báo cáo thực tập khoa công nghệ thông tin

TRƯỜNG CAO ĐẲNG NGHỀ VIỆT ĐỨC HÀ TĨNH
KHOA CÔNG NGHỆ THÔNG TIN
BÁO CÁO THỰC TẬP
GVHD : Lê Thị Lam
SVTH
:
Hồ Quang Trung
Lớp
: CĐSC&LRMT08
Hà Tĩnh : tháng 5 năm 2011

LỜI CẢM ƠN
Sau thời gian học tập tại trường được sự chỉ
dạy tận tình của thầy cô trong trường nói chung
cũng như các thầy cô khoa công nghệ thông tin
nói riêng , em đã học hỏi được rất nhiều kiến
thức về ngành công nghệ thông tin và các kiến
thức khác về văn hoá , xã hội
Để tạo điều kiện cho chúng em hiểu biết
thêm về những kiến thức đã học ở trường so với
thực tế . Vừa qua , trường đã cho phép chúng
em được đi thực tập tại các công ty , doanh
nghiệp …

GIỚI THIỆU VỀ CÔNG TY
CÔNG TY TNHH THƯƠNG MẠI & DỊCH VỤ
MÁY TÍNH HỒNG HÀ
“ 133 Hàm Nghi , Hà Tĩnh “
ĐT : 0511.3213846
Giới thiệu:

năm 2007 CÔNG TY TNHH THƯƠNG MẠI &
DỊCH VỤ GIA HUỲNH được thành lập và cũng
đã trở thành Nhà Phân phối Thiết bị viễn thông
tại Đà Nẵng, chuyên cung cấp các linh kiện
máy tính, máy in , máy photo , máy fax, hệ
thống tổng đài nội v.v…

CƠ CẤU TỔ CHỨC CỦA CÔNG TY
Giám Đốc
Phòng Kế Toán
Phòng Kinh Doanh
Phòng Bảo Hành Phòng Kỹ Thuật

CHUYÊN ĐỀ TỐT NGHIỆP
SO S ÁNH DDR , DDR2 , DDR3
Trước khi bắt đầu, cần biết rằng DDR, DDR2 và
DDR3 đều dựa trên thiết kế SDRAM ( Bộ nhớ truy cập
ngẫu nhiên động đồng bộ ) . tức là sử dụng tín hiệu
xung nhịp để đồng bộ hóa mọi thứ. DDR là viết tắt của
Tốc độ dữ liệu gấp đôi Double Data Rate , tức truyền
được hai khối dữ liệu trong một xung nhịp, . Như vậy
bộ nhớ DDR có tốc độ truyền dữ liệu cao gấp đôi so
với những bộ nhớ có cùng tốc độ xung nhịp nhưng
không có tính năng này ( được gọi là bộ nhớ SDRAM,
hiện không còn sử dụng cho PC nữa).

Hình 1: Tín hiệu xung nhịp và mode DDR Z

Cần nhớ rằng các tốc độ xung nhịp này là tốc
độ tối đa mà bộ nhớ chính thức có được; chứ

không thể tự động chạy ở những tốc độ như
vậy. Ví dụ, nếu bạn dùng bộ nhớ DDR2 1066
lên một máy tính chỉ có thể truy cập hệ thống ở
tốc độ 400 MHz (800 MHz DDR), thì những bộ
nhớ này chỉ có thể truy cập tại 400 MHz (800
MHz DDR) chứ không phải 533 MHz (1,066
MHz DDR). Đó là do tín hiệu xung nhịp được
mạch điều khiển bộ nhớ cung cấp, mà mạch
điều khiển bộ nhớ lại nằm ngoài bộ nhớ (trong
Chip NorthBridge ở bo mạch chủ hoặc tích hợp
bên trong CPU, tùy vào từng hệ thống

Những thanh nhớ ( Module ) bảng mạch điện tử nhỏ gắn
những Chip nhớ sử dụng một cái tên khác: PCx zzzz,
trong đó x là thế hệ công nghệ, còn zzzz là tốc độ truyền
tải tối đa trên lý thuyết (còn gọi là băng thông tối đa). Con
số này cho biết bao nhiêu Byte dữ liệu có thể được truyền
từ mạch điều khiển bộ nhớ sang Module bộ nhớ trong mỗi
xung nhịp đồng hồ .
Thật ra rất dễ giải thích bằng cách nhân xung nhịp DDR
tính bằng MHz với 8, ta sẽ có tốc độ truyền tải tối đa trên
lý thuyết tính bằng MB/giây. Ví dụ, bộ nhớ DDR2 800 có
tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết là 6,400 MB/giây (800
x 8) và Module bộ nhớ mang tên PC2 6400. Trong một số
trường hợp, con số này được làm tròn. Ví dụ như bô nhớ
DDR3 1333 có tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết là
10,666 MB/giây nhưng module bộ nhớ của nó lại có tên
PC3 10666 hoặc PC3 10600 tùy nhà sản xuất.

