Nghiên cứu chế tạo màng ITO pha tạp Ag

Mục lục
Mở đầu.....1
Ch-ơng 1: Tổng quan về vật liệu TCO.....4

1.1 Tình hình nghiên cứu chế tạo màng điện cực trong và ngoài n-ớc...4
1.2. Các ph-ơng pháp chế tạo TCO....4
1.2.1. Phương pháp vật lý.. .5
1.2.1.1. Ph-ơng pháp bay hơi và ng-ng kết trong chân không ..5
1.2.1.2. Phương pháp phún xạ ca tốt...6
1.2.1. Phương pháp hóa học.. .8
1.2.2.1. Phương pháp điện hóa....8
1.2.2.2. Ph-ơng pháp sol-gen..9
1.2.2.3. Phương pháp CVD.......11
1.2.2.4. Phương pháp phun dung dịch trên đế nóng..12
1.3. Màng điện cực trong suốt dẫn điện ITO.13
1.4. Màng điện cực trong suốt dẫn điện SnO2 .........13
Ch-ơng 2: Tổng quan về pin mặt trời nano TiO2.......16

2.1. Vật liệu nano TiO2...16
2.2. Một số ứng dụng tiêu biểu của vật liệu nano TiO2 ..18
2.2.1. ứng dụng trong lĩnh vực môi trường...18
2.2.2. TiO2 ứng dụng trong điện tử...19
2.3. Pin mặt trời thế hệ mới nano TiO2 ....20
2.3.1. Một vài nét về lịch sử phát triển của pin mặt trời...20
2.3.2. Pin mặt trời nano TiO2 .......................................................................21
Ch-ơng 3: Ph-ơng pháp và thiết bị thực nghiệm....26

3.1. Hoá chất...26
1

3.2. Thiết bị chế tạo màng vật liệu nano bằng ph-ơng pháp "Phun dung
dịch trên đế nóng".......27
3.3. Mô hình chi tiết thực nghiệm chế tạo mẫu....31
3.4. Hệ đo nhanh hệ số truyền qua...32
Ch-ơng 4: Chế tạo và khảo sát tính chất màng ITO..........33

4.1. Chế tạo và khảo sát tính chất màng In2O3 : Sn................33
4.2. Chế tạo vật liệu nano bạc(Ag)............37
4.3. Chế tạo và khảo sát tính chất màng ITO pha tạp Ag .............................38
4.3.1. Khảo sát sự phụ thuộc của điện trở suất vào nồng độ (%) Ag........38
4.3.2. Khảo sát bằng XRD............................................................................39
4.3.3. Khảo sát bằng SEM............................................................................42
4.3.4. Khảo sát độ truyền qua.......................................................................42
4.3.5. Khảo sát lớp tiếp xúc TiO2/ITO : Ag .................................................43
4.4. Chế tạo và khảo sát tính chất màng SnO2 ................................................44
4.4.1. Chế tạo và khảo sát tính chất màng SnO2 : F .....................................44
4.4.2. Chế tạo và khảo sát tính chất màng SnO2 pha tạp Ag.........................47
4.4.2.1. Khảo sát màng Ag bằng XRD.................................................48
4.4.2.2. Khảo sát màng Ag bằng SEM..................................................50
4.4.2.3. Khảo sát màng SnO2 : F/Ag bằng XRD...................................50
4.4.2.4. Khảo sát sự phụ thuộc của điện trở suất vào tỷ lệ pha tạp Ag
vào màng mỏng.......................................................................52
4.4.2.5. Khảo sát tính chất lớp tiếp xúc với TiO2..................................53
4.5. Biện luận kết quả.........................................................................................54
Kết luận...........................................................................................................55
Tài liệu tham khảo....................................................................................56

