh bênh ti p cận ki m tra các hành
vi bất thư ng (do m độc gâ ra) trong thông số hệ thống như ng
điện, năng lượng ti u thụ, và chậm tr tr n đư ng d n. hương h
SCA có hiệu quả cho việc h t hiện m độc hiệu uả cho c c hệ
thống c iện tích l n. Tuy nhiên, độ nhạy c a hương h SCA
được thách thức bởi s i n thi n công nghệ. Phát hiện sai v m độc
nhỏ có th xảy ra khi các hiệu ứng bi n đổi quá trình i n thi n công
nghiệ ví dụ, năng lượng) đ phân tích kênh bên.


2
Trong luận văn này, một hương h được hảo s t nh m
loại bỏ s c n thi t c a thi t k vàng đ tham chi u và phát hiện m
độc nhỏ trong khi chạy. uận văn hai th c các đặc tính đặc biệt c a
mạch th c điện
vi sai đ phát hiện m độc hương h nà là
không tốn kém c ng như hông c n ph n cứng bổ sung c n thi t đ
th c hiện các n n tảng phát hiện m độc.
D a tr n đặc đi m c a c c mạch số thi t th o hương h
th c điện
vi sai, đ tài
SA ” được l a chọn

2. Mục tiêu nghiên cứu
Đ tài tậ trung nghi n cứu c c vấn đ sau
- hảo s t ảnh hưởng c a m độc l n mạch th c điện vi sai
- â
ng mô hình giả lậ ảnh hưởng c a m độc l n mạch
th c t
- Đ nh gi hương h
h t hiện m độc tr n mạch sử ụng
th c điện vi sai v i c c ti u chí h c nhau
- Đưa ra i n nghị
ụng hương h vào th c t
3. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu
- Nghi n cứu hương h m độc được nh ng vào h n cứng
và ảnh hưởng c a m độc l n toàn hệ thống sử ụng hương h
th c điện vi sai
- Nghiên cứu c c hương h
h t hiện m độc h n cứng
tr n một mạch logic thi t th o hương h th c điện vi sai.
- Nghi n cứu thi t
mạch thử nghiệm sử ụng hương h
th c điện vi sai .
- Nghiên cứu hương h đ nh gi hiệu uả c a hương
h
h t hiện m độc h n cứng


3
4. hương pháp nghiên cứu
t hợ nghi n cứu l thu t và thi t
mạch h t hiện m

độc h n cứng, thử nghiệ hương h nà tr n mạch th c t c ui
mô v a và nhỏ
C c ư c ti n hành cụ th như sau
+ Thu thập, phân tích các tài liệu và thông tin liên quan.
Thi t lậ môi trư ng giả lậ
Thi t mạch h t hiện m độc h n cứng
Thi t mạch thử nghiệm
Nh ng m độc l n mạch thử nghiệm.
Tích hợ mạch h t hiện m độc l n mạch thử nghiệm
c định r c c ti u chí đ đ nh gi hương h đ ra v i
c c hương h
h c
Đ nh gi
t uả a tr n mạch thử nghiệm
Đ uất, i n nghị c c hương h tối ưu hiệu uả tr n
mạch thử nghiệm cụ th
5. Bố cục đề tài
Ngoài các ph n Mở đ u, K t luận và hư ng phát tri n, Tài liệu
tham khảo, Phụ lục, luận văn ao gồm c c chương sau
CHƯƠNG 1. GI I THI
ĐỘC H N C NG VÀ
ẠCH TH NGHI
CHƯƠNG 2. HƯƠNG HÁ
HÁT HI N
ĐỘC
H N C NG
CHƯƠNG 3. THI T
ẠCH HÁT HI N
ĐỘC VÀ
ẠCH TH NGHI

CHƯƠNG 4. THỰC HI N VÀ K T QUẢ MÔ PHỎNG
6. Tổng quan tài liệu nghiên cứu
Tài liệu nghiên cứu được tham khảo là những bài báo, các luận
văn thạc sỹ t c c trư ng đại học c a các quốc gia khác trên th gi i,


4
cùng v i các trang web tìm hi u. Luận văn chắc chắn không tránh
khỏi những sai sót, rất mong nhận được s góp ý c a Hội đồng đ
luận văn trở thành một công trình th c s có ích.


