Báo cáo nghiên cứu khoa học: " HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH CHỮ NHẬT" pot

TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ, ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG - SỐ 5(40).2010

91
HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BỞI ĐIỆN TỬ
GIAM CẦM TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH CHỮ NHẬT
NONLINEAR ABSORPTION OF A STRONG ELECTROMAGNETIC WAVE BY
CONFINED ELECTRONS IN A RECTANGULAR QUANTUM WIRE

Nguyễn Văn Hiếu
Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng

TÓM TẮT
Biểu thức giải tích cho hệ số hấp thụ phi tuyến của sóng điện từ mạnh bởi điện tử giam
cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn được tính toán bởi phương trình
động lượng tử cho điện tử trong trường hợp: Tán xạ điện tử-phonon âm. Sự phụ thuộc của hệ
số hấ
p thụ phi tuyến vào cường độ và tần số của sóng điện từ ngoài, nhiệt độ của hệ và chiều
dài của dây lượng tử đạt được. Biểu thức giải tích được tính toán số, vẽ và bàn luận cho dây
lượng tử hình chữ nhật GaAs/GaAsAl. Kết quả tính toán chỉ ra rằng hệ số hấp thụ phi tuyến
trong dây lượng tử lớn hơn so với bán dẫn khối thông thường và hố
lượng tử. Tất cả các kết
quả được so sánh với những kết quả trong bán dẫn khối thông thường và hố lượng tử để chỉ ra
sự khác biệt.
ABSTRACT
Analytic expressions for the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic
wave by confined electrons in rectangular quantum wires with infinite potential are calculated by
using the quantum kinetic equation for electrons in the case: electron-acoustic phonon
scattering. The dependence of the nonlinear absorption coefficient on the intensity and
frequency of the external strong electromagnetic wave, the temperature of the system and size
L of wires are obtained. The analytic expressions are numerically calculated, plotted and
discussed for GaAs/GaAsAl rectangular quantum wires. The computations show that the

nonlinear absorption coefficient in quantum wire is greater than in normal bulk and quantum
well. All the results are compared with those of the normal bulk semiconductors and quantum
well to show the difference.

1. Mở đầu
Chúng ta biết rằng trong hệ một chiều, chuyển động của điện tử bị giới hạn hai
chiều, vì vậy chúng chỉ chuyển động tự do theo một chiều. Sự giam giữ của điện tử
trong những hệ này làm thay đổi đáng kể độ linh động của điện tử. Điều này dẫn đến
xuất hiện nhiề
u hiện tượng mới lạ liên quan đến việc giảm số chiều của hệ. Các hiệu
ứng này rất khác so với các hiệu ứng trong bán dẫn khối thông thường, ví dụ, tương tác
điện tử-phonon, tốc độ tán xạ [1, 2] và độ dẫn điện một chiều [3, 4]. Bài toán về tính
chất quang trong bán dẫn khối cũng như trong hệ thấp chiều được khảo sát [5-10]. Tuy
nhiên, trong các bài báo này chỉ mới xem xét hấp thụ tuyến tính của sóng điện từ, như
trong bán dẫn khối thông thường [5], trong hệ hai chiều [6, 7] và trong dây lượng tử [8],
bài toán hấp thụ phi tuyến cũng được xem xét trong bán dẫn khối [9] và trong hố lượng
TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ, ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG - SỐ 5(40).2010

92
tử [10]. Tuy nhiên, bài toán hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh trong dây lượng tử
chưa được đề cập đến, vì vậy bài toán về sự hấp thụ phi tuyến vẫn mở ra cho một hướng
nghiên cứu mới. Trong bài báo này, chúng tôi sử dụng phương trình động lượng tử cho
điện tử để nghiên cứu lý thuyết hấp thụ phi tuyến sóng điện từ bởi điện tử giam cầm
trong dây lượng tử hình chữ nhật. Bài toán này được xem xét cho trường hợp: tán xạ
điện tử-phonon âm. Tính toán số được xem xét cho dây lượng tử GaAs/GaAsAl.
2. Hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ trong dây lượng tử hình chữ nhật
Trong mô hình của chúng tôi, chúng tôi xem xét dây GaAs với tiết diện ngang
(
yx
LL × ) và chiều dài

z
L được bao bởi GaAlAs. Các hạt tải ( khí điện tử) được giả thiết
giam giữ bởi thế vô hạn trong mặt phẳng (x,y) và điện tử chuyển động tự do theo
phương z trong hệ tọa độ (x,y,z). Trường sóng điện từ được truyền dọc theo chiều ox.
Trong trường hợp này hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử có dạng [11]

