Khảo sát một số đặc trưng cơ bản của Laser bán dẫn công suất cao ở chế độ xung ngắn

Khoa học - Công nghệ

KHẢO SÁT MỘT SỐ ĐẶC TRƯNG CƠ BẢN CỦA

LASER BÁN DẪN CÔNG SUẤT CAO Ở CHẾ ĐỘ XUNG NGẮN
Nguyễn Thị Hồng Thoa,
Nguyễn Thanh Đình, Nguyễn Thị Huệ
Trường Đại học Hùng Vương
TĨM TẮT
Laser là một trong hai phát minh lớn của thế kỉ XX, tạo tiền đề để phát triển ngành quang phổ học và là
cơ sở cho rất nhiều ứng dụng thực tiễn. Hiện nay laser bán dẫn cơng suất cao đang được nghiên cứu chế tạo
và ứng dụng phổ biến. Trong nghiên cứu này chúng tơi sử dụng máy phát xung ngắn, dòng lớn để ni laser
và các hệ thiết bị được lắp ráp nhằm nghiên cứu một số tính chất đặc trưng của laser cơng suất cao ở chế độ
xung ngắn phát ra bước sóng 940nm. Kết quả thu được là các đặc tính ảnh hưởng của cơng suất bức xạ của
laser phụ thuộc vào dòng bơm, vào nhiệt độ và đặc điểm phân bố khơng gian trường xa của hai laser trên.
Từ khóa: Laser bán dẫn cơng suất cao, đặc trưng.

1. Mở đầu
Cuối những năm 40 và 60 của thế kỉ XX vật
lí học đã có hai đóng góp to lớn cho cơng nghệ
của thế giới, đó là tranzito và laser. Laser là viết
tắt của cụm từ tiếng Anh “Light Amplication
by Stimulated Emission of Radiation” nghĩa là
khuếch đại ánh sáng bằng bức xạ cảm ứng. Những
năm gần đây laser bán dẫn chiếm ưu thế lớn trong
nhiều ứng dụng so với các loại laser khác do có
nhiều ưu điểm vượt trội như kích thước nhỏ,
dòng bơm thấp, dải sóng ứng dụng rộng, dễ điều
chế, hoạt động từ chế độ xung tần số thấp đến cao
và đến chế độ liên tục.
Đối với những ứng dụng thơng thường của

laser diode bán dẫn trong đời sống hiện nay chỉ
cần cơng suất thấp. Nhưng hàng loạt các ứng
dụng đều cần đến laser bán dẫn cơng suất cao
hơn: trong y tế, sử dụng trong thẩm mỹ; trong mơi
trường để xác định sol khí, lỏng trong khí quyển,
trong nước, trong các hầm lò; trong qn sự dùng
làm nguồn chiếu sáng trong ống nhòm nhìn đêm,
trong thiết bị đo xa, phát hiện mục tiêu ban đêm
hoặc ban ngày với trời nhiều mây mưa [3]…Tại
Việt Nam, theo chúng tơi được biết, cũng đã có
nhiều cơng trình nghiên cứu về một số laser bán
dẫn cơng suất cao sử dụng trong nhiều mục đích
khác nhau. Ví dụ như laser bán dẫn cơng suất cao
phát ra bước sóng 808nm dùng trong châm cứu, trị
liệu các khối u hoặc cắt bỏ khối u trong cơ thể đã
được nhóm tác giả [7] nghiên cứu và nghiệm thu
trong năm 2008. Nhóm tác giả [5] cũng đã khảo
sát ảnh hưởng của nhiệt độ lên laser bán dẫn cơng
10 Đại học Hùng Vương - K
­ hoa học Công nghệ

suất cao phát ra bước sóng 670nm và cho nhiều
kết quả đáng chú ý. Trong cơng trình này chúng
tơi nghiên cứu một số đặc trưng của laser hai laser
bán dẫn cơng suất cao ở chế độ xung ngắn phát ra
bước sóng 808nm và 940nm nhằm tìm ra các đặc
tính quan trọng của laser cũng như các yếu tố ảnh
hưởng đến hoạt động của laser để từ đó có thể đề
xuất các cải tiến nhằm nâng cao hiệu suất sử dụng
của loại thiết bị này.

