ĐỀ TÀI “ĐÁNH GIÁ VỀ CHẤT LƯỢNG DỊCH VỤ TRONG MẠNG CHƯƠNG IV_1 pot

ĐỀ TÀI “ĐÁNH GIÁ VỀ CHẤT
LƯỢNG DỊCH VỤ TRONG MẠNG

CHƯƠNG IV
ĐÁNH GIÁ CHẤT LƯỢNG THOẠI TRONG MẠNG
VoIP BẰNG MÔ HÌNH- E.


4.1 Giới thiệu mô hình E
Mô hình E là một mô hình đánh giá chất lượng truyền dẫn cho điện thoại
cầm tay băng tần hẹp (300Hz đến 3400Hz). Mô hình được hình thành và phát triển
từ những năm 1993-1996 bởi một nhóm nghiên cứu của tổ chức ETSI khi nghiên
cứu về "chất lượng truyền thông thoại từ miệng đến tai qua mạng đối với máy điện
thoại cầm tay, băng tần 3,1kHz". Mô hình E được đưa ra lần đầu tiên trong báo cáo
ETR 250 [1] của ETSI vào năm 1996. Nhóm Study Group 12 (SG12) của ITU-T
đã nghiên cứu và mở rộng mô hình, đến tháng 12/1998 ITU-T phê chuẩn mô hình
E thành khuyến nghị G.107 mang tên: mô hình E, một mô hình tính toán sử dụng
trong việc lập kế hoạch truyền dẫn.
Trước khi xuất hiện mô hình E đã có 4 mô hình tính toán khác nhau để dự
đoán chất lượng truyền dẫn từ các phép đo khách quan. Các mô hình đó là [4]:
 Mô hình "Transmission Rating " xuất phát từ Mỹ và Canada
 Mô hình "CATNAP83" của Bristish Telecom
 Mô hình "Information Index" của Pháp
 Mô hình "OPINE" của nhóm NTT, Nhật Bản
Bốn mô hình này đã được tổng hợp thành cơ chế :"Transmission Quality
Index" . Các mô hình đều mang tính đơn giản hoá và chỉ có một số tham số giới
hạn. Trong đó, suy hao và nhiễu là những yếu tố quan trọng, ngoài ra không chú ý
tới ảnh hưởng của bộ mã hoá tốc độ thấp. Do ra đời trước khi xuất hiện thị trường
viễn thông không theo quy tắc cũ, khi mà các nhà quản trị viễn thông có thể điều
khiển mạng của họ trong từng chi tiết mang tính kĩ thuật lớn, nên các mô hình này
không phù hợp với các mạng hiện đại. Mô hình E được phát triển hoàn thiện hơn.

