đo lường điện i đo điện áp và dòng điện

ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

CHƯƠNG I: ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN
Một ampe-kế dùng cơ cấu đo tỪ điện có điện trở cơ cấu do Rim =99Q va dong
làm lệch tối đa I„„. = 0,1mA. Điện trở shunt R,= 19. Tính dòng điện tổng cộng
di qua ampe-kế trong các trường hợp:
a) kim lệch tối đa
b)_

0,5D„; (ESD = I„a.„ full scale deviation)

c) 0,25D„

»D

1.1

Hinh B.1.1

Giải:
a) kim lệch tối đa D„:
Điện áp hai đầu cơ cấu đo:

'V„=In.R„=0,1mA.99=99mV.

"

...

TỐ”

Re

=9,9mA

10

Dòng tổng cộng:

I=L+ I= 9,9+0,1=10mA
b) 0,5D„:
m= 0,5. 1mA = 0,05mA
Vin= In-Rm= 0,05mA.99Q = 4,95mV

r= Ym
Rs
T=[,+In=

4.95mV
10

=4.95mA

4.95mA + 0,05mA=5mA

c)0,25mA:

I„= 0,25.0,1mA = 0,025mA
Vin= InRm= 0,025mMA.99Q = 2,475mV

Trang 1


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

L= Vh _ 2475 _ 2 x7sy
Rs

1

1.2 Một cơ cấu đo tỪ điện có I= 100A, điện trở nội khung quay R= 1KQ. Tinh điện
trở shunt mắc vào cơ cấu đo để trở thành một ampe-kế tương ứng với hình 1.1.
a) D„= 100mA = tầm đo 1

b) D„= 1A = tầm đo 2
a) đtầm đo 100mA

Vin= InRm= 100.1 = 100mV
L= 14 In => 1,= I:—-In = 100mA— 100pA = 9,9mA

_ Vm _ 100mV
~ Is

99,9mA

=1,0010

b) Ở tầm đo 1A:

Va= I„R„= 100mV
1= I,— Im = 1A- 100HA= 999,9mA.

"1...

Is

999,9mA

1.3 Một cơ cấu đo từ điện có ba điện trở shunt được mắc theo kiểu shunt ayrton sử

dụng làm ampe-kế. Ba điện trở có trị số R;=0,050, R;=0,45O, R;=4,5O, R„= 1kO,
Im„= 50A, có mạch đo như hình sau, tính các trị số tầm đo của ampe-kế

Hình B.1.3

Giải:

Trang 2


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

Tại độ lệch 0,5 Dm
V,= 1„„„R„= 500A.1kO = 50mV
ye

= =10mA
52

R+R,+R,

T=I,+1n=50pA+10mA = 10,05mA; I=10mA.

Khóa điện ở C:

V,= I,(R„+R;) = S0pA.(1kQ+4,5Q) = 50mV
Vs

I=RI+R2

_=—=
50mV.
_===100mA
0524452

Khéa dién 6 D:

V.= Ia(R„ +R; +R) = 50HA(1kO + 4,5O +0,45Q) =50mV

pas
= 200/050 — 1A T=500A+1A=1,00005A
=5 1A
PHẾ
su

S R1

1.4 Một cơ cấu đo từ điện Imax =100uA,điện trở dây nội (dây quấn) Rm = 1KO được
sử dụng làm vơn kế DC. Tính điện trở tầm đo để vơnkế có Vtd= 100V. Tính điện

áp V hai đầu vơn kế khi kim có độ lệch 0,75Dm; 0,75Dm và 0,25Dm (độ lệch tối
đa Dm)

|

|—

CVAW

Rnwn

Điện trở tầm do

& (a).xe
a

v

Hình B.1.4
Vv

Giải:

V= lu (Rs + Re => R, =T—— R„
Khi V= Vtd=100V => In = Imax =100pA

R=_ 100A

^^...
`”
Trang 3


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

Tại độ lệch 0,75 Dm
In= 0,75.100pA = 75pA
'V= I„(R,+ R„) 75nA(999kO +1kQ)=75V
Tại độ lệch 0,5 Dm
In = 50 ñA
V= 50 pA(999 kQ+1kQ)=50V
Tại độ lệch 0,25 Dm
V= 25pA(999 kQ+1kQ)=25V
1.5 Một cơ cấu đo tỪ điện có I„a.=50 HA; R„ =1700 @ được sử dụng làm vơn kế DC
có tầm đo 10V, 50V, 100V. tính các điện trở tầm đo theo hình sau:

`

Hình B.1.5
Giải

Theo hình a:

HE”

Tgự

=>R,= ch

Tox

R, =

Rm= ay" —1700Q = 198,3kQ

50/A

av —1700Q = 998,3kQ.
50uA

100V
R, =——~-1700
=1,9983MQ
50uA
Theo hinh b:

Trang 4


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

R= Y, Rr, =

Tox

Y,

50uA

1700 =198,3kQ

R„+R.+R, =—>

Im

Ry=— Y, 2 —R, — Rm =- UU” — 1983k ~1700Q =800k©
Imax
50/A

R„+R,+R, +R, =7

=>R, =+ ——ÍR, —R,—R,

V
50/A

~ 100V _ an 0kQ —198,3kQ ~17000 =1MO
1.6 Một vơnkế có tầm đo 5V, được mắc vào mạch, đo điện áp hai đầu điện trở

R2 như hình sau:

a) Tính điện áp Vạ› khi chưa mắc Vơnkế.

b) Tính Vạ; khi mắc vơn kế, có độ nhạy 20kQ/V.

c) Tính Vạa khi mac von kế, có độ nhay 200kQ/V

Hình B.1.6

Giải:
a) Vr khi chưa mắc Vơnkế.

R2
RI+R2

Vạyạ=E———

50kQ
70kO +50kQ

=l2V———————=

b)Với vơn kế có độ nhạy 20k©/V.
R,=5V.20kQ/V=100kQ
RV//R2=100kQ//S0kQ=33,3kQ

'Vqa-

RR,
_=12V— yyy
333k

3”
=387V
R,+R,//R,
70KQ +33,3kQ
Trang 5


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

c)Với vơn kế có độ nhạy 200kQ/V

R,=5V.200kQ/V=1kQ

R//R2=1MQ//50kQ= 47,62kQ
47,62kO
V„y=12V——D———=
e2

70kO + 47,62kQ4,86V

86V.

1.7 Một cơ cấu đo tỪ điện có I;= 100A và điện tr73 cơ cấu đo R„ =1kQ
được sử dụng làm vơnkế AC có V tầm đo = 100V. Mạch chỉnh lưu có
dạng cầu sử dụng diode silicon như hình vẽ, diode c6 Vrain =0,7V

a) tính điện trở nối tiếp R,
b) Tính độ lệch của vơnkế khi điện áp đưa vào vônkế là 75V và 50V (trị hiệu

dụng-RMS).

c)_ Tính độ nhạy của vơn kế. Tín hiệu đo là tín hiệu xoay chiéu dang sin.

Hình B.1.7
Giải:
a)

Tính Rs:

Đây là mạch chỉnh lưu tồn kì nên ta có quan hệ:

Is(tri đỉnh)= Iu/0,637
Vm (tri dinh)= 2V
Cơ cấu đo có:

Trang 6


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

Tạ, =1, =100,A= 1, = OHA — 157A
0,637

tacé:
- 1,414V„ —2V,

cung

1,414V„ —2V,

Rs+Rm

—

Ip

- (1,414.100V) —(2.0,7V) ~—1kO =890,7kQ

157A

b)KhiV = 75V

, = 0/6371, = 0,637 1414V—2V; _ near (1,414 75V) — (2x 0,7V)
+R,

I, = 75UA
KhiV =50V

890,7kQ +1kQ.

1„ =0,873 (,414x50V)—(2x0,7V) =50uA
890,7kQ +1kQ.
c)I,, =157uA = I(RMS) = 0,707 IP = 0,707 X157uA = 111A

= 100 _ 900,9K0.
111A

ĐỘ nhạy= 300,316 = 9,009kQ/V
100V

1.8 Một cơ cấu đo từ điện có I„ = 50nA; R„ = 1700 kết hợp với mạch chỉnh lưu
bán kì như hình sau. Diod silicon D, có giá trị dịng điện thuận I;(đỉnh) tối thiểu
là 100 HA. Khi điện áp đo bằng 20% Vaamào, diode có Vy= 0,7V, vơn kế có Văm.
do = 50V.