2. Thực nghiệm
2.1. Laser bán dẫn cơng suất cao sử dụng trong
nghiên cứu
Laser diode bán dẫn cơng suất cao (hay chip
laser diode bán dẫn cơng suất cao) sử dụng trong
nghiên cứu có tên HP 0612 và HP 0412 được chế
tạo trên cơ sở chip laser cấu trúc dị thể vùi được
trình bày trong tài liệu [1][4], chúng có khả năng
phát ra bước sóng 940nm và 808nm. Các chip
laser này được hàn trên đế đồng tản nhiệt.
2.2. Hệ thí nghiệm đo P – I của laser bán dẫn
cơng suất cao.
Hệ thí nghiệm đo cơng suất quang phụ thuộc
dòng bơm ở nhiệt độ phòng (25oC). Máy phát
xung sẽ cấp xung cho laser bán dẫn cơng suất cao
hoạt động. Xung quang laser được chuyển thành
xung quang điện nhờ đầu thu photodiode. Xung
thu được từ đầu thu photodiode sẽ được đưa đến
một kênh của dao động ký để xác định cơng suất
bức xạ của laser.
2.3. Hệ thí nghiệm khảo sát ảnh hưởng của
nhiệt độ lên đặc trưng cơng suất quang của laser
bán dẫn cơng suất cao.


Khoa học - Công nghệ

Hình 1. Đường đặc trưng cơng suất bức
Hình 2. Đường đặc trưng cơng suất bức xạ
xạ của laser HP 0612 vào dòng bơm ở

của laser HP 0412 vào dòng bơm ở 250C ở
250C ở chế độ xung với f = 10kHz
chế độ xung với f = 10kHz
Hình 1. Đường đặc trưng cơng suất bức
Hình 2. Đường đặc trưng cơng suất bức xạ
xạ của laser HP 0612 vào dòng bơm ở
của laser HP 0412 vào dòng bơm ở 250C ở
250C ở chế độ xung với f = 10kHz
chế độ xung với f = 10kHz
Hệ đo đặc trưng P - I phụ Bảng 1. Bảng giá trị dòng ngưỡng phát laser và hệ số dP/dI của các
thuộc vào nhiệt độ của laser
laser diode bán dẫn cơng suất cao HP 0612 và HP 0412 tại 25oC
diode bán dẫn cơng suất cao
HP 0612
HP 0412
khác so với hệ đo đặc
trưng
P - I giá trị dòng ngưỡng phát laser và hệ số dP/dI của các
Bảng
1. Bảng
350
540
I th (mA)
thơng thường là hệ có
thêm
pinbán dẫn cơng
laser
diode
suất cao HP 0612 và HP 0412 tại 25oC
nhiệt điện Peltier để ổn định và

1,26 HP 0412
1,55
dP/dI (mW/mA)
HP 0612
điều khiển nhiệt độ của laser.
(mA)
350
540
I th dòng
2.4. Hệ đo đặc trưng
hai là vùng phát bức xạ laser nên cơng suất quang
thế (I – V) của laserdP/dI
diode(mW/mA)
bán dẫn cơng suất cao1,26tăng rất nhanh và tuyến
1,55 tính. Đây chính là vùng
ở chế độ liên tục (DC)
cơng suất được ứng dụng trong thực tế. Dạng đồ
Đặc trưng I – V là đường biểu diễn sự phụ thị này cũng tương đồng với các kết quả nghiên
thuộc của điện thế đặt trên chuyển tiếp laser vào cứu của các tác giả [6][7].
dòng bơm chạy qua nó. Để cung cấp dòng 1 chiều
Từ kết quả trên ta thấy: Dòng ngưỡng của
cho laser chúng tơi đã sử dụng máy cấp dòng diode bán dẫn cơng suất cao HP 0612 và HP 0412
06DLD103.
có giá trị lớn hơn rất nhiều so với dòng ngưỡng
3. Kết quả và thảo luận
của laser diode bán dẫn thơng thường dùng trong
Trong nghiên cứu này, chúng tơi sử dụng hai thơng tin quang (dòng ngưỡng của laser bán dẫn
laser bán dẫn cơng suất cao phát ra ánh sáng hồng này thường là Ith = 10 ÷ 30 mA).
ngoại được kí hiệu là HP 0612 và HP 0412. Chúng
Để đánh giá chất lượng của laser diode bán dẫn