)sin()sin(
2
,,
.
yx
zyx
zip
L
yl
L
xn
LLL
e
pln
z
ππ
=
r
, (1.1)


⎟
⎟
⎠

⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
++=
2
2
2
222
,
22
)(
yx
z
ln
L
l
L
n
mm
p
p
π
ε
r
, (1.2)
ở đây
n và l ( )3,2,1, =ln biểu thị sự lượng hóa của phổ năng lượng theo chiều
x và y,

),0,0(
z
pp =
r
là vector sóng của điện tử dọc theo trục của dây z, m là khối lượng
hiệu dụng của điện tử (trong bài báo này chúng tôi chọn
1
=
h ).
Hamiltonian của hệ điện tử-phonon trong dây lượng tử hình chữ nhật khi có mặt
của trường laser
tEtE Ω= sin)(
0
rr
có thể viết như sau
∑∑∑
+
−
+
+
++
+++−=
plnqqplnln
qqplnqplnlnlnqqqqplnplnln
bbaaqICbbaatA
c
e
ptH
rrrr
rrrrrrrrrrr

r
r
r
,,,,',',,
,',',,',',,,,,,,
)()())(()(
ωε
,

ở đây e là điện tích của điện tử, c là vận tốc ánh sáng trong chân không,
)cos()(
0
tE
c
tA Ω
Ω
=
r
r
là thế vector,
0
E
r
và
Ω
là cường độ và tần số sóng điện từ,
)(
,,,, plnpln
aa
rr

+
tương ứng là toán tử sinh (hủy) của điện tử,
+
q
b
r
(
q
b
r
) tương ứng là toán tử
sinh hủy của phonon ở trạng thái có vector sóng
q
r
,
q
C
r
là hệ số tương tác điện tử -
phonon. )(
',',,
r
qI
lnln
thừa số dạng của điện tử có dạng như [12]
TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ, ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG - SỐ 5(40).2010

93

[]

[]
2
222422224
'24
2
222422224
'24
',',,
)'()'()(2)(
))cos()1(1()'(32
)'()'()(2)(
))cos()1(1()'(32
)(
llllLqLq
LqllLq
nnnnLqLq
LqnnLq
qI
yyyy
yy
ll
yy
xxxx
xx
nn
xx
lnln
−++−
−−
×

×
−++−
−−
=
+
+
ππ
π
ππ
π
r
. (1.4)

Mật độ dòng hạt tải )(
tj
r
và hệ số hấp thụ phi tuyến của sóng điện từ mạnh
α
có
dạng [9,10,13]

∑
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−=
pln

pln
tntA
c
e
p
m
e
j
r
r
r
r
r
,,
,,
)()( ;
t
tEtj
Ec
Ω=
∞
sin)(
8
0
2
0
r
r
χ
π

α
, (1.5)
với
)(
,,
tn
pln
r
là hàm phân bố của điện tử,
t
X là trung bình thống kê của X tại thời điểm
t,
∞
χ
hằng số điện cao tần.
Để thiết lập biểu thức giải tích cho hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh bởi
điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật, chúng tôi sử dụng phương trình
động tử cho toán tử số hạt điện tử
t
plnplnpln
aatn
rrr
,,,,,,
)(
+
= :

[]
t
plnpln

pln
Haa
t
tn
i ,
)(
,,,,
,,
rr
r
+
=
∂
∂
, (1.6)
Từ phương trình (1.6), sử dụng Hamiltonian trong phương trình (1.3) và thực
hiện các tính toán, chúng tôi đạt được phương trình động lượng tử cho điện tử bị giam
cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật. Sử dụng phương pháp lặp gần đúng được áp
dụng tương tự trong bán dẫn khối và trong hố lượng tử [9,10,13] để giải phương trình
này, chúng tôi đạt được biểu thức cho hàm phân bố điện tử
)(
,,
tn
pln
r
.