Cũng sử dụng những thuật toán và khái niệm trong các mô hình trước, song mô
hình E quan tâm nhiều tới trễ, tiếng vọng, quá trình xử lý tín hiệu số thay vì suy
hao và nhiễu như các mô hình trước đây, do đó rất phù hợp với mạng viễn thông
hiện đại.
Mô hình E đánh giá chất lượng truyền dẫn thoại theo tham số truyền dẫn đầu
ra R. Tham số R được tính toán dựa vào tất cả các yếu tố gây suy hao trên đường
truyền. Từ giá trị R có thể dự đoán mức độ hài lòng của người sử dụng dịch vụ
trong mạng hoặc chuyển đổi sang một số giá trị tương đương khác đã được sử
dụng trước đó như MOS, GoB, POW.
Với thuật toán tính toán dựa trên các suy hao trên toàn bộ kết nối, mô hình E
đã đánh giá được một cách toàn diện hiệu năng của mạng, tổng hợp tất cả các yếu
tố có thể ảnh hưởng đến chất lượng thoại mà không chỉ chú ý tới một tham số riêng
lẻ nào. Do đó mô hình E đặc biệt thích hợp cho công việc lập kế hoạch truyền dẫn.
Công việc này được tiến hành bởi các nhà thiết kế mạng để lập ra một mô hình
mạng mới hoặc nâng cấp các mạng cũ. Khi đó mô hình E được sử dụng để dự
đoán mức độ hài lòng của người dùng đối với các dịch vụ do mạng cung cấp trước
khi triển khai dịch vụ đó trên thị trường. Từ đó có thể điều chỉnh thiết bị để cho
chất lượng truyền dẫn tốt nhất.
Cùng với sự ra đời của mô hình E trong khuyến nghị ITU-T G.107 là một
loạt các khuyến nghị khác có liên quan như G.108: hướng dẫn về mô hình E và
việc lập kế hoạch mạng, G.109: Định nghĩa chất lượng truyền dẫn thoại, G.113:
Chi tiết về các tham số truyền dẫn… Việc sử dụng mô hình E là cần thiết để thiết
kế lập kế hoạch mạng. Các phương pháp đánh giá chất lượng truyền dẫn thoại
truyền thống như phương pháp đánh giá chủ quan theo MOS không xét đến ảnh
hưởng của các yếu tố gây suy hao chính trong mạng như trễ, tổn hao gói… Mô
hình E được đánh giá là một công cụ phù hợp nhất trong việc tính toán tham số
truyền dẫn để đánh giá chất lượng truyền dẫn thoại.
Mô hình E ngày càng được sử dụng rộng rãi hơn trên thế giới, đồng thời việc
nghiên cứu và phát triển mô hình vẫn đang được tiến hành. Các phiên bản mới của
nó đã được đưa ra để khắc phục một số nhược điểm như phiên bản vào tháng

5/2000, phiên bản mới nhất vào năm 2001. Hiện nay, mô hình E vẫn đang được
nghiên cứu sâu hơn để có thể áp dụng phổ biến trong mạng.
4.2 Cấu trúc và thuật toán mô hình E
Nguyên tắc cơ bản của mô hình E dựa trên một cấu hình tham khảo về kết
nối điện thoại từ đầu cuối đến đầu cuối (end-to-end), trong đó xuất hiện tất cả các
tham số truyền dẫn ảnh hưởng đến chất lượng thoại thu được.


Hình
4.1
Cấu
hình
tham
khảo
của
mô
hình
E.
C
ấu hình tham khảo của mô hình E như trong hình 4.1, trong đó chia kết nối end-to-
end thành phía gửi và phía nhận bằng một trung tâm ảo gọi là điểm 0dBr. Mô hình
sẽ đánh giá chất lượng thoại thu được tại phía nhận, tức là phía người nghe trong
một cuộc gọi. Đây cũng là phía phải chịu ảnh hưởng của các loại suy hao trong khi
nói như sidetone, nhiễu phòng, tiếng vọng. Cấu hình tham khảo này gồm một mạch
vòng 4 dây để có thể nhận biết được các suy hao do tiếng vọng bộ nói, tiếng vọng
bộ nghe. Tham số của mạch vòng gồm có WEPL, Tr. Các tham số SLR, RLR, và
Nc được xác định tại điểm 0dBr. Nhiễu phòng P và hệ số D được phân biệt ở phía
gửi và phía nhận. Do chất lượng thoại được đánh giá tại phía nhận nên để tính đến
ảnh hưởng của các loại suy hao đến phía nhận, một số tham số liên quan được xem
xét tại phía nhận như STMR, LSTR và TELR. Tất cả các tham số đầu vào khác