lần lượt phát ra bước sóng 940nm và 808nm. Các thơng qua đường đặc trưng P – I người ta đưa ra
Hình 3. Đường đặc trưng cơng suất của laser
kết quả khảo sát trên
cả hai
và được
sánh
Hình
4. Đường
đặc trưng
cơng suất của
hệ số
độ độ
dốc dP/dI. Hệ
số độ
dốc dP/dI
tại vùng
diode
bánlaser
dẫn cơng
suấtso
cao
HP 0612
ở chế
laser
diode
bán
dẫn
cơng
suất
với nhau.

xung phụ thuộc nhiệt độ.phát laser lớn thì độ dốc của đường đặc trưng lớn.cao HP 0412
ở chế độ xung phụ thuộc nhiệt độ.
3.1.
thuộc
laser
HìnhSự
3. phụ
Đường
đặc cơng
trưngsuất
cơngbức
suấtxạ
của
laservào Khi đó với dòng bơm tăng chậm nhưng cơng suất
Đường đặc trưng cơng suất của
dòng
bơm
quangHình
tăng 4.
nhanh.
diode
bán dẫn cơng suất cao HP 0612 ở chế độ
laser
diode
cơng suất cao HP 0412
xung
phụsựthuộc
Đường biểu
diễn
phụ nhiệt

thuộcđộ.
của cơng suất
Kết quả giábán
trị Idẫn
th và hệ số dP/dI của 2 laser
ở chế độ xung
phụ thuộc nhiệt độ.
bức xạ vào dòng bơm đối với laser HP 0612 được được chỉ ra ở bảng 1.
chỉ ra trong hình 1 và của laser HP 0412 được chỉ
Xét hai đường đặc trưng P – I của 2 laser
ra trong hình 2. Bằng phương pháp tiếp tuyến diode ta thấy của HP 0612 nhỏ hơn HP 0412
ta xác định được dòng ngưỡng Ith của HP 0612 và hệ số dP/dI của HP 0612 nhỏ hơn HP 0412.
là 350mA, của laser HP 0412 là 540mA. Đồ thị Điều này được giải thích như sau: Sự khác nhau
hình 1 và hình 2 chia thành 2 đường rõ rệt. Phần về ngưỡng phát laser một phần là do cơng nghệ
thứ nhất có cơng suất quang rất nhỏ ứng với dòng chế tạo khơng giống nhau, mặt khác là do thành
bơm nhỏ. Vùng này chính là vùng phát bức xạ phần vật liệu chế tạo, ngồi ra còn do cơng nghệ
huỳnh quang như ở LED. Vùng này có đường đặc hàn gắn chip lên đế tản nhiệt. Laser HP 0612 có
trưng cơng suất quang dạng phi tuyến. Phần thứ dòng ngưỡng thấp hơn nhưng hệ số dP/dI lại nhỏ
Đại học Hùng Vương - ­Khoa học Công nghệ 11


HP 0612

HP 0412

I th (mA)

350

540

dP/dI (mW/mA)

1,26

1,55

Khoa hoùc - Coõng ngheọ

Hỡnh 3. ng c trng cụng sut ca laser
diode bỏn dn cụng sut cao HP 0612 ch
xung ph thuc nhit .

Hỡnh 4. ng c trng cụng sut ca
laser diode bỏn dn cụng sut cao HP 0412
ch xung ph thuc nhit .

Bng 2. Giỏ tr dũng ngng laser v h s dP/dI ca
laser HP 0612 v HP 0412 ti cỏc nhit khỏc nhau
T=15oC
T=25 oC
T=35 oC
c trng
Laser
325
350
369
HP 0612
I th (mA)
505