5

GI I THI U

CHƯƠNG 1
Đ C H N C NG À
TH NGHI

ẠCH

1.1. GI I THI U CHƯƠNG
Chương nà s gi i thiệu tổng uan v m độc h n cứng
Chương s cung cấ h i niệm chung v c c loại m độc và ảnh
hưởng c a m độc l n h n cứng Ngoài ra, chương c ng gi i thiệu
v mạch thử nghiệm cho hương h đ uất.
Đ C H N C NG
độc h n cứng là một mạch số độc hại được nh ng n
trong một mạch l n n đ n r r ữ liệu r r ữ liệu hoặc gâ tổn

hại đ n c c chức năng ình thư ng c a mạch hi ch ng được ích
hoạt
1.2.

n 1.2

n

ạ


6
D a vào c c đặc tính c a m độc mà ch ng ta c th hân loại
ra a loại chính a vào đặc tính vật l , đặc tính ích hoạt và đặc
tính t c động
ẠCH TH
ạch th c
CMOS v i lợi th
v độ chậm tr , ti
1.3.

C ĐI N
I
I
điện
vi sai (DCVSL) là một kỹ thuật mạch
hơn các kỹ thuật NAND / NOR mạch truy n thống
u hao năng lượng, iện tích, linh hoạt và logic.

1.3.1. K th ật DCVSL

ạch th c điện
vi sai DCVSL gổm 2 h n câ
nhị hân DCVSL tr và tải loa

n 1.3

ạ

u t định

DCVSL.

1.3.2. Ng ên hoạt đ ng
u trình chu n trạng th i c th chia làm 3 giai đoạn
n định trạng th i trư c hi chu n trạng th i
ạch nhị hân h ng lại độ mạnh c a tải và chu n
trạng th i một đ u ra
Chu n trạng th i đ u ra c n lại


7
1.3.3. Thiết kế DCVSL ử dụng ảng Ka na gh
1.4. ẠCH TH NGHI
uận văn ch sử ụng hương h tr n mạch th c điện
sai n n mạch thử nghiệm s được thi t th o hương h nà

vi

1.5. K T LUẬN CHƯƠNG
ạch th c điện vi sai là một ỹ thuật tối ưu cho c c thi t

c n c những tín hiệu ổ t c cho nhau đ th c hiện c c chức năng
nhất định ỹ thuật c n được
ụng rộng r i trong c c mạch c n
tốc độ cao C c mạch th c điện
vi sai
àng được thi t
th o
hương h sử ụng ảng aunaugh
độc h n cứng rất đa
ạng và ảnh hưởng c a m độc l n h n cứng c ng rất hức tạ T
vào đặc đi m và ảnh hưởng c a m độc mà c th hân loại m độc
th o c c nh m chính Ảnh hưởng c a m độc đặt ra vấn đ th ch
thức c c nhà ngu n cứu đ tìm ra giải h
h t hiện m độc một
c ch nhanh ch ng và c độ tin cậ cao Đặc iệt là ứng ụng c a
mạch IC đang rất hổ i n và c mắt trong tất cả c c ngành c n c
độ ảo mật cao như uân s , uốc h ng