⎟
⎟
⎟

⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎜
⎜
⎜
⎝
⎛
+Ω−−−
+−
+
+Ω−+−
−+
+
+Ω−−−
+−
−
+Ω−+−
−+
−
×
×
ΩΩΩ
−=
−
−
−

−
+
+
+
+
∞
−∞=
Ω−
+
∑∑
δωεεδωεε
δωεεδωεε
ik
NnNn
ik
NnNn
ik
NnNn
ik
NnNn
e
m
qEe
J
m
qEe
JICtn
qqplnpln
qplnqqpln
qqplnpln

qplnqqpln
qplnqpln
qqplnqpln
qplnqpln
qqplnqpln
qlnk
ti
kklnlnqpln
rrrr
rrrrr
rrrr
rrrrr
rrrr
rrrrr
rrrr
rrrrr
r
l
l
l
rr
l
r
r
r
r
,,,','
,',',,
,,,','
,',',,

,,,','
,',',,
,,,','
,',',,
,',',
2
0
2
0
2
',',,
2
,,
)1()1(
)1()1(
1
)()()(
,(1.7)
Ở đây
)(
, pnq
nN
rr
là hàm phân bố cân bằng của điện tử và phonon, )(xJ
k
là hàm
Bessel,
δ
là vô cùng bé xuất hiện do giả thiết tương tác đoạn nhiệt của sóng điện từ.
Chúng ta thay biểu thức của )(

,,
tn
pln
r
vào trong biểu thức mật độ dòng và thay biểu thức
mật độ dòng vào trong biểu thức hệ hấp thụ sóng điện từ trong phương trình (1.5). Sử
dụng tính chất hàm Bessel và tính toán giải tích, chúng tôi đạt được biểu thức hệ số hấp
thụ phi tuyến sóng điện từ bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật.
TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ, ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG - SỐ 5(40).2010

94

[]
∑∑∑
∞
−∞=
+
∞
−
Ω
=
',',,,
,',',,
2
2
',',,
2
0
2
8

lnlnqpk
qplnplnqqlnln
nnNCI
Ec
rr
rrrrr
χ
π
α


)()(
,,,','
2
0
2
Ω−+−
Ω
×
+
k
m
qeE
kJ
qplnqplnk
rrrr
r
ωεεδ
, (1.8)
)(x

δ
là hàm delta Dirac.
Trong bài toán này chúng tôi chỉ xét cho cơ chế tán xạ điện tử-phonon âm và
chúng tôi cũng xem xét cho trường hợp hấp thụ gần ngưỡng bởi vì trong trường hợp xa
ngưỡng hệ số hấp thụ rất nhỏ. Trong trường hợp này điều kiện
εω
<<−Ω
0
k phải được
thỏa mãn [9]. Chúng tôi giới hạn bài toán trong trường hợp hấp thụ một photon và khí
điện tử không bị suy biến:

)exp(
,,
*
0
Tk
nn
B
pln
r
ε
−= ; với
2/3
0
2/3
0
*
0
)(

)(
TkmV
en
n
B
π
= ,
Ở đây, V thể tích chuẩn hóa,
0
n là mật độ điện tử trong dây lượng tử hình chữ
nhật,
0
m là khối lượng của điện tử tự do,
B
k là hằng số Boltzmann.
Trong bài toán này chúng tôi xét cơ chế tán xạ chủ yếu điện tử-phonon âm.
Hằng số tương tác điện tử-phonon âm có dạng như trong [6-8, 10]
)2/(
2
2
2
VqCC
s
ac
qq
ρυξ
=≡
rr
,
ở đây, V,

ρ
,
s
υ
và
ξ
lần lượt tương ứng là thể tích, mật độ, vận tốc âm và hằng số thế
biến dạng. Thay
q
C
r
vào trong phương trình (1.8) và sử dụng hàm Bessel, hàm phân bố
Fermi-Dirac của điện tử và phổ năng lượng của điện tử trong dây lượng tử hình chữ
nhật, chúng tôi đạt được biểu thức giải tích cho hệ số hấp thụ trong dây lượng tử hình
chữ nhật cho trường hợp tán xạ điện tử-phonon âm.
⎪
⎭
⎪
⎬
⎫
⎪
⎩
⎪
⎨
⎧
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜

⎜
⎝
⎛
+
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
⎭
⎬
⎫
⎩
⎨
⎧
Ω
Ω
=
∑
∞
2
2'
2
22
',',,
2

',',,
32
2/52*
0
2
'
2
1
exp1exp
4
)(2
yxB
lnln
B
lnln
s
B
L
l
L
n
mTkTk
I
Vmc
Tknem
π
ρυχ
ξπ
α

⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
++
Ω
++×
3
4
3

)(44
)(3
1
2
1
2
2
4
22
0
2
Tk
D
Tk
D
Dm
TkEe
Tk
D
BB
B
B
(1.9)
Với
Ω−−+−= ]/)'(/)'[(
2222222
yx
LllLnnD
π
. Từ biểu thức giải tích của hệ số hấp thụ

phi tuyến sóng điện từ mạnh bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật
với hố thế vô hạn, chúng ta có thể nhìn thấy hệ số hấp thụ tỉ lệ với bình phương cường
độ của sóng điện từ, và khi cho
0
E tiến tới không thì kết quả này sẽ quay về kết của
tuyến tính.
TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ, ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG - SỐ 5(40).2010

95
3. Tính toán số và thảo luận kết quả
Để làm rõ kết quả vừa tính toán ở trên, trong phần này chúng tôi thực hiện tính
toán số cho hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh bởi điện tử giam cầm trong dây
lượng tử hình chữ nhật. Hệ số hấp thụ phi tuyến được xem như là hàm của cường độ
0
E , năng lượng sóng điện từ, nhiệt độ T của hệ và các tham số đặc trương cho hệ. Các
tham số được sử dụng cho tính toán số [5-11] là 5378
=
s
υ
ms
-1
, 5.13=
ξ
eV,
32.5=
ρ
gcm
-3
,
9.10=

∞
χ
,
0
066.0 mm = ,
0
m là khối lượng của điện tử tự do,
KJk
B
/103807.1
23−
×= ,
323
0
10
−
= mn , Ce
19
10602196.1
−
×= ,
15
10.2
−
== mqq
yx
,
sJ.1005459.1
34−
×=h .

Hình 1 chỉ sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ sóng điện từ mạnh theo kích thước
của dây lượng tử
L
(
y
L
và
x
L ). Từ hình vẽ chúng ta có thể nhìn thấy rằng hệ số hấp
thụ phụ thuộc mạnh và phi tuyến vào kích thước của dây. Khi
L giảm thì hệ số hấp thụ
phi tuyến sẽ tăng đến một giá trị cực đại tại
x
L và 24~
y
L nm sau đó bắt đầu giảm.
Hình 2 mô tả sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh theo
nhiệt độ của hệ tại các giá trị khác nhau của biên độ trường sóng điện từ ngoài, chúng ta
có thể nhìn thấy rằng hệ số hấp thụ phi tuyến phụ thuộc mạnh và phi tuyến theo nhiệt độ
và nó có cùng giá trị cực đại nhưng
ứng với các nhiệt độ khác nhau. Ví dụ, tại
6
0
106.2 ×=E (V/m) và
6
0
102×=E (V/m), các đỉnh tương ứng với nhiệt độ KT 170~
và 190

K
, kết quả này rất khác so với bán dẫn khối [9] và hố lượng tử [10], nhưng nó
phù hợp với cho trường hợp hấp thụ tuyến tính [8].