2

Mở đầu.
Khoa học công nghệ nano đã bắt đầu từ thập kỷ 60 của thế kỷ XX. Đến
những năm 90 của thế kỷ này, những ứng dụng quan trọng đầu tiên của ngành
công nghệ mới, công nghệ nano ra đời đã làm chấn động giới khoa học kỹ
thuật[1]. Từ sự kiện này, sự chú ý của thế giới về ông nghệ Nano càng tăng. Trên
toàn cầu, cạnh tranh và hợp tác giữa các n-ớc về công nghệ Nano trở nên rất sôi
động, và thực sự nó đã trở thành một h-ớng nghiên cứu mũi nhọn của khoa học
và công nghệ thế giới.
Sự phát triển của khoa học công nghệ đã tạo nên những b-ớc tiến mang
tính đột phá toàn cầu. Với những tiềm năng to lớn và những tính chất đặc biệt
quý giá, có thể ứng dụng trong nhiều ngành khoa học kỹ thuật mũi nhọn, màng
điện cực trong suốt TCO (Transparent Conducting Oxide) đã và đang là mối quan
tâm, đầu t- nghiên cứu của nhiều trung tâm, viện nghiên cứu lớn trên thế giới vì
những tính chất đặc thù và khả năng ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực khác
nhau nh-: Năng l-ợng, điện tử, sinh học, môi tr-ờng, xây dung, Trên thế giới
tình hình nghiên cứu mng TCO hết sức sôi động, từ các n-ớc đang phát triển tới
các n-ớc công nghiệp hiện đại nh- Mỹ, Nhật Bản, Hn Quốc. Trong rất nhiều hội
nghị quốc gia cũng nh- quốc tế không bao giờ vắng mặt những công trình về
TCO v những ứng dụng, nh- Workshop on Quantum solar Energy
conversion[17], International Energy Conversion Engineering Conference[12],..
Mng TCO đã trở thnh một mặt hng m chúng ta có thể mua một cách rất dễ
dng, từ các công ty nh- công ty trách nhiệm hữu hạn Zhengzhou chida
Tungsteng & Molybdenum Products[37] của Trung Quốc, công ty Solaronix của
Thụy Sĩ, công ty trách nhiệm hữu hạn Photox Optical system[28] của Anh, Có

3


thể thấy rằng mng TCO đã không chỉ còn l một đối t-ợng nghiên cứu khoa học
m nó thực sự đi vo ứng dụng thực tế rất hiệu quả.

ứng dụng quan trọng nhất của mng điện cực trong suốt dẫn điện đó là
ứng dụng trong các thiết bị quang điện, đặc biệt l trong pin mặt trời nano TiO 2
[36],[19],[7],[34],[14],[21],[27], trong lúc mà an toàn năng l-ợng đang là mối
quan tâm lớn của loài ng-ời. Để có thể phát triển bền vững, chúng ta cần phải
thoát khỏi sự lệ thuộc vào nguồn năng l-ợng hoá thạch vì chúng gây ô nhiễm,
làm trái đất nóng lên và bản thân nó cũng sẽ cạn kiệt sau khoảng 50 năm nữa.
Giới khoa học trông cậy vào nguồn năng l-ợng tái tạo. Trong đó, quan trọng nhất
là năng l-ợng mặt trời. Các nhà khoa học đã tính toán chỉ cần thu lấy năng l-ợng
mặt trời chiếu xuống 0,1% diện tích bề mặt trái đất và chỉ cần một hiệu suất
chuyển đổi khiêm tốn là 10% thành điện năng là chúng ta đã thoả mãn hoàn toàn
nhu cầu năng l-ợng của toàn nhân loại. Nguồn năng l-ợng này là vô tận, giá rẻ,
tại chỗ và sạch, không làm mất cân bằng sinh thái trên quy mô toàn cầu. Do đó
có thể đánh giá sự ra đời pin mặt trời thế hệ mới dựa trên cơ sở vật liệu nano TiO 2
là hết sức cấp thiết. Đây chính là cứu cánh cho mục tiêu phát triển bền vững và
tr-ờng tồn của nhân loại trên trái đất. Sự ra đời của pin mặt trời trên cơ sở vật liệu
nano TiO2 đ-ợc giới khoa học kỹ thuật và kinh tế thếịch phun, tốc độ phun.

48


4.4.2.1. Khảo sát màng Ag bằng XRD.
Chất l-ợng của màng Ag đã đ-ợc xác định bằng ph-ơng pháp nhiễu xạ tia
X. Kết quả đ-ợc mô tả trong hình 4.12.

49


Peaks of Ag

35

30

Lin(CPS
)

25
20
15
10
5
0
10

20

30

40

2-Theta-Scale
H×nh 4.12 : Gi¶n ®å XRD cña mµng B¹c (MÉu AT95A)

50

50

60


4.4.2.2. Khảo sát màng Ag bằng SEM.

Chất l-ợng của màng Ag đã đ-ợc khảo sát bằng ph-ơng pháp SEM. Kết
quả đ-ợc mô tả trong hình 4.12.