8

HƯƠNG H

CHƯƠNG 2
H T HI N
Đ C H N C NG

2.1. GI I THI U CHƯƠNG
Chương s gi i thiệu v c c hương h
h t hiện m độc

hổ i n hiện na và c ch thức h t hiện m độc Ngoài ra, chương
c ng gi i thiệu hương h được đ uất c a luận văn
2.2. T NG QU N HƯƠNG H
H T HI N
Đ C
H N C NG
Ngoài hương h
hân tích l ctron, c c hương h
h c
a vào c c đặc tính ảnh hưởng c a m độc c ng được h t tri n
C c hương h nà c th nh m lại là hân tính thông số c a
mạch và ích hoạt m độc t vào cấu tr c c a mạch
2.2.1. hương pháp ph n t ch phổ ct on
2.2.2. hát hiện m đ c d a ào th ng ố hoạt đ ng
C c thông số hoạt động, ao gồm cả th i gian và năng lượng,
có th được sử dụng đ phát hiện m độc
a.
b.
2.2.3. hương pháp k ch hoạt m đ c
hương h
ích hoạt m độc c th đ nhanh u trình
h t hiện m độc và c th
t hợ v i hương h v năng lượng
N u m độc được ích hoạt, mạch m độc s ti u thụ năng lượng
nhi u hơn


9
a.
2.3. T NG QU N HƯƠNG H

H T HI N
H N C NG
NG ẠCH TH C ĐI N
I
I

Đ C

nh 2.6
t n
t n
t
uận văn đ xuất một hương h
h t hiện m độc cho h
ngư i sử dụng đ phát hiện m độc ti m năng trong l c hoạt động và
hông c n tham chi u vàng
2.4. H T HI N
Đ C H N C NG
TR N NĂNG
LƯ NG TI U H
NGẮN ẠCH
2.4.1. Năng ượng tiê hao ng n mạch t ên mạch thác điện
áp i ai
Mỗi cổng mạch th c điện
vi sai c n đ u vào bổ t c và tạo
đ u ra bổ sung. N u cặ đ u ra s hông c n ổ t c, d n đ n tiêu thụ
điện ngắn mạch kéo dài lâu hơn một c ch đ ng
th i gian hơn so
v i trư ng hợp đ u vào bổ t c.
uận văn ki m tra điện năng trung ình cho đ u vào bổ t c và

hông ổ t c cho c c cổng DCV
đơn giản sử ụng thư viện
reference 90nm.


10
n 2.1 ăn
Cổng
INV

Đ

n tăn gây

v

n

t

Năng ượng t ng nh
ào ổ t c n
Đ
ào kh ng ổ t c
39.03
86.87

NAND2-AND2

65.96

91.17

NOR2-OR2

65.96

91.17

XNOR2-NOR2

98.74

91.73

NAND3-AND3
NOR3-OR3

92.87
92.86

88.78
88.78

XNOR3-NOR3

140.63

88.86

Năng lượng cho một cổng cơ ản hi ị nhi m m độc l n gấ
1
l n năng lượng cho mạch hoạt động ình thư ng Năng lượng
ti u h n l n sinh ra ch
ut
ng ị ngắn mạch o ài
2.4.2. ác ất năng ượng tiê hao ng n mạch ất thường
2. . NH HƯ NG C
C NG NGH Đ N NĂNG LƯ NG
R R À TI U TH
V i s h t tri n c a công nghệ, ích thư c c a O ngà
càng giảm Đi u nà s làm cho c c mạch ti t iệm iện tích và tăng
tốc độ c a mạch Tu nhi n, việc làm giảm l ngth c a c c con O
s làm cho ng r
ng tĩnh c a mạch tăng đ ng
D ng r s
tăng đ n mức năng lượng ti u thụ chính là chính là ng r c a mạch
2.6. K T LUẬN CHƯƠNG
T vào đặc đi m c a t ng mạch cụ th , c c hương h s
được sử ụng nh m h t hiện m độc v i hiệu suất cao nhất C rất
nhi u hương h , nhưng nhìn chung tất cả c c hương h đ u
tậ trung hai th c nhưng i u hiện ất thư ng o m độc gâ ra như
độ tr tăng, ti u thụ năng lượng l n D a vào đặc đi m c a mạch
th c điện vi sai, hương h luận văn đ ra s hai th c vào năng
lượng ti u thụ ất thư ng o m độc gâ ra