được xác định giá trị cho toàn bộ kết nối. Hình 3.7 chỉ rõ các tham số đầu vào này.
Phần dưới đây sẽ giải thích ý nghĩa của từng tham số.
Các thuật ngữ và tham số sử dụng trong mô hình E đã được định nghĩa trong
một số khuyến nghị loại P và loại G có liên quan đến truyền dẫn của ITU-T. Trong
đó [4]:
 OLR (Overall Loudness Rating): Trong việc lập kế hoạch truyền dẫn,
Loudness Rating là một phép đo để xác định suy hao cường độ, hay
còn gọi là suy hao điện-âm (electro-acoustic loss) giữa hai giao diện
nào đó trong mạng (được tính bằng đơn vị dB). Nếu kênh truyền dẫn
chia thành nhiều đoạn thì LR của toàn mạch sẽ bằng tổng các LR
thành phần. Trong mô hình E, OLR là suy hao cường độ giữa miệng
thuê bao nói và tai thuê bao nghe trong kết nối.
 SLR (Send Loudness Rating): Là suy hao cường độ giữa miệng thuê
bao nói và điểm 0dBr.
 RLR (Receive Loudness Rating): Là suy hao cường độ giữa điểm 0dBr
và tai của thuê bao nghe.
 TELR (Talker Echo Loudness Rating): Là suy hao tín hiệu thoại vọng
của người nói đến chính tai họ sau khi bị trễ qua mạng.
 STMR (Talker’s Sidetone, Sidetone Masking Rating): Là suy hao
cường độ tín hiệu từ miệng người nói đến chính tai họ qua đường
sidetone điện.
 LSTR (Listener’s Sidetone Rating): Là suy hao cường độ của nhiễu
phòng đến tại thuê bao thông qua đường sidetone điện.
 Factor (D ): Hệ số D là sự chênh lệch độ nhạy (dB) của microphone
giữa âm thanh thoại và các nguồn nhiễu khác (nhiễu phòng), D =
STMR - LSTR. Trong mô hình hệ số D gồm Ds và Dr: là hệ số cho
phía gửi và phía nhận.
 WEPL (Weighted Echo Pass Loss): Sự chênh lệch tổn hao cường độ
âm lượng giữa tín hiệu âm thanh thoại trực tiếp của người nói và tín
hiệu thoại vọng mà người nghe nhận được.

 qdu (Quantizing Distortion Unit): Là đơn vị nhiễu lượng tử, nhiễu này
sinh ra do quá trình mã hoá và giải mã PCM và ngược lại. Mỗi lần mã
hoá đầy đủ từ tương tự sang số và ngược lại được coi là một qdu.
 Ie (Impairment equipment): Là tham số suy hao thiết bị, tham số đặc
trưng cho suy hao do quá trình xử lý số gây ra, như các bộ mã hoá tốc
độ thấp.
 A (Advantage factor): Là hệ số tích cực
 T (Mean one-way delay): Là trễ một chiều giữa phía nhận và một
điểm trong kết nối mà tại đó xảy ra ghép tín hiệu gây ra tiếng vọng
(như tại bộ hybrid).
 Tr (Round-Trip Delay): Là trễ vòng tròn chỉ xuất hiện trong mạch
vòng 4 dây, tại đó xảy ra sự "phản xạ kép" gây ra các suy hao do tiếng
vọng bộ nói.
 Ta (Absolute delay): Là trễ tuyệt đối, biểu thị tổng trễ một chiều giữa
phía gửi và phía nhận.
 Ps, Pr (Room Noise) : Là nhiễu phòng tại phía gửi và phía nhận.
 Nc (Circuit Noise): Là nhiễu mạch được tính tại điểm 0dBr.
Một số khái niệm khác có liên quan:
+ dBm: Là cường độ, hay mức của tín hiệu điện được tính theo 20lgP (dBm)
với
R
U
P  , trong đó U là giá trị hiệu dụng của điện thế tín hiệu [đơn vị là V], R là
trở kháng đầu cuối [kOhm].
+ dBmp: Là giá trị dBm được tính để phù hợp với đặc tính tai nghe của con
người cũng như độ nhạy thu của handset (được gọi là yếu tố “psophometrically”-
gọi là yếu tố p).
+ dBr, “0 dBr point”(điểm 0dBr): Điểm 0dBr là điểm mà tại đó mức tín
hiệu được coi là chuẩn và có giá trị là 0 dBm. Tại các điểm khác trong mạng, mức
tín hiệu được coi là có giá trị tương đối, tính bằng dBr (chữ r là relative). Trong các