Hình 1. Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ
α
theo
x
L và
y
L
Hình 2. Sự phụ thuộc của hệ số hấp
α
thụ
theo nhiệt độ T
TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ, ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG - SỐ 5(40).2010

96

Hình 3 chỉ sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào cường độ sóng điện từ mạnh, hệ
số hấp thụ phụ thuộc mạnh và phi tuyến theo nhiệt độ và cường độ sóng điện từ mạnh.
Giống như trong hố lượng tử hệ số hấp thụ phi tuyến trong dây lượng tử tăng khi cường
độ giảm. Nhưng khác so vớ
i bán dẫn khối thông thường [9] và hố lượng tử [10] đó là
giá trị của nó trong dây lượng tử lớn hơn.
Hình 4 mô tả sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào năng lượng sóng điện từ tại các
giá trị nhiệt độ khác nhau. Có thể nhìn thấy kết quả này rất khác so với bán dẫn khối [9]
và hố lượng tử [10], hệ số hấp thụ phi tuyến trong dây lượng t
ử xuất hiện giá trị cực đại
(đỉnh). Điều này chứng tỏ rằng hệ số hấp thụ thay đổi rất mạnh bởi điện tử giam giữ

trong dây lượng tử hình chữ nhật.

4. Kết luận
Trong bài báo này, chúng tôi đạt được biểu thức giải tích cho hệ số hấp thụ phi
tuyến của sóng điện từ mạnh bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật cho
cơ chế tán xạ điện tử-phonon âm. Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ lên cường độ
0
E , tần
số sóng điện từ
Ω của sóng điện từ ngoài, nhiệt độ T của hệ và kích thước của dây
lượng tử là và rất khác so với kết quả dạt được trong bán dẫn khối [9] và hố lượng tử
[10]. Từ kết quả giải tích khi cho
→
0
E 0 thì kết quả này sẽ quay về kết quả tuyến tính.
Kết quả tính toán số đạt được cho dây lượng tử GaAs/GaAsAl chỉ ra rằng hệ số
hấp thụ phụ thuộc mạnh và phi tuyến theo cường độ
0
E và tần số
Ω
của sóng điện từ,
nhiệt độ T và kích thước của dây lượng tử. Sự phụ thuộc này là khác so với bán dẫn
khối thông thường [9] và trong hệ hai chiều [10]. Hệ số hấp thụ phi tuyến trong dây
lượng tử lớn hơn. Kết qủa này chỉ ra rằng sự giam giữ của điện tử trong dây lượng ảnh
hương lớn đến hệ số hấp thụ sóng đi
ện từ.

Hình 4. Sự phụ thuộc hệ số hấp thụ
α
vào

năng lượng sóng điện từ
Hình 3. Sự phụ thuộc của hệ số hấp
α

thụ vào
0
E
TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ, ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG - SỐ 5(40).2010

97

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1]. N. Mori and T. Ando, Phys. Rev. B, Vol.
40, 6175, (1989).
[2]. J. Pozela and V. Jucience, Sov. Phys. Tech. Semicond., Vol.
29 459, (1987).
[3]. P. Vasilopoulos, M. Charbonneau and V. N. Van Vlier, Phys. Rev. B, Vol.
35,
1334, (1987).
[4]. A. Suzuki, Phys. Rev. B, Vol.
45, 6731, (1992).
[5]. G. M. Shmelev, L. A. Chaikovskii, and N. Q. Bau, Soc. Phys. Tech, Semicond.,
Vol. 12, 1932, (1978).
[6]. N. Q. Bau and T. C. Phong, J. Phys. Soc. Japan, Vol.
67, 3875, (1998).
[7]. N. Q. Bau, N. V. Nhan and T. C. Phong, J. Korean. Phys. Soc., Vol.
41, 149,
(2002).
[8]. N. Q. Bau, L. Dinh and T. C. Phong, J. Korean. Phys. Soc., Vol.

51, 1325, (2007).
[9]. V. V. Pavlovich and E. M. Epshtein, Sov. Phys. Solid State, Vol.
19, 1760 (1977).
[10]. N. Q. Bau and D. M. Hung, J. Korean. Phys. Soc., Vol.
54, 765, (2009).
[11]. T. C. Phong, L. Dinh and N. Bau, J. Korean. Phys. Soc., Vol.
49, 2367, (2006).
[12]. R. Mickevicius and V. Mitin, phys. Rev. B, Vol.
48. 17194, (1993).
[13]. V.l. Malevich and E. M. Eptein, Soc. Quantum eletronic, Vol.
1, 1468, (1974).