Hình 4.13: ảnh chụp SEM màng Ag (Mẫu AT94A)

4.4.2.3. Khảo sát màng SnO2 :F/Ag bằng XRD.
Đem phun dung dịch tạo màng mỏng SnO 2 theo ph-ơng pháp chế tạo đã
nêu ở trên lên màng Ag vừa thu đ-ợc. Ta đ-ợc màng SnO 2 :F/Ag. Các hạt nano
Ag sẽ đóng vai trò cầu nối giữa các hạt Sn, kết quả sẽ làm giảm điện trở của
màng. Tuy nhiên kết quả này cũng làm giảm độ trong suốt của màng. Chất l-ợng
màng SnO2 : F/Ag đã đ-ợc khảo sát bằng nhiễu xạ tia X nh- mô tả ở hình 4.14:

51


70

Peaks of SnO2
Peaks of Ag

60

40
30

)

Lin(CPS)

50

20
10
0
10

20

30

40

50

2-Theta- Scale
H×nh 4.14: Gi¶n ®å XRD cña mÉu mµng Ag/SnO2 :F (MÉu AT98AS).
52

60


Từ ảnh XRD ta tính đ-ợc kích th-ớc hạt trung bình của màng điện
cực trong thí nghiệm là 12 (nm).
4.4.2.4. Khảo sát sự phụ thuộc của điện trở suất vào tỷ lệ pha tạp
Ag vào màng mỏng.
Màng mỏng Ag có vai trò làm tăng độ dẫn điện của màng điện cực
nh-ng cũng đồng thời làm giảm độ truyền qua của màng. Chúng tôi đã
tiến hành khảo sát sự phụ thuộc điện trở suất vào tỷ lệ pha tạp Ag của
màng SnO2 :F/Ag, Kết quả chỉ ra ở hình 4.15.

0.099

0.097
0.096
0.095

suất(.m)

Điện trở suất(.m)

0.098

0.094
0.093
0.092
0.091
10

20

30

40

50

60

70

-3

nAg(10 mol)

Hình 4.15: Sự phụ thuộc điện trở suất màng SnO2 vào nAg
4.4.2.5. Khảo sát tính chất lớp tiếp xúc với TiO2
Chúng tôi đã khảo sát lớp tiếp xúc TiO2/SnO2/Ag , kết quả thu đ-ợc
chứng tỏ SnO2 : F/Ag là bán dẫn loại n, có tiếp xúc omic với TiO2.
Công nghệ phun màng SnO2 trên lớp Ag đã tạo ra các màng điện cực có
R = 1,4 - 2,2 /t-ơng đ-ơng với giải pháp tạo trên l-ới Ni [21] .

53


4.5. Biện luận kết quả.
1- Điện cực TCO đ-ợc chế tạo bằng ph-ơng pháp thuỷ phân nhiệt của luận
văn này, tuy sử dụng thiết bị đơn giản và hóa chất công nghiệp nh-ng
cũng đạt đ-ợc thông số cơ bản t-ơng đ-ơng với quốc tế. Đấy là kết quả
của việc lựa chọn chế độ công nghệ tối -u, chủ yếu là lựa chọn thành
phần dung dịch ban đầu và nhiệt độ đế.
2- Các màng TCO đều là màng bán dẫn vùng cấm rộng, chúng trở nên dẫn
điện ở nhiệt độ phòng là nhờ sự có mặt của tạp chất ở nồng độ thích
hợp: Với SnO2 tạp chất là F, với In2O3 tạp chất là Sn. Khi có mặt thêm
Ag, điện trở của màng TCO tiếp tục giảm xuống. Để xác định vai trò
của Ag trong tr-ờng hợp này chúng tôi căn cứ vào các yếu tố sau:
- ảnh nhiễu xạ tia X cho thấy Ag không tồn tại ở dạng hợp chất
với vật liệu TCO ở mọi nồng độ. Điều đó có nghĩa là Ag không
phải là tạp chất của TCO.
- Bạc cũng không tồn tại ở dạng ôxít vì ở nhiệt độ chế tạo TCO
ôxít bạc bị phân hủy thành bạc kim loại.