Cần phải hiểu rằng những con số này chỉ là số

tối đa trên lý thuyết, và trên thực tế chúng
không bao giờ đạt đến, bởi bài toán đang tính
có giả thiết rằng bộ nhớ sẽ gửi dữ liệu đến
mạch điều khiển bộ nhớ theo từng xung nhịp
một, mà điều này thì không xảy ra. Mạch điều
khiển bộ nhớ và bộ nhớ cần trao đổi lệnh (ví dụ
như lệnh hướng dẫn bộ nhớ gửi dữ liệu được
chứa tại một vị trí nhất định) và trong suốt thời
gian này bộ nhớ sẽ không gửi dữ liệu.
Trên đây là lý thuyết cơ bản về bộ nhớ DDR,
hãy đến với những thông tin cụ thể hơn.

1. Tốc độ :
Một trong những khác biệt chính giữa DDR,
DDR2 và DDR3 là tốc độ truyền dữ liệu lớn
nhất của từng thế hệ. Dưới đây là danh sách tốc
độ chung nhất cho từng thế hệ. Một số nhà sản
xuất đã tạo ra được những loại chip lớn hơn cả
tốc độ trong bảng–ví dụ như các bộ nhớ đặc
biệt hướng tới giới overclock. Những xung nhịp
có đuôi 33 hoặc 66MHz thực ra đã được làm
tròn (từ 33.3333 và 66.6666).


• 2. Điện áp :
Bộ nhớ DDR3 hoạt động ở điện áp thấp hơn so
với DDR2, DDR2 lại dùng điện áp thấp hơn
DDR. Như vậy bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện
hơn DDR2, và DDR2 tiêu thụ ít hơn DDR.
Thường thì bộ nhớ DDR sử dụng điện 2.5 V,

DDR2 dùng điện 1.8 V và DDR3 là 1.5 V (mặc
dù các module cần đến 1.6 V hoặc 1.65 V rất
phổ biến và những chip chỉ yêu cầu 1.35 V
trong tương lai cũng không phải là hiếm).

• Một số module bộ nhớ
có thể yêu cầu điện áp
cao hơn trong bảng, nhất
là khi bộ nhớ hỗ trợ hoạt
động ở tốc độ xung nhịp
cao hơn tốc độ chính
thức (ví dụ như bộ nhớ
để overclock).

3. Thời gian trễ
Thời gian trễ là khoảng thời gian mà mạch điều
khiển bộ nhớ phải đợi từ lúc yêu cầu lấy dữ liệu
cho đến lúc dữ liệu thực sự được gửi tới đầu ra .
Nó còn được gọi là CAS Latency hoặc đơn giản
là CL. Con số này được viết theo đơn vị chu kỳ
xung nhịp. Ví dụ một bộ nhớ có CL3 tức là
mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi 3 chu kỳ xung
nhịp từ lúc truy vấn cho đến khi dữ liệu được
gửi. Với một bộ nhớ CL5, mạch điều khiển bộ
nhớ phải đợi 5 chu kỳ xung nhịp . Vì thế cần sử
dụng những Module có CL thấp nhất có thể.

Hình 2: Latency.

Bộ nhớ DDR3 có nhiều chu kì xung nhịp trễ lớn

hơn bộ nhớ DDR2, và DDR2 lại có nhiều chu kì
xung nhịp trễ cao hơn DDR. Bộ nhớ DDR2 và
DDR3 còn có thêm một chỉ số nữa gọi là AL
(Thời gian trễ bổ sung – Additional Latency )
hoặc đơn giản là A. Với bộ nhớ DDR2 và
DDR3, tổng thời gian trễ sẽ là CL+AL. gần như
toàn bộ các bộ nhớ DDR2 và DDR3 đều có AL
0, tức là không có thêm thời gian trễ bổ sung
nào cả. Dưới đây là bảng tổng hợp giá trị CL
phổ biến nhất.

• Như vậy bộ nhớ DDR3
cần hoãn nhiều chu kỳ
xung nhịp hơn so với
DDR2 mới có thể
chuyển được dữ liệu,
nhưng điều này không
hẳn đồng nghĩa với
thời gian đợi lâu hơn
(nó chỉ đúng khi so
sánh các bộ nhớ cùng
tốc độ xung nhịp).

Ví dụ, một bộ nhớ DDR2 800 CL5 sẽ hoãn ít thời gian
hơn (nhanh hơn) khi chuyển dữ liệu so với bộ nhớ
DDR3 800 CL7. Tuy nhiên, do cả hai đều là bộ nhớ
“800 MHz” nên đều có cùng tốc độ truyền tải lớn nhất
trên lý thuyết (6,400 MB/s). Ngoài ra cũng cần nhớ
rằng bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện năng hơn so với
bộ nhớ DDR2.