mạng hỗn hợp, điểm 0 dBr được xác định tại giao diện giữa hai mạng. Như vậy,
với SLR và RLR được tính cho điểm 0 dBr thì OLR là tổng của hai giá trị: OLR =
SLR + RLR
+ dBm0, dBm0p: Là mức tín hiệu thực tế có tính đến và không tính đến yếu
tố p khi đi qua điểm 0dBr.
4.2.1 Tính toán giá trị truyền dẫn R
Nguyên tắc cơ bản của mô hình E dựa trên khái niệm được thiết lập hơn 20
năm trước đây của J.Allnatt và đã được sử dụng trong mô hình OPINE của NTT,
đó là [2]:
“Các yếu tố tâm lý trên cán cân tâm lý mang tính cộng ”
Mô hình E là một mở rộng của mô hình "Transmission Rating" của Mỹ và
Canada. Nó cũng đánh giá chất lượng truyền dẫn bằng tham số R, song có sự khác
biệt trong cấu trúc toán học và bao gồm các đặc tính từ nhiều mô hình khác nhau.
Kết quả đầu ra của quá trình tính toán là hệ số đánh giá truyền dẫn R. Đây là
tham số kết hợp ảnh hưởng của tất cả các tham số truyền dẫn liên quan trong kết
nối. Giá trị R được tính theo công thức sau:
AIeIdIsRoR






(4.1)
Trong đó:
 R
0
là tỉ lệ tín hiệu trên nhiễu, nhiễu bao gồm các nguồn nhiễu mạch và
nhiễu phòng.
 Is (synchronous): bao gồm tất cả các suy hao xuất hiện gần như đồng

thời với tín hiệu thoại.
 Id (delay): là suy hao gây ra bởi trễ.
 Ie (equipment): là hệ số suy hao thiết bị, chính là các suy hao do
codec tốc độ thấp gây ra.
 A (advantage): là hệ số tích cực để bù vào các suy hao khác khi có
những tiến bộ của thiết bị truy nhập của người sử dụng.
Các giá trị R
0
, Is, Id trong mô hình E được chia nhỏ thành nhiều giá trị suy
hao khác nhau, được trình bày trong các phần dưới đây:
4.2.2 Tỉ lệ tín hiệu trên nhiễu R
0

Tỉ lệ tín hiệu trên nhiễu R
0
được xác định theo công thức sau:
)(5.115
00
NSLRR 
(4.2)
+ SLR được tính tại điểm 0dBr trên đường truyền dẫn.
+ N
0
[dBmop] thể hiện tổng các nguồn nhiễu khác nhau, được tính theo công
thức sau:









10101010
10101010lg10
NfoNorNosNc
No
(4.3)
Trong đó:
+ Nc

[dBm0p]: là tổng của tất cả các nguồn nhiễu mạch khác nhau được xét
tại điểm 0dBm.
+ Nos [dBm0p]: là nhiễu mạch tương đương ở điểm 0 dBr, gây ra bởi nhiễu
phòng Ps ở phía gửi và được tính toán như sau:

2
)14(004,0100  DsOLRPsDsSLRPsNos
(4.4)
Với: OLR  SLR  RLR.
+ Nor: là nhiễu mạch tương đương ở điểm 0 dBr, gây ra bởi nhiễu phòng Pt
ở phía thu:

2
)35(Pr008.0Pr121  eeRLRNor
(4.5)
Với Pre là nhiễu phòng hiệu dụng gây ra bởi vịêc nâng cấp Pr trong đường
sidetone người nói.









