Nghiên cứu tính chất vật liệu nano ZnO pha tạp Eu3+

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ
NHIÊN
----------

NÔNG NGỌC HỒI

NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT VẬT LIỆU
NANO ZnO PHA TẠP Eu

3+

Chuyên ngành: Vật lí chất rắn
Mã số: 60440104

LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC

NGƯỜI HƯỚNG DẪN: TS. PHẠM NGUYÊN HẢI

HÀ NỘI - 2015


Luận văn Thạc sĩ khoa học

Nông Ngọc Hồi

LỜI MỞ ĐẦU
Khoa học công nghệ nano là một trong những lĩnh vực hiện đại và liên ngành
giữa vật lý, hóa học và sinh học. Các vật liệu cấu trúc nano, có kích thước từ 1nm
đến 100 nm, có vai trò hàng đầu trong các ứng dụng thực tiễn như: công nghiệp linh
kiện điện tử, công nghệ LED, công nghiệp sơn, thuốc, y dược học, công nghệ sinh

học, … Cho đến nay, rất nhiều nghiên cứu về vật liệu nano nói chung và vật liệu
nano phát quang nói riêng đã được triển khai trên thế giới và ở Việt Nam. Ưu điểm
nổi trội của vật liệu phát quang kích thước nano là có độ mịn cao, có cường độ
huỳnh quang mạnh với độ sắc nét lớn. Trong đó, các ion đất hiếm pha tạp trên nền
oxit được nhận được sự chú ý nghiên cứu và ứng dụng trong các lĩnh vực khoa học công nghệ cao, đặc biệt trong lĩnh vực quang học do tính chất phát quang mạnh,
vạch rất hẹp, thời gian sống phát quang dài và rất bền. Đây là đặc trưng rất quan
trọng khác biệt với các vật liệu phát quang khác như chất mầu hữu cơ, các vật liệu
bột phát quang với ion kích hoạt là ion kim loại chuyển tiếp, hay các vật liệu phát
quang bán dẫn.
II

VI

ZnO là một oxit bán dẫn thuộc nhóm A B có những tính chất vật lý quan
trọng: Cấu trúc vùng năng lượng chuyển mức thẳng, độ rộng vùng cấm lớn (cỡ 3,37
eV ở nhiệt độ phòng), exciton tự do có năng lượng liên kết lớn (cỡ 60 meV) nên có
o

xác xuất chuyển mức quang học cao, độ bền và nhiệt độ nóng chảy cao (1950 C),
không độc, giá thành rẻ và thân thiện môi trường. Do đó, ZnO đã được quan tâm
nghiên cứu từ rất sớm và có nhiều ứng dụng. Đặc biệt khi được pha tạp kim loại
chuyển tiếp như Mn, Co, Fe… hay các kim loại đất hiếm, do tương tác trao đổi giữa
2+

các hạt tải điện tự do với các ion kim loai chuyển tiếp/đất hiếm thay thế Zn , ngoài
các tính chất của chất bán dẫn, ZnO còn có tính chất từ và được gọi là vật liệu bán
dẫn từ pha loãng. Gần đây, các nghiên cứu về vật liệu ZnO, đặc biệt là vật liệu ZnO
có cấu trúc nano được nghiên cứu một cách rộng rãi, vì nhiều tính chất và khả năng
ứng dụng mới trong các lĩnh vực quang điện tử, hóa học, sinh học, đã chế tạo được
các hiệu ứng phát laser và các vật liệu cho linh kiện quang điện tử. Các linh ki ện

2


phát quang naỳ có chuy ển mức phát quang xảy ra với xác suất lớn, do đó hiệu suất
lượng tử phát quang có thể đạt gần 100%, điện trở suất hay tính chất phát quang có
thể thay đổi tuỳ vào tạp chất được pha vào ZnO. Do vậy các tính chất quang của vật
liệu nano ZnO vẫn tiếp tục thu hút sự tập trung nghiên cứu của các nhà khoa học
trên thế giới nhằm tìm ra các tính chất mới.
Quá trình phát quang của các vật liệu chứa ion đất hiếm là sự chuyển dời nội
tại của lớp điện tử 4f, được che chắn của lớp điện tử bên ngoài nên ít phụ thuộc vào
môi trường và vì vậy tính chất phát quang ổn định. Nhiệt độ tiến hành tổng hợp các
vật liệu nano phát quang này có thể khá thấp, chỉ khoảng từ 60°C cho đến 200°C.
Gần đây, các công bố chế tạo vật liệu phát quang nano trên nền điện môi có khả
năng phát huỳnh quang ngay khi chưa làm sạch sản phẩm phản ứng đã được công
bố với kết quả nghiên cứu thu được các tinh thể kích thước nano pha tạp các ion đất
hiếm với nồng độ cao ngay ở vùng nhiệt độ thấp.
Do có nhiều tính chất và kh ả năng ứng dụng rộng rãi của vật liệu ZnO, bản
3+