Nh- vậy Ag tồn tại trong TCO ở dạng pha kim loại tự do. Ag là vật liệu
dẫn điện cao nên các hạt Ag phân tán trong màng TCO tạo ra hiệu ứng Vi
ngắn mạch làm cho tổng trở của màng TCO giảm xuống. Ag phân tán trong
màng TCO nên không làm thay đổi tính chất của chuyển tiếp TCO/TiO2.
Căn cứ vào thông số của các màng điện cực và gía thành vật liệu, sự
lựa chọn phù hợp nhất để chế tạo điện cực cho pin mặt trời nano TiO 2 là : Điện
cực phát là ITO:Ag và điện cực thu là SnO2:F/Ag.

54


kết luận
1- Đã nghiên cứu chế độ nhiệt và thành phần vật liệu trong công nghệ chế
tạo ITO bằng ph-ơng pháp phun nhiệt phân để đạt đ-ợc phẩm chất điện
cực tối -u.
2- Đã điều chế vật liệu Nano Ag từ AgNO 3 và nghiên cứu các công nghệ
pha tạp bạc cho các màng ITO.
3- Vật liệu chế tạo đã đ-ợc khảo sát tính chất, phẩm chất thông qua các
phép đo XRD, SEM, Phổ truyền qua, Điện trở vuông, Loại dẫn, Đặc
tr-ng V/A của tiếp xúc với nano TiO2 .
4- Đã xác định cơ chế tác động làm giảm điện trở của nano bạc, nhờ đó
định h-ớng cho việc chế tạo màng điện cực ITO theo yêu cầu ứng dụng.
5- Trong quá trình làm luận văn, màng điện cực SnO2:F và SnO2:F pha tạp
bạc cũng đã đ-ợc nghiên cứu chế tạo. Điều này vừa góp phần nâng cao
kỹ năng chế tạo màng ITO vừa làm tăng thêm sự lựa chọn trong việc
chế tạo điện cực cho hệ pin mặt trời nano TiO2 .
6- Đã chế tạo thành công điện cực phát pha tạp bạc có R = 5 - 8 /, độ
truyền qua của ánh sáng vùng nhìn thấy là 90% ; và điện cực thu có R =
1,4 - 2,2 /cho Pin mặt trời Nano TiO2..
Nh- vậy, bằng công nghệ đơn giản, với những hoá chất công nghiệp

chúng tôi đã nghiên cứu và chế tạo thành công màng TCO và màng TCO pha
tạp Ag có phẩm chất đáp ứng đ-ợc yêu cầu cơ bản đặt ra cho bài toán nghiên
cứu nội địa hoá Pin mặt trời Nano TiO2 .

55


Các kết quả trên đây đã đ-ợc tác giả báo cáo trong một số hội nghị
trong n-ớc và quốc tế nh-:
[01] Pham Van Nho, Pham Anh Tuan, Nguyen Thuong Hai, Enhanced
performance of the TCO transparent conductive electrode for photoelectronic devices, The 9th Biennial Vietnam National Conference on Radio
and Electronics (REV04), 27-28/10/2004, Ha Noi, Viet Nam
[02] Pham Anh Tuan, Nguyen Thi Van Anh, Pham Van Nho, ... "The use of
Ag nanosized particles for increasing electrical conductivity of SnO2:F
electrode", The second International Workshop on Nanophysics and
Nanotechnology (IWONN04).

56


Tµi liÖu tham kh¶o
[1]. Vũ Đình Cự, Nguyễn Xuân Chánh. Công nghệ Nano điều khiển đến từng
phân tử nguyên tử. Nhà xuất bản Khoa học và Kỹ thuật. Hà nội 2004.
[2]. Dang thi Thanh Le, Dang Duc Vuong, Nguyen Van Duy, Nguyen Van
Hieu, an Nguyen Duc Chien, Preparation and characterization of
nanostructured