10
)–10(
101lg10
LSTR
PrPre (4.6)
+ Nfo [dBm0p] là nhiễu nền ở phía nhận:
RLRNforNfo



(4.7)
Với Nfor được đặt bằng:  64 dBmp.
4.2.3 Tham số suy hao Is
Tham số Is là tổng tất cả các suy hao xuất hiện gần như đồng thời với quá
trình truyền dẫn tín hiệu thoại như sidetone hoặc nhiễu lượng tử trong quá trình
điều chế xung mã. Tham số này được chia nhỏ thành 3 tham số suy hao theo công
thức:
IqIstIolrIs




(4.8)
Trong đó Iolr thể hiện sự giảm chất lượng do giá trị OLR quá thấp và được

tính theo công thức sau:




























8

–
8
120
8
1
8
XX
Iolr (4.9)
Với
X
OLR
No
RLR




0
2
64
.
(
)
(4.10)
Tham số Ist thể hiện suy hao do sidetone không tối ưu:

Ist
STMRo STMRo
 






























10 1
12

5
46 1
23
36
6
1
6
10
1
10
–
–
(4.11)
Với:









10
4
10
1010lg10
TELR
T
STMR

eSTMRo (4.12)
Tham số Iq thể hiện những suy hao do méo lượng tử gây ra:



Y
Iq 101lg15 
(4.13)
Trong đó
10
46
15
100
G
R
Y
o





(4.14)

2
0602.0258.007.1 QQG  (4.15)
)qdulg(1537


Q

(4.16)
Trong công thức này qdu là số lượng qdu trong toàn bộ kết nối giữa phía gửi
và phía nhận.
4.2.4 Tham số suy hao liên quan đến trễ Id
Hệ số Id thể hiện toàn bộ suy hao do trễ của tín hiệu thoại, như tiếng vọng
người nói, tiếng vọng người nghe hay trễ quá lớn. Id được tạo thành từ 3 tham số là
Idte, Idle, Idd:

Id
Idte
Idle
Idd




(4.17)
Tham số Idte là suy hao do tiếng vọng bộ nói (Talker Echo) gây ra:

 
T
ReRoeReRoe
Idte
–
2
e–11–100
4
)–(
2
–









 (4.18)
Với: )(5.1 RLRNoRoe



(4.19)
)14(5.280Re



TERV
(4.20)

2
3.0
6
150
1
10
1
lg40
T

e
T
T
TELRTERV





(4.21)
Khi T  1 ms, tiếng vọng bộ nói nên được coi như sidetone, tức là Idte  0.
Ngoài ra thuật toán tính toán này cũng xét ảnh hưởng của STMR đến tiếng vọng bộ
nói. Nếu như giá trị STMR thấp thì có thể có một số ảnh hưởng không rõ ràng (bị
che khuất) đến tiếng vọng người nói, còn đối với STMR quá cao thì tiếng vọng bộ
nói có thể đáng chú ý hơn. Các giá trị TERV và Idte được điều chỉnh như sau:
Khi STMR  9 dB: trong phương trình (2.21), TERV được thay bằng TERVs
theo công thức:

2
Ist
TERVTERVs  (4.22)
Khi 9 dB  STMR  15 dB sử dụng các công thức từ (2.18) đến (2.21)
Khi STMR  15 dB, Idte được thay thế bởi Idtes, với:

22
IstIdteIdtes 
(4.23)
Tham số Idle thể hiện các suy hao do tiếng vọng bộ nghe tạo ra, công thức
tính như sau:

169
4
)(
2
2





RleRoRleRo
Idle
(4.24)
Với:
Rle WEPL Tr  105 7 1
25
. ( )( )
–0.
(4.25)
Tham số Idd thể hiện suy hao do trễ tuyệt đối Ta quá dài gây ra, tồn tại ngay
cả khi có điều khiển tiếng vọng hoàn hảo.
Với Ta  100 ms: 0

Idd
Với Ta  100 ms:

 


