luận văn này tập trung nghiên cứu vật liệu ZnO pha tạp ion đất hiếm Eu với đề tài:
3+

“Nghiên cứu tính chất vật liệu nano ZnO pha tạp Eu ”.
Bản luận văn này sẽ trình bày phương pháp sol-gel chế tạo bôṭ tinh thể nano
3+

ZnO và ZnO pha tạp Eu . Các tính chất cấu trúc, tính chất hình thái và tính chất
quang của vật liệu được làm rõ bằng việc sử dụng phép đo nhiễu xạ tia X, kính hiển
vi điện tử quét, đo phổ huỳnh quang, kích thích huỳnh quang và phép đo phổ tán xạ

Raman.
Ngoài phần mở đầu, kết luận, tài liệu tham khảo và phần phụ lục nội dung
luận văn gồm 3 chương:
Chương 1: Tổng quan lý thuyết.
Chương 2: Các phương pháp chế tạo mẫu và nghiên cứu tính chất vật liệu.
Chương 3: Kết quả và thảo luận.

3+

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VẬT LIỆU ZnO PHA TẠP Eu


Luận văn Thạc sĩ khoa học

Nông Ngọc Hồi
II VI

Ôxít kẽm (ZnO) là một oxit bán dẫn thuộc nhóm A B trong bảng tuần hoàn
các nguyên tố hóa học Mendeleev. Tinh thể ZnO không pha tạp là chất điện môi, có
cấu trúc lục giác Wurtzite bền vững ở điều kiện bình thường. Chương này trình bày
3+

các tính chất vật lý quan trọng của tinh thể ZnO, ion Eu , vật liệu ZnO pha tạp
3+

3+

Eu , các phương pháp chế tạo và ứng dụng của vật liệu ZnO pha tạp ion Eu .
1.1. Tinh thể ZnO
1.1.1. Cấu trúc tinh thể ZnO

Cấu trúc tinh thể ZnO tồn tại dưới ba dạng: Cấu trúc dạng lục giác Wurtzite ở
điều kiện thường, cấu trúc dạng lập phương giả Kẽm ở nhiệt độ cao và cấu trúc lập
phương dạng tâm mặt NaCl xuất hiện ở áp suất cao [17].

a, Cấu trúc lập
phương tâm mặt
NaCl.

b, Cấu trúc lập
phương giả
kẽm.

c, Cầu trúc lục
giác Wurtzite.

Hình 1.1 Các cấu trúc tinh thể khác nhau của ZnO [17].
Trong đó, cấu trúc lục giác Wurtzite (Hình 1.1 c) là cấu trúc ổn định và bền
vững nhất ở nhiệt độ phòng và áp suất khí quyển. Mạng tinh thể ZnO ở dạng này
2+

được hình thành trên cơ sở hai phân mạng lục giác xếp chặt của cation Zn và anion
2-

O lồng vào nhau một khoảng cách 3/8 chiều cao (Hình 1.2).


Hình 1.2 Cấu trúc tinh thể ZnO trong một ô cơ sở.
Mỗi ô cơ sở có hai phân tử ZnO, trong đó hai nguyên tử Zn nằm ở vị trí
(0,0,0); (1/3,2/3,1/3) và hai nguyên tử O nằm ở vị trí (0,0,u); (1/3,2/3,1/3+u) với
u~3/8. Mỗi nguyên tử Zn liên kết với 4 nguyên tử O nằm trên 4 đỉnh của một hình

tứ diện gần đều. Khoảng cách từ Zn đến 1 trong 4 nguyên tử bằng u.c, còn ba
3

2

2 1/2

khoảng cách khác bằng [1/3a + c (u – ½) ]

[17].