534
568
HP 0412
1.29
1.26
1.24
HP 0612
dP/dI(mW/mA)
1,60
1,55
1,47
HP 0412

T=45 oC
393
615
1.2
1,42

hn laser HP 0412 do nh hng phn ln ca dũng ngng phỏt laser khi nhit tng l do khi
cụng ngh hn gn, vt liu hn gn v c vt liu nhit tng s lm m rng di nng lng cho
lm tn nhit.
phộp ca ht ti, dn n s cú nhiu in t nhy
T vic kho sỏt cỏc c trng ny cho phộp lờn cỏc mc nng lng cao hn trong khi mc
chỳng ta ỏnh giỏ v ci tin cụng ngh hn gn phỏt laser l nhng mc di gn ỏy vựng dn.
v packing laser bỏn dn cụng sut cao. Cựng mt Vỡ vy cú s tng mt o theo nhit dn
loi tn nhit bng ng, cú th thy rng HP n lm tng dũng dũ qua chuyn tip gõy mt
0412 cú cụng ngh hn gn chip vi tn nhit mỏt ht ti vụ ớch v tng tỏi hp khụng bc x (tỏi
tt hn do ú h s dc ca nú ln hn chng t hp Auger). Vỡ vy dũng ngng tng theo nhit
cụng sut quang tng nhanh hn khi dũng bm . Kt qu ny cng tng ng vi kt qu ca

tng chm. Do vy, tng cụng sut quang thỡ nhúm nghiờn cu [6].
cụng ngh hn gn chip lờn tn nhit úng vai
Khi nhit tng 10C thỡ ngng phỏt ca
trũ rt quan
trng.
laser HP 0612 tng 2,15mA, trong khi ú ngng
Hỡnh
5. c trng I-V ca ca laser
3.2.diode
nh bỏn
hng
ca
nhit

lờn
c
trng
phỏt ca laser HP 0412 tng 4mA. Kt qu ny cho
dn cụng sut cao HP 0612
o
cụng sut bc
thy nh hng ca nhit lờn cụng sut ca
chxlaser.
dũng liờn tc ti 25 C.
Kt qu nghiờn cu nh hng ca nhit lờn laser HP 0412 ln hn so vi HP 0612. iu ny
c trng cụng sut bc x
ca3.laser
HP
0612
nng tn

Bng
Giỏ tr
bỏnv
rngcho
cathy
phõnkh
b trng
xa nhit
ca ca cỏc laser khụng
HP 0412 claser
ch ra
trong
hỡnh
v hỡnh
Cỏc
gingti
nhau.
Nguyờn
nhõn
do cụng
o
C hn chip,
diode
bỏn
dn3cụng
sut4.cao
HP 0612
cỏc dũng
bm
nhit

25ngh
giỏ tr dũng ngng laser v h s dP/dI ca laser vt
liu
hn
gn
v
cu
trỳc

tn
nhit
cho laser.
bỏn rng theo phng song song
bỏn rng theo
diode bỏn dn cụng
sut
cao HP 0612 v laser HP S ph thuc ỏng k vo nhit ca laser bỏn
Dũng
bm
phng vuụng
()
0412 ti cỏc nhit
khỏc
I (A) nhau cng c ch ra dn cụng sut cao //l mt nhc im ln ca nú,
gúc ()
nhthay
1 (bờn
phi)x vo dũng
trong bng 2.
lm

itrỏi)
ỏng knh
cụng2 (bờn
sut bc
So sỏnh vi cụng0,5
thc lý thuyt [2]28,4
v s ph bm. Vỡ2,3
vy iu quan trng1,9
l phi n nh c
thuc dũng ngng vo
lm vic ca laser trong
1 nhit ta thy
28,9kt qu nhit 2,9
2,3 s bin i nhit
phự hp vi lý thuyt.
trng.
1,5 Nguyờn nhõn ca
30,2s tng mụi 3,4
2,5
12 ẹaùi hoùc Huứng Vửụng - K
ư hoa hoùc Coõng ngheọ

Bng 4. Giỏ tr bỏn rng ca phõn b trng xa ca laser diode
bỏn dn cụng sut cao HP 0412 ti cỏc dũng bm nhit 25 oC
bỏn rng theo phng song song
bỏn rng theo


Đặc trưng

T=15 C
Laser
325
HP 0612
I th (mA)
505
HP 0412
HP
Khoa học - Cô
n0612
g nghệ 1.29
dP/dI(mW/mA)
1,60
HP 0412