 2
3
13125
6
1
6
6
1

6
X
XIdd
(4.26)
Trong đó:
X
Ta







lg
lg
100
2

(4.27)
4.2.5 Tham số suy hao thiết bị Ie
Tham số suy hao thiết bị Ie thể hiện các suy hao truyền dẫn gây ra bởi các
thiết bị đặc biệt như bộ mã hoá tốc độ bit thấp, hay thiết bị ghép kênh số: DCME
(Digital Circuit Multiplication Equipment). Thông thường tham số này được tính
dựa vào chất lượng của các bộ mã hoá tốc độ thấp và không liên quan đến các
tham số đầu vào khác. Chúng phụ thuộc vào kết quả thử nghiệm chủ quan là điểm
số ý kiến bình quân của khách hàng (MOS) cũng như kinh nghiệm mạng lưới. Giá
trị Ie được cho trong phụ lục I khuyến nghị G.113.
4.2.6 Tham số tích cực A (Advantage factor)
Tham số A là một khái niệm hoàn toàn mới và chưa được sử dụng trong các

mô hình tính toán trước đây. Nó có một ý nghĩa đặc biệt không liên quan đến các
tham số truyền dẫn khác. Tham số đã thể hiện ưu điểm của việc truy nhập mà một
hệ thống nào đó có thể có được để truyền thông. Vì khái niệm "chất lượng cao"
liên quan đến sự mong đợi của khách hàng được đáp ứng như thế nào. Do đó, chất
lượng truyền dẫn của toàn bộ kết nối do người dùng nhận biết được còn chịu ảnh
hưởng bởi việc thiết lập kết nối là dễ hay khó. Trong một số hoàn cảnh cụ thể, hệ
thống không dây có ưu điểm hơn so với hệ thống có dây khi cần thiết lập kết nối.
Và các ưu điểm này có thể đền bù được các ảnh hưởng chủ quan của một số sai sót
do truyền dẫn thoại. Ví dụ như các kết nối điện thoại di động hay các kết nối qua
vệ tinh tới các vùng xa mà con người khó có thể tới được, khi đó lắp đặt bằng hệ
thống có dây sẽ là rất khó khăn. Tham số A phản ánh các ưu điểm này và được tính
vào chất lượng thoại toàn tuyến. Các giá trị của tham số A được cho trong khuyến
nghị G.133 như bảng 4.1.
Chú ý : Việc sử dụng tham số A và lựa chọn giá trị của nó trong một ứng
dụng nào đó là do nhà lập kế hoạch quyết định. Tuy nhiên các giá trị trong bảng
4.1 nên được xem xét như là giới hạn trên.

Bảng 4.1: Tham số ưu tiên A.
Hệ thống truyền thông Giá trị cực đại của A
Thông thường (có dây) 0
Di động trong một toà nhà với mạng tế bào 5
Di động trong vùng đ
ịa lý hoặc đang di
chuyển trong một phương tiện giao thông.
10
Truy nhập tới các vị trí khó đạt đến đư
ợc ví
dụ như kết nối vệ tinh.
20

4.2.7 Các giá trị mặc định
Tất cả các giá trị đầu vào sử dụng trong mô hình E đều được lập ở giá trị
mặc định như chỉ ra trong bảng 4.2. Các giá trị mặc định này được khuyến nghị sử
dụng cho những tham số không thay đổi trong quá trình tính toán lập kế hoạch.
Nếu tất cả các tham số đều được đặt ở giá trị mặc định thì kết quả tham số R sẽ rất
cao, xấp xỉ là 94.2.
Bảng 4.2: Các giá trị mặc định và khoảng cho phép của các tham số.
Tham số Viết
tắt
Đơn
vị
Gt
mặc
định
Khoảng
cho phép
Chú ý
Sending Loudness Rating SLR dB +8 0 +18 Chú ý
1
Receiving Loudness Rating RLR dB +2
5 +14
Chú ý
1
Sidetone Masking Rating STM
R
dB 15 10 20 Chú ý
2
Listener Sidetone Rating LST
R
dB 18 13 23 Chú ý