Tinh thể ZnO dạng lục giác Wurtzite không có tâm đối xứng nên trong tinh
thể tồn tại trục phân cực song song với mặt (001). Khoảng cách giữa các mặt có chỉ
số Miller (hkl) trong hệ lục giác tuân theo công thức (1.1):
4 2
(h
1
dhkl  3
2
l
 hk

2
k ) c 2

(1.1)

a2
Trong đó: h, k, l là các chỉ số mặt Miller và a, c là hằng số mạng Wurtzite.
Hằng số mạngtrong cấu trúc lục giác Wurtzite (JPCDS 36-1451) là a=b=3,249

o

Å và c=5,206 Å. Tinh thể ZnO có điểm nóng chảy ở nhiệt độ rất cao (~1975 C) và
có thể thăng hoa không phân huỷ khi bị đun nóng.


a = 3,249 Å

Hằng số mạng

c = 5,206 Å
Năng lượng vùng cấm

3,37 eV

Khối lượng riêng

5,606 g/cm

Điểm nóng chảy

1975 C

Năng lượng liên kết exciton

60 meV

Khối lượng hiệu dụng điện tử

0.24 m0

Khối lượng hiệu dụng lỗ trống

0.59 m0

Độ linh động electron

Khoảng 200 cm /V.s

3

0

2

Bảng 1.1. Một số thông số vật lý của tinh thể ZnO ở 300K [20].
Cấu trúc tinh thể kiểu lập phương giả kẽm (Hình 1.1 b) là một trạng thái cấu
trúc giả bền của ZnO xuất hiện ở nhiệt độ cao, dạng tinh thể ZnO được hình thành
2+

2-

trên cơ sở mạng lập phương tâm mặt của cation Zn trong đó anion O nằm ở 4 vị
trí của tứ diện tại các tọa độ (1/4, 1/4. 1/4), (3/4. 3/4. 1/4). (3/4. 1/4. 3/4). (1/4. 3/4.
3/4) [17].Cấu trúc mạng kiểu NaCl (Hình 1.1 a) xuất hiện ở áp suất thủy tĩnh cao
khoảng 9.7 GPa.
1.1.2. Cấu trúc vùng năng lượng của tinh thể ZnO
Tinh thể ZnO có cấu trúc năng lượng là vùng cấm thẳng, cực đại vùng hóa trị
và cực tiểu vùng dẫn cùng nằm tại tâm vùng Brillouin k = 0 (Hình 1.3).
Vùng Brillouin của mạng tinh thể ZnO lục giác Wurzite có hình khối bát

diện. Bằng phương pháp nhiễu loạn có thể tính được vùng năng lượng của mạng lục
giác từ vùng năng lượng của mạng lập phương. Sơ đồ vùng dẫn và vùng hoá trị của
II

VI

hợp chất nhóm A B với mạng tinh thể lục giác (Hình 1.4). Trạng thái 2s, 2p và
mức suy biến bội ba trong trạng thái 3d của Zn tạo nên vùng hóa trị. Trạng thái 4s
và suy biến bội hai của trạng thái 3d trong Zn tạo nên vùng dẫn. Từ cấu hình điện tử


2+

và sự phân bố điện tử trong các quỹ đạo, Zn và Zn không có từ tính bởi vì các quỹ
đạo đều được lấp đầy các điện tử, dẫn đến mômen từ của các điện tử bằng không.
Năng lượng liên kết Exciton của ZnO khá lớn (cỡ 60 meV) nên nó có thể tồn tại ở
nhiệt độ phòng.

Hình 1.3 Vùng Brillouin mạng
tinh thể ZnO [2].

Hình 1.4 Sơ đồ cấu trúc vùng năng
lượng của ZnO [2].

1.1.3. Tính chất quang của vật liệu
ZnO
Tính chất quang của vật liệu ZnO được xác định thông qua các phép đo huỳnh
quang, kích thích huỳnh quang và phép đo tán xạ Raman. Ở nhiệt độ phòng, phổ
huỳnh quang của của vật liệu ZnO điển hình bao gồm hai đỉnh phát xạ: Một đỉnh
trong vùng tử ngoại và một đỉnh trong vùng nhìn thấy. Đỉnh phát xạ trong vùng nhìn

thấy có thể xuất hiện ở vùng xanh, da cam hoặc đỏ.
Vùng tử ngoại: ZnO phát xạ rất mạnh ở vùng tử ngoại. Ở nhiệt độ thường ta
có thể quan sát được đỉnh gần bờ hấp thụ 380 nm ứng với các tái hợp thông qua
exciton (do năng lượng liên kết exciton của ZnO lớn, lên tới 60 meV). Ngoài ra trên
một số vật liệu ZnO có thể xuất hiện đỉnh phổ tái hợp trong vùng này. Đặc điểm của
dải phổ này là một dải phổ rộng, không đối xứng, chân sóng kéo dài và khi tăng
cường độ kích thích thì đỉnh phổ sẽ dịch chuyển về phía bước sóng dài [2].
Vùng xanh: Đỉnh phổ huỳnh quang tại ~500 nm nằm trong dải này xuất hiện
là do sự chuyển mức của điện tử xuống donor. Đây chính là tâm sai hỏng của mạng