11
CHƯƠNG 3
THI T K

ẠCH H T HI N
Đ C À ẠCH
TH NGHI
3.1. GI I THI U CHƯƠNG
Chương s cung cấ tổng ua mạch h t hiện m độc được đ
uất đ sử ụng vào th c t Tu nhi n, mạch h t hiện m độc s
được giả lậ trong môi trư ng hs ic đ đ nh gi hương h s t
v i th c t nhất
3.2. T NG QU N ẠCH H T HI N
Đ C
ạch h t hiện m độc th c t là t hợ giữa hai thành h n
là uản l
ng điện và ộ vi ử l Tổng uan mạch h t hiện m
độc được đ cậ ở hình 3 1
I
m

n

ng

Microcontroller

V

n i HT
ADC

trung tâm

OUT
u

o

ch

i

=

m

! OUT

n 3.1 ạ
t n
t
t
t
Tất cả mô hỏng tính to n s được th c hiện trong môi trư ng
giả lậ Hs ic
Môi

ng

p Hspice
Custom
Waveview
Công

Synopsys

Công
o
u n
p

n

u

o

ch

ạ

Công

OUT

m

=

! OUT

t

i

n

nh

t

n

n
t

ậ


12
3.3. T NG QU N C NG C THI T K
3.4. THI T K
Đ C
Cổng O 2 được chọn làm tải trọng c a m độc v i một là
tín hiệu ữ liệu và tín hiệu c n lại là tín hiệu ích hoạt m độc.
3.5. THI T K
ẠCH TH NGHI
ạch thử nghiệm đ đ nh gi hương h
h t hiện m độc
h n cứng cho mạch th c điện
vi sai là mạch cộng toàn h n
64 bit.
3.5.1. C ng toàn ph n 1-bit

13

n 3.9

ạ

t

n
năn

năn n
n

ạ

t

n

3.5.2. C ng toàn ph n 4-bit

n

n t n

n

t

3.5.3. ạch I C -85 C432
ạch thử nghiệm ti th o là I C - C432 Chức năng
mạch, hoạt động mạch, ch thích mạch và V rilog s được lấ t
trang
c a />T c c V rilog, công cụ D sign Com il r s sử ụng c c ữ liệu
nhậ vào o ngư i sử ụng thi t lậ và thư viện s ịch sang n tlist
mức cổng sao cho thỏa m n c c ui định v th i gian và chức năng
c a V rilog


14
3.6. K T LUẬN CHƯƠNG
ạch đ uất nh m ứng ụng hương h c a luận văn rất
hả thi hi
ụng vào th c t Hơn nữa, tất cả đ u c th được giả
lậ v i độ chính c cao Đ đ nh gi hương h một c ch chính
c, hai mạch thử nghiệm được sử ụng đ là mạch cộng 4 it và
mạch I C - C432
độc l n lượt được nh ng vào nhi u vị trí
h c nhau c a mạch thử nghiệm Ngoài ra, chương c ng cung cấ
nhi u loại m độc đa ạng


15

TH

NGHI

CHƯƠNG 4
À Đ NH GIÁ K T QU

4.1. GI I THI U CHƯƠNG
Trong chương nà , luận văn s trình à v thi t lậ thử
nghiệm hương h đ ra tr n c c mạch thử nghiệm C c ảnh
hưởng c a m độc s được hảo s t tr n mạch thử nghiệm uận văn
c ng hảo s t s ảnh hưởng c a công nghệ l n hương h
uận
văn c ng cung cấ ưu đi m và nhược đi m c a hương h
4.2. THI T LẬ TH NGHI
T vào mục đích thử nghiệm, luận văn s thi t lậ c c thử
nghiệm cho c c mạch h c nhau Tu nhi n, đi m chung cho c c l n
thử nghiệm là ch n m độc và tín hiệu đ u vào và m t hiệu uả
c a hương h
ỗi vị trí ch n m độc, luận văn s sử ụng 2
m u tổ hợ đ u vào ng u nhi n đ hảo s t.
4.2.1. ạch c ng 4 it toàn ph n
Luận văn l a chọn 4 it đ nh ng m độc làm tha đổi cặ
ổ t c c a c c it trong hi c c cặ ổ t c c a B v n giữ đ ng gi
trị Như vậ , s c
vị trí đ nh ng m độc, 4 vị trí c a gi trị
và 1 vị trí gi trị Cin
4.2.2. ạch I C -85 C432
ạch I C - C432 c 32 it đ u vào, l n lượt s nh ng m
độc vào c c đ u vào c a mạch thử nghiệm
4.2.3. Khảo át

ảnh hư ng của c ng nghệ ên phương

pháp
Đ hảo s t s ảnh hưởng c a cộng l n hương h
h t hiện
m độc, luận văn s sử ụng mạch cộng 4 it t hợ ộ so s nh 4
it đ hảo s t giữa 2 ngth là nm và 220nm.