Khi so sánh các module có tốc độ xung nhịp khác
nhau, bạn cần phải tính toán một chút. nên nhớ chúng
ta đang nói đến “chu kỳ xung nhịp.” Khi xung nhịp cao
hơn, chu kỳ từng xung nhịp cũng ngắn hơn.

Ví dụ với bộ nhớ DDR2 800, mỗi chu kỳ xung nhịp kéo
dài 2.5 nano giây, chu kỳ = 1/tần số ( nhớ rằng bạn
cần sử dụng xung nhịp thực chứ không phải xung nhịp
DDR trong công thức này; để đơn giản hơn chúng tôi
đã tổng hợp một bảng tham khảo dưới đây). Vì thế một
bộ nhớ DDR2 800 có CL 5 thì thời gian chờ ban đầu
này sẽ tương đương 12.5 ns (2.5 ns x 5). Tiếp đến hãy
giả sử một bộ nhớ DDR3 1333 với CL 7. Với bộ nhớ
này mỗi chu kỳ xung nhịp sẽ kéo dài 1.5 ns , vì thế
tổng thời gian trễ sẽ là 10.5 ns (1.5 ns x 7). Vì vậy mặc
dù thời gian trễ của bộ nhớ DDR3 có vẻ cao hơn (7 so
với 5), thời gian chờ thực tế lại thấp hơn. Vì thế đừng
nghĩ rằng DDR3 có thời gian trễ tệ hơn DDR2 bởi nó
còn tùy thuộc vào tốc độ xung nhịp.

Thường thì nhà sản xuất
sẽ công bố Timings bộ
nhớ theo dạng một dãy
số được phân chia bởi
dấu gạch ngang (như 5
5 5 5, 7 10 10 10…).
Thời gian trễ CAS
thường là số đầu tiên
trong chuỗi. Hình 3 và 4
dưới đây là một ví dụ.

Hình 3: DDR2 1066 có CL 5.

Hình 4: DDR3 1066 có CL7.

4. Prefetch – Lấy trước dữ liệu
Bộ nhớ động chứa dữ liệu bên trong một mảng gồm
nhiều tụ điện nhỏ. Bộ nhớ DDR truyền được 2 bit dữ
liệu với mỗi chu kỳ từ mảng bộ nhớ tới bộ đệm I/O bên
trong bộ nhớ . Quy trình này gọi là Prefetch 2 bit.
Trong DDR2, đường dữ liệu bên trong này được tăng
lên tới 4 bit và trong DDR3 là 8 bit. Đây chính là bí
quyết giúp DDR3 hoạt động được ở tốc độ xung nhịp
cao hơn DDR2, và DDR2 cao hơn DDR.
Xung nhịp mà chúng ta đang nói đến là tốc độ xung
nhịp ở “thế giới bên ngoài,” có nghĩa là trên giao diện I/
O từ bộ nhớ, nơi mà bộ nhớ và mạch điều khiển bộ
nhớ liên lạc với nhau. Tuy nhiên bên trong thì bộ nhớ
làm việc hơi khác một chút.

Với DDR3 cũng vậy: đường dữ liệu được tăng gấp đôi
lên 4 bit, vì thế
nó có thể chạy ở tốc độ xung nhịp bằng một nửa so với
DDR2, hoặc chỉ bằng ¼ tốc độ xung nhịp của DDR,
và cũng đạt tốc độ như vậy (50 MHz x 8 = 400 MHz).
Việc nhân đôi đường dữ liệu bên trong sau từng thế hệ
đồng nghĩa với việc mỗi thế hệ bộ nhớ mới có thể có
chip với tốc độ xung nhịp tối đa gấp đôi so với thế hệ
trước đo. Ví dụ 3 bộ nhớ DDR 400, DDR2 800 và
DDR3 1600 đều có cùng tốc độ xung nhịp bên trong

bằng nhau (200 MHz).

Để hiểu rõ hơn điều này hãy so sánh một chip
bộ nhớ DDR 400, chip bộ nhớ DDR2 400 và
Chip bộ nhớ DDR3 400 . 3 chip này bên ngoài
hoạt động ở tốc độ 200 MHz, truyền 2 bit dữ
liệu mỗi chu ky, đạt tốc độ ngoài như thể đang
hoạt động ở 400 MHz. Tuy nhiên bên trong,
chip DDR truyền được 2 bit từ mảng bộ nhớ đến
bộ nhớ đệm I/O, vì thế để khớp với tốc độ giao
diện I/O, đường dữ liệu này phải hoạt động ở
200 MHz (200 MHz x 2 = 400 MHz). Do trong
DDR2 đường dữ liệu này được tăng từ 2 lên 4
bit nên nó có thể chạy ở tốc độ bằng một nửa
tốc độ xung nhịp nhằm đạt tốc độ y hệt (100
MHz x 4 = 400 MHz).