Luận văn Thạc sĩ khoa học

Nông Ngọc Hồi

tạo ra bởi nút khuyết Oxy hoặc do sự thay thế nguyên tử Zn bằng các nguyên tố tạp
chất trong mạng tinh thể ZnO [2].
Vùng vàng cam: Bản chất của dải phổ lân cận 620 nm này là do trong mạng
tinh thể ZnO tồn tại các nút khuyết tại vị trí của Zn hay các ion O ở vị trí điền kẽ,
tạo thành cặp donor-acceptor. Nếu trong ZnO tồn tại tạp chất là các kim loại kiềm
(Li, Na) thì dải sẽ tách ra thành vùng vàng và cam [2].
3+

1.2. Ion đất hiếm và ion Eu

Các nguyên tố đất hiếm (RE) bao gồm các nguyên tố hóa học thuộc họ
Lanthan và Actini trong bản tuần hoàn các nguyên tố hóa học, có cấu hình dạng:
2

2

6

2

6

10

2

6

10

2

6

n

m

2

1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 5s 5p 4f 5d 6s và được đặc trưng bởi lớp điện tử
chưa được lấp đầy 4f. Quỹ đạo 4f của các ion RE được che chắn bởi các quỹ đạo đã
2

6

được lấp đầy bên ngoài là 5s và 5p , do đó ảnh hưởng của trường tinh thể mạng chủ
n

lên các dịch chuyển quang trong cấu hình 4f là nhỏ.
Trong các oxit kim loại đất hiếm RE2O3, các dịch chuyển hấp thụ bị cấm rất
mạnh theo quy tắc chọn lọc chẵn-lẻ. Do đó, các oxit kim loại đất hiếm thường
không màu. Khi ở trong trường tinh thể, do ảnh hưởng yếu của trường tinh thể mà
đặc biệt là các thành phần lẻ của trường tinh thể, các thành phần này xuất hiện khi
các ion RE chiếm các vị trí không có tính đối xứng đảo. Các thành phần lẻ này trộn
một phần nhỏ các hàm sóng có tính chẵn-lẻ ngược lại với các hàm sóng 4f. Các quy
tắc chọn lọc chẵn-lẻ được nới rộng trong nội cấu hình 4f, dẫn đến có thể thực hiện
một vài dịch chuyển quang [4].
Hình 1.6 trình bày giản đồ cấu trúc mức năng lượng của các ion đất hiếm hóa
3+

trị 3 RE (giản đồ Dieke). Các mức năng lượng điện tử 4f là đặc điểm tiêu biểu của
các ion đất hiếm. Do đó các điện tử lớp 4f chưa lấp đầy nằm sâu bên trong so với
các lớp 5s, 5p, 5d và 6s đã được lấp đầy và được các lớp này che chắn nên điện tử
lớp 4f của các nguyên tố đất hiếm tương tác rất yếu với mạng tinh thể nhưng chúng
tương tác với nhau khá mạnh. Mặc dù các nguyên tố đất hiếm nằm tại các nút mạng
tinh thể nhưng chúng vẫn có các mức năng lượng xác định đặc trưng cho riêng


mình. Các mức năng lượng này ít chịu ảnh hưởng của trường tinh thể, khi có sự
chuyển dời của các điện tử giữa các mức năng lượng của lớp 4f sẽ tao ra bức xạ nội
nguyên tử.
Trong vùng năng lượng của các mức 4f có hai chuyển dời hấp thụ quang học:
n

n-1 -1

Chuyển dời điện tích: 4f →4f L , trong đó L là trường ligan (ligan là số anion bao
n

n-1

quanh tạp), chuyển dời: 4f →4f 5d.
Các ion Eu là nguyên tố đất hiếm thuộc họ Lanthanide khi được cấy trong
2+

mạng nền rắn, có số hiệu nguyên tử Z=63, tồn tại ở hai trạng thái hóa trị Eu
7

2

6

3+

6

2

6

(4f 5s 5p ) và Eu (4f 5s 5p ). Nguyên nhân của các chuyển dời quang học ở ion
3+

Eu do các điện tử lớp 4f chưa lấp đầy được che chắn bởi các lớp điện tử bên ngoài