16
4.3. K T QU
4.3.1. ạch c ng toàn ph n 4 it

n
n
nt
n
n
n
C th thấ tr n hình 4 4, mặc
t c động c a m độc s
hông làm ng c a mạch cộng tha đổi ất thư ng nhưng s làm
ng tại ộ so s nh 4 it tha đổi một c ch ất thư ng T c động
nà s r rệt hơn n u chân đ u ra ị lững l i nhi u O h c


17

n
C c

t ạn t

n
u tố sử ụng cho hương h

n
t
n
nà nh m h t hiện m

độc
Năng lượng ất thư ng

ng ất thư ng

Đ u ra hông ổ t c
Đ u ra ị lững
D a vào c c u tố tr n,
v i mạch cộng 4 it

t uả c a hương h

rất hả uan


18

n
t
t n
t
t

t uả rất hả uan n u t hợ cả 3 u tố
c suất h c
hiện m độc l n t i g n 1
tại tất cả vị trí ch n m độc
4.3.2.

ạch I C

n 4.7

-85 C432

t

v

ạ

ISCAS-85 C432


19
4.3.3. nh hư ng của c ng nghệ ên phương pháp

n 4.8 n

n

n n

n

n

C th thấ trong hình 4 , ở công nghệ nm, s h c nhau
giữa ng c t c động và hông c t c động c a m độc Ch nh lệch
ng tại ngth là 22 nm c a ộ cộng 4 it g n gấ đôi c n ở
nm thì ấ
ng nhau Tương t
ng tại ộ so s nh 4 it,
ch nh lệch gấ 3 ở 22 nm trong hi ch nh lệch chi là g n gấ 1 ở
90nm.


80.00
70.00
60.00
50.00

t

40.00
30.00

c s ất p

n mã ộc (%)

20

20.00
10.00
0.00
A0 A6 A12 A18 A24 A30 A36 A42 A48 A54 A60 A63

Vị í

èn mã ộc

90nm

220nm

n 4.9
n
n t
n v
n
Như vậ , hi ng r tăng l n s làm cho hả năng c a hương
giảm đi
ngth 22 nm cho t uả g n
trong hi ch là
cho nm hả năng c a hương h nà c th giảm đ n
tại c c công nghệ thấ hơn như 4 nm hoặc 2 nm

h

4.4.

NH HƯƠNG H

KH C
n 4.1
n v

Tiê ch

h n t ch phổ
electron

n

hương pháp
t ên mạch
DVCSL

hương pháp
ph n th ch
ản đ nhiệt

Th i gian

âu – c th
o ài đ n
th ng

Nhanh - được
ụng tr c ti
tr n mạch đang
hoạt động

Nhanh – c
th hân tích
tr c ti tr n
mạch đang
hoạt động

Ảnh
hưởng

Công nghệ
càng cao thì

Ảnh hưởng đ n
hiệu suất Công

Ảnh hưởng
đ n hiệu suất


21
công nghệ

hạm vi
ứng ụng

th i gian hân
tích càng l n

n – cả
mạch C O

và th c điện
vi sai

Chi hí

Đắt ti n

Hiệu suất

Cao – c th
l nđ n1
cho c c mạch
hông u
hức tạ

h t hiện
v ng
nhi m m
độc

C th h t
hiện v ng
nhi m m độc

nghệ càng cao
ng r đ ng vai
tr l n
Ch
ụng cho
mạch th o cơ

ch th c điện
vi sai

Công nghệ
càng cao ng
r đ ng vai tr
l n
n – cả
mạch C O
và th c điện
vi sai

ti n

Đắt ti n

Cao H u h t cho
c c gi trị hơn
C c mạch
nhỏ cho t uả
100%.