T=25
35
53
1.2
1,5

3.3. Đặc trưng dòng thế (I –V) trên lớp chuyển
tiếp của laser bán dẫn cơng suất cao
Hình 2 là đường đặc trưng I-V của của laser
diode bán dẫn cơng suất cao HP 0612 ở nhiệt độ
250C. Đặc trưng I-V của bất kỳ laser bán dẫn nào
cũng có dạng như hình 5. Bảng
Từ hình
5 ta
2. Giá

trịthấy
dòngvới
ngưỡng laser và hệ số dP/dI của
dòng kích nhỏ, điện thế tăng
rất
nhanh
và
khi
đạt
laser HP 0612 và HP 0412 tại các nhiệt độ khác nhau
đến mức điện thế
phân
cực
trên chuyển
T=15oC
T=25 oC
T=35 oC
T=45 oC
Đặc trưng thuận đặt
Laser
tiếp p-n của laser (cỡ 1,4 V) thì tốc độ tăng của nó
325
350
369
393
HP 0612
theo dòng giảm Iđi.
Điều đó chứng tỏ điện trở của
th (mA)
505

534
568
615
HP 0412
laser là phi tuyến và nó phụ thuộc vào điện thế
1.29
1.26
1.24
1.2
HP của
0612laser. Khi
phân cực thuận
đặt trên chuyển tiếp
dP/dI(mW/mA)
1,60
1,55
1,47
1,42
HP 0412
điện áp đặt vào laser nhỏ hơn điện
áp phân cực
Hình 5. Đặc trưng I-V của của laser
thuận thì điện trở của laser diode rất lớn, trong
diode
bán dẫn cơng suất cao HP 0612 ở
đoạn này tốc độ tăng điện áp lớn hơn nhiều tốc độ
chế độ dòng liên tục tại 25oC.
tăng của dòng bơm; còn khi điện áp đặt vào laser
lớn hơn điện áp phân cực thuận của laser thì điện
dải tích cực, mỗi dải có Bảng

chiều3.rộng
chiều
Giá 3trịnên
độ bán
rộng của phân
trở giảm còn rất nhỏ, khi đó tốc độ tăng của dòng
rộng của tồn bộ
miền
tích
cực
là
60
.
Trong
khi
đó
laser
diode
bán
dẫn
cơng
suất
cao
HP 0612 tại cá
lớn hơn tốc độ tăng của thế.
để laser phát đơn mode thì chiều
rộng
miền
tích
Độ bán rộ

Độ bán rộng theo
3.4. Phân bố khơng gian trường xa
cực
nhỏ
hơn
10μm
nên
việc
laser
phát
đa
mode
là
Dòng
bơm
Phân bố khơng gian trường xa của laser HP
phương vng
hồn
tồn
dễ
hiểu.
I
(A)
0612 Và HP 0412 theo hai hướng vng góc và
góc ∆ϕ (độ)
Từ kết quả khảo sát của hai laser HP⊥0612 và đỉnh 1 (bê
song song với lớp chuyển tiếp p – n được thể hiện
0,5 rằng hai laser này
28,4đều phát
2,3

HP 0412 ta có thể thấy
lần lượt trong hình 6 và hình 7.
1
28,9
2,9
Hình 6a và hình 7a ta thấy đường biểu diễn đa mode do kích thước miền tích cực lớn hơn
1,5
3,4
có tính định30,2
hướng cao
phân bố trường xa có dạng hàm Gauss tuy nhiên 10µm. Vì các mode ngang
Hình
5.
Đặc
trưng
I-V
của
của
laser
kết quả hình 6b và hình 7b cho phân bố có 2 đỉnh và mất mát do nhiễu xạ ít nhất nên trong kĩ thuật
diode bán dẫn cơng suất cao HP 0612 ở
Giá
độ bán
của phân bố trư
người ta thường tìmBảng
cách4.giữ
lạitrị
mode
nàyrộng
và loại

chứng tỏ laser
đa mode.
Điều
này
o được giải
C.
chếphát
độ dòng
liên tục
tại 25
dẫn cơng suất cao HP 0412 tại các dòn
khác.
thích như sau do laser HP 0612 và HP 0412 có 20 bỏ các mode bậc caobán
Độ bán rộn
Độ bán rộng theo
Bảng 3. Giá trị độ bán rộng của phân bố trường
của
Dòng xa
bơm
phương
o vng
laser diode bán dẫn cơng suất cao HP 0612 tại các dòng bơm
I (A)ở nhiệt độ 25 C
góc ∆ϕ (độ)
đỉnh 1 (bên
Độ bán rộng theo phương song song ⊥
Độ bán rộng theo
Dòng bơm
1
16,8