a) Tinh R, va Rsa

b) Tính độ nhạy của Vơnkế trong hai trường hợp: có D; và khơng có D;

Hình B.1.8
a)Tính R, và Re;

Giải:
Trang 7


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

Ở đây sử dụng chỉnh lưu bán kì nên ta có:

Ip=Itb/(0,5.0,673): tri đỉnh trong trường hợp chỉnh lưu bán kì

đỉnh)
giá trị:

Cơ cấu đo có Ifs = Itb = 50 pA=> Im= 50 pA/(0,5.0,673) = 157 pA(tri
Khi V= 20% Vid, IF(dinh) c6 gid tri 100 pA. Vậy khi V= Vid, IE(đỉnh) có
100% X100/A = 500,
A
A
Tp = Iq +I = Toy = 1p —Iyy = 500A—157UA= 343 UA
V, =1,R, =157uAx17009 = 266,9mV
2669mV = 7780.
=mV„ =_ SON
I == S006

Ts

B43UA

1 a b414Va —Vn —Ve
ns ae

Rs= 1,414V,, -V,, -Vp

1,

- 1,414x 50V — 266,9mV —0,7V =139,5kO

500//A

b)Tính độ nhạy:

® _ Có D; trong bán kì dương, dịng qua D1 có giá trị đỉnh: I;=500 nA.

Trong bán kì âm, dịng qua vơnkế có giá trị đỉnh:

_1L414Vid _ 141450V _—
HA
Rs
139,5kQ.
I hiéudung = 0,707.500//A = 353,51A(RMR)c
—_ 50V(RMR)
I

%9

353,5UA(RMR)

Đônhay =

®

141,4kQ

=141,4kQ

=2,8kQ/V

Khơng có D;

Trong bán kì dương:lI:iu = 500 HA. Trong bán kì âm: I = 0

Trong chu kì của tín hiệu:
Thiệu dung =0,51 rainy

Với I là dịng điện mạch chính chạy qua Rs trong bán kì dương.

Trang 8


ĐO LƯỜNG ĐIỆN
P
_ 1
hiêudung oT

BÀI TẬP
72
J

0

(1;

T_

sĩ
2 a — T mạ
sin a#)
f=

1= 0,5.500//A= 250//A
R=_ 0

— 250A

— 200ko

Đô
_ nhay = 200G =4kQ/V
50V

1.9 Một ampe kế sử dụng cơ cấu đo từ điện có cầu chỉnh lưu và biến dịng như

hình vẽ. Biết rằng cơ cấu do cé Is = 1mA va Rm = 1700Q. Biết dịng có Nuz =

500; N„„= 4. Diode cóVF(đỉnh) = 0,7V; Rs=20kO. Ampe kế lệch tối đa khi dòng

sO cap Ip = 250mA. Tinh gia tri Rt.

Hinh B.1.9

Chỉnh lưu tồn kì nên ta có:

Giai:

— Ith — mA — 157mA

Toast

= 0637

0/673.

Điện áp Em ở hai đầu cuộn thứ biến dòng(trị đỉnh):

Em = (Rm+Rs) + 2Vp = 1,57mA(20kQ + 1700Q) + 1,4V= 35,5V

=> Es(trj hiéu dung) = (0,707.35,5V) = 25,1V
Dòng làm lệch tối đa cơ cấu đo có trị hiệu dung I:

1= 11,1Itb = 11,1.1mA=11,1mA
Ta có:

Trang 9


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

Tw

= Io

BÀI TẬP

New —2s0mA_^ =2mA

Now

500

=1, +1, = 1, =2mA—11,ImA= 0/89mA; (với I,=lạz.ø.suø›)
L

_ Es

—E,

_

251V

0/89mA

= 28,2kQ

CHUONG II: DO DIEN TRO

2.1 Cho E, = 1,5; Ri= 15kQ;

Rm =1kQ; Ro= 1kO; I„„ = 50nA. Xác định trị số đọc

cUa Rx khi Ty= Imax; Im = % Imax3 Im =3/4 Imax «

Giải:

Tại In =l„„. = 500A; V„ = I„„ x R„ = 50HA x 1kQ = 50mA.

á:I.=mVin _ 50mV
I, SN
kQ
= 504A. Nhu vay dong dién: I, = 100pA.