TiO2

and

SnO2

materials

for

gas

sensor

applications, Proceedings of the eighth German – Vietnamese
seminar on physics and engineering, Apr, 2005.
[3]. Phạm Văn Nho. Giáo trình vật lý linh kiện và sensor bán dẫn. Nhà xuất
bản Đại học Quốc gia Hà nội. Năm 2003
[4]. Phạm Văn Nho, Phan Văn An, Vũ Văn Thanh, Nguyễn Quang Tiến. Pin
mặt trời trên cơ sở điện cực nano TiO2 xốp. Báo cáo hội nghị Vật lý
chất rắn toàn quốc lần thứ IV, Núi cốc 5-7/11/2003.
[5]. Phạm Văn Nho, Vũ Văn Thanh, Nguyễn Quang Tiến, Nguyễn Thị Vân
Anh. Nghiên cứu tính chất của chuyển tiếp nano tinh thể TiO 2/SnO2.
Báo cáo hội nghị Vật lý chất rắn toàn quốc lần thứ IV, Núi cốc 57/11/2003.
[6]. Nguyễn Trọng Tĩnh. Một số vấn đề động học trong tiếp xúc bán dẫn(cấu
trúc nano)với môi trường điện giải. Luận án tiến sĩ Vật lý. Hà nội
2002.
[7]. Alexander ulyashin, Application of TCO layers for solar cells, University
of Oslo, Center for materials science and nanotechnology, Norway.
[8]. Alexandre B.Pakhomov1, Brodley Roberts1, Kama M. Krisnan1 and Scott
Chambers2, Dilute Magnetic Sem conducting oxide thin films and
nanostructures, 1) Department of Materials science nad engineering,
Univ., of Washington, 2) PNNL environment Molecular sciences

laboratory (EMSL).
57


[9]. A Wang, J.R.Babcock, N.L. Edleman, A.W.Metz, M.A.Cane, R.Asahi,
V.P.Pravid, C.R.Kannewurf, A.J.Freeman, and I.J. Marks, Indium –
Cadmium – Oxide films having exceptional electrical conductivity
and optical transparency: Clues for optimizing transparent
conductors, Proc Natl Acad Sci U S A. 2001 June 19; 98(13): 7113–
7116. doi: 10.1073/pnas.121188298
[10]. B.Thangaraju, Structural and electrical studies on highly conducting
spray deposited fluorie and antimony doped SnO2 thin film from
SnCl2 precursor, Thin solid film 402 (2002) 71 – 78.
[11]. B. O’Regan, M. Gratzel, Nature 353 (1991)737.
[12]. Dean M.Giolanga, Ahmad Tahaand AI – Oaisi, Ximming Deng and
Abin Compaan, Applicatiion of spray pyrolysis metal oxide thin films
for photovoltaic applications, 2nd International Energy Conversion
Engineering Conference16 - 19 August 2004, Providence, Rhode
Island
[13]. Detlef Bahnemann. Photocatalytic reactors for solar water treatment
developing a useful simplified mode. 14th International Conference
on Photochemical Conversion and Storage of solar energy. Sapporo,
Japan. August 4-9 2002.
[14]. E. Elangovan, K. Ramamurthi, Optoelectronic Properties Of Spray
Deposited Sno2:F Thin Films For Window Materials In Solar Cells,
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Vol. 5, No. 1,
March 2003, p. 45 – 54
[15]. E. Olsen1, A.M. Sversson1, f. Leformal1, N. Hildenbrandt1, A. Ulyashin2,
Protective

oxide

layers

for

photoelectrochemical

hydrogen

production, 1)SINTEF Materials and Chemisty, 2) University of
Oslo, Norway.

58


[16]. G. Kiriakidis, H. Ouacha and N. Katsarakis, InOx nanostructured thin
films: electrical and sensing characterization, Rev.Adv.Mater.Sci. 4
(2003) 32-40.
[17]. H.Cahcet, G. folcher, T. Bruneaux, Fluorine incorportion into sprayed
SnO2 films from highly conductive towards nanocrystalline doped tin
dioxide, Proceeding of 10th Workshop on Quantum solar Energy
conversion, 3- 1998.
[18]. The Japan – Vietnam seminar. Bring forth new technology innovation –
possibilities of TiO2 Photocatalysts for the Protection of Ecosystems.
Hanoi 7/1/2003 and Ho Chi Minh city 10/1/2003.
[19]. Jatin Rath, Light management in a thin film solar cell, Utrecht
University, SID – Physics of Devices.
[20]. K. Omura, P.Veluchamy, M.Tsyji, T.Nishio and M. Murozono, A
pyrosol technique to deposit highly transparent, low resistance