3+

là 5s và 5p. Khi Eu được kích thích lên mức năng lượng cao, nó nhanh chóng phát
xạ năng lượng trong vùng khả kiến về mức năng lượng thấp hơn với các dịch
5

7

6

5

chuyển D0 → Fj (j = 0, 1, 2, 3, ...) của cấu hình 4f . Mức D0 là mức đơn (j = 0, 2j
+ 1 = 1). Trường tinh thể địa phương ảnh hưởng tuy yếu nhưng cũng có thể tạo ra sự
5

7

tách các mức năng lượng của trạng thái 7Fj cho các dịch chuyển phát xạ D0 → Fj.
Ion Eu

3+

phát xạ huỳnh quang chủ yếu trong vùng ánh sáng đỏ, có các chuyển dời
5

7

bức xạ mạnh nhất từ mức D0 → F2 trong lớp 4f ở bước sóng khoảng 610 - 620 nm.
Vạch này có ứng dụng quan trọng trong chiếu sáng và hiển thị hình ảnh.

3+

Sự kích thích các ion Eu có thể gián tiếp thông qua mạng chủ hoặc trực tiếp
tới các trạng thái của điện tử 4f. Trong trường hợp kích thích gián tiếp, mạng nền sẽ
truyền


3+

Hình 1.5. Giản đồ năng lượng của các ion RE - Giản đồ Dieke [20].

3+

Hình 1.6. Giản đồ chuyển mức năng lượng của ion Eu

[3].

năng lượng cho tâm phát quang để sau đó các chuyển dời nội bộ 4f sẽ phát huỳnh
quang ở vùng phổ mong muốn. Thông thường, quá trình hấp thụ ánh sáng xảy ra


TÀI LIỆU THAM KHẢO
Tiếng Việt

1. Ngô Xuân Đại, Nguyễn Ngọc Long, Nguyễn Thị Thục Hiền (2006), “Tính chất
quang huỳnh quang của vật liệu ZnO cấu trúc nano”, Những tiến bộ trong
Quang học, Quang tử, Quang phổ và ứng dụng, Nhà xuất bản Khoa học kỹ
thuật, 2007.
2. Nguyễn Văn Hiếu (2012), Chế tạo và nghiên cứu vật liệu ôxít kim loại có kích
thước nanomét sử dụng trong pin mặt trời, Luận văn Thạc sỹ chuyên ngành

vật lý Chất rắn; Trường Đại học khoa học Tự nhiên, ĐHQGHN.
3. Nguyễn Thị Hương (2012), Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của vật liệu
nano ZnO, Luận văn thạc sĩ, chuyên ngành vật lý Chất rắn, Trường Đại học
Khoa học Tự nhiên, ĐHQGHN.
3+

4. Đinh Xuân Lộc (2013), Nghiên cứu chế tạo vật liệu nano YVO4:Eu ;
CePO4:Tb

3+

và khảo sát tính chất của chúng, Luận án tiến sỹ khoa học, Viện

Khoa học vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam.
5. Nguyễn Thị Thảo (2014), Nghiên cứu tính chất màng mỏng ZnO pha tạp nguyên
tố đất hiếm, Luận văn thạc sĩ, Chuyên ngành Vật lý chất rắn, Đại học Khoa
học Tự nhiên, ĐHQGHN.
6. Nguyễn Việt Tuyên (2011), Chế tạo, nghiên cứu tính chất của màng mỏng, vật
liệu cấu trúc nano trên cơ sở oxit kẽm pha tạp và khả năng ứng dụng, Luận án
tiến sĩ, chuyên ngành vật lý Chất rắn, Đại học khoa học Tự nhiên, ĐHQGHN.
Tiếng Anh
7. R. Ayouchi, F. Martin, D. Leinen, J.R. Ramos-Barrado (2003), Growth of pure
ZnO thin films prepared by chemical spray pyrolysis on silicon, Journal of
Crystal Growth 247 (2003) 497–504.
8. S. Bachir, K. Azuma, J. Kossanyi, P. Valat, J.C. Ronfard-Haret (1997),
“Photoluminescence of polycrystalline zinc oxideco-activated withtrivalent
rareearth ions and lithium.Insertion of rare-earth ions into zinc oxide”.
Journal of Luminescence 75, 35-49.