Do do:

2

E,

vay R, +RUẾT” Nếu R, +R, >> R, //R„ >>500©.,
b

15V
-”—
# 10a =15kO. R, +15kQ= 15kQ; R,== 02.
Khi Ip =1/2 Inax= 25pA; Vm = 25MV > 1 = 25pA.

^
15V
Suy ra I, = 50nA. Vậy R, + Rị # c———~
500A ¡R¿ # 15kO.

Tương tự như cách tính trén. In= 3/4 Imax= 37,51A.

I, = In + 12 = 37,5pA + 37,5pA = 75pA.
75uA
Rx +R = CC
—=20k9, Rx= 5Ì kO.

2.2 Một ohm-kế loại nối tiếp có mạch đo (Hinh dưới đây). Nguồn E; = 1,5V,

cơ cấu đo có I„ = 100A. Điện trở R¡+ R„ = 15kQ.
a)Tính dịng điện chạy qua cơ cấu đo khi R.= 0.

b)Tính trị giá Rx để cho kim chỉ thi có độ lệch bằng 1/2 FSD, 1/4 FSD, 3/4 FSD
(ESD: độ lệch tối đa thang đo.)

Trang 10


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

Hình B.2.2

Giải:

E,

15V

a.

lạ—————=—--.¬=100,

b.

ĐỘ lệch bang 1/2 FSD:

”

R+R+R,

In=

0+15kQ

HA (FSD).

100,

.

.

“ae =50/A (vì cơ cấu đo tuyến tính.)

E

E,

R,+R, +R„ =1"
= R =F

[Rt „)=

Độ lệch bằng 1⁄4 FSD:

1, = 00HA _ sua: R, =~
4
:
25,

—~15kO =15kO

50A

15k = 45kOQ

Độ lệch bằng 3⁄4 FSD:

= 5kO .
im1, ==0/75
0, x 1000A PA== 750A;
75pA; R,Ry =—?
75uA— ~15kO

2.3 Một ohm-kế có mạch đo như hình sau. Biét E, =1,5V, Ri = 15kQ; Rn =
50G; R; = 50Q; cơ cấu đo cé I, = 50pA. .
Tính trị giá R. khi kim chỉ thị có độ lệch t6i da: (FSD); 1/2 FSD va 3/4 FSD.

Trang 11


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

Hình B.2.3
Giải:

Khi kim lệch tối đa (FSD):
Iạ= 500A; V„ = I„.R„ = 50nAx506 = 2,5mV.
V„ _ 2,5Vm =50//A
502
2

Dịng điện mạch chính: I, = I; + I„ = 50pA + 50pA = 100pA.
E,

RR
EoIT, = 100/A
5Ế,

=15kQ,

R,=(R,+ Rị)— Rị = 15kO - 15k© = 0
Kim lệch 1⁄2 FSD:
1,25mV
=25/A
In = 25pA; Vụ = 25pA x 50Q = 1,25mV; I, =
50Q
I, = 25pA + 25pA = 50pA.
5V
R, +R,= an =30kO; Rx = 30kO - 15kO = 15kO.
Kim léch 3/4 FSD:
In = 0,75 x 500A = 37,5pA; Van= 37,5pAx50Q = 1,875mV.
ou 875i
em =37,5UA; I, = 37,5pA + 37,5pA = 75pA.
R.+R “2AV — 2049 = R, =20kO ~15kO = BkO.,

Trang 12


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

2.4 Một ohm-kế co mạch đo nhỉu hình bai 3. có nguồn Eb giam xuống chỉ cịn
1,3V. Tính trị giá mới của R2 ?.?lại các giá trị Rx tương ứng với độ lệch
cUa kim: 1/2 FSD, 3/4 FSD.

