Lý thuyết bán dẫn - Bài tập

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (151.18 KB, 7 trang )

(1)<div class='page_container' data-page=1>

Ta có: Đi n áp t i c c B transistor:ệ ạ ự

1 2

4,7 2,5
33 4,7

cc
B

V

V R V

R R

= = =

+ +

Vi transistor Germani co:̀ ́
VBE =0, 2V

Nên cường đô dong điên tai c c E transistor la:̣ ̀ ̣ ̣ ự ̀

2,5 0, 2 5,89
0,39

B BE
E

E

V V

I mA

R

− −

= = =

Tim c̀ ường đô dong điên tai c c C transistor: ̣ ̀ ̣ ̣ ự

5,89 50 5,77

1 1 1 50

C

C E
E

I

I I mA

I

β β

= � = = =

+ + +

Tim điên ap ̀ ̣ ́ UCE:

</div>
(2)<div class='page_container' data-page=2>

Bài gi i:ả
Ta có:

(1 )

E B C B B B

I =I +I =I +βI =I +β

Và:

( ) .

. .

( )

(1 )( )

CC C B C E E CE
CC C E E E CE
CC E C E CE

CC B C E CE

V R I I R I V

V R I R I V

V I R R V

V I β R R V

= + + +

= + +

= + + +

(1 )( )

CC CE
B

C E

V V

I

R R

β
−
=

�

+ +
30 6

0,03
(1 50)(15 0,33)

B

I = − = mA

�

+ +

Tìm tr s ị ố RB:

VCE =VBE+R IB. B
B CE BE

B

V V

R

I

−
=

�

6 0,6

180
0,03.10

B

R = − − = KΩ

</div>
(3)<div class='page_container' data-page=3>

( )

( ) ( )

( )

CC B C C B B BE E E

cc B C C B B BE B C E

B C E B CC BE C E C

CC BE C E C
B

B C E

V I I R I R V I R

V I I R I R V I I R

R R R I V V R R I

V V R R I

I

R R R

= + + + +

= + + + + +

+ + = − − +

�

− − +

=
�

+ +

( C E)
B

C B C E

R R

dI

dI R R R

− +

+ +

1 1

1 ( ) 1

1 50

10.35
15 0, 33

1 50

180 15 0, 33

B C E

C B C E

S

dI R R

dI R R R

S

β β

+ +

= = +

− +

+ +

= + =

+ +

Theo đ nh lu t ki cS p ta có:ị ậ ế ố

Vì Vcc và VBE khơng ph thu c vào Iụ ộ C và và IB nên tính đ o hàm Iạ B theo IC ta có:

</div>
(4)<div class='page_container' data-page=4>

Bài gi i:ả

Tìm IC2:

2 2 2 E2

. 0,96.100 96
C

C

I

I I mA

I =α � =α = =

Tìm IB2:

2 2 2 2

2
2
2 2
2
2
(1 )
1

96(1 0,96)
4
0,96

C C C

B

I I I

I
I mA
α
α
β α
α
−
= = =
−
−
= =

Tìm IC1:

1 1 1 E1

. 0,98.4 3,92
C

C

I

I I mA

I =α � =α = =

Tìm IB1:

1 1 1 1

1 1

1 1 1

1
(1 )
1
3,92(1 0,98)
0,08
0,98
C C
B
B

B
I I
I
I
I mA
α
α
β
α α
−
= = � =
−
−
= =

Tìm UCE:

1 2

. ( ).

24 (3,92 96).10 .120 12
CE CC C C CC C C C
CE

U V I R V I I R

U − V

= − = − +

</div>
(5)<div class='page_container' data-page=5>

Tìm C B:

1 2

3,92 96

1249
0,08

C C C

B B

I I I

I I

+ +

= = =

Tìm IC/IE:

1 2

3,92 96

0,9992
100

C C C
E

I I I

I I

+ +

= = =

4. Trình bày v s đ c phát m c chung CE c a transistor lề ơ ồ ự ắ ủ ưỡng c c trong cácự
m ch khu ch đ i và đ c đi m c a cách m c này. ạ ế ạ ặ ể ủ ắ