9. Y. Dimitriev, Y. Ivanova, R. Iordanova (2008), History of Sol-gel science and
technology (review), Journal of the University of Chemical Technology and
Metallurgy, 43, 181-192.
10. Sebastian Geburt, Michael Lorke, Andreia L. da Rosa, Thomas Frauenheim,
Robert Roder, Tobias Voss,Uwe Kaiser, Wolfram Heimbrodt and Carsten
Ronning (2014), Intense Intrashell Luminescence of Eu-Doped Single ZnO
Nanowires at Room Temperature by Implantation Created Eu-Oi Complexes,
Nano Letters 14, 2014.
11. T. Hanada (2009), “Basic Properties of ZnO, GaN, and Related Materials” in
“Oxide

and

nitride

semiconductors:

Processing,

Properties,

and

Applications”, Springer, 1-19.
12. Y. Hayashi, H. Narahara, T. Uchida, T. Noguchi, S. Ibuki (1995), “Photoluminescence of Eu-doped ZnO phosphors”, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 18781882.
13. A. Ishizumi, Y. Taguchi, A. Yamamoto, Y. Kanemitsu (2005), “Luminescence
3+

properties of ZnO and Eu -doped ZnO nanorods”, Thin Solid Films 486, 5052.
14. Agnieszka Kołodziejczak-Radzimska and Teofil Jesionowsk (2014), “Zinc

Oxide—From Synthesis to Application: A Review”, Materials 2014, 7, 28332881; doi:10.3390/ma7042833.
15. Vinod Kumar, Vijay Kumar, S. Som, M.M. Duvenhage, O.M. Ntwaeaborwa,
H.C. Swart (2014), “Effect of Eu doping on the photoluminescence properties
of
ZnO
nanophosphors for red emission applications”, Applied Surface Science 308,
419-430.
16. F. J. Manjon, B. Mari, J. Serrano, A. H. Romeno (2005), “Silent Raman modes
in zinx oxide and nitrides”, J. Appl. Phys. 97, 053516-1-053516-4.
17. Hadis Morkoc and Umit Ozgur (2009), Zinc Oxide: Fundamentals, Materials
and Device Technology, WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA,


Weinheim.
18. G. Murugadoss, R. Jayavel, M. Rajesh Kumar (2015), “Structural and optical
properties of highly crystalline Ce, Eu and co-doped ZnO nanorods”,
Superlattices and Microstructures 82, 538–550.
19. Nark-Eon Sung, Seen-Woong Kang, Hyun-Joon Shin, Han-Koo Lee, Ik-Jae
Lee (2013), Cu doping effects on the electronic and optical properties of Cudoped ZnO thin films fabricated by radio frequency sputtering, Thin Solid
Films 547 (2013) 285–288.
20. G. S. Ofelt (1963), "Structure of the f6 configuration with applicatio to RareEarth Ions", J. Chem. Phys. 38, 2171.
21. U. Ozgur, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V.
Avrutin, S.-J. Cho, and H. Morkoc (2005), “A comprehensive review of ZnO
materials and devices”, J. Appl. Phys. 98, 041301-1–041301-103.
22. Y.K. Park, J.I. Han, M.G. Kwak, H. Yang, S.H. Ju (1998), Time-resolved
spectroscopic study of energy transfer in ZnO:EuCl3 phosphors, J. Lumin. 78,
87-90.
23. G.C. Righini and M. Ferrari (2005), “Photoluminescence of rare-earth–doped
glasses”, Rivista del Nuovo Cimento 28 (12), 1-53.
24. Ahmad Umar, Yoon-Bong Hahn (2010), Metal Oxide Nanostructures and Their

Applications, Chapter 4, American Scientific Publishers.
25. Chih-Cheng Yang, Syh-Yuh Cheng, Hsin-Yi Lee, San-Yuan Chen (2005),
“Effects of phase transformation on photoluminescence behavior of ZnO:Eu
prepared in different solvents”, Ceramics International 32, 37-41.
26. L.L.

Yang

(2008),

“Synthesis

and

optical

properties

nanostructures”,Licentiate Thesis, Linkoping University, Sweden.

of

ZnO