1,4
phương vng
∆ϕ// (độ)
I (A)
1,5
17,5
1,9
góc ∆ϕ⊥ (độ)
đỉnh 1 (bên trái)
đỉnh 2 (bên phải)
2
17,7
2,2
0,5
28,4
2,3
1,9
1
28,9
2,9
2,3
1,5
30,2
3,4
2,5
Bảng 4. Giá trị độ bán rộng của phân bố trường xa của laser diode
bán dẫn cơng suất cao HP 0412 tại các dòng bơm ở nhiệt độ 25 oC
Độ bán rộng theo phương song song
Độ bán rộng theo
Dòng bơm

phương vng
∆ϕ// (độ)
I (A)
góc ∆ϕ⊥ (độ)
đỉnh 1 (bên trái)
đỉnh 2 (bên phải)
1
16,8
1,4
1,7
1,5
17,5
1,9
1,9
2

17,7

2,2

2,0

Đại học Hùng Vương - ­Khoa học Công nghệ 13


Khoa hoùc - Coõng ngheọ

(a)

(a)

(a)

Gúc ()

(b)

Gúc ()

Hỡnh 6. th phõn b trng xa ca laser bỏn dn cụng sut cao HP 0612 ti cỏc dũng
khỏc nhau nhit 250C. Theo hng vuụng gúc vi chuyn tip p-n (a) v theo hng
song song vi chuyn tip p-n (b).

Gúc ()

(b)

Gúc ()

Hỡnh 6. th phõn b trng xa ca laser bỏn dn cụng sut cao HP 0612 ti cỏc dũng
khỏc nhau nhit 250C. Theo hng vuụng gúc vi chuyn tip p-n (a) v theo hng
song song vi chuyn tip p-n (b).

Gúc

()

(b)

Gúc

()

Hỡnh 7. th phõn b trng xa ca laser diode bỏn dn cụng sut cao HP 0412 ti cỏc dũng
khỏc nhau nhit 250C. Theo hng vuụng gúc vi chuyn tip p-n (a) v theo hng song song
vi chuyn tip p-n (b)

4. Kt lun
u cho kt qu phỏt x a mode. T kt qu o
Gúc ()
(a)
Gúc
()

Kho sỏt s ph thuc cụng sut bc x ca c c(b)
th s to c s cho vic chn lc cỏc mode
laser vo
dũng
bm
nh hng
calaser
cụng
thớch
ng
dng
thctit.cỏc dũng
Hỡnh
7.
th cho
phõnthy

b trng
xa ca
diode
bỏnhp
dnvi
cụng
sut
cao trong
HP 0412
ngh
chnhau
to, hn
gn
chip
tnhng
nhit vuụng
cú nhgúc viTi
liu tham
kho
khỏc
nhit
250v
C.
Theo
chuyn
tip p-n
(a) v theo hng song song
vi chuyn
p-nDavid
(b) Wood. Optoelectronic Semiconductor

hng ln ti cụng sut ca laser. T vic
kho tip[1]
sỏt c trng ny cho phộp chỳng ta ỏnh giỏ v Devices, NewYork 1998.
ci tin cụng ngh hn gn v packing laser bỏn
[2] Paull Kelley and Ivan Kaminow. P (1998).
dn cụng sut cao. Kt qu kho sỏt nh hng Semiconductor Laser II.
ca nhit lờn cụng sut bc x ca laser cho
[3] Saleh B.E.A and Teich M.C (1993).
thy dũng ngng ca laser tng khi nhit Fundamental of photonics (Part II). Wiley,
tng. iu ny cho thy kh nng tn nhit ca NewYork, 1993.
cỏc laser khụng ging nhau. Nguyờn nhõn do cụng
[4] Nguyn Th Khụi, Truyn thụng quang hc.
ngh hn chip, vt liu hn gn v cu trỳc tn Bi ging dnh cho hc viờn cao hc chuyờn ngnh
nhit cho laser. Kho sỏt c trng dũng th (I-V) Vt lớ cht rn K17, trng i hc s phm H
trờn chuyn tip ca laser t ú tỡm hiu cỏc thụng Ni, khúa 2007 2009.
tin n lp chuyn tip. Kt qu kho sỏt phõn b
[5] Nguyn Th Khụi, Tớnh cht quang ca vt
khụng gian trng xa cho thy c hai laser u rn, Bi ging dnh cho hc viờn cao hc chuyờn
cú phõn b trng xa cú dng ging nhau nhng ngnh Vt lớ cht rn K17, trng i hc s
laser HP 0412 cú bc súng nh hn nờn phõn phm H Ni, khúa 2007 2009.
kỡ nh hn laser HP 0612. C hai loi laser ny
[6] Phm Ngc Linh (2009), Nghiờn cu nh
14 ẹaùi hoùc Huứng Vửụng - K
ư hoa hoùc Coõng ngheọ