R.=

=0;1, =~ E,
0545

R,+R,

=

Giai:
13V _ = 86,67

0+15kQ

HA

In = 50pA (FSD); 12 = l,— I„ = 86,67pA — 50pA = 36,67pA.
Vn, = 2,5V 56 196
=
=
=
- R,=-e=
Vin = ImnRm = 50pA
x 50Q = 2,5mV;

R,

1, `

36/67uA

Khi kim lệch 1/2 FSD:
I„ =25nA; V„= 25HA x 500 = 12,5mV
V„ _125mV =18,33uA
2B,
681
1,=l„ + I›= 250A + 18,3pA =43,33pA
R, +R, = 12=
_ 30kO — R, = 30kO —15kO = 15kO
1, 43330.A

Khi kim lệch 3⁄4 ESD:

In= 0,75 x 50A =37,5HA; Vm = 37,5pA x 50Q = 1,875mV.
1875mV
WA; 1,=37,5pA
= a
=27,5UA;
1y=
+ 27,5pA = = 65pA. .
Y,
R.+R, =Ýh =- ĐỂ 201Q — R. =20kQ—15kO= 5kQ
65//A
b

2.5 Tính dịng điện chạy qua cơ cấu đo và độ lệch của kim chỉ thị của ohm-kế
có mạch dơ như hình vẽ khi ta sử dung tầm đo Rx1 trong hai trường hợp:
a)R.=0

b)R,= 240

Trang 13


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP
50kf)

Điểm{

chỉnh
zero

382k

2.875KQ
8Q
238kQ

ý20kQ

R

9000

32584
9009

10A

1470kQ#140kQ

ý14kQ

I,
1 —=
1,5V 14Q

Rx10k]
R,

Khóa
tầm đo.
18V

b)
"Cơng tắc" dì chuyển
a)

Hinh B.2.5
Giải:

Mạch tương đương của ohm- kế khi ta sử dụng tầm đo Rx1 trong hai

truwowgtngf hợp R, = 0 và R,= 24 nhƯ sau:

°

=0.

Rue=Di
k=
>

5

15V
=————————_

14 +{10.//(9,99kO
+ 2,875kO + 3,82kO)|
ee

"140 + (100.//16,685kQ)

= 62,516mA

Dịng Im chạy qua cơ cấu do:

I,, = 62,516mA
©

102

10Q +16,685kQ.

In= 37,5pA = Ig: Khi kim lệch tối đa.

R.=24Q:

1, =———__»¥ __31954ma
240 +140(10Q //(16,685kQ))

102
l„ m ==31254mA——————————18,72uA:
3h,
100+ 16,6850
WA:

kim lệch
lệ 1/2 FSD, ;
kim

2,6 Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo và độ lệch của kim chỉ thị của ohm-kế
có mạch như bài 5, khi sử dụng tầm đo Rx100 va Rx10k trong trường hợp
R,=0.

Trang 14


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP
702

2.875 ko

2360

2875kQ

Hình B.2.6
Giải:

se - Mạch tương đương của Ohm-kế khi ta sử dụng tầm đo Rx100 và R = 0.

ie
>

15V

"14700. + [1kQ//(9kQ. + 2,875kO + 3,82kQ)]
oI

236kO + (1kQ.//15,695kQ)

622,38UA

I„ m =62238MA——
1k© +HẾ—_—
6,695kO ~ >7 › sUA =1, pt: kìm chỉ
chỉ thị thị lệch
lệch tốitối đ đa.
© - Mạch tương đương của ohm-kế khi ta sử dungj tầm đo Rx10kO và R„ =

0.

ia

15V

°236kQ.+[10kQ//(2,875kOQ + 3,82kQ)]

=——
1
——

236kO +[10k© //6,695kO]

-qsuA

10kQ
1„ i =62,BuA————————
lệch tốitối đa. đa.
HATO + 6,695KQ =37,5kO = Ï„:: KimKim chỉ chỉ thị thị lệch

Trang 15


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

2.7 Ta đo điện trở bằng cách dùng phương pháp V và A được mắc rẻ dài.

Ampe-ké chỉ 0,5A,vơn kế chỉ 500V.Ampe kế có R, = 10Q,10kQ/V. Tinh giá
trị R.

Hình B.2.7
Giải:

E + Ea = 500V; I= 0,5A
R.+R=F TE, _ 500V _ 10nnQ

I ` 05A

R= 10002 - R, = 1000Q - 10 =990.

2.8 Các ampe-kế, vôn kế và điện trở R ở bài 2.7 được mắc rẻ ngắn. Hãy tính
độ chỉ của vơn kế và ampe-kế (nguồn cung cấp vẫn là 500V).