SnO2:F thin films from dimethyltin dichloride, Journal of the
Electrochemical society 146(6) 2113 – 2116 (1999).
[21]. Konichi Okada, HiroShi Matsui, Tkuya Kawashima, Tetsusuya Ezure,
Nobuo Tanabe, 100 mm x 100 mm large- sized dye sensitized solar
cells, Journal of photochemistry and photobiology and Chemistry
164(2004) 193 – 198.
[22]. L.S. Rman, R.Valaski, C.D canotraro, E.C.S. Magallaes, C.Pesson, R.A.
huja, E.F da Silva Jr, I. Pepe and A.Ferreira da Silva. Optical band –
Edge Absorbtion of Oxide compound SnO2, Submitted to Elsevier
Science.
[23]. Mathew L. Mottern, Henk Werneij, Frode Tyholdt*, Alexander
Ulyashi**, Preferentially oriented ITO thin films by chemical
solution deposition, *SINTEF, Materials Technology, P.O. Box 124
Blindern Blindern, NO 0349 Oslo, Norway 0349 Oslo, Norway,
**University of Oslo, Department of Physics, Centre for Materials
59


and Science and Nanotechnology, 24, P.O. Box 1048 Blindern
Blindern, NO 0316 Oslo, Norway
[24]. Michael Gratzel. Phootooelectrochemical cell. Nature. Vol 414
November 2001 www.nature.com.
[25]. Moataz soliman, Mohamed M.Hussein, samir El – atawy, Mohamed el –
Gamal, Effect of fluorine doping and spraying technique on the
properties of Tin Oxide films, Renewable Energy 23 (2001) 461 –
470.
[26]. Milton Ohring. The materials science of thin film. Copyringht 1992 by
Academic Press.
[27]. N. romeo, a Bosio, V. Canevari, M. Terheggen, L. Vaillangt Roca.,
comparison of different conducting oxides as substrates for

CdS/CdTe thin film solar cells, Thin solid films 431 – 432 (2003) 365
– 368.
[28]. Photox Optical system Ltd., , ITO: mixture of
Idium Oxide In2O3 and Tin Oxide SnO2.
[29]. R.A.Li đin, V.A. M olosco, L.L.A Anđreeva. Tính chất lý hoá học các
chất vô cơ 106 ngu ên tố hoá học. Nhà xuất bản Khoa học và Kỹ
thuật. Hà nội.
[30]. S.H. Jeong, T.W. Lee, S.B.Lee, J. H. Boo, Deposition of aluminum –
doped zinc oxide films by RF magnetron sputtering and study of their
structural, electrical and optical properties, Thin solid films 435
(2005) 78 – 82.
[31]. S. K. Deb, R. Ellingson, S. Ferrere, A. J. Frank, B. A. Gregg, A. J.
Nozik, N. Park, and G. Schlichthörl.Photochemical solar cells based
on dye – sensitization of nanocrytalline TiO2. National Renewable
Energy Laboratory (NREL), 1617 Cole Boulevard, Golden, CO
80401-3393 USA.
60


[32]. Scott H. Brewer, stefan Franzen, Optical properties of Idium Tin Oxide
and Fluorine – doped Tin Oxide surfaces: correlations of reflectivity,
skin depth and plasmon frequency with conductivity, Journal of alloys
and compounds 338 (2002) 73 – 79.
[33]. Seyed Mohammad, rozati and tohid Ganj, Characterization of
Transparent conductive Thin films of In2O3 :Sn by Spray pyrolysis
technique, American Journal of Applied science 2(6):1106 – 1108,
2005
[34]. Steven S. Hegedus and Micheal Gibsona, Gautam Ganguly and Rajeewa
Aryab, A new method to characterize TCO/p contact resistance in a –
Si solar cells, a) Institute of Energy Conversion, University of

Delaware, Newark, DE 19716 USA, b) Solarex,Toano, VA 23168
USA.
[35]. Z.M. Jarzebski. Preparation and Phyics Properties of Transparent
Conducting Oxide film. Phys- stat.sol.(a) 71,13(1982).
[36]. Z.Zhao, M.Vinson, J.Neumuller, J.E. MacEntype, F.Fortunato and A.T.
Hurt, Transparent conducting ZnO:Al film via CCVD for amorphous
silicon solar cells, Preprint of poster 4P2.11 to be present at 29th
IEEE PVSC New Orlean 20 – 24 th May 2002.
[37]. Zhengzhou chida Tungsteng & Molybdenum Products Co., ltd., SnO2
electrodes, o/.
------------------------

61