Khoa học - Công nghệ
hưởng của nhiệt độ lên một số tính chất phát xạ

[7] Nguyễn Cơng Thành (2008), Nghiên cứu

của laser bán dẫn cơng suất cao phát tại bước sóng

chế tạo thiết bị laser bán dẫn cơng suất lớn dùng

670nm. Luận văn chun ngành vật lí kĩ thuật,

trong phẫu thuật và trị liệu. Tuyển tập Hội nghị

Trường Đại học Cơng nghệ, Đại học Quốc gia

Quang học, Quang phổ tồn quốc lần thứ 5, Nha

Hà Nội.

Trang, 9/2008.
SUMMARY
SURVEY SOME CHARACTERISTICS OF HIGH POWER LASER DIODE
IN SHORT PULSE MODE

Nguyen Thi Hong Thoa, Nguyen Thanh Dinh, Nguyen Thi Hue
Hung Vuong University
Laser is a great invention of the twenty century, it is the basis for development of spectroscopy
and applications. Today, high power semiconductor laser is made and common applications. In this
study, we used a short pulse generator and equipments for study characteristic of high power laser
diot in short pulse mode at 940nm and 808nm. We find that effects of radiated power into amperage,
temperature, distribution of the far field.
Keywords: semiconductor Laser, characteristic.

Nghiên cứu xác đònh ...

Vol 323, pp 49 -52

Analytica chimica actac. Vol 555, no 1, pp 57 – 62.
[3]. W.R. Pedreira, J.E.S. Sarkis, C.Rodrigues,
I.A.Tomiyoshi, C.A. da Silva Queiroz (2001),
Determination of trace amounts of rare earth
elements in highly pure praseodymium oxide
by double focusing inductively coupled plasma
mass spectrometry and high – performance liquid
chromatography, Journal of alloys and compounds.

Tiến Đức (2008), Nghiên cứu tối ưu các điều

(Tiếp trang 9)

[3]. Phạm Luận, Nguyễn Ngọc Sơn và Phạm
kiện để giảm thiểu sự hình thành các ion LnO+
và LnOH+ khi xác định lượng vết các ngun tố
đất hiếm trong đất hiếm tinh khiết bằng phương
pháp khối phổ plasma cảm ứng (ICP-MS), Tạp chí
phân tích Hóa, Lý và Sinh học, Tập 13, số 4/2008,
trang 63-68.

SUMMARY
STUDY OF DETERMINATION RARE EARTH ELEMENTS (REEs) AND SOME ADDITIVE
ELEMENTS SIMULTANEOUSLY IN PROTECTIVE COATINGS OF BLACK METAL
SURFACE LAYER BY ICP- MS METHOD

Cao Viet1, Nguyen Van Ri2, Pham Tien Duc2

1
Hung Vuong University
2
Natural Science University, National Universtiy
The optimal conditions was investigated to determination of trace quantities of rare earth elements
(REEs) and some additive elements such as Mn, Ni, Zn by inductively coupled plasma mass spectrometry
(ICP-MS). The influence of mass ion LnO+ of REEs-matrix was studied. Then the suitable conditions
had been found for determination of trace REEs and content of Mn, Ni, Zn in coatings with high
accuracy.
Keywords: Rare earth elements, REEs, ICP-MS, protective coatings, LnO+
Đại học Hùng Vương - ­Khoa học Công nghệ 15