Hình B.2.8
Giải:

Nội trở của vơn kế :
R,= 1000V x 10kQ/V =10MQ
Ry // R= 10MQ // 9902 = 989,92

Trang 16


ĐO LƯỜNG ĐIỆN
©

BÀI TẬP

DOchiclavénké:

E=

© _ Độ chỉ của ampe-kế:

500V x(R, // RÌ _ 5000V x989,90

R,+(R,+R)

=

102+989,90

=495V

TRT HS V54
R,//R 98999

CHƯƠNG II:

ĐO ĐIỆN DUNG, ĐIỆN CẢM VÀ HỔ CẢM
3.1.Cho cầu đo như hình vẽ , biết C¡ =0.1HE và tỉ số Rz/R¿ có thể chỉnh được

thay đổi trong khoảng : 100/1 và 1/100 . Hãy tính Cx mà cầu có thể đo được.

Hình B.3.1

Giải:
Ta c6: Cx = C¡Rz/R¿. Với : R/R„ =100/1

=>Cx = 0,1HF(100/1) =10pF
Với : Rz/R4 =1/100 => 0,1uF(1/100) =0,001pF
Vậy cầu có tầm do : tt 0,001pF+ 10pF
3.2. Cho cầu điện dung như hình sau, thành phần mẫu C; =0,1nF ;Rs =10kQ. Biết rằng

cầu cân bằng khi nguồn cung cấp co f = 100Hz; R: =125Q va Ru = 14,7Q . Hãy tình giá

tri Rs, Cs va hé s6 t6n hao D của tụ?

Trang 17


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

Hình B.3.2

Giải:

Ta có : C; =C:RR¿;

5

0,1uF x10kQ
Tagg
7 O-O68HE 5

xR,
Rs= R,xR,

R,

- 1250x14,7kO =183.30

10kQ.

D =ØGsR¿ = 2n. 100Hz X0,068IIFX183,8 = 0,008
3.3. Cho cầu điện dung như hình sau, thành phần mẫu C; =0,1nF ;R; =10kO. Biết rằng
cầu cân bằng khi nguồn cung cấp co f = 100Hz; R: =125Q va Ru = 14,7 . Hãy tình giá

trị R;, Cs và hệ số tổn hao D của tụ?


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

Hình B.3.3
Giải:

Ta có : C; =C¡RR¿;

5

0,1uF x10kQ
Tagg

7 O-O68HE 5

xR,
Rs= RxR,

R,

D=CsRs

- 1250x14,7kO =183.30

10kQ

= 2m . 100Hz X0,068pHFX 183,8Q = 0,008

3.4.Cầu Maxwell đo điện cảm dùng thành phần mẫu C; = 0,1IIF, nguồn cung cấp có

tần số f=100Hz. Cầu cân bằng khi R; =1,26kO; R„= 4709 và R„ =500 .Tính trị giá

điện cảm L¿, điện trở R; và hệ số phẩm chất Q của cuộn dây.

Hình B.3.4

Giải:
Ta 06 :Ls =C3RiRy =0,1p FX 1,26kQ x 500Q = 63mH

R,=

R,R,

R3

=

_1,26kQx500Q

4700

=1,,34kQ

_ @LS _ 2zx100Hzx63mH _

QR

Ss

1,34kQ

0,03

Trang 19


ĐO LƯỜNG ĐIỆN

BÀI TẬP

3.5. Cầu có nguồn cung cấp f= 100Hz cân bang khi C3 =0,1pF, R, =1,26kQ , R; =75Q

va Ra =500Q. Tính điện cảm L; ,điện trở R; và hệ số phẩm chất Q của cuộn dây?

Hình B.3.5

Giải:

Lp=C,R,R, = 0,1pFX1,26kQ x 500 =63mH
Rp
Q=

_ R,R, _ 1/26kQx5000 =8,4kQ.
R3

R,

75Q.

8,4kQ

=“——————-=2
@L;
2Zx100Hzx63mH

3.6. Hãy tính thành phần tương đương L.s,Rs của cuộn dây có :Lp =63Mh ; Rp = 8,4kO (

† =100Hz).

"...

“32 4 Re:

:

Giải:

¬-

R;= 8,4kO ; R?= 7,056x10”; X;= Ø1,

=>X; =2 x100HzX63mH =39,6
X2=1,57x10°; X? + R2=7,056 X10"
Ss

_ 8,4kQ.x1,57 x10? =0,1879 ;
7,056 x10”
Trang 20