Bài làm:

Hình 1: S đ m c c c phát chung:ơ ồ ắ ự
Trong s đ ơ ồm ch g mạ ồ có các ph n t sau:ầ ử

EE , EC - Ngu n đi n cung c p ồ ệ ấ m t chi u cho tranzito lo i P-N-P.ộ ề ạ
RB - Đi n tr đệ ở ịnh thiên

RC - đi n tr ệ ởt iả

T đi n ụ ệ C1 và C2 là t liên ụ l c.ạ

Các c u ấ ki n ệ này có nhi m ệ v ụ trong m ch ạ đi n ệ tương t ự nh ư ở s ơ đồ
m c ắ c c ự g c chungố

</div>
(6)<div class='page_container' data-page=6>

H vào đ c tuy n tĩnhọ ặ ế

Hình 2-

Đ c tuy n vào tĩnh c a transistor Ge lo i PNP trong s đ c c phát chungặ ế ủ ạ ơ ồ ự

Đ c tuy n vào tặ ế ĩnh mô t ảm i quan h gi a đi n áp vào ố ệ ữ ệ UBE v i dòng đi nớ ệ
vàoIB.

UBE = f1(IB) khi UCE = const.
Ta có cơng th c tính dịng đi n vào Iứ ệ B b ng:ằ

IB = (1- α)IE - ICBo

Và h đ c tuy n vào đọ ặ ế ược mơ t trong hình 2ả

Do dịng đi nệ IE tăng theo qui lu tậ hàm số mũ v iớ đi nệ áp UBE nên dòng đi nệ
c cự g cố IB cũng sẽ tăng theo qui lu tậ hàm số mũ v iớ đi nệ áp UBE. Trên họ đ cặ
tuy nế vào ta th yấ đi nệ áp UCE ít nh hả ưởng lên dòng đi n Iệ B.

</div>
(7)<div class='page_container' data-page=7>

v i ngu n ớ ồ EC−10V và RC =500Ω

Đ cặ tuy nế ra bi uể thị m iố quan hệ gi aữ dòng đi nệ trên m chạ ra IC và đi nệ áp trên
m chạ ra UCE. Ta có hàm bi u thể ị quan h này:ệ

IC = f (UCE)

khi dịng đi nvàoIệ B=const. Và cơng th c tính dịng đi n c c góp là:ứ ệ ự
IC = αIE + ICBo

Thay giá trị IE = IC + IB , và bi n đ i bi u th c trên, ta có: ế ổ ể ứ

Thay
1

α
β

α
=

− , và
1

1−α = +β ta có cơng th c tính dịng đi n c c góp là:ứ ệ ự
IC = βIB + (β + 1)ICBo

Trong đó β g i là h s khu ch đ i dòng đi n c c g c (thọ ệ ố ế ạ ệ ự ố ường có ký hi u làệ
hFE).

Đây là bi uể th cứ bi uể thị m iố quan hệ gi aữ dòng đi nệ đi uề khi nể và dòng đi nệ
bị đi u khi n trong s đ ề ể ơ ồm c c c phát chung.ắ ự

Ta th yấ dòng đi nệ IC có giá trị c cự ti uể khi cả hai ti pế xúc phát TE và ti pế xúc
góp TC đ uề phân c c ngự ược, dòng đi n Iệ B = - ICBo nên IC = ICbo và tranzito ho tạ
đ ng trong vùng ng t.ộ ắ

Khi IB > 0, dòng đi n ra đệ ược tính theo cơng th c:ứ
IC = βIB + (β + 1)ICBo

N uế tăng đi nệ áp trên m chạ ra UCE lên thì đ cặ tuy nế ra khơng n mằ ngang mà
h iơ d c nghiêng.ố Khi gi mả giá trị đi nệ áp trên m chạ ra UCE <UBE thì ti pế xúc góp
TC cũng được phân c c thu n. Lúc này tranzito làmự ậ vi c ch đ bão hòa.ệ ở ế ộ

………
1

1 1

C B CBo

I α I I

α α

� � � �

=� � +� �

− −

</div>