2
D-Value of Telephone, Send
Side
Ds – 3 –3 +3 Chú ý
2
D-Value of Telephone
Receive Side
Dr – 3
3 +3
Chú ý
2
Talker Echo Loudness
Rating
TEL
R
dB 65 5 65
Weighted Echo Path Loss WEP
L
dB 110 5 110
Mean one-way Delay of the
Echo Path
T msec 0 0 500
Round Trip Delay in a 4-wire Tr msec 0 0 1000
Loop

Absolute Delay in echo-free
Connections
Ta msec 0 0 500
Number of Quantization
Distortion Units

qdu – 1 1 14
Equipment Impairment
Factor
Ie – 0 0 40
Circuit Noise referred to 0
dBr-point
Nc dBm0
p
70 80
40

Noise Floor at the Receive
Side
Nfor dBmp
64
– Chú ý
3
Room Noise at the Send Side

Ps dB(A)

35 35 85
Room Noise at the Receive
Side
Pr dB(A)

35 35 85
Expectation Factor A – 0 0 20
Chú ý 1: Giá trị tổng giữa microphone hoặc máy thu và điểm 0 dBr
Chú ý 2: Biểu thức liên hệ : LSTR = STMR + D.

Chú ý 3: Hiện đang được nghiên cứu.

4.3 Kết quả đánh giá chất lượng truyền dẫn theo mô hình E
Tham số đầu ra mô hình E là tham số R. Theo kết quả tính toán, giá trị R
nằm trong dải từ 0 đến 100. Trong đó R = 0 thể hiện chất lượng rất thấp và R =
100 thể hiện chất lượng rất tốt. Dựa vào tham số R, ta có thể đánh giá chất lượng
truyền dẫn thoại. Khuyến nghị ITU-T G.109 [3] đã định nghĩa các loại chất lượng
truyền dẫn thoại ứng với các mức độ hài lòng của người sử dụng (User
satisfaction) theo tham số R như bảng 4.3.
Như vậy, ứng với R từ 50 đến 100 có 5 loại chất lượng thoại, với R nhỏ hơn
50 thì không được khuyến nghị sử dụng trong mạng.
Ngoài ra, giá trị R có thể chuyển đổi sang các thông số đánh giá chất lượng
khác như: GoB (Good or Better: tốt hoặc tốt hơn), PoW (Poor or Worse: Tồi hay
tồi hơn). Công thức chuyển đổi giữa các thông số dựa vào hàm Gauss như sau:





x
t
dtexE
2
2
2
1
)(

(4.28)
%

16
60
100








R
EGoB (4.29)
%
16
45
100








R
EPoW (4.30)
Thông số MOS (Mean Opion Score: điểm số ý kiến bình quân khách hàng)
cũng có thể đạt được từ tham số R theo các công thức sau:
R<0: MOS = 1

0 < R < 100 : MOS = 1+ 0,035R +R(R-60)(100-R).7.10
-6

(4.31)
R > 100 : MOS = 4,5
Bảng 4.3: Định nghĩa các loại chất lượng truyền dẫn thoại.
Giá trị R Loại chất lượng truyền dẫn
thoại
Mức độ hài lòng của người sử
dụng
90 ≤ R  100
Best Rất hài lòng
80 ≤ R < 90 High Hài lòng
70 ≤ R < 80 Medium Một số người không hài lòng
60 ≤ R  70
Low Nhiều người không hài lòng
50 ≤ R  60
Poor Hầu như tất cả không hài lòng
Chú ý: Với giá trị R nhỏ hơn 50 không được khuyến nghị
Hình 4.2 thể hiện hàm số phụ thuộc GoB, PoW vào tham số R. Theo kết quả
trong hình thì khi R tăng GoB tăng rất nhanh, PoW giảm [2].
Hình 4.3 thể hiện hàm số phụ thuộc MOS vào tham số R. Bad, poor, fair,
good, excellent là 5 mức của MOS ứng với các thang điểm từ 1 đến 5.
T1207870-96
POW
GOB
99
98
95
90

80
70
60
50
40
30
20
10
5
2
1
0 20 40 60 80 100 R
%