Tài liệu Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB docx

Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB
I. MẠCH DAO ĐỘNG ĐA HÀI PHI ỔN-BJT
1. Sơ đồ mắc mạch

Tính Toán Lý Thuyết:
Thời gian nạp điện vào hai tụ C1 và C2 để đưa điện thế từ -VCC lên 0.8 Volt là:
T=T
1
+T
2
=R=0.7R
B1
C
1
+0.7R
B2
C
2
Với:
R
B1
=R
B2
=140KΩ
C
1
=C
2
=C=4.7µF
R
B1

≥ βR
C1
Điều kiện để T
1
và T
2
bảo hòa là: R
B2
≥ βR
C2
Kết quả mạch tạo ra sóng vuông liên tục mà không cần xung kích từ ngoài vào.
2. Dạng sóng quan sát:
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ
Trang1
Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB
II. MẠCH DI PHA BA KHÂU-BJT
1. Sơ đồ mắc mạch
Tần số dao động:
RC
f
62
1
π
=
=722Hz và lượng đưa về hồi tiếp:
−
β
=
29
1

lần.
Kết quả mạch tạo ra hai hình sin lệch pha nhau một góc π.
2. Dạng sóng quan sát:
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ
Trang2
Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB
III. MẠCH DAO ĐỘNG COLPITS-BJT
1. Sơ đồ mắc mạch:
Tần số dao động của mạch: f
0
=
LC
π
2
1
=286Hz với
21
21
.
CC
CC
C
+
=
=0.477µF
2. Dạng sóng quan sát:
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ
Trang3
Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB
IV. MẠCH DAO ĐỘNG HARTLEY-BJT

1. Sơ đồ mắc mạch:

2. Dạng quan sát:
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ
Trang4
Phân tích và thiết kế mạch dao động sử dụng chương trình EWB
V. MẠCH DAO ĐỘNG HARTLEY-FET
1. Sơ đồ mắc mạch
2. Dạng quan sát:
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 2 GVHD: Vương Tấn Sĩ
Trang5