hụ thuộc vào
iện tích c a
m độc đối v i
iện tích mạch
thử nghiệm

hông hỗ trợ

o s nh v i c c hương h
h c, hương h
luận văn c rất nhi u ưu đi m và nhược đi m sau

C th h t
hiện v ng
nhi m m độc

đ

uất trong

a.
hương h

c c c ưu đi m đ ng gi và c th sử ụng

hông c n thi t

vàng thi t

hông nhi m m độc

Hiệu uả cao v i c c mạch v a và nhỏ
h t hiện tức th i trong th i gian chạ c a mạch
C th t i sử ụng cho nhi u chi trong một l n i m
tra
Chi hí thấ và hông

u c u s chu n ị nhi u

22
Cho hiệu suất cao

cả những m độc nhỏ

b.
B n cạnh c c ưu đi m, hương h c ng c nhi u nhược
đi m c n cân nhắc trư c hi ứng ụng vào th c t
hương h ch ứng ụng cho mạch số và sử ụng
hương h th c điện vi sai hông th sử ụng cho
mạch th o công nghệ C O và mạch analog
hương h
ị chi hối h nhi u ởi công ngh , công
nghệ cao s làm giảm hiệu uả c a hương h
hông c
m độc

hả năng h t hiện loại m độc và vị trí c a

4.5. K T LUẬN CHƯƠNG
t uả c a hương h tr n c c mạch thử nghiệm rất hả
uan hương h c th
t hợ v i i u hiện ất thư ng h c đ
tăng hiệu suất c a hương h
t uả tr n mạch cộng 4 it g n
như đạt 1
n u hương h
t hợ c c i u hiện như t uả

lỗi Tu nhi n, hương h c ng ị chi hối ởi công nghệ ích
thư c càng giảm s làm hiệu suất c a hương h giảm đ ng
B n cạnh nhi u ưu đi m, c c nhược đi m c a hương h
nhắc trư c hi
ụng vào th c t

c n cân


23
K T LUẬN À KI N NGH
K t luận:
uận văn đ hảo s t đặc tính mạch th c điện
vi sai ạch
th c điện
vi sai luông c tính chất đặc iệt là c c tín hiệu luôn c
cặ ổ t c N u gi trị ổ t c nà ị tha đổi s làm tha đổi chức
năng c a mạch C c cặ ữ liệu hông ổ t c s làm cho mạch ị
ngắn mạch và c c đ u ra hông ổ t c C c đ u ra hông ổ t c c
th được lan tru n trong mạch
lan tru n c th làm mạch ị
ngắn mạch tại ví trí O ti th o
D a vào tính chất đặc iệt c a mạch th c điện
vi sai,
hương h
h t hiện m độc a tr n năng lượng ất thư ng được
đ suất đ
ụng Phát hiện m độc tr n mạch sử dụng hương
h th c điện vi sai có th được th c hiện b ng cách sử dụng liên
tục, năng lượng ti u thụ ất thư ng, hoặc k t quả đ u ra lỗi. hương

pháp này là không tốn kém c ng như hông c n ph n cứng bổ sung
c n thi t đ th c hiện các n n tảng phát hiện m độc Ngoài ra,
hương h c ng hông c n thi t
vàng đ so s nh như c c
hương h
h c
uận văn đ hảo s t hương h tr n c c mạch thử nghiệm
Đ hảo s t vị trí t c động c a m độc, luận văn ch n m độc vào
c c đ u vào c a mạch thử nghiệm và hảo s t hương h cho t
uả h tốt v i c c mạch thử nghiệm
t uả c th đạt đ n 1
n u t hợ nhi u hương h
h c tr n mạch thử nghiệm uận
văn c n hảo s t t c động c a ng r l n mạch thử nghiệm Công
nghệ càng l n cao s làm cho hiệu suất h t hiện m độc giảm
uống